CN103502504B

CN103502504B - 成膜装置

Info

Publication number: CN103502504B
Application number: CN201280020605.6A
Authority: CN
Inventors: 梶原雄二; 安松保志; 小长和也
Original assignee: Canon Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 2011-04-28
Filing date: 2012-04-16
Publication date: 2016-01-27
Anticipated expiration: 2032-04-16
Also published as: KR101583122B1; KR20140004787A; US9322095B2; US20140034489A1; TWI444493B; JP5632072B2; WO2012147298A1; CN103502504A; JPWO2012147298A1; TW201307594A

Abstract

一种成膜装置，该成膜装置由遮挡装置能够选择靶材，能够防止发生在靶材间的污染。成膜装置（10）具备遮挡装置（54）和被固定于靶材电极（C）的第一遮挡板（65）侧的上部遮蔽板（63），遮挡装置（54）具有分别可旋转的第一遮挡板（65）及第二遮挡板（67）。另外，在第一遮挡板（65）的靶材电极（C）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了旋转分离壁（72），在上部遮蔽板（63）的第一遮挡板（65）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了固定分离壁（71）。在成膜处理时，通过旋转第一遮挡板（65）以便在旋转分离壁（72）与固定分离壁（71）之间形成迷宫，能够防止靶材（C）间的污染。

Description

成膜装置

技术领域

本发明是关于一种成膜装置，例如，关于一种在单一室内具备材质不同的多个靶材电极，且利用旋转遮挡装置防止溅镀成膜多层膜的多元溅镀成膜装置中的污染。

背景技术

在多元溅镀成膜装置(例如，专利文献1)中，能够将认为需要的多层膜在1个成膜室内从基板上的最下层直到最上层为止不会中断地持续连续地进行溅镀成膜。

为了进行上述那样的多层膜的溅镀成膜，在专利文献1的成膜装置中，在一个室内，将多个材质不同的靶材配置于室顶面部，即配置于作为成膜对象的基板的上方空间中，且设置了为了选择用于溅镀成膜的靶材的遮挡装置。此溅镀装置，是具有分别独立地旋转的双层遮挡的构造，且在两张遮挡板的每一个上，在所需位置形成了能够从基板侧观看选择的靶材的所需数量的开口。

旋转遮挡装置，是不成膜的材质的靶材被遮蔽，欲溅镀成膜的材质的靶材通过开口而相对于基板出现的装置。旋转遮挡装置具备从基板观看大致圆形状的两片遮挡板，被构成此两片遮挡板能够独立地旋转。在选择用于溅镀成膜的靶材时，由旋转遮挡装置使各遮挡板旋转，使得用于成膜的材质的靶材通过开口而面临于基板。

专利文献1：日本特开2011-001597号公报

发明内容

在此，当以特定的顺序选择用于成膜的材质不同的多个靶材进行溅镀成膜时，若在靶材间发生污染，则存在被成膜的膜性能降低的危险。为了使膜性能良好的多层膜堆积于基板上，要求确实地防止发生污染的技术。

本发明的目的是鉴于上述课题，提供一种成膜装置，该成膜装置是在一个室内具备多个靶材，进行溅镀成膜多层膜，且由旋转遮挡装置进行靶材的选择的成膜装置，能够防止在靶材间发生污染。

