KR101610556B1

KR101610556B1 - 성막 장치

Info

Publication number: KR101610556B1
Application number: KR1020147000687A
Authority: KR
Inventors: 유지 가지하라; 야스시 야스마츠; 가즈야 고나가
Original assignee: 캐논 아네르바 가부시키가이샤
Priority date: 2011-06-30
Filing date: 2012-05-30
Publication date: 2016-04-07
Also published as: WO2013001714A1; US9322094B2; TW201307596A; KR20140027458A; JP5662575B2; CN103635604B; US20140054167A1; JPWO2013001714A1; TWI444494B; CN103635604A

Abstract

타깃간에서의 오염이 발생하는 것을 저감할 수 있는 성막 장치를 제공한다. 성막 장치는 타깃이 설치되는 설치면을 구비하는 복수의 타깃 전극과, 상기 복수의 타깃 전극에 대향하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더와, 상기 복수의 타깃 전극과 상기 기판 홀더 사이에 회전 가능하게 설치되고, 상기 설치면에 대향 가능한 복수의 개구를 갖는 제1 셔터 부재와, 상기 제1 셔터 부재에 인접해서 배치되고, 상기 타깃 전극수와 동등한 수의 개구를 갖는 실드 부재를 구비하고, 상기 제1 셔터 부재와 상기 실드 부재의 간극은 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 외주측을 향해서 벌어져 있는 것을 특징으로 한다.

Description

성막 장치{FILM-FORMING DEVICE}

본 발명은 성막 장치에 관한 것으로, 예를 들어 단일 챔버 내에 재질이 상이한 복수의 타깃 전극을 구비하고, 또한 회전 셔터 장치를 이용하여 다층막을 스퍼터 성막하는 다원 스퍼터 성막 장치에서의 오염의 저감에 관한 것이다.

다원 스퍼터 성막 장치(예를 들어, 특허문헌 1)에서는, 필요한 다층막을 1개의 성막 챔버 내에서 기판 상의 최하층으로부터 최상층까지 중단하지 않고 계속해서 연속적으로 스퍼터 성막을 할 수 있다.

전술한 바와 같은 다층막의 스퍼터 성막을 행하기 위해서, 특허문헌 1의 성막 장치에서는 1개의 챔버 내에 복수의 상이한 재질의 타깃을 챔버 천장부, 즉 성막 대상인 기판의 상방 공간에 배치하고, 또한 스퍼터 성막에 사용하는 타깃을 선택하기 위한 셔터 장치를 설치하고 있다. 이 셔터 장치는 각각 독립적으로 회전하는 이중 셔터의 구조를 갖고, 2매의 셔터판의 각각에는 선택한 타깃을 기판측에서 볼 수 있는 필요한 수의 개구가 필요 위치에 형성되어 있다.

회전 셔터 장치는 성막하지 않는 재질의 타깃은 실드하고, 스퍼터 성막하고자 하는 재질의 타깃은 개구를 통해서 기판에 대하여 나타나게 된다. 회전 셔터 장치는 기판에서 보아 거의 원 형상의 2개의 셔터판을 구비하고 있으며, 이 2개의 셔터판이 독립적으로 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 스퍼터 성막에 사용하는 타깃을 선택할 때에는, 회전 셔터 장치에 의해 각 셔터판을 회전시켜서, 성막해야 할 재질의 타깃이 개구를 통해서 기판에 면하도록 하고 있다.

여기서, 성막해야 할 재질이 상이한 복수의 타깃을 특정한 순서로 선택해서 스퍼터 성막할 때, 타깃간에 오염이 발생하면 성막되는 막 성능이 저하될 우려가 있다. 막 성능이 양호한 다층막을 기판 상에 퇴적시키기 위해서 오염의 발생을 확실하게 방지하는 기술이 요구되고 있다.

일본 특허 공개 제2011-001597호 공보

그런데, 캐소드를 지지하는 캐소드 홀더측과 회전 셔터판 사이의 간극을 스퍼터 입자가 통과해서 오염이 발생하는 경우가 있다. 이 대책으로서, 캐소드 홀더측과 회전 셔터판 사이의 간극은 좁은 것이 바람직하다. 한편, 셔터 장치의 경량화를 위해서 박판으로 회전 셔터판을 구성하는 경우가 있다. 이 경우에, 회전 셔터판에 적층된 막에 의해 발생하는 응력이나, 회전 셔터판의 클리닝 시의 블라스트 처리 등에 의해 회전 셔터판이 변형되기 때문에, 캐소드 홀더측과 회전 셔터판 사이의 간극을 어느 정도 확보할 필요가 있었다.

종래의 셔터 장치를 도 12, 도 13a, 도 13b에 도시한다. 도 12는 회전 셔터 장치의 상면도, 도 13a, 도 13b는 각각 도 12의 A-A 단면도, B-B 단면도이다. 종래의 셔터 장치(100)에서는 캐소드 C측의 실드판(102)과 캐소드 C측의 회전 셔터판(103) 사이에 스퍼터된 물질이 통과할 수 있는 간극 D1이 있다. 특히, 도 13b에 도시하는 바와 같이 인접하는 캐소드간의 영역에 실드판(102)과 회전 셔터판(103)의 간극 D1이 있다. 이 간극을 통하여 오염이 발생할 것이 우려된다.

