TW201307596A - 鍍膜裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種鍍膜裝置，可以減少靶材間的污染發生。鍍膜裝置，其特徵為，具備：設有安裝有靶材的安裝面的複數靶材電極、及由相面對於前述複數靶材電極的位置將基板保持的基板支架、及在前述複數靶材電極及前述基板支架之間可旋轉地被設置且具有可與前述安裝面相面對的複數開口的第1擋板構件、及鄰接配置於前述第1擋板構件且設有與前述靶材電極的數量等同數量的開口的遮蔽構件，前述第1擋板構件及前述遮蔽構件的間隙，是從相鄰接的前述靶材電極的最近接部朝向外周側擴大。

Description

鍍膜裝置
本發明是有關於鍍膜裝置，例如有關於，在單一室內具備材質不同的複數靶材電極，且利用旋轉擋板裝置將多層膜噴濺鍍膜的多元噴濺鍍膜裝置中的污染的減少。
在多元噴濺鍍膜裝置(例如專利文獻1)中，可以將必要的多層膜，在1個鍍膜室內從基板上的最下層至最上層為止不中斷地繼續且連續地進行噴濺鍍膜。
如上述為了進行多層膜的噴濺鍍膜，在專利文獻1的鍍膜裝置中，在1個室內將複數不同材質的靶材配置於室頂部即鍍膜對象也就是基板的上方空間，且設有供選擇在噴濺鍍膜使用的靶材用的擋板裝置。此擋板裝置，是具有各別獨立旋轉的雙層擋板的構造，在2枚的各擋板中，可以將所選擇的靶材從基板側看見的所需數量的開口是分別形成於所需位置。
旋轉擋板裝置，是遮蔽不鍍膜材質的靶材，並使欲被噴濺鍍膜的材質的靶材是對於基板可通過開口出現。旋轉擋板裝置，是具備從基板所見幾乎圓形狀的2個擋板，此2個擋板板是可以獨立旋轉的方式構成。選擇在噴濺鍍膜所使用的靶材時，是藉由旋轉擋板裝置將各擋板旋轉，使欲鍍膜的材質的靶材通過開口面臨基板。
在此，將欲鍍膜的材質的不同的複數靶材由特定的順 序選擇地進行噴濺鍍膜時，在靶材間發生污染的話被鍍膜的膜性能有可能下降。為了將膜性能良好的多層膜堆積在基板上使污染的發生確實地被防止技術是被要求。
[先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-001597號公報
但是噴濺粒子會通過將支撐陰極的電子的陰極支架側及旋轉擋板之間的間隙，而會有污染發生的情況。
此對策，是使陰極支架側及旋轉擋板之間的間隙變狹窄較佳。另一方面，為了擋板裝置的輕量化具有由薄板構成旋轉擋板的情況。此情況時，因為藉由被積層在旋轉擋板的膜所發生的應力、和藉由旋轉擋板的清潔時的噴氣處理等，會使旋轉擋板變形，所以有需要某程度確保陰極支架側及旋轉擋板之間的間隙。
習知的擋板裝置是如第12、13A、13B圖所示。第12圖是旋轉擋板裝置的俯視圖，第13A、13B圖各別是第12圖的A-A剖面圖，B-B剖面圖。在習知的擋板裝置100中，在陰極C側的遮蔽板102及陰極C側的旋轉擋板103之間具有被噴濺的物質可以通過的間隙D1。尤其是，如第13B圖所示在相鄰接的陰極間的領域，具有遮蔽板102 及旋轉擋板103的間隙D1。擔心會透過此間隙使污染發生。
本發明的目的，是鑑於上述的課題，提供一種鍍膜裝置可以減少靶材間的污染。
本發明的鍍膜裝置，其特徵為，具備：設有安裝有靶材的安裝面的複數靶材電極、及由相面對於前述複數靶材電極的位置將基板保持的基板支架、及在前述複數靶材電極及前述基板支架之間可旋轉地被設置且具有可與前述安裝面相面對的複數開口的第1擋板構件、及鄰接配置於前述第1擋板構件且設有與前述靶材電極的數量等同數量的開口的遮蔽構件，前述第1擋板構件及前述遮蔽構件及間隙，是從相鄰接的前述靶材電極的最近接部朝向外周側擴大。
在1個室內具備複數靶材將多層膜噴濺鍍膜且由旋轉擋板裝置進行靶材的選擇的鍍膜裝置，可以減少靶材間的污染。
本發明的其他的特徵及優點，是藉由參照添付圖面的以下的說明會更明顯。又，在添付圖面中，對於相同或同樣的構成，是附加相同的參照符號。
以下，依據添付圖面說明本發明的最佳的實施例。以下說明的構件、配置等只是將發明具體化的一例並非限定本發明，當然可以沿著本發明的宗旨進行各種改變。本發明的鍍膜裝置的適用不限定於濺射裝置，可適用於在真空容器內藉由擋板裝置選擇蒸鍍材料的各種PVD裝置。
(第1實施例)
依據第1~5圖說明本發明的第1實施例的鍍膜裝置。第1圖是本發明的第1實施例的鍍膜裝置的縱剖面圖。鍍膜裝置1，是在真空容器51的內部設有4個靶材電極35~38(36、37是省略圖示)的濺射鍍膜裝置，具備：將基板W保持的基板支架3、可以將任意的靶材T曝露在基板W的擋板裝置4。
又，在第1圖中，將鍍膜裝置1的內部成為所需的真空狀態用的真空排氣單元、朝靶材電極35~38供給電力用的單元、透過閘門閥GV將基板支架3上的基板W交換的基板搬運裝置、生成處理氣體導入單元等的等離子用的單元等的圖示是被省略。
基板支架3，是可旋轉自如地設在鍍膜裝置1的底面部的中央，可以將基板W保持在水平狀態下。朝基板W噴濺鍍膜時，基板W是被保持在旋轉狀態下。4個靶材電極35~38，是在傾斜狀態下被安裝在鍍膜裝置1的真空容器51的頂部52。
