TWI477631B - Coating device - Google Patents

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Description

鍍膜裝置
本發明是有關於鍍膜裝置，例如有關於，在單一室內具備材質不同的複數靶材電極，且利用旋轉擋板裝置將多層膜噴濺鍍膜的多元噴濺鍍膜裝置中的污染的減少。
在多元噴濺鍍膜裝置(例如專利文獻1)中，可以將必要的多層膜，在1個鍍膜室內從基板上的最下層至最上層為止不中斷地繼續且連續地進行噴濺鍍膜。
如上述為了進行多層膜的噴濺鍍膜，在專利文獻1的鍍膜裝置中，在1個室內將複數不同材質的靶材配置於室頂部即鍍膜對象也就是基板的上方空間，且設有供選擇在噴濺鍍膜使用的靶材用的擋板裝置。此擋板裝置，是具有各別獨立旋轉的雙層擋板的構造，在2枚的各擋板中，可以將所選擇的靶材從基板側看見的所需數量的開口是分別形成於所需位置。
旋轉擋板裝置，是遮蔽不鍍膜材質的靶材，並使欲被噴濺鍍膜的材質的靶材是對於基板可通過開口出現。旋轉擋板裝置，是具備從基板所見幾乎圓形狀的2個擋板，此2個擋板板是可以獨立旋轉的方式構成。選擇在噴濺鍍膜所使用的靶材時，是藉由旋轉擋板裝置將各擋板旋轉，使欲鍍膜的材質的靶材通過開口面臨基板。
在此，將欲鍍膜的材質的不同的複數靶材由特定的順 序選擇地進行噴濺鍍膜時，在靶材間發生污染的話被鍍膜的膜性能有可能下降。為了將膜性能良好的多層膜堆積在基板上使污染的發生確實地被防止技術是被要求。
[先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-001597號公報
在此，將欲鍍膜的材質的不同的複數靶材由特定的順序選擇地進行噴濺鍍膜時，在靶材間發生污染的話被鍍膜的膜性能有可能下降。為了將膜性能良好的多層膜堆積在基板上使污染的發生確實地被防止技術是被要求。
本發明的目的，是鑑於上述的課題，可以提供一種鍍膜裝置，即在1個室內具備複數靶材且將多層膜噴濺鍍膜由旋轉擋板裝置進行靶材選擇的鍍膜裝置，可以減少由靶材間污染的發生。
本發明的鍍膜裝置，是具有：設有安裝有靶材的安裝面的複數靶材電極、及使前述基板被保持在相面對於前述複數靶材電極的位置的基板支架、及可旋轉地被設在前述複數靶材電極及前述基板支架之間且具有旋轉時相面對於前述安裝面的複數開口的第1擋板構件、及前述第1擋板 構件的2個面之中被配置於前述靶材電極側的面中的前述第1擋板構件的開口及開口之間的第1分離部、及被配置於前述第1擋板構件及前述靶材電極之間的第2分離部，前述第1擋板構件，是使在前述第1分離部及前述第2分離部之間形成迷宮的方式使前述第1分離部及前述第2分離部相互接近，就可以使前述第1擋板旋轉且將前述第1分離部及前述第2分離部分離的方式被驅動。
可以提供一種鍍膜裝置，即在1個室內具備複數靶材且將多層膜噴濺鍍膜由旋轉擋板裝置進行靶材選擇的鍍膜裝置，可以減少由靶材間污染的發生。
本發明的其他的特徵及優點，是藉由參照添付圖面的以下的說明會更明顯。又，在添付圖面中，對於相同或同樣的構成，是附加相同的參照符號。
以下，依據添付圖面說明本發明的最佳的實施例。以下說明的構件、配置等只是將發明具體化的一例並非限定本發明，當然可以沿著本發明的宗旨進行各種改變。本發明的鍍膜裝置的適用不限定於賤射裝置，可適用於在真空容器內藉由擋板裝置選擇蒸鍍材料的各種PVD裝置。
(第1實施例)
依據第1~6圖說明本發明的第1實施例的鍍膜裝置。第1圖是本發明的第1實施例的鍍膜裝置的縱剖面圖。鍍膜裝置1，是在真空容器51的內部設有4個靶材電極35~38(36、37是省略圖示)的賤射鍍膜裝置，具備：將基板W保持的基板支架3、可以將任意的靶材T曝露在基板W的擋板裝置4。擋板裝置4是被配置於靶材T及基板W之間。
