TWI573216B - Processing device and collimator - Google Patents

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TWI573216B
TWI573216B TW104136545A TW104136545A TWI573216B TW I573216 B TWI573216 B TW I573216B TW 104136545 A TW104136545 A TW 104136545A TW 104136545 A TW104136545 A TW 104136545A TW I573216 B TWI573216 B TW I573216B
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加藤視紅磨
寺田貴洋
田中正幸
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東芝股份有限公司
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Description

處理裝置及準直器
本發明之實施形態係關於處理裝置及準直器。
例如於半導體晶圓上使金屬成膜之濺鍍裝置具有用於使成膜之金屬粒子之方向一致之準直器。準直器具有形成多個貫通孔之壁，使相對於如半導體晶圓般被處理之物體向大致垂直方向飛行之粒子通過，並且阻斷傾斜飛行之粒子。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-504473號公報
通過準直器之粒子之方向只要相對於所期望之方向而為特定範圍內，則亦可傾斜。準直器存在不僅將不需要之粒子阻斷，亦將此種可利用之傾斜方向之粒子阻斷之情形。
一實施形態之處理裝置係包含產生源配置部、第1物體配置部、及第1準直器。上述產生源配置部以配置可釋放粒子之粒子產生源之方式而構成。上述第1物體配置部以自上述產生源配置部隔開而配置，且配置接收上述粒子之第1物體之方式而構成。上述第1準直器配置於上述產生源配置部與上述第1物體配置部之間，且具有複數個第1 壁與複數個第2壁，藉由上述複數個第1壁與上述複數個第2壁，形成沿自上述產生源配置部朝向上述第1物體配置部之第1方向延伸之複數個第1貫通孔，且於上述複數個第2壁各自設置有貫通該第2壁且可供上述粒子通過之至少一個第1通路。
1‧‧‧濺鍍裝置
2‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧處理室
12‧‧‧靶
12a‧‧‧下表面
13‧‧‧載物台
13a‧‧‧載置面
13A‧‧‧載物台
13B‧‧‧載物台
14‧‧‧準直器
14A‧‧‧準直器
14B‧‧‧準直器
21‧‧‧上壁
21a‧‧‧內表面
22‧‧‧底壁
23‧‧‧側壁
24‧‧‧排出口
25‧‧‧導入口
31‧‧‧框部
32‧‧‧整流部
32a‧‧‧上端部
32b‧‧‧下端部
35‧‧‧阻斷壁
35a‧‧‧上端部
35b‧‧‧下端部
36‧‧‧第1連通壁
36a‧‧‧上端部
36b‧‧‧下端部
37‧‧‧第2連通壁
37a‧‧‧上端部
37b‧‧‧下端部
39‧‧‧貫通孔
41‧‧‧第1連通孔
41a‧‧‧第1傾斜孔
41b‧‧‧第1傾斜孔
42‧‧‧第2連通孔
42a‧‧‧第1傾斜孔
42b‧‧‧第1傾斜孔
51‧‧‧第1部分
52‧‧‧第2部分
61‧‧‧膜
65‧‧‧第1分隔壁
66‧‧‧第2分隔壁
71‧‧‧圓壁
72‧‧‧連接壁
81‧‧‧傾斜壁
91‧‧‧第3連通孔
95‧‧‧第4連通孔
圖1係概略地表示第1實施形態之濺鍍裝置之剖視圖。
圖2係表示第1實施形態之準直器之立體圖。
圖3係表示第1實施形態之準直器之剖視圖。
圖4係概略性地表示第1實施形態之靶及準直器之剖視圖。
圖5係概略性地表示第2實施形態之準直器之一部分之剖視圖。
圖6係概略性地表示第3實施形態之準直器之一部分之剖視圖。
圖7係概略性地表示第3實施形態之準直器之第1變化例之一部分之剖視圖。
圖8係概略性地表示第3實施形態之準直器之第2變化例之一部分之剖視圖。
圖9係概略性地表示第3實施形態之準直器之第3變化例之一部分之剖視圖。
圖10係概略性地表示第3實施形態之準直器之第4變化例之一部分之剖視圖。
圖11係表示第4實施形態之準直器之一部分之立體圖。
圖12係表示第5實施形態之準直器之俯視圖。
圖13係概略性地表示第6實施形態之濺鍍裝置之剖視圖。
圖14係概略性地表示第7實施形態之靶及準直器之剖視圖。
圖15係概略性地表示第8實施形態之靶及準直器之剖視圖。