靶材電極支架61是被設在真空容器51的上部也就是頂部52中。靶材電極支架61，是將靶材電極保持的安裝部61a設在4處的構件。本實施例的靶材電極支架61，也有作為真空容器51的蓋的功能，與頂部52一體地構成，但是在真空容器51的一部分設置安裝部61a的構成也可以。在被保持在安裝部61a的靶材電極中，可以將被黏著了鍍膜處理所使用的被鍍膜物質的靶材T朝向基板W的方向地保持。又，將保持靶材電極的靶材T的部分作為靶材安裝面。
在第1圖中只有圖示位於剖面的2個靶材電極。在被傾斜設置的各靶材電極35~38中，靶材T是被配置成可以相面對於被水平配置於其下方的基板W的上面。在靶材T中被黏著有鍍膜處理所使用的被鍍膜材料。
在此，靶材T及基板相面對的狀態，是也包含：靶材電極朝向基板周邊被配置的狀態、和如第1圖所示使靶材T的噴濺面傾斜朝向基板34的狀態。且形成於基板的多層膜裝置，可舉例：LED、MRAM、TMR頭、進階(改良型)GMR等。對應所形成的多層膜裝置的膜構成來變更被搭載於鍍膜裝置1的靶材電極的靶材的種類當然也可以。
在靶材T及基板W之間是配置有擋板裝置4。擋板裝置4是具有雙層的擋板(15、17)。藉由擋板裝置4將各擋板(15、17)定位在預定位置，在各別被搭載於4個靶材電極35~38的靶材T之中使用於噴濺鍍膜的靶材T就可以面臨基板W。
在此，依據第2~6圖說明擋板裝置54的構造。第2圖是構成擋板裝置4的各構件的立體圖。第3圖是將擋板裝置54從上方所見的概略圖，只有圖示上部遮蔽板。第4A、4B圖各別是第3圖的I-I剖面圖、III-III剖面圖。第5圖是第3圖的II-II剖面圖。在第4A、4B、5圖中將靶材電極35~38之中任意的靶材電極由符號C表示，將任意的靶材由符號T(T1~T4)表示。擋板裝置4，是將上部遮蔽板(遮蔽構件)13、第1擋板(第1擋板構件)15、第2擋板(第2擋板構件)17作為主要的構成要素。
上部遮蔽板13，是被安裝於靶材電極支架61的構件，防止膜附著於靶材電極支架61的構件。未配置上部遮蔽板13的情況時靶材電極支架61的基板側的表面是與第1擋板15相面對。第1擋板15及第2擋板17，是構成雙層旋轉的擋板。上部遮蔽板13、第1擋板15、第2擋板17皆具有朝上凸的彎曲形狀。
上部遮蔽板(遮蔽構件)13，是設在靶材電極支架61的基板支架3側的防著遮蔽板，可以防止從靶材T被噴濺的物質附著在靶材電極支架61。在如上述靶材電極支架61中形成4個安裝部61a。在安裝部61a中各別保持有靶材電極C。各靶材電極C，是具有安裝有靶材T的面(安裝面)，在上部遮蔽板13中，在相面對於各靶材電極的安裝面的領域各別形成有開口63a。
第1擋板(第1擋板構件)15，是在上部遮蔽板13的基板支架3側，可旋轉地被設置的擋板，藉由將旋轉軸 65b旋轉就可以控制第1擋板15的旋轉角度。第1擋板15，是在相面對於2個靶材電極的靶材安裝面的領域形成有開口65a。第1擋板15的2個開口65a是形成於對於旋轉軸65b對稱的位置。
第2擋板(第2擋板構件)17，是在第1擋板15的基板支架3側可旋轉地被設置的擋板，藉由將旋轉軸67b旋轉就可以控制第2擋板17的旋轉角度。可控制旋轉軸65b及旋轉軸67b分別獨立旋轉。第2擋板17，是在相面對於3個靶材電極的靶材安裝面的領域各別形成有開口67a。且，第2擋板17的3個開口67a之中，形成於對於旋轉軸67b對稱的位置的2個是形成可以配置成與形成於第1擋板15的2個開口65a相面對。又，第2擋板17的開口67a的數量不限定於3個。
在此，依據第4A、4B圖及第5圖說明本實施例的特徵的構成。第4A圖是第3圖的I-I剖面圖，第5圖是第3圖的II-II剖面圖，第4B圖是第3圖的III-III剖面圖。在本實施例的雙層旋轉遮蔽中，上部遮蔽板13的彎曲形狀及第1擋板15的彎曲形狀是相異。其一例是上部遮蔽板13的彎曲形狀及第1擋板15的彎曲形狀，皆形成構成球面的一部分的形狀。且，沿著第1擋板15的外面形狀的球面半徑SR是被設定成比沿著上部遮蔽板13的內面形狀的球面半徑L更小。且屬於第1擋板15外面的球面的中心位置，是被配置於比屬於上部遮蔽板13內面的球面的中心更遠離基板支架3的位置(第1圖參照)。第1擋板 15的折曲狀況，是比上部遮蔽板13更大。第2擋板17是形成無論在任一位置皆可被配置成與第1擋板15相同間隔的形狀。