又，在第1圖中，將鍍膜裝置1的內部成為所需的真空狀態用的真空排氣單元、朝靶材電極35~38供給電力用的單元、透過閘門閥GV將基板支架3上的基板W交換的基板搬運裝置、生成處理氣體導入單元等的等離子用的單元等的圖示是被省略。
基板支架3，是可旋轉自如地設在鍍膜裝置1的底面部的中央，可以將基板W保持在水平狀態下。朝基板W噴濺鍍膜時，基板W是被保持在旋轉狀態下。4個靶材電極35~38，是在傾斜狀態下被安裝在鍍膜裝置1的真空容器51的頂部52。
靶材電極支架61是被設在真空容器51的上部也就是頂部52。靶材電極支架61，是將靶材電極保持的安裝部61a設在4處的構件。靶材電極支架61也有作為真空容器51的蓋的功能。在本實施例中，安裝部61a雖是與頂部52一體地構成，但是在真空容器51的一部分設置安裝部61a的構成也可以。
在被保持在安裝部61a的靶材電極中，可以將被黏著 的鍍膜處理所使用的被鍍膜物質的靶材T朝向基板W的方向地保持。又，將保持靶材電極的靶材T的部分作為靶材安裝面。
在第1圖中只有圖示位於剖面的2個靶材電極。在被傾斜設置的各靶材電極35~38中，靶材T是被配置成可以相面對於被水平配置於其下方的基板W的上面。在靶材T中被黏著有鍍膜處理所使用的被鍍膜材料。
在此，靶材T及基板相面對的狀態，是也包含：靶材電極朝向基板周邊被配置的狀態、和如第1圖所示使靶材T的噴濺面傾斜朝向基板34的狀態。且形成於基板的多層膜裝置，可舉例：LED、MRAM、TMR頭、進階(改良型)GMR等。也對應所形成的多層膜裝置的膜構成來變更被搭載於鍍膜裝置1的靶材電極的靶材的種類。
在此，依據第2~6圖說明擋板裝置4的構造。第2圖是構成擋板裝置4的構件之中的上部遮蔽板13、第1擋板15、第2擋板17的立體圖。第3圖是將構成擋板裝置4的構件之中的上部遮蔽板13、第1擋板15、第2擋板17從上方所見的意示圖。在第3圖中，為所使從分離部(第2分離部)71及分離部(第1分離部)72的上方所見的位置關係明確，而將原本從上方看不見的分離部71由虛線表示。
擋板裝置4，是將上部遮蔽板(遮蔽構件)13、第1擋板(第1擋板構件)15、第2擋板(第2擋板構件)17作為主要的構成要素。第1擋板15及第2擋板17，是構 成雙層旋轉的擋板。藉由擋板裝置4將各擋板(15、17)定位在預定位置，在被搭載於4個靶材電極35~38的各靶材T之中被使用於飛濺鍍膜的靶材T就可以面臨基板W。
上部遮蔽板13，是被安裝於靶材電極支架61的構件，防止膜附著於靶材電極支架61的構件。未配置上部遮蔽板13的情況時靶材電極支架61的基板側的表面是與第1擋板15相面對。第1擋板15及第2擋板17，是構成雙層旋轉的擋板。又，上部遮蔽板13、第1擋板15、第2擋板17皆在上方具有凸的彎曲形狀。
上部遮蔽板(遮蔽構件)13，是設在靶材電極支架61的基板支架3側的防著遮蔽板，可以防止從靶材T被噴濺的物質附著在靶材電極支架61。如上述在靶材電極支架61中形成4個安裝部61a。在安裝部61a中各別保持有靶材電極C。各靶材電極C，是具有安裝有靶材T的面(安裝面)，在上部遮蔽板13中，在相面對於各靶材電極的靶材安裝面的領域的各別形成有開口13a。在相面對於上部遮蔽板13的2個面之中第1擋板15的面中，在上部遮蔽板13的開口13a及開口13a之間，設有分離部71。分離部71，例如可以是凸部。
第1擋板(第1擋板構件)15，是在上部遮蔽板13的基板支架3側，設在可旋轉的擋板，藉由使旋轉軸15b旋轉就可以控制第1擋板15的旋轉角度。第1擋板15，是在相面對於2個靶材電極的靶材安裝而的領域形成有開 口15a。第1擋板15的2個開口15a是形成於對於旋轉軸15b對稱的位置。