본 발명의 목적은 상기 과제를 감안하여, 타깃간의 오염을 저감할 수 있는 성막 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명에 따른 성막 장치는 타깃이 설치되는 설치면을 구비하는 복수의 타깃 전극과, 상기 복수의 타깃 전극에 대향하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더와, 상기 복수의 타깃 전극과 상기 기판 홀더 사이에 회전 가능하게 설치되고, 상기 설치면에 대향 가능한 복수의 개구를 갖는 제1 셔터 부재와, 상기 제1 셔터 부재에 인접하여 배치되고, 상기 타깃 전극의 수와 동등한 수의 개구를 갖는 실드 부재를 구비하고, 상기 제1 셔터 부재와 상기 실드 부재의 간극은 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 외주측을 향해서 벌어져 있는 것을 특징으로 한다.

1개의 챔버 내에 복수의 타깃을 구비하여 다층막을 스퍼터 성막하고, 또한 회전 셔터 장치로 타깃의 선택을 행하도록 한 성막 장치에 의해 타깃간에서의 오염을 저감할 수 있다.

본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명에 의해 명백해질 것이다. 또한, 첨부 도면에서는 동일하거나 혹은 마찬가지의 구성에는 동일한 참조 번호를 붙인다.

첨부 도면은 명세서에 포함되고, 그 일부를 구성하여 본 발명의 실시 형태를 도시하여, 그 기술과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해서 사용된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 장치의 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 셔터 장치를 구성하는 각 부재의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 셔터 장치를 상방에서 본 개략도이다.
도 4a는 도 3의 I-I 단면도이다.
도 4b는 도 3의 III-III 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 셔터 장치를 구성하는 각 부재의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 셔터 장치를 구성하는 각 부재를 상방에서 본 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 셔터 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 셔터 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 셔터 장치의 동작 설명도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 셔터 장치의 단면도이다.
도 12는 종래의 회전 셔터 장치를 상방에서 본 개략도이다.
도 13a는 도 12의 A-A 단면도이다.
도 13b는 도 12의 B-B 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예를 도시하는, 도 3의 III-III 단면도이다.

이하에, 본 발명의 적합한 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 설명한다. 이하에 설명하는 부재, 배치 등은 발명을 구체화한 일례로, 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 취지에 따라서 각종 개량 변경할 수 있는 것은 물론이다. 본 발명에 따른 성막 장치의 적용은 스퍼터링 장치에 한정되는 것이 아니며, 진공 용기 내에서 셔터 장치에 의해 증착 재료를 선택할 수 있는 각종 PVD 장치에 적용 가능하다.

(제1 실시 형태)

도 1 내지 도 5에 기초하여 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 장치의 종단면도이다. 성막 장치(1)는 진공 용기(51)의 내부에 4개의 타깃 전극(35 내지 38)(36, 37은 도시를 생략)이 설치된 스퍼터링 성막 장치이며, 기판 W를 유지하는 기판 홀더(3), 임의의 타깃 T를 기판 W에 노출시킬 수 있는 셔터 장치(4)를 구비하고 있다.

또한, 도 1에서 성막 장치(1)의 내부를 필요한 진공 상태로 하기 위한 진공 배기 유닛, 타깃 전극(35 내지 38)에 전력을 공급하기 위한 유닛, 게이트 밸브 GV를 통하여 기판 홀더(3) 상의 기판 W를 교환하는 기판 반송 장치, 프로세스 가스 도입 유닛 등의 플라즈마를 생성하기 위한 유닛 등의 도시는 생략되어 있다.

기판 홀더(3)는 성막 장치(1)의 저면부의 중앙에 회전 가능하게 설치되어 있으며, 기판 W를 수평 상태로 유지할 수 있다. 기판 W에 대한 스퍼터 성막 시에는 기판 W는 회전 상태로 유지한다. 4개의 타깃 전극(35 내지 38)은 성막 장치(1)의 진공 용기(51)의 천장부(52)에 경사진 상태로 설치되어 있다.

진공 용기(51)의 상부인 천장부(52)에는 타깃 전극 홀더(61)가 설치되어 있다. 타깃 전극 홀더(61)는 타깃 전극을 유지하는 설치부(61a)가 4군데 설치된 부재이다. 본 실시 형태의 타깃 전극 홀더(61)는 진공 용기(51)의 덮개로서의 기능도 갖고 있으며, 천장부(52)와 일체로 구성되어 있지만, 진공 용기(51)의 일부에 설치부(61a)를 설치하는 구성이어도 좋다. 설치부(61a)에 유지된 타깃 전극에는, 성막 처리에 사용되는 피성막 물질이 본딩된 타깃 T를 기판 W의 방향을 향해서 유지할 수 있다. 또한, 타깃 전극의 타깃 T를 유지하는 부분을 타깃 설치면이라 한다.

도 1에는 단면에 위치하는 2개의 타깃 전극만이 도시되어 있다. 경사져서 설치된 타깃 전극(35 내지 38)의 각각에는 그들의 하방에 수평하게 배치된 기판 W의 상면에 대하여 대향하도록 타깃 T를 배치할 수 있다. 타깃 T에는 성막 처리에 사용되는 피성막 재료가 본딩되어 있다.

여기서, 타깃 T와 기판이 대향하는 상태란, 타깃 전극이 기판 주변을 향해서 배치되어 있는 상태나, 도 1에 도시한 바와 같이 타깃 T의 스퍼터면이 경사져서 기판 W를 향하여진 상태도 포함하는 것으로 한다. 또한, 기판에 형성되는 다층막 디바이스로서는 LED, MRAM, TMR 헤드, 어드밴스드(개량형) GMR 등을 들 수 있다. 형성되는 다층막 디바이스의 막 구성에 따라서 성막 장치(1)의 타깃 전극에 탑재되는 타깃의 종류도 변경되는 것은 물론이다.