上部遮蔽板13及第1擋板15，是第4A、4B、5圖，相鄰接的靶材T1、T4的最近接部S1中的上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙D2是被配置成比外周側的間隙更窄。在本實施例的擋板裝置4中，在俯視圖中對於具有600mm的直徑的上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙D2是約3mm。上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙，是比相鄰接的靶材電極的最近接部S1更朝向外周側漸漸地擴大。在第4A、4B、5圖所示的例中，上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙，是比相鄰接的靶材電極的最近接部S1更朝向內側(旋轉軸67b)漸漸地變窄。但是，如第14圖所例示，上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙，是比相鄰接的靶材電極的最近接部S1更朝向內側(旋轉軸67b)漸漸地變寬也可以。又，最近接部S1，是相鄰接的靶材(例如T1及T4)之間的領域，且該相鄰接的靶材的距離成為最小的領域。
如此，藉由使最近接部S1中的上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙D2比外周側更窄，在靶材T1、T4之間可以防止透過間隙D2發生污染。污染，是因為從靶材被噴濺的物質附著於與該當靶材不同的靶材的表面而發生。尤其是，因為不同的被蒸鍍物質的靶材是相鄰地被配置時，從靶材被噴濺的物質的一部分，是藉由通過最近接部S1 附著在該靶材的鄰的靶材的表面而發生污染的情況很多，所以如本實施例的構成即將最近接部S1中的間隙變窄的構成可以減少污染。另一方面，即使藉由在第1擋板15的熱膨脹和被積層於其的膜的應力，或是第1擋板15的清潔時的噴氣處理等使第1擋板15變形，在變形量多的外周部分中因為間隙是充分被確保，所以上部遮蔽板13及第1擋板15不會接觸。
又，從擋板裝置4將第2擋板17去除的構成，也可以減少其他的相鄰接的靶材之間的污染的發生。對於這種構成是如後述第3實施例。
在本實施例中，雖採用了第1擋板15的球面半徑是比上部遮蔽板13更小的構成，但是藉由改變上部遮蔽板13或第1擋板15的最近接部S1中的曲率半徑也可以獲得同樣的效果。例如，使用比上部遮蔽板13更小的球面半徑的第1擋板15，只有將相面對於最近接部S1的部分的間隙變窄的方式將第1擋板15彎曲也可以。這種構成的情況，上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙，是在最近接部S1成為最窄，在最近接部S1的內周側及外周側其間隙是漸漸地擴大。成為污染的原因的物質可通過的部分的間隙因為變狹窄所以可以減少污染。
(第2實施例)
依據第6~9圖說明本發明的第2實施例的鍍膜裝置。第6圖是構成本實施例的擋板裝置的各構件的立體 圖，第7圖是將構成本實施例的擋板裝置的各構件從上方所見的圖，第8圖是只有圖示上部遮蔽板。第8圖是對應第4圖的本實施例的擋板裝置的剖面圖，第9圖是對應第5圖的本實施例的擋板裝置的剖面圖。又，在第8圖中為了使從固定分離壁71及旋轉分離壁72的側方所見的位置關係明確而也圖示固定分離壁71及旋轉分離壁72。且，對於對於與第1實施例同樣的構件、配置等是附加同一符號並省略其詳細的說明。
本實施例的擋板裝置54，是在上部遮蔽板(遮蔽構件)63設有固定分離壁71(第2分離壁)，在第1擋板(第1擋板構件)65設有旋轉分離壁72(第1分離壁)的點具有較大的特徵。在將上部遮蔽板63、第1擋板65、第2擋板67各別從上方所見的第7圖中，為了使從固定分離壁71及旋轉分離壁72的上方至所見的位置關係明確，將原本從上方看不見的固定分離壁71由虛線表示。
固定分離壁71(第2分離壁)，是從上部遮蔽板(遮蔽構件)63朝第1擋板65側突出的板狀構件。固定分離壁71是被設置計4個，被配置於上部遮蔽板63的4個開口63a的兩側。4個固定分離壁71，是從上部遮蔽板63的中心被安裝成放射狀。又，在本實施例中固定分離壁71雖是被安裝於上部遮蔽板63，但是在不具有上部遮蔽板63的構成中直接將固定分離壁71安裝於容器51或靶材電極支架61的構成也可以實施本發明。
旋轉分離壁72(第1分離壁)，是從第1擋板(第1擋板構件)65朝上部遮蔽板63側突出的板狀構件。旋轉分離壁72是被設置計4個，被配置於第1擋板65的2個開口65a的兩側。4個旋轉分離壁72，是從第1擋板65的中心被安裝成放射狀。又，第7圖中的符號80a、80b、80c是標記，顯示第1擋板65、第2擋板67的旋轉角度的基準位置。
固定分離壁71及旋轉分離壁72是位於2個靶材T之間。固定分離壁71及旋轉分離壁72是具有在旋轉軸65b、67b的軸方向(旋轉軸方向)重疊的領域。即，固定分離壁71及旋轉分離壁72的高度的和，是設定成比上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙的距離更長的尺寸。在第8圖將固定分離壁71及旋轉分離壁72從圓周方向看的話，固定分離壁71是從旋轉軸65b朝徑方向形成至上部遮蔽板63的外周部分為止。旋轉分離壁72也同樣從旋轉軸65b朝徑方向形成至第1擋板65的外周部分為止。