旋轉軸15b是藉由第1驅動裝置21被驅動。第1驅動裝置21，是將旋轉軸15b對於靶材電極支架61相對地旋轉及上下移動用的構成，可以透過旋轉軸15b將第1擋板15旋轉並上下移動。第1驅動裝置21，是例如可包含：使旋轉軸15b旋轉及上下移動的馬達、及將馬達控制的控制器。第1驅動裝置21，是藉由將旋轉軸15b朝上下方向移動而可以操作上部遮蔽板13及第1擋板15的距離。在第1擋板15的2個面之中相面對於上部遮蔽板13的面中，在第1擋板15的開口15a及開口15a之間，設有分離部72。分離部72，例如可以是凹部。各凹部，是如第6圖所示，包含：被平行配置的2個凸部72a(雙層的凸部72a)、及藉由2個凸部72a被挾持的低部72b。
第2擋板(第2擋板構件)17，是可旋轉地設在第1擋板15的基板支架3側的擋板，藉由旋轉旋轉軸17b就可以控制第2擋板17的旋轉角度。可控制旋轉軸15b及旋轉軸17b獨立旋轉。第2擋板17，是在相面對於3個靶材電極的靶材安裝面的領域各別形成有開口17a。且，第2擋板17的3個開口17a之中形成於對於旋轉軸17b對稱的位置的2個，是形成可以配置成與形成於第1擋板15的2個開口15a相面對。
又，第2擋板17的開口17a的數量不限定於3個，但是具有第1擋板15的開口15a的數量以上的開口的話 最佳。同樣地，第1擋板15的開口15a的數量3個以上的複數也可以。
旋轉軸17b是藉由第2驅動裝置22被驅動。第2驅動裝置22，是將旋轉軸17b對於靶材電極支架61相對地旋轉及上下移動用的構成，可以透過旋轉軸17b將第2擋板17旋轉及上下移動。第2驅動裝置22，是例如可包含：將旋轉軸17b旋轉及上下移動的馬達、及將馬達控制的控制器。將旋轉軸17b及旋轉軸15b由同一速度同時上下移動的話，第1擋板15及第2擋板17的間隙的大小是不變。
在本實施例中，分離部71，是朝向第1擋板15從上部遮蔽板15突出的4個線狀部分。各分離部71，是被配置於相鄰接的開口13a之間的位置。換言之，複數分離部71，是藉由2個分離部71將開口13a挾持地被配置。複數分離部71，是從上部遮蔽板13的中心呈放射狀延伸。在本實施例中分離部71雖是被安裝於上部遮蔽板13，但是在不具有上部遮蔽板13構成中是在容器51或靶材電極支架61設有分離部71。且，使可以在各開口13a的周圍分別橫跨其全周形成迷宮，將開口13a橫跨全周包圍的方式設置分離部71也可以。
分離部72，是如前述，包含朝向上部遮蔽板13(靶材電極側)從第1擋板15突出的雙層的凸部72a的分離部72，是各別被配置在各開口15a的圓周方向的兩側。換言之，藉由2個分離部72使開口15a被挾持。雙層的凸 部72a，是例如，將2個板狀構件平行地配置地構成也可以，將一枚的板狀構件剖面形成U字狀的方式塑性變形的構成也可以，由其他的方法構成也可以。
在本實施例中，複數分離部72是以第1擋板15的旋轉軸15b為中心被安裝成放射狀，但是使可以在各開口15a的周圍橫跨其全周形成迷宮的方式，橫跨全周包圍開口15a的方式設置分離部72也可以。
藉由使構成分離部71的凸部插入構成分離部72的雙層的凸部72a的間隙的方式將第1擋板15上昇，就可以由分離部71及分離部72形成迷宮。第3圖中的符號80a、80b、80c是標記，顯示第1擋板15、第2擋板17的旋轉角度的基準位置。
依據第4A~6圖說明本實施例的特徵的構成。第4A圖是通過第3圖的I-I線的擋板裝置4的剖面圖，第4B圖是通過第3圖的II-II線的擋板裝置4的剖面圖。第5圖是包含通過II-II線的剖面的擋板裝置4的立體圖(斜視剖面圖)，第6圖是形成迷宮部分的剖面圖。又，在第4、5圖中將靶材電極35~38之中任意的靶材電極由符號C表示，將任意的靶材由符號T(T1~T4)。且，為了簡略說明，靶材電極支架61、上部遮蔽板13、第1擋板15、第2擋板17皆圖示為平行的構成。