为了解决课题的手段

本发明的成膜装置，其特征为，

具有多个靶材电极、基板保持架、第一遮挡构件、第一分离壁和第二分离壁；

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面；

该基板保持架在与上述多个靶材电极相向的位置保持上述基板；

该第一遮挡构件可旋转地设置于上述多个靶材电极与上述基板保持架之间，具有在进行了旋转时与上述安装面相向的多个开口；

该第一分离壁设置于上述第一遮挡构件的上述靶材电极侧的面上；

该第二分离壁设置于上述第一遮挡构件与上述靶材电极之间，

上述第一分离壁以夹着上述第一遮挡构件的上述多个开口的每一个的方式设置，

上述第二分离壁设置成在上述第一遮挡构件绕旋转轴旋转了规定角度以上时，能够与上述第一分离壁抵接，

在成膜处理时，上述第一分离壁位于在与上述第二分离壁之间形成间隙的位置。

或，本发明的成膜装置，其特征为，

具有多个靶材电极、基板保持架、第一遮挡构件、遮蔽构件、第一分离壁和第二分离壁；

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面；

该遮蔽构件设置于上述第一遮挡构件与上述多个靶材电极之间，具有开口，该开口与上述安装面相向，其数量仅与上述多个靶材电极的数量相等；

该第一分离壁设置于上述第一遮挡构件的上述基板保持架侧的面上；

该第二分离壁设置于上述遮蔽构件的第一遮挡构件侧的面上，

在成膜处理时，上述第一分离壁位于在与上述第二分离壁之间具有间隙的位置。

发明的效果

能够提供一种成膜装置，该成膜装置在一个室内具备多个靶材，进行溅镀成膜多层膜，且由旋转遮挡装置进行靶材的选择，能够在靶材间防止污染。

本发明的其他的特征与优点，将由参照附图的以下的说明明确。另外，在附图中，对相同或同样的构成，附加相同的参照符号。

附图说明

附图包括于说明书，构成其一部分，表示本发明的实施方式，与其记述一起用于说明本发明的原理。

图1是表示用于本发明的磁阻器件的制造方法的成膜装置的代表性的实施方式的构造的俯视图。

图2是概略地表示本发明的第一实施方式的成膜装置的一个成膜室的构造的俯视图。

图3是概略地表示图2的成膜室的构造的纵剖面图。

图4是构成本发明的第一实施方式的遮挡装置的各构件的立体图。

图5是从上方观看构成本发明的第一实施方式的遮挡装置的构件的每一个的立体图。

图6A是图5的I-I剖面图。

图6B是图5的II-II剖面图。

图7是本发明的第一实施方式的遮挡装置的动作说明图。

具体实施方式

以下，基于附图说明本发明的合适的实施方式。以下说明的构件、配置等是将发明作为具体化的一例而不是限定本发明的，当然根据本发明的主旨能够进行各种改变。本发明的成膜装置的适用，是不限于溅镀装置的，能够适用于在真空容器内由遮挡装置能够选择蒸镀材料的各种PVD装置。

(第一实施方式)

图1表示本发明的第一实施方式的成膜装置的代表性的构造，是表示成内部机构的概略构造判明的程度的俯视图。此成膜装置10是群集型(clustertype)，具备多个成膜室。具备机器人臂搬送装置11的搬送室12设置于中央位置。机器人臂搬送装置11，能够由设置于伸缩自如的臂的机械手14保持基板。臂的基端部旋转自如地被安装于搬送室12的中心部。

在成膜装置10的搬送室12上，设置了加载/卸载室15、16。利用加载/卸载室15，能够从外部将作为被处理材料的基板搬入至成膜装置10，并且将多层膜的成膜处理终了的基板搬出至成膜装置10的外部。加载/卸载室16也具有相同功能。经由加载/卸载室16被搬入的基板，能够从加载/卸载室16搬出。设置了2个加载/卸载室的理由，是为了通过交替地灵活使用2个室提高生产性。

在此成膜装置10中，在搬送室12的周围，设置了多个例如5个成膜室17A、17B、17C、17D、17E(以下称为17A～17E)。在2个室之间，设置了将2个室隔离且与需要相应地开闭自如的闸阀20。

成膜室17A～17E的每一个，是用于在相同室内连续地成膜不同的种类的膜的成膜室。根据本实施方式，将被堆积于基板上的多层膜分成多个组，以使属于各组的多个膜在预先设定的任一成膜室中成膜的方式构成。由此，实现了群集型的成膜装置。在成膜室17A～17E的每一个中，由利用溅镀的PVD(PhysicalVaporDeposition)法堆积磁性膜。另外，当然也可以是通过配置多个将属于相同组的膜成膜的成膜室提高生产量的构造。