타깃 T와 기판 W 사이에는 셔터 장치(4)가 배치되어 있다. 셔터 장치(4)는 이중 셔터판(15, 17)을 갖고 있다. 셔터 장치(4)에 의해 각 셔터판(15, 17)을 소정 위치에 위치 결정함으로써, 4개의 타깃 전극(35 내지 38)의 각각에 탑재된 타깃 T 중 스퍼터 성막에 사용되는 타깃 T를 기판 W에 면하게 할 수 있다.

여기서, 도 2 내지 도 6에 기초하여 셔터 장치(54)의 구조를 설명한다. 도 2는 셔터 장치(54)를 구성하는 각 부재의 사시도이다. 도 3은 셔터 장치(54)를 상방에서 본 개략도이며, 상부 실드판만이 도시되어 있다. 도 4a, 도 4b는 각각 도 3의 I-I 단면도, III-III 단면도이다. 도 5는 도 3의 II-II 단면도이다. 도 4a, 도 4b, 도 5 중에서는 타깃 전극(35 내지 38) 중 임의의 타깃 전극을 부호 C로, 임의의 타깃을 부호 T(T1 내지 T4)로 나타내었다. 셔터 장치(4)는 상부 실드판(실드 부재)(13), 제1 셔터판(제1 셔터 부재)(15), 제2 셔터판(제2 셔터 부재)(17)을 주요한 구성 요소로 하고 있다.

상부 실드판(13)은 타깃 전극 홀더(61)에 설치되는 부재이며, 타깃 전극 홀더(61)에 대한 막 부착을 방지하는 부재이다. 상부 실드판(13)을 배치하지 않는 경우에는 타깃 전극 홀더(61)의 기판측의 표면이 제1 셔터판(15)과 대향한다. 제1 셔터판(15)과 제2 셔터판(17)은 이중 회전 셔터의 셔터판으로서 구성되어 있다. 상부 실드판(13), 제1 셔터판(15), 제2 셔터판(17)은 모두 상부에 볼록한 만곡 형상을 갖고 있다.

상부 실드판(실드 부재)(13)은 타깃 전극 홀더(61)의 기판 홀더(3)측에 설치된 부착 방지 실드판이며, 타깃 T로부터 스퍼터된 물질이 타깃 전극 홀더(61)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 전술한 바와 같이 타깃 전극 홀더(61)에는 4개의 설치부(61a)가 형성되어 있다. 설치부(61a) 각각에는 타깃 전극 C가 유지된다. 각 타깃 전극 C는 타깃 T가 설치되는 면(설치면)을 갖고, 상부 실드판(13)에는 각 타깃 전극의 설치면에 대향하는 영역의 각각에 개구(63a)가 형성되어 있다.

제1 셔터판(제1 셔터 부재)(15)은 상부 실드판(13)의 기판 홀더(3)측에 회전 가능하게 설치된 셔터판이며, 회전축(65b)을 회전시킴으로써 제1 셔터판(15)의 회전 각도를 제어할 수 있다. 제1 셔터판(15)은 2개의 타깃 전극의 타깃 설치면에 대향하는 영역에 개구(65a)가 형성되어 있다. 제1 셔터판(15)의 2개의 개구(65a)는 회전축(65b)에 대하여 대칭의 위치에 형성되어 있다.

제2 셔터판(제2 셔터 부재)(17)은 제1 셔터판(15)의 기판 홀더(3)측에 회전 가능하게 설치된 셔터판이며, 회전축(67b)을 회전시킴으로써 제2 셔터판(17)의 회전 각도를 제어할 수 있다. 회전축(65b)과 회전축(67b)은 독립적으로 회전 제어 가능하게 구성되어 있다. 제2 셔터판(17)은 3개의 타깃 전극의 타깃 설치면에 대향하는 영역에 각각 개구(67a)가 형성되어 있다. 또한, 제2 셔터판(17)의 3개의 개구(67a) 중, 회전축(67b)에 대하여 대칭한 위치에 형성되어 있는 2개는 제1 셔터판(15)에 형성된 2개의 개구(65a)에 대향하여 배치할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 제2 셔터판(17)의 개구(67a)의 수는 3개로 한정되는 것은 아니다.

여기서, 본 실시 형태의 특징적인 구성에 대해서 도 4a, 도 4b와 도 5에 기초하여 설명한다. 도 4a는 도 3의 I-I 단면도, 도 5는 도 3의 II-II 단면도, 도 4b는 도 3의 III-III 단면도이다. 본 실시 형태의 이중 회전 셔터에서는 상부 실드판(13)의 만곡 형상과 제1 셔터판(15)의 만곡 형상이 상이하다. 일례로, 상부 실드판(13)의 만곡 형상과 제1 셔터판(15)의 만곡 형상은 모두 구면(球面)의 일부를 구성하는 형상을 하고 있다. 그리고, 상부 실드판(13)의 내면 형상을 따른 구면 반경 L보다도 제1 셔터판(15)의 외면 형상을 따른 구면 반경 SR은 작게 설정되어 있다. 또한, 제1 셔터판(15)의 외면이 속하는 구면의 중심 위치는 상부 실드판(13)의 내면이 속하는 구면의 중심보다도, 기판 홀더(3)로부터 먼 위치에 배치되어 있다(도 1 참조). 제1 셔터판(15)의 굽힘 정도는 상부 실드판(13)보다도 크다. 제2 셔터판(17)은 제1 셔터판(15)에 어느 위치에서도 동일한 간격으로 배치할 수 있는 형상으로 구성되어 있다.

