JP5860063B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1に、本発明に係る真空処理装置(基板処理装置)の一実施形態としてのスパッタリング装置を示す。図1はスパッタリング装置100の全体概略図である。
図4Aは、第1の突出部30及び笠31がシールド3に対して外部空間24の側にある場合を示す図である。図4Bは、図2で示したようにシールド3に対して処理空間22の側に第1の突出部30及び笠31がある場合を示す図である。
次に図5A,5Bを参照しながら、本発明の第2の実施形態について説明する。
図5Aは、本実施形態に係る排気部21を説明するための図であり、図5Bは図5AのVB−VB線矢視断面図である。
次に図7を参照しながら、本発明の第3の実施形態について説明する。
次に図8を参照しながら、本発明の第4の実施形態について説明する。
次に図9、図10及び図11を参照しながら、本発明の第5の実施形態について説明する。
次に図12、図13及び図14を参照しながら、本発明の第6の実施形態について説明する。
次に図15を参照しながら、本発明の第7の実施形態について説明する。
Claims (21)
- 基板を処理するための容器と、
前記容器内のガスを排気するための第1の排気部と、
前記容器内に設けられ、前記基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダの周囲に設けられたシールドであって、前記容器内を、前記基板を処理する処理空間と該処理空間以外の外部空間とに区画するシールドと、
前記処理空間内にガスを導入するためのガス導入部と、
前記処理空間内にプラズマを生成するためのプラズマ生成部と、
前記シールドに設けられ、前記処理空間から前記外部空間への排気がなされる第2の排気部であって、前記処理空間と前記外部空間とを連通する連通経路を有し、該連通経路の少なくとも一部が前記処理空間の、前記プラズマ生成部により前記プラズマが生成される領域から隠れている第2の排気部と、を備え、
前記第2の排気部は、
前記シールドに形成された開口部と、
前記開口部の周囲に設けられた第1の突出部と、
前記第1の突出部の、前記シールド側と反対側に設けられ、前記開口部を覆う衝立部と、
前記第1の突出部と前記衝立部との間に設けられ、前記プラズマ生成部により前記プラズマが生成される領域から隠れた間隙と、を有し、
前記衝立部は前記シールド側に突出した第2の突出部を有し、
前記第1の突出部と前記第2の突出部との間には間隙が設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の突出部及び前記衝立部は前記処理空間側に配されており、前記衝立部は前記第1の突出部の全てを覆うことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記衝立部と前記第1の突出部との間には、前記衝立部と前記第1の突出部との間に設けられた間隙を調整する挿間部材が挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1の突出部は、前記開口部の開口面積を減少させるように第3の突出部を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2の排気部はさらに排気量制御部を有し、
前記排気量制御部は、
突起部を有し、該突起部を前記開口部に挿入することで、前記連通経路の開口面積を制限する制限部と、
前記制限部に接続され、該制限部を支持する支持部と、
前記容器の外部に設けられ、前記支持部に接続され、前記制限部が前記開口部の面内の法線方向に移動するように前記支持部を移動させる移動制御部と
を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2の排気部はさらに排気量制御部を有し、
前記排気量制御部は、
前記開口部の開口面積より大きな断面積を有する先端を前記開口部の縁部に当接することで、前記処理空間から前記外部空間への排気を制限する制限部と、
前記制限部に接続され、前記制限部を支持する支持部と、
前記容器の外部に設けられ、前記支持部に接続され、前記縁部に当接した前記制限部を該縁部から離間させるように、前記支持部を移動させる移動制御部と
を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記排気量制御部は支持機構を備え、
前記支持機構は、
前記支持部と水平なガイドと、
前記ガイドに固定され、前記支持部に対して摺動可能に設けられ、前記支持部を支持するための支持棒と
を有することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記排気量制御部は支持機構を備え、
前記支持機構は、
前記支持部と水平なガイドと、
前記ガイドに固定され、前記支持部に対して摺動可能に設けられ、前記支持部を支持するための支持棒と
を有することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記シールドは複数のシールドを有し、