在成膜装置10中，通过加载/卸载室15被搬入至搬送室12的内部的基板W，由机器人臂搬送装置11，以与作为制作对象的多层膜器件相应地预先设定的顺序被导入至成膜室17A～17E的每一个，在各成膜室中进行规定的成膜处理。如果举出制作对象的多层膜器件的例子，则有LED、MRAM、TMR头、先进的(改良型)GMR等。

另外，在图1中，省略了用于将成膜室17A～17E的内部做成所需要的真空状态的真空排气单元、用于将电力供应于靶材电极35～38的单元、安装于靶材电极35～38的每一个上的靶材、用于处理气体导入单元等的生成等离子体的单元等的图。

另外，也能够与需要相应地代替成膜室配置氧化膜成膜室、洁净室。氧化膜成膜室，是进行将金属层氧化的表面化学反应的室，在表面化学反应中，使用等离子体氧化、自然氧化、臭氧氧化、紫外线-臭氧氧化、游离基氧等。洁净室是由离子束蚀刻机构、RF溅镀蚀刻机构进行表面平坦化的室。本实施方式的成膜室17A～17E，都是同样的构造，但当然也与作为制作对象的多层膜器件的膜构造相应地变更被搭载于各成膜室的靶材电极上的靶材的种类。

以下，对设于成膜室17A～17E的每一个上的特征性的构造参照图2及图3进行说明。本实施方式的成膜室17A、17B、17C、17D、17E，因为都是同样的构造，所以作为代表将成膜室17E图示于图2及图3中。图2是从上方观看成膜室17E的俯视图，是以能够知道靶材电极35～38与基板34的位置关系的方式除了顶面部52以外地描绘的图。图3是成膜室17E的纵剖面图。在图2及图3中，对与在图1中说明的要素实质上同一要素赋予了同一符号。

在成膜室17E的容器51(真空容器)的顶面部52，如上所述设置了4个靶材电极35～38。这些靶材电极35～38以倾斜的状态安装于顶面部52。靶材电极是能够将接合了被成膜材料的靶材与基板相向地保持的公知的阴极。旋转自如地设置于成膜室17E的底面部中央的基板保持架33将基板34保持成水平状态。当向基板34溅镀成膜时，基板34个部位于旋转状态。在倾斜地设置的靶材电极35～38的每一个上，能够以相对于水平地被配置于其下方的基板34的上面相向的方式配置靶材T。在靶材T上接合了用于成膜处理的被成膜材料。另外，在此的靶材T与基板相向的状态，是做成也包括将靶材电极朝向基板周边配置的状态、如图3所示将靶材T的溅镀面倾斜地朝向基板34的状态在内的状态。

在这些靶材T与基板34之间配置了遮挡装置54。遮挡装置54具有双层的遮挡板。由遮挡装置54的动作，选择分别安装在4个靶材电极35～38上的靶材T中的用于溅镀成膜的靶材T。

在此，基于图4至图6说明遮挡装置54的构造。图4是构成遮挡装置54的各构件的立体图。遮挡装置54，作为主要构成要素，例如具有靶材电极保持架61、上部遮蔽板(遮蔽构件)63、第一遮挡板(第一遮挡构件)65、以及第二遮挡板(第二遮挡构件)67。第一遮挡板65与第二遮挡板67，作为双层旋转的遮挡板构成。上部遮蔽板63、及第一遮挡板65、第二遮挡板67，可以以实质上成为平行的方式具有都向上凸的弯曲形状。

靶材电极保持架61，是将保持靶材电极的安装部61a设置于4个部位的构件，设置于容器51的上部。本实施方式的靶材电极保持架61，也具有作为容器51的盖的功能，与顶面部52一体地构成，但也可以是在容器51的一部分上设置安装部61a的构造。在被保持于安装部61a上的靶材电极上，能够朝向基板34的方向地保持接合了用于成膜处理的任意的被成膜物质的靶材T。另外，将保持靶材电极的靶材T的部分作为靶材安装面。