於以下，參照圖1至圖4對第1實施形態進行說明。再者，於本說 明書中基本上將鉛垂上方定義為上方向，將鉛垂下方定義為下方向。又，關於實施形態之構成要件或該要件之說明，有一併記載複數種表述之情形。關於該構成要件及說明，可進行未記載之其他表述。進而，關於未記載複數種表述之構成要件及說明，可進行其他表述。
圖1係概略性地表示第1實施形態之濺鍍裝置1之剖視圖。濺鍍裝置1係處理裝置之一例。濺鍍裝置1係例如於半導體晶圓2之表面藉由金屬粒子進行成膜。半導體晶圓2係第1物體及物體之一例。再者，濺鍍裝置1並非限定於此，例如，亦可於其他對象物進行成膜。
濺鍍裝置1包含處理室11、靶12、載物台13、及準直器14。靶12係粒子產生源之一例。準直器14係第1準直器及準直器之一例。
如圖式所示般，於本說明書中，定義有X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸及Z軸相互正交。X軸係沿著處理室11之寬度。Y軸係沿著處理室11之縱深(長度)。Z軸係沿著處理室11之高度。以下之記載係將Z軸作為沿鉛垂方向者而進行說明。再者，濺鍍裝置1之Z軸亦可相對於鉛垂方向傾斜。
處理室11係形成為可密閉之箱狀。處理室11具有上壁21、底壁22、側壁23、排出口24、及導入口25。上壁21與底壁22係以於沿著Z軸之方向(鉛垂方向)對向之方式而配置。上壁21介隔特定之間隔而位於底壁22之上方。側壁23係於沿著Z軸之方向延伸，且連接上壁21與底壁22。
排出口24係於處理室11之內部開口，且連接於例如真空泵。可藉由真空泵自排出口24抽吸處理室11之內部之空氣，而使處理室11之內部成為真空狀態。
導入口25係於處理室11之內部開口，且連接於收容例如氬氣般之惰性氣體之儲罐。氬氣可自導入口25導入至成為真空狀態之處理室11之內部。
靶12係作為粒子之產生源而被利用之例如圓環狀之金屬板。再者，靶12之形狀並非限定於此，亦可形成為例如圓盤狀。靶12係介隔例如支承板而安裝於處理室11之上壁21之內表面21a。支承板係作為靶12之冷卻材及電極而使用。再者，靶12亦可直接安裝於上壁21。
上壁21之內表面21a係產生源配置部之一例。內表面21a係朝下方之大致平坦之面。於此種內表面21a介隔支承板而配置有靶12。產生源配置部並非限定於獨立之構件或零件，亦可為某構件或零件上之特定之位置。產生源配置部亦可為上記支承板。
靶12係具有下表面12a。下表面12a係朝下方之大致平坦之面。若對靶12施加電壓，則導入至處理室11之內部之氬氣離子化而產生電漿。藉由氬離子碰撞靶12，而自例如靶12之下表面12a飛出構成靶12之成膜材料之粒子C。換而言之，靶12可釋放粒子C。
粒子C係本實施形態之粒子之一例，且係構成靶12之成膜材料之微小之粒子。粒子亦可為較此種粒子C小之如分子、原子、原子核、基本粒子、蒸氣(氣化之物質)、及電磁波(光子)般的構成物質或能量線之各種粒子。
載物台13係安裝於處理室11之底壁22。亦即，載物台13係於鉛垂方向自靶12隔開而配置。再者，亦可將底壁22作為第1載物台之一例來使用而代替載物台13。載物台13具有載置面13a。載物台13之載置面13a支持半導體晶圓2。半導體晶圓2形成為例如圓盤狀。再者，半導體晶圓2亦可形成為其他形狀。
載物台13之載置面13a係第1物體配置部、釋放目標部、及物體配置部之一例。載置面13a係朝上方之大致平坦之面。載置面13a係自上壁21之內表面21a於鉛垂方向隔開而配置，與內表面21a對向。於此種載置面13a配置半導體晶圓2。第1物體配置部、釋放目標部、及物體配置部並非限定於獨立之構件或零件，亦可為某構件或零件上之特定 之位置。
準直器14係於沿著Z軸之方向(鉛垂方向)上配置於靶12與載物台13之間。換而言之，準直器14係於沿著Z軸之方向(鉛垂方向)上配置於上壁21之內表面21a與載物台13之載置面13a之間。沿著Z軸之方向及鉛垂方向係自上壁21之內表面21a朝向載物台13之載置面13a之方向，即為第1方向之一例。換而言之，準直器14係配置於靶12與半導體晶圓2之間。準直器14安裝於例如處理室11之側壁23。
圖2係表示準直器14之立體圖。圖3係表示準直器14之剖視圖。如圖2及圖3所示，準直器14具有框部31與整流部32。
框部31係形成為於鉛垂方向延伸之圓筒狀之壁。再者，框部31並非限定於此，亦可形成為如矩形般之其他形狀。框部31之剖面積大於半導體晶圓2之剖面積。整流部32係於XY平面上設置於筒狀之框部31之內側。框部31與整流部32係一體地形成。
整流部32係包含複數個阻斷壁35、複數個第1連通壁36、及複數個第2連通壁37。阻斷壁35係第1壁及壁之一例。第1及第2連通壁36、37係第2壁及壁之一例。
整流部32係藉由複數個阻斷壁35、複數個第1連通壁36、及複數個第2連通壁37而形成複數個貫通孔39。貫通孔39係第1貫通孔及貫通孔之一例。複數個貫通孔39係於鉛垂方向延伸之六邊形之孔。換而言之，複數個阻斷壁35、複數個第1連通壁36、及複數個第2連通壁37形成於內側形成有貫通孔39之複數個六邊形之筒(蜂窩狀構造)。再者，貫通孔39之形狀並非限定於此。