상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)은 도 4a, 도 4b, 도 5와 같이 인접하는 타깃 T1, T4의 최근접부 S1에서의 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극 D2가 외주측의 간극보다도 좁아지도록 배치되어 있다. 본 실시 형태의 셔터 장치(4)에서는 평면도 형상에서 600mm의 직경을 갖는 상부 실드판(13) 및 제1 셔터판(15)에 대하여 간극 D2는 약 3mm이다. 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극은 인접하는 타깃 전극의 최근접부 S1보다도 외주측을 향해서 서서히 벌어져 있다. 도 4a, 도 4b, 도 5에 도시하는 예에서는, 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극은 인접하는 타깃 전극의 최근접부 S1보다도 내측(회전축(67b))을 향해서 서서히 좁아져 있다. 그러나, 도 14에 예시되어 있는 바와 같이, 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극은 인접하는 타깃 전극의 최근접부 S1보다도 내측(회전축(67b))을 향해서 서서히 벌어져도 좋다. 또한, 최근접부 S1과는 인접하는 타깃(예를 들어 T1과 T4) 사이의 영역이며, 상기 인접하는 타깃의 거리가 가장 작은 영역을 말하는 것으로 한다.

이와 같이, 최근접부 S1에서의 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극 D2를 외주측보다도 좁게 함으로써, 타깃 T1, T4 사이에서 간극 D2를 통한 오염의 발생을 방지할 수 있다. 오염은 타깃으로부터 스퍼터된 물질이 상기 타깃과는 상이한 타깃의 표면에 부착함으로써 발생한다. 특히, 상이한 피증착 물질의 타깃이 인접하여 배치되어 있을 때는, 타깃으로부터 스퍼터된 물질의 일부가 최근접부 S1을 통과해서 상기 타깃의 인접한 타깃의 표면에 부착함으로써 오염이 발생하는 경우가 많기 때문에, 본 실시 형태의 구성과 같이 최근접부 S1에서의 간극을 좁게 한 구성은 오염을 저감할 수 있다. 한편, 제1 셔터판(15)의 열팽창이나 그에 적층된 막의 응력 또는 제1 셔터판(15)의 클리닝 시의 블라스트 처리 등에 의해 제1 셔터판(15)이 변형되어도, 변형량이 많은 외주 부분에서는 간극이 충분히 확보되어 있기 때문에, 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)이 접촉하지 않는다.

또한, 셔터 장치(4)로부터 제2 셔터판(17)을 제거한 구성이어도, 다른 인접하는 타깃간에서의 오염의 발생을 저감할 수 있다. 이와 같은 구성에 대해서는 제3 실시 형태로서 후술한다.

본 실시 형태에서는, 상부 실드판(13)보다도 제1 셔터판(15)의 구면 반경을 작게 한 구성을 채용하고 있지만, 상부 실드판(13) 또는 제1 셔터판(15)의 최근접부 S1에서의 곡률 반경을 바꿈으로서도 마찬가지 효과를 얻을 수 있다. 예를 들어, 상부 실드판(13)보다도 작은 구면 반경의 제1 셔터판(15)을 사용하여, 최근접부 S1에 대향하는 부분의 간극만을 좁게 하도록 제1 셔터판(15)을 굴곡시켜도 좋다. 이와 같은 구성의 경우, 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극은 최근접부 S1에서 가장 좁아져, 최근접부 S1의 내주측과 외주측에서는 간극이 서서히 벌어지게 된다. 오염의 원인으로 되는 물질이 통과하는 부분의 간극이 좁으므로 오염을 저감할 수 있다.

(제2 실시 형태)

도 6 내지 도 9에 기초하여 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 성막 장치에 대해서 설명한다. 도 6은 본 실시 형태의 셔터 장치를 구성하는 각 부재의 사시도, 도 7은 본 실시 형태의 셔터 장치를 구성하는 각 부재를 상방에서 본 도면, 도 8은 상부 실드판만이 도시되어 있다. 도 8은 도 4에 대응하는 본 실시 형태의 셔터 장치의 단면도, 도 9는 도 5에 대응하는 본 실시 형태의 셔터 장치의 단면도이다. 또한, 도 8에서는 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)의 측방에서 본 위치 관계가 명확해지도록 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)에 대해서도 도시하였다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지의 부재, 배치 등에는 동일 부호를 붙여서 그 상세한 설명을 생략한다.

본 실시 형태의 셔터 장치(54)는 상부 실드판(실드 부재)(63)에 고정 분리벽(71)(제2 분리벽)이 설치되고, 제1 셔터판(제1 셔터 부재)(65)에 회전 분리벽(72)(제1 분리벽)이 설치되어 있는 점에 큰 특징이 있다. 상부 실드판(63), 제1 셔터판(65), 제2 셔터판(67) 각각을 상방에서 본 도 7에서는 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)의 상방에서 본 위치 관계가 명확해지도록, 본래 상방에서는 보이지 않는 고정 분리벽(71)을 파선으로 나타내었다.