即，在上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙的領域，可以藉由固定分離壁71及旋轉分離壁72形成迷宮。因此，可以有效地防止從一方的靶材T被噴濺的原子通過上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙D2到達另一方的靶材T。
在本實施例中，因為固定分離壁71及旋轉分離壁72是具有在旋轉軸65b、67b的軸方向重疊的領域，所以第1擋板65是在旋轉軸65b的周圍預定角度以上旋轉的話旋 轉分離壁72會與固定分離壁71抵接。即，如第9圖所示，全部的旋轉分離壁72是可以各別設在接近固定分離壁71的圓周方向的一方側的位置。進行噴濺鍍膜處理時，旋轉分離壁72，是在與固定分離壁71之間形成迷宮的方式，在各固定分離壁的圓周方向的一方側具有預定的間隙D3地被定位。預定的間隙D3可以是比間隙D2更小的值。
且本實施例的旋轉擋板裝置54，在旋轉分離壁72及固定分離壁71之間因為可以形成迷宮，所以可以比第1實施例的旋轉擋板裝置4更有效地防止污染。或是與旋轉擋板裝置4相比即使間隙D2較寬仍可以有效地防止污染。此情況，旋轉擋板65、67的加工精度和板壓的選擇的自由度可以擴大。
可以以如第7圖所示的固定分離壁71及旋轉分離壁72的位置關係為基準，將第1擋板65，對於第7圖的紙面朝逆時針旋轉至接近90°為止。第1擋板65可以旋轉的角度，是直到旋轉壁72與固定分離壁71的圓周方向的另一方側接觸之前為止，雖會隨著固定分離壁71及旋轉分離壁72的圓周方向的厚度某程度變動，但是為70~90°。
在本實施例中，第1擋板65可以旋轉的角度(旋轉角度)是設定成80°。旋轉角度因為是90°未滿，所以藉由將形成於第1擋板65的開口65a的形成使在第1擋板65的圓周方向的長度比在徑方向的長度更長，就可以大大地開放相面對於靶材的領域。又，第2擋板67可以旋轉的 角度未被限制。
依據第10圖說明本實施例的擋板裝置54的動作及其效果。第7圖，是各別將靶材電極支架61、第1擋板65、第2擋板67從上方所見的意示圖，為了容易了解使用各靶材時的第1擋板65及第2擋板67的旋轉位置而如圖整理成一覽表。且，第10圖的右側的列是從基板34側看擋板裝置54時的意示圖。又在第10圖中，上部遮蔽板63是被作成與靶材電極支架61一體地安裝，並且將被安裝於靶材電極35~38的靶材由符號T1~T4表示。
首先說明，在如第10圖所示的第1擋板65及第2擋板67的旋轉位置的組合中，只有使用靶材T1在基板34進行鍍膜的時的擋板裝置54的動作。依據第10圖中T1被記載的行進行說明。藉由對於靶材T1將第1擋板65的開口65a及第2擋板67的開口67a的位置重疊來進行利用靶材T1的噴濺鍍膜，就可以在旋轉中的基板34的表面堆積預定的膜。此時靶材T2、T4是由第1擋板65覆蓋，因為靶材T3是由第2擋板67覆蓋，所以可防止從靶材T1被噴濺的被鍍膜物質從基板側附著在其他的靶材T2、T3、T4。
進一步，在靶材T1及靶材T2之間、及靶材T1及靶材T3之間的位置中，固定分離壁71及旋轉分離壁72因為是形成迷宮，所以可以妨害來自靶材T1的被鍍膜物質移動於上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙，可以有效地防止污染。且，因為靶材T2、T4的前面是由第1擋板65 覆蓋，所以可以防止來自靶材T1的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T2、T4移動。靶材T3雖未由第1擋板65覆蓋，但是因為最遠離靶材T1、及靶材T3及T1之間旋轉軸65b、67b是存在，所以會被妨害來自靶材T1的被鍍膜物質到達靶材T3。
接著，說明只有使用靶材T2在基板34進行鍍膜時的擋板裝置54的動作(參照第10圖中T2被記載的行)。只有使用靶材T2進行噴濺鍍膜時，與只有使用靶材T1時相比，第1擋板65及第2擋板67的雙方是位於朝向紙面朝逆時針旋轉80°的位置。由此，可以對於靶材T2將第1擋板65的開口65a及第2擋板67的開口67a的位置重疊。因為靶材T1、T3是由第1擋板65覆蓋，靶材T4是由第2擋板67覆蓋，所以可防止從靶材T2被噴濺的被鍍膜物質從基板側附著在其他的靶材T1、T3、T4。
在靶材T2及靶材T3之間、及靶材T2及靶材T4之間的位置中，固定分離壁71及旋轉分離壁72因為是形成迷宮，所以可以妨害來自靶材T2的被鍍膜物質移動於上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙，可以有效地防止污染。且，因為靶材T1、T3的前面是由第1擋板65覆蓋，所以可以防止來自靶材T2的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T1、T3移動。且，因為靶材T4是最遠離靶材T2、及在靶材T4及T2之間旋轉軸65b、67b存在，所以可妨害來自靶材T2的被鍍膜物質到達靶材T4。