第4A圖，是只有位於左側的一方的靶材T被進行噴濺鍍膜時的第1擋板15及第2擋板17的配置。具體而言，在相面對於一方的靶材T的位置中，開口15a是位在 第1擋板15，相面對於另一方的靶材T的位置是藉由第1擋板15被閉鎖。且，相面對於雙方的靶材T的位置的第2擋板17皆是藉由開口17a被開放。
藉由第2驅動裝置22被驅動的第1擋板15的上下方向的位置，是包含：可旋轉位置(下方位置，即接近基板支架3位置)及旋轉禁止位置(上方位置，即接近遮蔽板63位置))。第1擋板15是在被配置於可旋轉位置(下方位置)的狀態下，即使將第1擋板15旋轉，分離部71及分離部72也不會接觸，第1擋板15可以位於任意的旋轉位置。另一方面，第1擋板15是在被配置於旋轉禁止位置(上方位置)的狀態下，若第1擋板15旋轉的話因為分離部會與分離部71接觸，所以無法使第1擋板15旋轉。
第4A、4B、5圖是顯示第1擋板15及第2擋板17被配置於可旋轉的位置(接近基板被支架位置)，分離部71及分離部72是成為預定距離以上分離的狀態。預定距離，是分離部71及分離部72在上下方向(分離部71及分離部72接近或分離的方向)分離，但不形成後述的通路73的位置關係。
但是如第6圖所示，在將第1擋板15朝旋轉禁止位置(接近上部遮蔽板63在位置)移動的狀態下，將構成分離71的凸部的先端插入構成分離部72的雙層的凸部72a的間隙，由分離部71及分離部72形成迷宮。即，藉由分離部71及分離部72形成迷宮，可以減少從1個靶材 T被噴濺的原子通過上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙到達其他的靶材T。
在此，依據第6圖說明迷宮。迷宮，是形成於分離部72及分離部71之間的具有至少1個彎曲部的間隙。例如，噴濺粒子通過時不朝與擋板的旋轉軸平行的方向移動的話無法通過的通路73，是形成迷宮。換言之，欲妨害噴濺粒子直進地通過分離部72及分離部71的間隙的情況時，該間隙是構成迷宮。其一例，通路73的寬度73W可以是1mm。通路73的寬度73W愈狹窄，且，通路73的距離73L愈長的話，愈噴濺粒子的通過妨害效果較高。
在迷宮的部分中因為粒子可以通過的間隙狹窄，所以被噴濺的粒子欲超越迷宮的部分地移動是成為困難。且，迷宮不限定於錯綜複雜的構造。分離部71及分離部72皆是由皆單純的凸狀或板狀構件並將這些構件接近地配置時，形成於這些的構件間的間隙只要具有妨害噴濺粒子通過的部分的情況時也可形成迷宮。
為了由分離部71及分離部72及形成迷宮，應控制將第1擋板15上昇時(閉鎖位置)的旋轉位置。在本實施例中，為了檢出第1擋板15的旋轉位置，是檢出標記80a、80b(第3圖參照)成為一致的位置的第1擋板15的旋轉角度，作為基準位置記憶在將第1擋板15驅動的第1驅動裝置21的控制器。例如，作為構成將第1擋板15驅動的第1驅動裝置21的馬達是藉由使用具有檢出旋轉角度的功能的馬達就可以檢出第1擋板15的旋轉角 度。
形成迷宮時，是分離部71及分離部72不接觸的位置關係較佳。這是因為分離部71及分離部72若接觸的話碎片可能會發生。在本實施例中，構成分離部72的雙層的凸部72a的間隙是形成比構成分離部71的凸部的厚度更大的尺寸，且，形成迷宮時，是使構成分離部71的凸部的先端不接觸構成分離部72的雙層的凸部72a之間的底部72b的方式設定第1擋板15的上下方向的位置。
依據本實施例，可以藉由分離部71及分離部72在上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙形成迷宮。因此，可以有效地防止從1個靶材T被噴濺的原子通過上部遮蔽板13及第1擋板15的間隙到達其他的靶材T(污染)。
藉由上述的分離部71及分離部72所形成的迷宮，因為是形成於上部遮蔽板13及第1擋板15之間，所以即使是從擋板裝置4將第2擋板17去除的構成，也可以防止其他的相鄰接的靶材間的污染的發生。