고정 분리벽(71)(제2 분리벽)은 상부 실드판(실드 부재)(63)으로부터 제1 셔터판(65)측으로 돌출된 판형 부재이다. 고정 분리벽(71)은 합계 4개 설치되어 있으며, 상부 실드판(63)의 4개의 개구(63a)의 양측에 배치되어 있다. 4개의 고정 분리벽(71)은 상부 실드판(63)의 중심으로부터 방사상으로 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 고정 분리벽(71)은 상부 실드판(63)에 설치되어 있지만, 상부 실드판(63)을 갖지 않는 구성에서는 용기(51) 혹은 타깃 전극 홀더(61)에 직접 고정 분리벽(71)을 설치하는 구성으로도 본 발명을 실시할 수 있다.

회전 분리벽(72)(제1 분리벽)은 제1 셔터판(제1 셔터 부재)(65)으로부터 상부 실드판(63)측으로 돌출된 판형 부재이다. 회전 분리벽(72)은 합계 4개 설치되어 있으며, 제1 셔터판(65)의 2개의 개구(65a)의 양측에 배치되어 있다. 4개의 회전 분리벽(72)은 제1 셔터판(65)의 중심으로부터 방사상으로 설치되어 있다. 또한, 도 7 중 부호 80a, 80b, 80c는 Mark이며, 제1 셔터판(65), 제2 셔터판(67)의 회전 각도의 기준 위치를 나타내고 있다.

2개의 타깃 T 사이에는 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 위치하고 있다. 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)은 회전축(65b, 67b)의 축방향(회전축 방향)에서 겹치는 영역을 갖고 있다. 즉, 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)의 높이의 합은 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극의 거리보다도 긴 치수로 설정되어 있다. 도 8에서 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)을 주위 방향에서 보면, 고정 분리벽(71)은 회전축(65b)으로부터 직경 방향으로 상부 실드판(63)의 외주 부분까지 형성되어 있다. 회전 분리벽(72)도 마찬가지로 회전축(65b)으로부터 직경 방향으로 제1 셔터판(65)의 외주 부분까지 형성되어 있다.

즉, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극의 영역에서, 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)에 의해 래버린스를 형성할 수 있다. 이로 인해, 한쪽 타깃 T로부터 스퍼터된 원자가 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극 D2를 통과해서 다른 쪽 타깃 T에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)은 회전축(65b, 67b)의 축방향에서 겹치는 영역을 갖기 때문에, 제1 셔터판(65)이 회전축(65b)의 주위로 소정 각도 이상 회전하면 회전 분리벽(72)은 고정 분리벽(71)과 접촉하게 된다. 즉, 도 9에 도시되어 있는 바와 같이, 모든 회전 분리벽(72)은 고정 분리벽(71)의 주위 방향의 일방측에 각각 접근하여 위치할 수 있도록 설치되어 있다. 스퍼터 성막 처리를 행할 때에는, 회전 분리벽(72)은 고정 분리벽(71)과의 사이에서 래버린스를 형성하도록, 각각의 고정 분리벽의 주위 방향의 일방측에 소정의 간극 D3을 갖고 위치 결정된다. 소정의 간극 D3은 간극 D2보다도 작은 값으로 할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 회전 셔터 장치(54)는 회전 분리벽(72)은 고정 분리벽(71)과의 사이에서 래버린스를 형성할 수 있기 때문에, 제1 실시 형태의 회전 셔터 장치(4)보다도 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 혹은, 회전 셔터 장치(4)에 비하여 간극 D2를 넓게 하더라도 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 경우, 회전 셔터판(65, 67)의 가공 정밀도나 판 두께의 선택의 자유도를 넓힐 수 있다.

도 7에 도시한 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)의 위치 관계를 기준으로 하여, 제1 셔터판(65)을 도 7의 지면에 대하여 반시계 방향으로 90°부근까지 회전시킬 수 있다. 제1 셔터판(65)이 회전할 수 있는 각도는 회전 분리벽(72)이 고정 분리벽(71)의 주위 방향의 타방측에 접촉하기 직전까지이며, 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)의 주위 방향의 두께에 따라서 어느 정도 변동이 있지만 70 내지 90°이다.

본 실시 형태에서는 제1 셔터판(65)이 회전할 수 있는 각도(회전 각도)는 80°로 설정되어 있다. 회전 각도가 90° 미만이므로, 제1 셔터판(65)에 형성된 개구(65a)를 제1 셔터판(65)의 직경 방향보다도 주위 방향으로 길게 형성함으로써, 타깃에 대향하는 영역을 크게 개방할 수 있도록 하였다. 또한, 제2 셔터판(67)은 회전할 수 있는 각도는 제한되지 않는다.

도 10에 기초하여 본 실시 형태에 따른 셔터 장치(54)의 동작과 그 효과에 대해서 설명한다. 도 10은 타깃 전극 홀더(61), 제1 셔터판(65), 제2 셔터판(67) 각각을 상방에서 본 모식도이며, 각 타깃을 사용할 때의 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 회전 위치를 알 수 있도록 일람으로서 통합한 도면이다. 또한, 도 10의 우측의 열은 기판(34)측에서 셔터 장치(54)를 보았을 때의 모식도이다. 또한, 도 10 중에서는 상부 실드판(63)은 타깃 전극 홀더(61)와 일체로 설치되어 있는 것으로 함과 함께, 타깃 전극(35 내지 38)에 설치된 타깃을 부호 T1 내지 T4로서 나타내었다.