說明只有使用靶材T3在基板34進行鍍膜時的擋板裝置54的動作(參照第10圖中T3被記載的行)。只有使用靶材T3進行噴濺鍍膜時，與只有使用靶材T1時相比，不將第1擋板65旋轉，只將第2擋板67位於朝向紙面旋轉180°的位置。因為靶材T2、T4是由第1擋板65覆蓋，靶材T1是由第2擋板67覆蓋，位於可防止從靶材T3被噴濺的被鍍膜物質從基板側附著在其他的靶材T1、T2、T4。
在靶材T3的圓周方向的兩側且在相鄰接的靶材T2、T4之間的位置中，因為固定分離壁71及旋轉分離壁72皆是形成迷宮，所以可以妨害來自靶材T3的被鍍膜物質移動於上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙，可以有效地防止污染。且，因為靶材T2、T4的前面是由第1擋板65覆蓋，所以可以防止來自靶材T3的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T2、T4移動。且，因為靶材T1是最遠離靶材T3、及在靶材T1及T3之間旋轉軸65b、67b存在，所以可妨害來自靶材T3的被鍍膜物質到達靶材T1。
說明只有靶材T4在基板34進行鍍膜時的擋板裝置54的動作(參照第10圖中T4被記載的行)。只有使用靶材T4進行噴濺鍍膜時，與只有使用靶材T1時相比，將第1擋板65對於紙面朝逆時針旋轉80°，並且使第2擋板67成為位於朝向紙面朝逆時針旋轉270°的位置。因為靶材T1、T3是由第1擋板65覆蓋，靶材T2是由第2擋板 67覆蓋，所以可防止從靶材T4被噴濺的被鍍膜物質從基板側附著在其他的靶材T1、T2、T3。
在靶材T4的圓周方向的兩側且在相鄰接的靶材T1、T3之間的位置中，因為固定分離壁71及旋轉分離壁72皆是形成迷宮，所以來自上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙中的靶材T4的被鍍膜物質的移動會被妨害，可以有效地防止污染。且，因為靶材T1、T3的前面是由第1擋板65覆蓋，所以可以防止來自靶材T4的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T1、T3移動。且，因為靶材T2是最遠離靶材T4、及靶材T2及T4之間旋轉軸65b、67b存在，所以可妨害來自靶材T4的被鍍膜物質到達靶材T2。
說明藉由使用靶材T1及T3的雙方的同時噴濺(co-sputtering或是同時鍍膜處理)在基板34進行鍍膜時的擋板裝置54的動作(參照第10圖中T1-T3 Co-SP被記載的行)。進行靶材T1及T3的Co-噴濺時，與只有使用靶材T1時相比，不使第1擋板65旋轉，只將第2擋板67位於朝向紙面朝逆時針旋轉90°的位置。此時，靶材T1及T3是對於基板34被開放，並且靶材T2、T4是由第1擋板65覆蓋。
在靶材T1及T3的圓周方向的兩側位置中，因為固定分離壁71及旋轉分離壁72是各別形成迷宮，所以可以妨害來自靶材T1及T3的被鍍膜物質移動於上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙，可以有效地防止污染。且，因為 靶材T2、T4的前面是由第1擋板65覆蓋，所以可以防止來自靶材T1及T3的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T2、T4移動。在靶材T1及T3的同時噴濺中，因為第1擋板65的2個開口65a是位於將旋轉軸65b挾持的對稱位置，所以靶材T1及T3的距離長而可以有效地防止交叉污染。尤其是，靶材T1及T3的被鍍膜物質不同時是藉由本實施例的構成就可以有效地防止交叉污染。
說明藉由使用靶材T2及T4的雙方的同時噴濺在基板34進行鍍膜時的擋板裝置54的動作(參照第10圖中T2-T4 Co-SP被記載的行)。進行靶材T2及T4的Co-噴濺時，與只有使用靶材T1時相比，將第1擋板65朝向紙面朝逆時針旋轉80°，不將第2擋板67旋轉。此時，靶材T2及T4是對於基板34被開放，並且靶材T1、T3是由第1擋板65覆蓋。
在靶材T2及T4的圓周方向的兩側位置中，因為固定分離壁71及旋轉分離壁72是各別形成迷宮，所以可以妨害來自靶材T2及T4的被鍍膜物質移動於上部遮蔽板63及第1擋板65的間隙，可以有效地防止污染。且，因為靶材T1、T3是由第1擋板65覆蓋，所以可以防止來自靶材T2及T4的被鍍膜物質從第1擋板65及第2擋板67的間隙朝靶材T1、T3移動。在靶材T2及T4的同時噴濺時，因為第1擋板65的2個開口65a是位於將旋轉軸65b挾持的對稱位置，所以靶材T2及T4的距離長，可以有效 地防止交叉污染。尤其是，靶材T2及T4的被鍍膜物質不同時，藉由本實施例的構成就可以有效地防止交叉污染。