分離部71及分離部72只要是可以防止粒子的移動的話，不限於本實施例所記載的構造。例如，將分離部72及分離部71的配置相反當然也可以。且，即使由在將第1擋板15上昇的位置使間隙彼此嵌合地形成的2個凹構件，置換分離部72及分離部71也可以。
進一步，即使由將第1擋板15上昇時可以形成作為迷宮的間隙2個凸部，置換分離部72及分離部71也可以。由2個凸部置換分離部72及分離部71的情況時，且 將第1擋板15上昇時，形成沿著與第1擋板15的旋轉軸平行的方向延伸的間隙較佳。
(第2實施例)
依據第7A、7B、8圖說明本發明的第2實施例的鍍膜裝置。第7A圖是相當於通過第3圖的I-I線的位置的擋板裝置54的剖面圖，第7B圖是相當於通過第3圖的II-II線的位置的擋板裝置54的剖面圖。第8圖是包含通過相當於II-II線的位置的剖面的擋板裝置54的立體圖(斜視剖面圖)。對於與第1實施例同樣的構件、配置等是附加同一符號並省略其詳細的說明。
在本實施例的擋板裝置54中，包含凸部的分離部82是設在第1擋板(第1擋板構件)65，包含凹部的分離部81(第2凸部)是設在靶材電極支架61側。包含凸部的分離部82，也朝第2擋板(第2擋板構件)67側突出。具體而言，在本實施例中，在包圍靶材電極C的靶材T的部分形成有包含凹部的分離部81。在本實施例中，可以相對地使第2擋板67對於第1擋板65上昇。
將第1擋板65上昇的話，包含被設在第1擋板65的凸部的分離部82，是形成有被插入包含凹部的分離部81的間隙的迷宮。且，將第2擋板67對於第1擋板65相對地上昇的話，包含朝第1擋板65的第2擋板67側突出的凸部的分離部82的下部側會被插入第2擋板67的開口17a的內側。因此，可以減少從靶材T被噴濺的粒子進入 第1擋板65及第2擋板67之間的空間。
分離部81，是可以形成在被安裝於陰極電極T的遮蔽板。因此，可以減少可能引起污染的粒子侵入第1擋板65的上部側，即使將上部遮蔽板63去除仍可以有效地防止污染。且藉由朝下方側延長的分離部82，可以減少粒子進入第1擋板65及第2擋板67的間隙。進一步，粒子擴大的範圍因為變狹窄所以維修容易。
(第3實施例)
依據第9A、9B圖說明本發明的第3實施例的鍍膜裝置。第9A圖是相當於通過第3圖的I-I線的位置的擋板裝置64的剖面圖，第9B圖是相當於通過第3圖的II-II線的位置的擋板裝置64的剖面圖。對於與第1實施例同樣的構件、配置等是附加同一符號並省略其詳細的說明。在本實施例的擋板裝置64中，在第2擋板67的複數開口之中的一部分的開口安裝有蓋體75。
相對地將第2擋板67對於第1擋板65上昇的話，可以由蓋體75塞住不使用的靶材T2的基板支架側。因此，可以減少從基板支架側的空間飛來的粒子附著在靶材T2。依據本實施例，不只可減少粒子進入第1擋板65的上部側、和第1擋板65及第2擋板67的間隙，也可以防止來自基板支架側的粒子附著在靶材T2。因此，防止污染的效果非常高。
本發明並非限制於上述實施例，在不脫離本發明的精 神及範圍內，可進行各式各樣的變更及變形。因此，本發明的範圍，是如以下的申請專利範圍。
C‧‧‧靶材電極
GV‧‧‧閘門閥
T‧‧‧靶材
W‧‧‧基板
1‧‧‧鍍膜裝置
3‧‧‧基板支架
4‧‧‧擋板裝置
13、63‧‧‧上部遮蔽板(遮蔽構件)
13a‧‧‧開口
15、65‧‧‧第1擋板(第1擋板構件)
15a‧‧‧開口
15b‧‧‧旋轉軸
17、67‧‧‧第2擋板(第2擋板構件)
17a‧‧‧開口
17b‧‧‧旋轉軸
21‧‧‧第1驅動裝置
22‧‧‧第2驅動裝置
34‧‧‧基板
35~38‧‧‧靶材電極
51‧‧‧容器
52‧‧‧頂部
54‧‧‧擋板裝置
61‧‧‧靶材電極支架
61a‧‧‧安裝部
63‧‧‧上部遮蔽板
64‧‧‧擋板裝置
65‧‧‧第1擋板
67‧‧‧第2擋板
71‧‧‧分離部
72‧‧‧分離部
72a‧‧‧凸部