우선, 도 10에 도시한 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 회전 위치를 나타내는 조합 중에서, 타깃 T1만을 사용해서 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다. 도 10의 T1이라고 기재된 행에 기초하여 설명한다. 타깃 T1에 대하여 제1 셔터판(65)의 개구(65a)와 제2 셔터판(67)의 개구(67a)의 위치를 겹침으로써 타깃 T1을 이용한 스퍼터 성막이 행하여지고, 회전 중의 기판(34)의 표면에 소정의 막을 퇴적시킬 수 있다. 이 때 타깃 T2, T4는 제1 셔터판(65)으로 덮이고, 타깃 T3은 제2 셔터판(67)으로 덮이기 때문에, 타깃 T1로부터 스퍼터된 피성막 물질이 다른 타깃 T2, T3, T4에 기판측으로부터 부착되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 타깃 T1과 타깃 T2 사이 및 타깃 T1과 타깃 T3 사이의 위치에는 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T1로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T2, T4의 전방면은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T1로부터의 피성막 물질의 타깃 T2, T4로의 이동을 방지할 수 있다. 타깃 T3은 제1 셔터판(65)으로 덮여있지 않지만, 타깃 T1로부터 가장 이격되어 있는 것 및 타깃 T3과 T1 사이에 회전축(65b, 67b)이 존재함으로 인하여 타깃 T1로부터의 피성막 물질이 타깃 T3에 도달하는 것이 방해되고 있다.

이어서, 타깃 T2만을 사용하여 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다(도 10의 T2라고 기재된 행을 참조). 타깃 T2만을 사용하여 스퍼터 성막을 행할 때는, 타깃 T1만을 사용했을 때와 비교하여, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 양쪽을 지면을 향해서 반시계 방향으로 80° 회전시킨 위치로 한다. 이에 의해, 타깃 T2에 대하여 제1 셔터판(65)의 개구(65a)와 제2 셔터판(67)의 개구(67a)의 위치를 겹칠 수 있다. 타깃 T1, T3은 제1 셔터판(65)으로 덮이고, 타깃 T4는 제2 셔터판(67)으로 덮이기 때문에, 타깃 T2로부터 스퍼터된 피성막 물질이 다른 타깃 T1, T3, T4에 기판측으로부터 부착되는 것을 방지할 수 있다.

타깃 T2와 타깃 T3 사이 및 타깃 T2와 타깃 T4 사이의 위치에는, 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T2로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T1, T3의 전방면은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T2로부터의 피성막 물질의 타깃 T1, T3으로의 이동을 방지할 수 있다. 그리고, 타깃 T4는 타깃 T2로부터 가장 이격되어 있는 것 및 타깃 T4와 T2 사이에 회전축(65b, 67b)이 존재함으로 인하여 타깃 T2로부터의 피성막 물질이 타깃 T4에 도달하는 것이 방해된다.

타깃 T3만을 사용하여 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다(도 10의 T3이라고 기재된 행을 참조). 타깃 T3만을 사용하여 스퍼터 성막을 행할 때는, 타깃 T1만을 사용했을 때와 비교하여, 제1 셔터판(65)을 회전시키지 않고, 제2 셔터판(67)을 지면을 향해서 180° 회전시킨 위치로 한다. 타깃 T2, T4는 제1 셔터판(65)으로 덮이고, 타깃 T1은 제2 셔터판(67)으로 덮이기 때문에, 타깃 T3으로부터 스퍼터된 피성막 물질이 다른 타깃 T1, T2, T4에 기판측으로부터 부착되는 것을 방지할 수 있다.

타깃 T3의 주위 방향의 양측에서 인접하는 타깃 T2, T4 사이의 위치에는 모두 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T3으로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T2, T4의 전방면은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T3으로부터의 피성막 물질의 타깃 T2, T4로의 이동을 방지할 수 있다. 그리고, 타깃 T1은 타깃 T3으로부터 가장 이격되어 있는 것 및 타깃 T1과 T3 사이에 회전축(65b, 67b)이 존재함으로 인하여 타깃 T3으로부터의 피성막 물질이 타깃 T1에 도달하는 것이 방해된다.

타깃 T4만을 사용하여 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다(도 10의 T4라고 기재된 행을 참조). 타깃 T4만을 사용하여 스퍼터 성막을 행할 때는, 타깃 T1만을 사용했을 때와 비교하여, 제1 셔터판(65)을 지면에 대하여 반시계 방향으로 80° 회전시킴과 함께, 제2 셔터판(67)을 지면을 향하여 반시계 방향으로 270° 회전시킨 위치로 한다. 타깃 T1, T3은 제1 셔터판(65)으로 덮이고, 타깃 T2는 제2 셔터판(67)으로 덮이기 때문에, 타깃 T4로부터 스퍼터된 피성막 물질이 다른 타깃 T1, T2, T3에 기판측으로부터 부착되는 것을 방지할 수 있다.

타깃 T4의 주위 방향의 양측에서 인접하는 타깃 T1, T3 사이의 위치에는 모두 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T4로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T1, T3의 전방면은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T4로부터의 피성막 물질의 타깃 T1, T3으로의 이동을 방지할 수 있다. 그리고, 타깃 T2는 타깃 T4로부터 가장 이격되어 있는 것 및 타깃 T2와 T4 사이에 회전축(65b, 67b)이 존재함으로 인하여 타깃 T4로부터의 피성막 물질이 타깃 T2에 도달하는 것이 방해된다.

타깃 T1과 T3의 양쪽을 사용한 동시 스퍼터(co-sputtering 혹은 동시 성막 처리)에 의해 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다(도 10의 T1-T3 Co-SP라고 기재된 행을 참조). 타깃 T1과 T3의 Co-스퍼터를 행할 때는, 타깃 T1만을 사용했을 때와 비교하여, 제1 셔터판(65)을 회전시키지 않고, 제2 셔터판(67)을 지면을 향하여 반시계 방향으로 90° 회전시킨 위치로 한다. 이 때, 타깃 T1과 T3이 기판(34)에 대하여 개방됨과 함께, 타깃 T2, T4는 제1 셔터판(65)으로 덮인다.