在上述的本實施例中，雖說明了可以搭載4個靶材(靶材電極)的鍍膜裝置，但是靶材的數量不限定於4個。例如，將靶材(靶材電極)設置2個，且各別具有2個第1擋板65的開口65a及第2擋板67的開口67a的構成，也可以發揮與上述的實施例同樣的防止污染的效果。此情況時，由第10圖說明的話，可以最佳使用在只有具備靶材T1及T3(或T2及T4)的鍍膜裝置。
敘述本實施例的鍍膜裝置的效果。藉由將上述的旋轉擋板54安裝於在1個室內具備複數靶材將多層膜噴濺鍍膜且由旋轉擋板裝置進行靶材的選擇的鍍膜裝置，就可有效地防止靶材間的污染。尤其是，可有效地防止同時噴濺鍍膜時的交叉污染。由此，可以將膜性能良好的多層膜堆積在基板上。
(第3實施例)
本實施例的擋板裝置的剖面圖如第11圖所示。對於與第1實施例同樣的構件、配置等是附加同一符號並省略其詳細的說明。本實施例的擋板裝置，與上述的實施例的擋板裝置4相比，不具備第2擋板17的構成的點不同。即使不具備第2擋板17的構成，因為藉由將靶材T1~T4的圓周方向中的兩側中的間隙D2變窄，就可以減少上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙D2中的被鍍膜物質的移 動。即可以防止靶材間的污染的發生。且，即使在本實施例的擋板裝置的上部遮蔽板13及第1擋板15設置固定分離壁71及旋轉分離壁72也可以期待與第2實施例同樣的效果。
(第4實施例)
且上述的實施例中的擋板裝置54，其上部遮蔽板63雖是被配置於第1擋板65及靶材電極C之間，但是即使將上部遮蔽板63配置在第1擋板65及第2擋板67之間仍可以獲得幾乎同樣的效果。此情況，旋轉分離加部72是設在第1擋板65的基板支架側33的面，固定分離壁71是設於上部遮蔽板63的第1擋板構件65側的面。同樣地，將上部遮蔽板63配置於第2擋板67的基板支架33側，將旋轉分離壁72設在第2擋板67的基板支架側33的面也可以獲得幾乎同樣的效果。
本發明並非限制於上述實施例，在不脫離本發明的精神及範圍內，可進行各式各樣的變更及變形。因此，本發明的範圍，是如以下的申請專利範圍。
C‧‧‧靶材電極
D2‧‧‧間隙
D3‧‧‧間隙
D1‧‧‧間隙
GV‧‧‧閘門閥
S1‧‧‧最近接部
SR‧‧‧球面半徑
T、T1~T4‧‧‧靶材
W‧‧‧基板
1‧‧‧鍍膜裝置
3‧‧‧基板支架
4‧‧‧擋板裝置
13、63‧‧‧上部遮蔽板(遮蔽構件)
15、65‧‧‧第1擋板(第1擋板構件)
17、67‧‧‧第2擋板(第2擋板構件)
33‧‧‧基板支架
34‧‧‧基板
35~38‧‧‧靶材電極
51‧‧‧容器
52‧‧‧頂部
54‧‧‧擋板裝置
61‧‧‧靶材電極支架
61a‧‧‧安裝部
63‧‧‧上部遮蔽板
63a‧‧‧開口
65‧‧‧第1擋板
65a‧‧‧開口
65b‧‧‧旋轉軸
67‧‧‧第2擋板
67a‧‧‧開口
67b‧‧‧旋轉軸
71‧‧‧固定分離壁(第2分離壁)
72‧‧‧旋轉分離壁(第1分離壁)
100‧‧‧擋板裝置
102‧‧‧遮蔽板
103‧‧‧旋轉擋板
添付圖面是被包含在說明書中，並構成其一部分，且是為了顯示本發明的實施例，並與其記載一起說明本發明的原理而使用。
[第1圖]本發明的第1實施例的鍍膜裝置的縱剖面 圖。
[第2圖]構成本發明的第1實施例的擋板裝置的各構件的立體圖。
[第3圖]將本發明的第1實施例的擋板裝置從上方所見的概略圖。
[第4A圖]第3圖的I-I剖面圖。
[第4B圖]第3圖的III-III剖面圖。
[第5圖]第3圖的II-II剖面圖。
[第6圖]構成本發明的第2實施例的擋板裝置的各構件的立體圖。
[第7圖]將構成本發明的第2實施例的擋板裝置的各構件從上方所見的圖。
[第8圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的剖面圖。
[第9圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的剖面圖。
[第10圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的動作說明圖。
[第11圖]本發明的第3實施例的擋板裝置的剖面圖。
[第12圖]將習知的旋轉擋板裝置從上方所見的概略圖。
[第13A圖]第12圖的A-A剖面圖(a)。
[第13B圖]第12圖的B-B剖面圖(b)。
[第14圖]顯示本發明的第1實施例的變形例，第3圖的III-III剖面圖。
C‧‧‧靶材電極
D2‧‧‧間隙
T‧‧‧靶材
13‧‧‧上部遮蔽板(遮蔽構件)
15‧‧‧第1擋板(第1擋板構件)
17‧‧‧第2擋板(第2擋板構件)
61‧‧‧靶材電極支架
61a‧‧‧安裝部
63a‧‧‧開口
65a‧‧‧開口
65b‧‧‧旋轉軸
67a‧‧‧開口
67b‧‧‧旋轉軸