上部遮蔽板(遮蔽构件)63，是设置于靶材电极保持架61的基板保持架33侧的防护遮蔽板，防止从靶材T溅镀的原子附着在靶材电极保持架61上。上部遮蔽板63，在与靶材电极的靶材安装面(安装面)相向的区域中形成了开口63a。因为在靶材电极保持架61上，保持4个靶材电极35～38，所以在与上部遮蔽板63的各靶材电极35～38的靶材安装面相向的位置分别形成了开口。在形成于上部遮蔽板63上的4个开口63a的两侧，设置了作为向第一遮挡板65侧突出的板状构件的固定分离壁(stationeryseparatingwall)71(第二分离壁)。关于固定分离壁71后述。

第一遮挡板(第一遮挡构件)65，是可旋转地设置于上部遮蔽板63的基板保持架33侧的遮挡板，通过使旋转轴65b旋转能够控制旋转角度。第一遮挡板65，在通过旋转与2个靶材电极的靶材安装面相向的区域中形成了开口65a。形成于第一遮挡板65上的2个开口65a形成在相对于旋转轴65b对称的位置。在形成于第一遮挡板65上的2个开口65a的两侧，设置了作为向上部遮蔽板63侧突出的板状构件的旋转分离壁(rotationalseparatingwall)72(第一分离壁)。关于旋转分离壁72后述。

第二遮挡板(第二遮挡构件)67，是可旋转地设置于第一遮挡板65的基板保持架33侧的遮挡板，通过使旋转轴67b旋转能够控制旋转角度。旋转轴65b与旋转轴67b被构成为能够独立地控制旋转。在第二遮挡板67上，在通过旋转与3个靶材电极的靶材安装面相向的区域中分别形成了开口67a。另外，形成于第二遮挡板67上的3个开口中的形成于相对于旋转轴67b对称的位置的2个开口，以能够与形成于第一遮挡板65上的2个开口相向地配置的方式形成。

图5是从上方观看构成遮挡装置54的构件中的上部遮蔽板63、第一遮挡板65、以及第二遮挡板67的每一个的模式图。在图5中，实际上以虚线表示了从上方看不见的固定分离壁71，以便从固定分离壁71和旋转分离壁72的上方观看的位置关系变得明确。如上述的那样在上部遮蔽板63的第一遮挡板65侧的面上设置了4个固定分离壁71，另一方面，在第一遮挡板65的上部遮蔽板63侧的面上设置了4个旋转分离壁72。

固定分离壁71(第二分离壁)，是朝向第一遮挡板65突出的4个板状构件(凸状构件)，且分别安装于相邻的开口63a之间的位置。4个固定分离壁71，配置成从上部遮蔽板63的中心呈放射状地延伸。在本实施方式中，固定分离壁71安装于上部遮蔽板63上，但在不具有上部遮蔽板63的构造中，也可以在容器51或靶材电极保持架61上安装固定分离壁71。

旋转分离壁72(第一分离壁)，是朝向上部遮挡板63突出的4个板状构件(凸状构件)，分别被安装于开口63a的周方向的两侧。4个旋转分离壁72，配置成从第一遮蔽板65的中心呈放射状地延伸。图5中的符号80a、80b、80c是标志(Mark)，表示第一遮挡板65、第二遮挡板67的旋转角度的基准位置。

图6A是图5的I-I剖面图，图6B是图5的II-II剖面图。在图6B中，关于固定分离壁71和旋转分离壁72也进行了图示，以便从固定分离壁71和旋转分离壁72的侧方观看的位置变得明确。在图6A及图6B中，以符号C表示靶材电极35～38中的任意靶材电极，以符号T表示任意的靶材。另外，为了图解的简化，作为都是平行地构成了靶材电极保持架61、上部遮蔽板63、第一遮挡板65、第二遮挡板67的结构进行了图示。