72b‧‧‧底部
73‧‧‧通路
73L‧‧‧距離
73W‧‧‧寬度
75‧‧‧蓋體
80a‧‧‧標記
82‧‧‧分離部
添付圖面是被包含在說明書中，並構成其一部分，且是為了顯示本發明的實施例，並與其記載一起說明本發明的原理而使用。
[第1圖]本發明的第1實施例的鍍膜裝置的縱剖面圖。
[第2圖]構成本發明的第1實施例的擋板裝置的各構件的立體圖。
[第3圖]將構成本發明的第1實施例的擋板裝置的各構件從上方所見的概略圖。
[第4A圖]第3圖的I-I剖面圖。
[第4B圖]第3圖的II-II剖面圖。
[第5圖]本發明的第1實施例的擋板裝置的立體圖。
[第6圖]形成於本發明的第1實施例的擋板裝置的迷宮部分的剖面圖。
[第7A圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的剖面圖。
[第7B圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的剖面圖。
[第8圖]本發明的第2實施例的擋板裝置的立體圖。
[第9A圖]本發明的第3實施例的擋板裝置的剖面 圖。
[第9B圖]本發明的第3實施例的擋板裝置的剖面圖。
C‧‧‧靶材電極
T‧‧‧靶材
13‧‧‧上部遮蔽板(遮蔽構件)
15‧‧‧第1擋板(第1擋板構件)
15a‧‧‧開口
17‧‧‧第2擋板(第2擋板構件)
17a‧‧‧開口
61‧‧‧靶材電極支架
71‧‧‧分離部
72‧‧‧分離部

Claims (6)

  1. 一種鍍膜裝置，其特徵為，具有：設有安裝有靶材的安裝面的複數靶材電極、使基板被保持在相面對於前述複數靶材電極的位置的基板支架、可旋轉地被設在前述複數靶材電極及前述基板支架之間且具有旋轉時相面對於前述安裝面的複數開口的第1擋板構件、前述第1擋板構件的2個面之中被配置於前述靶材電極側的面中的前述第1擋板構件的開口及開口之間的第1分離部、及被配置於前述第1擋板構件及前述靶材電極之間的第2分離部，前述第1擋板構件，是使在前述第1分離部及前述第2分離部之間形成迷宮的方式使前述第1分離部及前述第2分離部相互接近，就可以使前述第1擋板旋轉且將前述第1分離部及前述第2分離部分離的方式被驅動。
  2. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，進一步具有設在前述複數靶材電極及前述第1擋板構件之間的遮蔽構件，前述遮蔽構件，是具有與前述靶材電極的數量等同數量的開口，前述第2分離部，是被配置於前述遮蔽構件的開口及開口之間。
  3. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，進一步具備可旋轉地設在前述第1擋板構件及前述基板支架之間的第2擋板構件，前述第2擋板構件，是具有的開口，其是當前述第1擋板構件或是前述第2擋板構件旋轉時可相面對於前述第1擋板構件的開口。
  4. 如申請專利範圍第3項的鍍膜裝置，其中，進一步具備可安裝在前述第2擋板構件的開口的蓋體。
  5. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，前述第1分離部及前述第2分離部，皆包含凸部，在形成前述迷宮的狀態下，前述第1分離部的凸部及前述第2分離部的凸部，是沿著與前述第1擋板的旋轉軸平行的方向形成通路。
  6. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，前述第1分離部及前述第2分離部的一方，是包含：2個凸部、及藉由前述2個凸部被挾持的低部，前述第1分離部及前述第2分離部的另一方，是包含前述迷宮的形成時插入前述2個凸部之間的凸部。
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