타깃 T1과 T3의 주위 방향의 양측 위치에서는 각각 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T1과 T3으로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T2, T4의 전방면은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T1과 T3으로부터의 피성막 물질의 타깃 T2, T4로의 이동을 방지할 수 있다. 타깃 T1과 T3의 동시 스퍼터에서 제1 셔터판(65)의 2개의 개구(65a)는 회전축(65b)을 사이에 두고 대칭 위치이기 때문에, 타깃 T1과 T3의 거리가 길어 크로스 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 타깃 T1과 T3의 피성막 물질이 상이할 때는 본 실시 형태의 구성에 의해 크로스 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.

타깃 T2와 T4의 양쪽을 사용한 동시 스퍼터에 의해 기판(34)에 성막을 행할 때의 셔터 장치(54)의 동작에 대해서 설명한다(도 10의 T2-T4 Co-SP라고 기재된 행을 참조). 타깃 T2와 T4의 Co-스퍼터를 행할 때는, 타깃 T1만을 사용했을 때와 비교하여, 제1 셔터판(65)을 지면을 향해서 반시계 방향으로 80° 회전시켜서, 제2 셔터판(67)을 회전시키지 않는 위치로 한다. 이 때, 타깃 T2와 T4가 기판(34)에 대하여 개방됨과 함께, 타깃 T1, T3은 제1 셔터판(65)으로 덮인다.

타깃 T2와 T4의 주위 방향의 양측 위치에는 각각 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)이 래버린스를 형성하고 있기 때문에, 상부 실드판(63)과 제1 셔터판(65)의 간극에서의 타깃 T2와 T4로부터의 피성막 물질의 이동이 방해되어, 효과적으로 오염을 방지할 수 있다. 또한, 타깃 T1, T3은 제1 셔터판(65)으로 덮여 있기 때문에, 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67)의 간극에서의 타깃 T2와 T4로부터의 피성막 물질의 타깃 T1, T3으로의 이동을 방지할 수 있다. 타깃 T2와 T4의 동시 스퍼터에서, 제1 셔터판(65)의 2개의 개구(65a)는 회전축(65b)을 사이에 두고 대칭 위치이기 때문에, 타깃 T2와 T4의 거리가 길어 크로스 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 타깃 T2와 T4의 피성막 물질이 상이할 때는 본 실시 형태의 구성에 의해 크로스 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.

전술한 본 실시 형태에서는 타깃(타깃 전극)을 4개 탑재할 수 있는 성막 장치에 대해서 설명했지만, 타깃의 수는 4개로 한정되지 않는다. 예를 들어, 타깃(타깃 전극)을 2개, 제1 셔터판(65)의 개구(65a)와 제2 셔터판(67)의 개구(67a)를 각각 2개 갖는 구성이어도, 전술한 실시 형태와 마찬가지의 오염의 방지 효과를 발휘할 수 있다. 이 경우에는, 도 10에서 말하면, 타깃 T1과 T3(또는 T2와 T4)만을 구비하는 성막 장치에 적절하게 사용할 수 있다.

본 실시 형태의 성막 장치의 효과에 대해서 설명한다. 1개의 챔버 내에 복수의 타깃을 구비하여 다층막을 스퍼터 성막하고 또한 회전 셔터 장치로 타깃의 선택을 행하도록 한 성막 장치에 전술한 회전 셔터(54)를 설치함으로써, 타깃간에서의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 동시 스퍼터 성막 시의 크로스 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 의해, 막 성능이 양호한 다층막을 기판 상에 퇴적시킬 수 있다.

(제3 실시 형태)

본 실시 형태의 셔터 장치의 단면도를 도 11에 도시한다. 제1 실시 형태와 마찬가지의 부재, 배치 등에는 동일 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 본 실시 형태에 따른 셔터 장치는 전술한 실시 형태의 셔터 장치(4)와 비교하여, 제2 셔터판(17)을 구비하지 않는 구성인 점에서 상이하다. 제2 셔터판(17)을 구비하지 않는 구성이어도, 타깃 T1 내지 T4의 주위 방향에서의 양측에 있는 간극 D2를 좁게 함으로써, 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)의 간극 D2에서의 피성막 물질의 이동을 저감할 수 있기 때문이다. 즉 타깃간의 오염의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 셔터 장치의 상부 실드판(13)과 제1 셔터판(15)에도 고정 분리벽(71)과 회전 분리벽(72)을 설치해도 제2 실시 형태와 마찬가지 효과를 기대할 수 있다.

(제4 실시 형태)

또한, 전술한 실시 형태에서의 셔터 장치(54)는 상부 실드판(63)이 제1 셔터판(65)과 타깃 전극 C 사이에 배치되어 있지만, 상부 실드판(63)을 제1 셔터판(65)과 제2 셔터판(67) 사이에 배치해도 거의 마찬가지 효과를 발휘할 수 있다. 이 경우, 회전 분리벽(72)은 제1 셔터판(65)의 기판 홀더측(33) 면에 설치되고, 고정 분리벽(71)은 상부 실드판(63)의 제1 셔터판(65)측 면에 설치된다. 마찬가지로, 상부 실드판(63)을 제2 셔터판(67)의 기판 홀더(33)측에 배치하고, 회전 분리벽(72)을 제2 셔터판(67)의 기판 홀더측(33) 면에 설치해도 거의 마찬가지 효과를 발휘할 수 있다.