图6A是仅将朝向纸面上位置于左侧的一方的靶材T用于溅镀成膜的情况下的第一遮挡板65和第二遮挡板67的配置。具体而言，在与一方的靶材T相向的位置，开口65a位于第一遮挡板65上，与另一方的靶材T相向的位置由第一遮挡板65闭锁。另外，与双方的靶材T相向的位置的第二遮挡板67，都由开口67a开放。

固定分离壁71和旋转分离壁72位于与2个靶材T相向的位置之间。固定分离壁71和旋转分离壁72，在旋转轴65b、67b的轴方向(旋转轴方向)具有重叠的区域。即，固定分离壁71和旋转分离壁72的高度的和，被设定成比上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙的距离长的尺寸。在图6B中，如果从周方向观看固定分离壁71和旋转分离壁72，则固定分离壁71从旋转轴65b在直径方向形成到部遮蔽板63的外周部分为止。旋转分离壁72也同样地从旋转轴65b在直径方向形成到第一遮挡板65的外周部分为止。

即，在上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙的区域中，能够由固定分离壁71和旋转分离壁72形成迷宫。因此，能够有效地防止从一方的靶材T溅镀的原子通过上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙而到达至另一方的靶材T。

在本实施方式中，因为固定分离壁71和旋转分离壁72在旋转轴65b、67b的轴方向具有重叠的区域，所以如果第一遮挡板65绕旋转轴65b旋转规定角度以上，则旋转分离壁72与固定分离壁71抵接。即，如图5所示，所有的旋转分离壁72都设置成能够分别接近地位于固定分离壁71的周方向的一方侧。在进行溅镀成膜处理时，旋转分离壁72，以在与固定分离壁71之间形成迷宫的方式，各自在固定分离壁的周方向的一方侧具有规定的间隙地配置。规定的间隙例如能够做成数毫米。

例如，能够将表示于图5的固定分离壁71和旋转分离壁72的位置关系作为基准，使第一遮挡板65相对于图5的纸面向逆时针旋转至接近至90°。旋转第一遮挡板65能够的角度，是直到旋转分离壁72即将与固定分离壁71的周方向的另一方侧接触之前，虽然根据固定分离壁71和旋转分离壁72的周方向的厚度在某种程度上进行变动，但是在70°～90°。

在本实施方式中，第一遮挡板65能够旋转的角度(旋转角度)被设定成80°。由于旋转角度不足90°，所以通过将形成于第一遮挡板65上的开口65a在第一遮挡板65的周方向比径方向形成得长，能够大地开放与靶材相向的区域。另外，第二遮挡板67，不限制能够旋转的角度。

基于图7说明本实施方式的遮挡装置54的动作与其效果。图7是从上方观看靶材电极保持架61、第一遮挡板65、第二遮挡板67的每一个的模式图，是以能够知道使用各靶材时的第一遮挡板65与第二遮挡板67的旋转位置的方式浏览整理的图。另外，图7的右侧的列是从基板34侧观看遮挡装置54时的模式图。另外，在图7中，上部遮蔽板63做成与靶材电极保持架61一体地安装的结构，并且将安装于靶材电极35～38上的靶材作为符号T1～T4表示。

首先，在表示图7所示的第一遮挡板65与第二遮挡板67的旋转位置的组合中，对仅用靶材T1向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明。基于被记载成图7的T1的行进行说明。相对于靶材T1，通过将第一遮挡板65的开口65a与第二遮挡板67的开口67a的位置重叠，能够进行利用靶材T1的溅镀成膜，使规定的膜堆积在旋转中的基板34的表面上。此时，因为靶材T2、T4由第一遮挡板65覆盖，靶材T3由第二遮挡板67覆盖，所以能够防止从靶材T1溅镀的被成膜物质从基板侧附着在其他的靶材T2、T3、T4上。