前記第2の排気部とは別個に設けられ、前記複数のシールドの少なくとも一部により形成された少なくとも1つの間隙を介して、前記処理空間から前記外部空間への排気がなされる第3の排気部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2の排気部は、前記ガス導入部と前記第2の排気部との距離が、前記第1の排気部と前記第2の排気部との距離よりも大きくなる位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理するための容器と、
前記容器内のガスを排気するための第1の排気部と、
前記容器内に設けられ、前記基板を保持するための基板ホルダと、
前記容器内に設けられ、ターゲットを保持するためのターゲットホルダと、
前記基板を前記ターゲットホルダから遮蔽する遮蔽位置と、前記基板を前記ターゲットホルダに対して露出させる退避位置との間を移動可能なシャッターと、
前記基板ホルダの周囲に設けられたシールドであって、前記容器内を、前記基板を処理する空間および前記退避位置が位置する退避空間を含む処理空間と、該処理空間以外の外部空間とに区画するシールドと、
前記処理空間内にガスを導入するためのガス導入部と、
前記シールドに設けられ、前記退避空間と前記外部空間とを連通させ、前記処理空間から前記外部空間への排気がなされる第2の排気部であって、
前記シールドに形成された開口部と、
前記開口部の周囲に、前記開口部を囲むように設けられた第1の突出部であって、前記開口部と反対側の端部の一部に切り欠き部を有する第1の突出部と、
前記開口部を覆う衝立部と、を有する第2の排気部と、を備え、
前記衝立部は前記端部に連結されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の突出部及び前記衝立部は前記処理空間側に配されていることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記衝立部は前記第1の突出部の全てを覆い、
前記衝立部と前記端部との間には、前記衝立部と前記第1の突出部との間に設けられた間隙を調整する挿間部材が挿入されていることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記第1の突出部は、前記開口部の開口面積を減少させるように第3の突出部を有することを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記第2の排気部はさらに排気量制御部を有し、
前記排気量制御部は、
突起部を有し、該突起部を前記開口部に挿入することで、前記開口部の開口面積を制限する制限部と、
前記制限部に接続され、該制限部を支持する支持部と、
前記容器の外部に設けられ、前記支持部に接続され、前記制限部が前記開口部の面内の法線方向に移動するように前記支持部を移動させる移動制御部と
を有することを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記第2の排気部はさらに排気量制御部を有し、
前記排気量制御部は、
前記開口部の開口面積より大きな断面積を有する先端を前記開口部の縁部に当接することで、前記処理空間から前記外部空間への排気を制限する制限部と、
前記制限部に接続され、前記制限部を支持する支持部と、
前記容器の外部に設けられ、前記支持部に接続され、前記縁部に当接した前記制限部を該縁部から離間させるように、前記支持部を移動させる移動制御部と
を有することを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記排気量制御部は支持機構を備え、
前記支持機構は、
前記支持部と水平なガイドと、
前記ガイドに固定され、前記支持部に対して摺動可能に設けられ、前記支持部を支持するための支持棒と
を有することを特徴とする請求項15に記載の基板処理装置。 - 前記排気量制御部は支持機構を備え、
前記支持機構は、
前記支持部と水平なガイドと、
前記ガイドに固定され、前記支持部に対して摺動可能に設けられ、前記支持部を支持するための支持棒と
を有することを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。 - 前記シールドは複数のシールドを有し、
前記第2の排気部とは別個に設けられ、前記複数のシールドの少なくとも一部により形成された少なくとも1つの間隙を介して、前記処理空間から前記外部空間への排気がなされる第3の排気部をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記第2の排気部は、前記ガス導入部と前記第2の排気部との距離が、前記第1の排気部と前記第2の排気部との距離よりも大きくなる位置に設けられていることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記外部空間内に設けられている制限部をさらに備え、
前記制限部は前記シールドとの間に間隙を有し、前記間隙の大きさを変えることによって前記開口部の排気コンダクタンスを調節できることを特徴とする請求項11、12、19および20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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