如圖3所示，整流部32係具有上端部32a與下端部32b。上端部32a係整流部32之鉛垂方向上之一端部，且朝向靶12及上壁21之內表面21a。下端部32b係整流部32之鉛垂方向上之另一端部，且朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2及載物台13之載置面13a。
貫通孔39係遍及自整流部32之上端部32a至下端部32b而設置。亦即，貫通孔39係朝向靶12開口，且朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2開口之孔。
阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37係於鉛直方向延伸之大致矩形(長方形)之板。亦即，阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37於相同方向延伸。
複數個第1連通孔41分別設置於第1連通壁36。第1連通孔41係第1通路及通路之一例，亦可稱為開口。第1連通孔41係例如為平行四邊形狀之孔，排列於鉛垂方向及水平方向。本說明書之水平方向係相對於Z軸正交之XY平面上之方向。再者，第1連通孔41之形狀及配置並非限定於此。
第1連通孔41之鉛垂方向之長度長於第1連通孔41之水平方向之長度。水平方向係與第1方向正交之方向，及與貫通孔延伸之方向正交之方向之一例。亦即，第1連通孔41係於鉛垂方向延伸之縱孔。
第1連通孔41係連接藉由設置有該第1連通孔41之第1連通壁36而分隔之2個貫通孔39。換而言之，第1連通孔41貫通第1連通壁36，且於1個貫通孔39與鄰接之另一貫通孔39開口。
複數個第2連通孔42分別設置於第2連通壁37。第2連通孔42係第2通路及通路之一例。第2連通孔42係例如平行四邊形狀之孔，排列於鉛垂方向及水平方向。再者，第2連通孔42之形狀及配置並非限定於此。
第2連通孔42之鉛垂方向之長度長於第2連通孔42之水平方向之長度。亦即，第2連通孔42係於鉛垂方向延伸之縱孔。
第2連通孔42係連接藉由設置有該第2連通孔42之第2連通壁37而分隔之兩個貫通孔39。換而言之，第2連通孔42貫通第2連通壁37，且於1個貫通孔39與鄰接之另一貫通孔39開口。
第2連通孔42大於第1連通孔41。第2連通壁37之複數個第2連通孔42之密度，大於第1連通壁36之複數個第1連通孔41之密度。複數個第2連通孔42之密度係相對於第2連通壁37之大小之複數個第2連通孔42之大小。若第2連通壁37之複數個第2連通孔42之密度大於第1連通壁36之複數個第1連通孔41之密度，則亦可使第2連通孔42之大小與第1連通孔之大小相同或更小。
阻斷壁35係具有上端部35a與下端部35b。第1連通壁36具有上端部36a與下端部36b。第2連通壁37具有上端部37a與下端部37b。
上端部35a、36a、37a係阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之鉛垂方向之一端部，朝向靶12及上壁21之內表面21a。上端部35a、36a、37a係貫通孔所延伸之方向上之一端部之一例。上端部35a、36a、37a形成整流部32之上端部32a。
整流部32之上端部32a係相對於靶12及上壁21之內表面21a凹陷成曲面狀。換而言之，整流部32之上端部32a以自靶12及上壁21之內表面21a遠離之方式彎曲。再者，上端部32a並非限定於此，例如，亦可係僅使上端部32a之中央部分相對於靶12及上壁21之內表面21a凹陷而形成。
下端部35b、36b、37b係阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之鉛垂方向上之另一端部，且朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2及載物台13之載置面13a。下端部35b、36b、37b形成整流部32之下端部32b。
整流部32之下端部32b係朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2及載物台13之載置面13a以曲面狀突出。再者，下端部32b並非限定於此，例如，亦可係僅使下端部32b之中央部分朝向載物台13之載置面13a突出。
整流部32之上端部32a與下端部32b係具有大致相同之曲面形狀。 因此，鉛垂方向上之阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之長度大致相同。再者，亦可根據位置而使鉛垂方向上之阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之長度不同。