进而，在靶材T1与靶材T2之间及靶材T1与靶材T3之间的位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72形成了迷宫，所以能够妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T1的被成膜物质的移动，有效地防止污染。另外，靶材T2、T4的前面，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T1的被成膜物质相对于靶材T2、T4的移动。靶材T3未由第一遮挡板65覆盖，但因为距靶材T1最远，及在靶材T3与T1之间存在旋转轴65b、67b，所以妨碍了来自靶材T1的被成膜物质到达至靶材T3。

以下，关于仅使用靶材T2向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明(参照图7被记载成T2的行)。仅使用靶材T2进行溅镀成膜时，与仅使用靶材T1时相比较，做成使第一遮挡板65与第二遮挡板67的双方朝向纸面地向逆时针旋转80°的位置。由此，能够相对于靶材T2将第一遮挡板65的开口65a与第二遮挡板67的开口67a的位置重叠。因为靶材T1、T3由第一遮挡板65覆盖，靶材T4由第二遮挡板67覆盖，所以能够防止从靶材T2溅镀的被成膜物质从基板侧附着在其他的靶材T1、T3、T4上。

在靶材T2与靶材T3之间及靶材T2与靶材T4之间的位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72形成了迷宫，所以能够妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T2的被成膜物质的移动，有效地防止污染。另外，靶材T1、T3的前面，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T2的被成膜物质相对于靶材T1、T3的移动。另外，靶材T4，因为距靶材T2最远，及靶材T4与T2之间存在旋转轴65b、67b，所以妨碍来自靶材T2的被成膜物质到达至靶材T4。

关于仅使用靶材T3向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明(参照图7被记载成T3的行)。仅使用靶材T3进行溅镀成膜时，与仅使用靶材T1时相比较，做成使第一遮挡板65不旋转地使第二遮挡板67朝向纸面地旋转180°的位置。因为靶材T2、T4由第一遮挡板65覆盖，靶材T1由第二遮挡板67覆盖，所以能够防止从靶材T3溅镀的被成膜物质从基板侧附着在其他的靶材T1、T2、T4上。

在靶材T3的周方向两侧相邻的靶材T2、T4之间的位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72都形成了迷宫，所以能够妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T3的被成膜物质的移动，有效地防止污染。另外，靶材T2、T4的前面，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T3的被成膜物质相对于靶材T2、T4的移动。另外，靶材T1，因为距靶材T3最远，及在靶材T1与T3之间存在旋转轴65b、67b，所以妨碍来自靶材T3的被成膜物质到达至靶材T1。

关于仅使用靶材T4向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明(参照图7被记载成T4的行)。仅使用靶材T4进行溅镀成膜时，与仅使用靶材T1时相比较，做成使第一遮挡板65相对于纸面向逆时针旋转80°，并且使第二遮挡板67朝向纸面地向逆时针旋转270°的位置。因为靶材T1、T3由第一遮挡板65覆盖，靶材T2由第二遮挡板67覆盖，所以能够防止从靶材T4溅镀的被成膜物质从基板侧附着在其他的靶材T1、T2、T3上。

在靶材T4的周方向两侧相互邻接的靶材T1、T3之间的位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72都形成了迷宫，所以能够碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T4的被成膜物质的移动，有效地防上污染。另外，靶材T1、T3的前面，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T4的被成膜物质相对于靶材T1、T3的移动。另外，靶材T2，因为距靶材T4最远，及在靶材T2与T4之间存在旋转轴65b、67b，所以妨碍来自靶材T4的被成膜物质到达至靶材T2。

关于使用靶材T1与T3的双方的同时溅镀(co-sputtering)或由同时成膜处理向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明(参照图7被记载成T1-T3Co-SP的行)。进行靶材T1与T3的同时溅镀(Co-SP)时，与仅使用靶材T1时相比较，做成使第一遮挡板65不旋转使第二遮挡板67朝向纸面地向逆时针旋转90°的位置。此时，靶材T1与T3相对于基板34开放，并且靶材T2、T4由第一遮挡板65覆盖。