본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 밝히기 위해서, 이하의 청구항을 첨부한다.

본원은 2011년 6월 30일에 제출된 일본 특허 출원 제2011-145152호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 그 기재 내용의 모두를 본 명세서에 원용한다.

T, T1 내지 T4 : 타깃
GV : 게이트 밸브
W : 기판
1 : 성막 장치
3 : 기판 홀더
4, 54 : 셔터 장치
13, 63 : 상부 실드판(실드 부재)
15, 65 : 제1 셔터판(제1 셔터 부재)
17, 67 : 제2 셔터판(제2 셔터 부재)
35 내지 38, C : 타깃 전극
51 : 용기
52 : 천장부
53 : 마그네트
61 : 타깃 전극 홀더
63a, 65a, 67a : 개구
65b, 67b : 회전축
71 : 고정 분리벽(제2 분리벽)
72 : 회전 분리벽(제1 분리벽)

Claims

타깃이 설치되는 설치면을 각각 구비하는 복수의 타깃 전극과,
상기 복수의 타깃 전극에 대향하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더와,
상기 복수의 타깃 전극과 상기 기판 홀더 사이에 회전 가능하게 설치되고, 상기 설치면에 대향 가능한 복수의 개구를 갖는 제1 셔터 부재와,
상기 제1 셔터 부재와 상기 복수의 타깃 전극 사이에 설치되고, 상기 타깃 전극의 수와 동등한 수의 개구를 갖는 실드 부재와,
상기 제1 셔터 부재의 상면에 설치된 제1 분리벽들과,
상기 제1 셔터 부재의 상면을 대면하는 상기 실드 부재의 하면에 설치된 제2 분리벽들을 갖고,
상기 제1 셔터 부재는 성막에 사용되는 상기 타깃을 변경하도록 회전축을 중심으로 회전하여, 상기 제1 분리벽들이 상응하는 제2 분리벽들과 인접하도록 배치되어서, 상기 제1 분리벽들과 상기 상응하는 제2 분리벽들의 사이에 상기 회전의 주위 방향(circumferential direction)으로 제1 간극들이 형성되어 상기 타깃으로부터의 원자가 상기 제1 간극들을 통과하는 것을 방지하고,
상기 제1 셔터 부재의 상면과 상기 실드 부재의 하면 사이의 제2 간극은 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 외주측을 향해서 벌어져 있고, 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 중심으로 연장하는 전체 영역에서, 인접하는 상기 타깃의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 중심을 향해 상기 제2 간극이 좁아지는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항에 있어서,
인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부에서, 상기 실드 부재는 상기 제1 셔터 부재보다도 큰 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 셔터 부재와 상기 기판 홀더 사이에 회전 가능하게 설치되고, 상기 제1 셔터 부재의 개구수 이상의 개구를 갖는 제2 셔터 부재를 더 갖고,
상기 제2 셔터 부재의 개구는 상기 제1 셔터 부재의 개구에 대향해서 위치 결정 가능한 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 타깃 전극 중 2개는 동시 성막 처리에 사용되는 것이며,
상기 동시 성막 처리 시, 상기 제1 셔터 부재의 개구는 상기 동시 성막 처리에 사용되는 상기 타깃 전극에 동시에 대향하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 셔터 부재에는 2개의 개구가 형성되고, 상기 2개의 개구는 상기 회전축에 대한 대칭 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 분리벽 및 상기 제2 분리벽은 모두 상기 회전축을 중심으로 해서 직경 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
타깃이 설치되는 설치면을 각각 구비하는 복수의 타깃 전극과,
상기 복수의 타깃 전극에 대향하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더와,
상기 복수의 타깃 전극과 상기 기판 홀더 사이에 회전 가능하게 설치되고, 상기 설치면에 대향 가능한 복수의 개구를 갖는 제1 셔터 부재와,
상기 제1 셔터 부재와 상기 복수의 타깃 전극 사이에 설치되고, 상기 타깃 전극의 수와 동등한 수의 개구를 갖는 실드 부재와,
상기 제1 셔터 부재의 상면에 설치된 제1 분리벽들과,
상기 제1 셔터 부재의 상면을 대면하는 상기 실드 부재의 하면에 설치된 제2 분리벽들을 갖고,
상기 제1 셔터 부재는 성막에 사용되는 상기 타깃을 변경하도록 회전축을 중심으로 회전하여, 상기 제1 분리벽들이 상응하는 제2 분리벽들과 인접하도록 배치되어서, 상기 제1 분리벽들과 상기 상응하는 제2 분리벽들의 사이에 상기 회전의 주위 방향(circumferential direction)으로 제1 간극들이 형성되어 상기 타깃으로부터의 원자가 상기 제1 간극들을 통과하는 것을 방지하고,
상기 제1 셔터 부재의 상면과 상기 실드 부재의 하면 사이의 제2 간극은 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 외주측을 향해서 벌어져 있고, 인접하는 상기 타깃 전극의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 중심으로 연장하는 전체 영역에서, 인접하는 상기 타깃의 최근접부로부터 상기 제1 셔터 부재의 중심을 향해 상기 제2 간극이 벌어지는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 셔터 부재에 형성된 개구는 상기 제1 셔터 부재의 직경 방향보다도 주위 방향으로 긴 치수를 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 성막 장치.
삭제
삭제