Claims (9)

  1. 一種鍍膜裝置，其特徵為，具備：設有安裝有靶材的安裝面的複數靶材電極、及由相面對於前述複數靶材電極的位置將基板保持的基板支架、及在前述複數靶材電極及前述基板支架之間可旋轉地被設置且具有可與前述安裝面相面對的複數開口的第1擋板構件、及鄰接配置於前述第1擋板構件且設有與前述靶材電極的數量等同數量的開口的遮蔽構件，前述第1擋板構件及前述遮蔽構件及間隙，是從相鄰接的前述靶材電極的最近接部朝向外周側擴大。
  2. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，前述遮蔽構件，是被配置於前述靶材電極及前述第1擋板構件之間。
  3. 如申請專利範圍第2項的鍍膜裝置，其中，在相鄰接的前述靶材電極的最近接部，前述遮蔽構件是具有比前述第1擋板構件更大的曲率半徑。
  4. 如申請專利範圍第2項的鍍膜裝置，其中，進一步具有第2擋板構件，其是可旋轉地被設於前述第1擋板構件及前述基板支架之間，且具有前述第1擋板構件的開口數量以上的開口，前述第2擋板構件的開口，是與前述第1擋板構件的開口相面對並可定位。
  5. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，進一步具有：設在前述第1擋板構件的前述靶材電極側的面的第1分離壁、及設在前述第1擋板構件及前述靶材電極之間的第2屏風，前述第1分離壁，是設成將前述第1擋板構件的開口挾持，前述第2分離壁，是設成當前述第1擋板構件朝旋轉軸的周圍進行預定角度以上旋轉時，可與前述第1分離壁抵接，鍍膜處理時，前述第1分離壁，是位於與前述第2分離壁之間具有間隙的位置。
  6. 如申請專利範圍第5項的鍍膜裝置，其中，前述靶材電極之中的2個是使用於同時鍍膜處理，前述同時鍍膜處理時，前述第1擋板構件的開口，是同時相面對於前述同時鍍膜處理所使用的前述靶材電極的前述安裝面。
  7. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，在前述第1擋板構件形成有2個開口，前述2個開口，是形成於對於前述旋轉軸的對稱位置。
  8. 如申請專利範圍第5項的鍍膜裝置，其中，前述第1分離壁及前述第2分離壁皆是以前述旋轉軸為中心朝徑方向延伸。
  9. 如申請專利範圍第5項的鍍膜裝置，其中，形成於前述第1擋板構件的開口，是在第1擋板構件的圓周方向具有比徑方向更長的尺寸。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012147298A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
CN103635603B (zh) 2011-09-09 2016-04-13 佳能安内华股份有限公司 成膜装置
EP2746850B1 (en) * 2012-12-20 2015-03-18 USHIO Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing mirror shells of a nested shells grazing incidence mirror
WO2014172666A1 (en) * 2013-04-18 2014-10-23 Halkey-Roberts Corporation Relief valve
JP6423290B2 (ja) 2015-03-06 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN105755445B (zh) * 2015-12-10 2019-07-05 金鸿医材科技股份有限公司 一种具有复合靶材的卷对卷溅镀制程与其制成品
JP2019210517A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 株式会社アルバック スパッタリング装置及び成膜方法
CN109536900B (zh) * 2018-12-20 2021-02-05 兰州空间技术物理研究所 一种可伸展收缩型真空镀膜机用阴极保护装置
JP7134112B2 (ja) * 2019-02-08 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
TW202104628A (zh) 2019-04-19 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 用於控制pvd沉積均勻性的系統及方法
US11557473B2 (en) * 2019-04-19 2023-01-17 Applied Materials, Inc. System and method to control PVD deposition uniformity