在靶材T1与T3的周方向的两侧位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72分别形成了迷宫，所以能够妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T1与T3的被成膜物质的移动，有效地防止污染。另外，靶材T2、T4的前面，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T1与T3的被成膜物质相对于靶材T2、T4的移动。在靶材T1与T3的同时溅镀中，因为第一遮挡板65的2个开口65a是夹着旋转轴65b对称的位置，所以靶材T1与T3的距离长，能够有效地防止交叉污染。特别是，靶材T1与T3的被成膜物质不同时，由本实施方式的构造能够有效地防止交叉污染。

关于由使用靶材T2与T4的双方的同时溅镀向基板34进行成膜时的遮挡装置54的动作进行说明(参照图7被记载成T2-T4Co-SP的行)。进行靶材T2与T4的同时溅镀(Co-SP)时，与仅使用靶材T1时相比较，做成使第一遮挡板65朝向纸面地向逆时针旋转80°，使第二遮挡板67不旋转的位置。此时，靶材T2与T4相对于基板34开放，并且靶材T1、T3由第一遮挡板65覆盖。

在靶材T2与T4的周方向的两侧位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72分别形成了迷宫，所以能够妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的来自靶材T2与T4的被成膜物质的移动，有效地防止污染。另外，靶材T1、T3，因为由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙中的来自靶材T2与T4的被成膜物质相对于靶材T1、T3的移动。在靶材T2与T4的同时溅镀中，因为第一遮挡板65的2个开口65a是夹着旋转轴65b对称的位置，所以靶材T2与T4的距离长，能够有效地防止交叉污染。特别是，靶材T2与T4的被成膜物质不同时，由本实施方式的构造能够有效地防止交叉污染。

在上述的本实施方式中，关于能够搭载4个靶材(靶材电极)的成膜装置进行了叙述，但靶材的数量不被限定于4个。例如，即使是具有2个靶材(靶材电极)，分别具有2个第一遮挡板65的开口65a与第二遮挡板67的开口67a的构造，也能够发挥与上述实施方式同样的交叉污染的防止效果。在此情况下，如果以图7说，则能够合适地用于仅具备靶材T1与T3(或T2与T4)的成膜装置。

关于本实施方式的成膜装置的效果进行说明。通过在1个的室内具备多个靶材，溅镀成膜多层膜且由旋转遮挡装置进行靶材的选择的成膜装置上安装上述的旋转遮挡装置54，能够有效地防止靶材间的污染。特别是，能够有效地防止同时溅镀成膜时的交叉污染。由此，能够使膜性能良好的多层膜堆积于基板上。

另外，成膜装置10的遮挡装置54，以第一遮挡板65和第二遮挡板67平行于各自的靶材的溅镀面(靶材电极的靶材安装面)的方式形成为弯曲的剖面形状。通过使用这样的各遮挡板65、67，即使在将成膜物质相对于基板34由斜方向进行溅镀的本实施方式的成膜装置中，也能够不降低成膜速度地实现均匀的膜厚分布。

(第二实施方式)

以下，关于本发明的其他的实施方式进行说明。上述的实施方式中的遮挡装置54，是都具备第一遮挡板65与第二遮挡板67的构造，但不具备第二遮挡板67的遮挡装置也能够防止污染的发生。即，在靶材T1～T4的周方向的两侧位置，因为固定分离壁71和旋转分离壁72分别形成了迷宫，所以妨碍上部遮蔽板63与第一遮挡板65的间隙中的被成膜物质的移动。另外，因为不使用的靶材由第一遮挡板65覆盖，所以能够防止被溅镀的物质附着在不使用的靶材上。在此实施方式中，能够在搭载2个以上靶材的成膜装置中防止污染。

(第三实施方式)