US11361950B2 (en) 2020-04-15 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Multi-cathode processing chamber with dual rotatable shields
US11227751B1 (en) * 2020-07-01 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
DE102021113282A1 (de) 2021-05-21 2022-11-24 Ruhr-Universität Bochum, Körperschaft des öffentlichen Rechts Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen einer Materialschicht auf einer Substratoberfläche aus mehreren Materialquellen

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2307649B2 (de) 1973-02-16 1980-07-31 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
JPS63255368A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Hitachi Ltd 成膜装置
JPH0194454U (zh) * 1987-12-10 1989-06-21
JP3261049B2 (ja) * 1996-11-26 2002-02-25 株式会社ライク スパッタリング成膜方法
JP4516199B2 (ja) 2000-09-13 2010-08-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置及び電子デバイス製造方法
JP2003141719A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Anelva Corp スパッタリング装置及び薄膜形成方法
US7001491B2 (en) * 2003-06-26 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method
JP4494047B2 (ja) * 2004-03-12 2010-06-30 キヤノンアネルバ株式会社 多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法
TWI377262B (en) 2007-01-29 2012-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering apparatus
JP4562764B2 (ja) 2007-12-27 2010-10-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置
JP5584409B2 (ja) * 2008-02-21 2014-09-03 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置およびその制御方法
JP5192549B2 (ja) * 2008-09-30 2013-05-08 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP5415979B2 (ja) * 2009-02-16 2014-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法
JP5503905B2 (ja) * 2009-06-18 2014-05-28 株式会社アルバック スパッタ装置及びスパッタ方法
TW201114932A (en) 2009-10-30 2011-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering apparatus
JP5513529B2 (ja) * 2010-01-26 2014-06-04 キヤノンアネルバ株式会社 成膜方法、成膜装置、および該成膜装置の制御装置
WO2012147298A1 (ja) 2011-04-28 2012-11-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置

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