另外，上述的实施方式中的遮挡装置54，将上部遮蔽板63配置于第一遮挡板65与靶材电极C之间，但即使将上部遮蔽板63配置于第一遮挡板65与第二遮挡板67之间也能够发挥大致同样的效果。在此情况下，旋转分离壁72设置于第一遮挡板65的基板保持架33侧的面上，固定分离壁71设置于上部遮蔽板63的第一遮挡板65侧的面上。同样地，即使将上部遮蔽板63配置于第二遮挡板67的基板保持架33侧，将旋转分离壁72设置于第二遮挡板67的基板保持架33侧的面上，也能够发挥大致同样的效果。

(第四实施方式)

进而，对从遮挡装置54除了固定分离壁71和旋转分离壁72以外的构造的遮挡装置进行说明。即使是不具备固定分离壁71和旋转分离壁72的遮挡装置，也能够防止被成膜物质通过第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙向其他的靶材移动。这是因为，第一遮挡板65的2个开口65a位于分离的位置，进而旋转轴65b、67b位于2个靶材之间。特别是，在同时溅镀成膜处理中，能够防止由通过第一遮挡板65与第二遮挡板67的间隙的被成膜物质产生的交叉污染。

本发明是不被限定于上述实施方式的，在未脱离本发明的精神及范围的情况下，能够进行各种变更及变形。因此，为了将本发明的范围公开，附加了以下的权利要求。

本申请，是以2011年4月28日提出的日本专利申请特愿2011-100784为基础主张优先权的，在此援用其记载内容的全部。

符号的说明

T：靶材

10：成膜装置

11：机器人臂搬送装置

12：搬送室

14：机械手

15，16：加载/卸载室

17A～17E：成膜室

20：闸阀

33：基板保持架

34：基板

35～38，C：靶材电极

51：容器

52：顶面部

53：磁铁

54：遮挡装置

61：靶材电极保持架

63：上部遮蔽板(遮蔽构件)

65：第一遮挡板(第一遮挡构件)

63a，65a，67a：开口

65b，67b：旋转轴

67：第二遮挡板(第二遮挡构件)

71：固定分离壁(第二分离壁)

72：旋转分离壁(第一分离壁)。

Claims

1.一种成膜装置，其特征为，

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面；

该基板保持架在与上述多个靶材电极相向的位置保持基板；

该第二分离壁设置于与上述第一遮挡构件的上述靶材电极侧的面相向的构件上，

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征为，

还具有第二遮挡构件，该第二遮挡构件可旋转地设置于上述第一遮挡构件与上述基板保持架之间，

上述第二遮挡构件具有在上述第一遮挡构件或上述第二遮挡构件进行了旋转时，与上述第一遮挡构件的上述多个开口的任一开口相向的开口，

上述第二遮挡构件的上述开口的数量，是上述第一遮挡构件的上述多个开口的数量以上。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征为，

上述构件包括设置于上述多个靶材电极与上述第一遮挡构件之间的遮蔽构件，

上述遮蔽构件具有开口，该开口与上述安装面相向，其数量仅与上述多个靶材电极的数量相等，

上述第二分离壁设置于上述遮蔽构件上。

4.一种成膜装置，其特征为，

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面；

该基板保持架在与上述多个靶材电极相向的位置保持基板；

5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征为，

上述第二遮挡构件的开口的数量，是上述第一遮挡构件的上述多个开口的数量以上。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征为，

上述多个靶材电极中的2个用于同时成膜处理，

在上述同时成膜处理时，上述第一遮挡构件的上述多个开口中的2个开口，与用于上述同时成膜处理的上述靶材电极的上述安装面同时地相向。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征为，

在上述第一遮挡构件上形成了上述多个开口的全部或作为一部分的2个开口，上述2个开口形成在相对于上述旋转轴的对称位置。

8.如权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征为，

上述第一分离壁及上述第二分离壁，都以上述旋转轴为中心在径方向延伸。

9.如权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征为，

形成于上述第一遮挡构件上的上述多个开口，在第一遮挡构件的周方向比在其径方向具有长的尺寸。