圖4係概略地表示靶12及準直器14之剖視圖。如圖2及圖4所示，整流部32具有第1部分51與第2部分52。第1部分係第1部分及自靶偏離之區域之一例。第2部分52係第2部分及與靶對向之區域之一例。第1及第2部分51、52亦可稱為位置、範圍、及區域。
如以圖4之一點鏈線所示般，第1部分51係朝向自靶12偏離之位置之部分。換而言之，第1部分51係於鉛垂方向上與上壁21對向之部分。因此，本實施形態之第1部分51成為與例如圓環狀之靶12之內側部分對應之圓形部分。
如以圖4之一點鏈線所示般，第2部分52係於鉛垂方向上朝向靶12之部分。換而言之，第2部分52係於鉛垂方向上與靶12重疊且位於靶12之下方之部分。因此，本實施形態之第2部分52成為與靶12之形狀對應之圓環狀部分，於水平方向上位於第1部分51之外側。
粒子C自靶12之下表面12a飛出之方向係依照餘弦定理(朗伯之餘弦定理)分佈。亦即，自下表面12a之某一點飛出之粒子C沿下表面12a之法線方向(鉛垂方向)飛出得最多。因此，鉛垂方向係為配置於產生源配置部之粒子產生源釋放至少1個粒子之方向之一例。朝相對於法線方向以角度θ傾斜(斜交叉)之方向飛行之粒子之數量，與朝法線方向飛行之粒子之數量之餘弦(cosθ)大致成正比例。
於以下之說明中，有時將自靶12於鉛垂方向釋放之粒子C稱作鉛垂成分，將自靶12向相對於鉛垂方向傾斜之方向釋放之粒子C稱作傾斜成分。傾斜成分飛向第1部分51之數量相對於鉛垂成分飛向第1部分51之數量的比例，大於傾斜成分飛向第2部分52之數量相對於鉛垂成分飛向第2部分52之數量的比例。換而言之，相較於第2部分52，傾斜 成分更易飛向第1部分51。
第1部分51係藉由複數個阻斷壁35而形成。換而言之，於第1部分51中，阻斷壁35配置得多於第1及第2連通壁36、37。亦即，第1部分51之阻斷壁35之數量，多於第1部分51之第1連通壁36之數量與第2連通壁37之數量之合計。再者，於第1部分51，除阻斷壁35之外，亦可設置有第1及第2連通壁36、37。
第2部分52係藉由複數個第1及第2連通壁36、37而形成。換而言之，於第2部分52中，第1及第2連通壁36、37配置得多於阻斷壁35。亦即，第2部分52之第1連通壁36之數量與第2連通壁37之數量之合計多於第2部分52之阻斷壁35之數量。再者，於第2部分52，除第1及第2連通壁36、37之外，亦可設置有阻斷壁35。又，第2部分52亦可僅藉由第1連通壁36及第2連通壁37之任一者而形成。
於第1部分51僅藉由阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之任一種而形成之情形時，第2部分52包含阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之另一種。亦即，第1部分51與第2部分52之阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之構成比不同。
於第2部分52之例如外周側之部分，存在較其他場所而更易飛來粒子C之鉛垂成分之場所。於該第2部分52之外周側之部分，第2連通壁37配置得多於第1連通壁36。再者，鉛垂成分易飛來之場所並非限定於此，會根據各種條件而變化。
如以上般，於整流部32，阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37相對於配置於上壁21之內表面21a之靶12之形狀，以特定之分佈而配置。亦即，整流部32之阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之位置係與靶12之形狀對應而設定。換而言之，於設置於準直器14之壁(阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37)之通路(第1及第2連通孔41、42)設定有疏密之分佈。
再者，第1部分51與第2部分52並非限定於上述之位置。若傾斜成分飛向第1部分51之數量相對於鉛垂成分飛向第1部分51之數量之比例，大於傾斜成分飛向第2部分52之數量相對於鉛垂成分飛向第2部分52之數量之比例，則第1及第2部分51、52亦可位於其他位置。亦即，第1及第2部分51、52係根據準直器14之各位置之鉛垂成分與傾斜成分之數量而設定。
又，阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之分佈並非限定於上述者。例如，阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之分佈亦可例如根據如靶12之形狀、準直器14之位置、及所施加之電壓般之各種要件而設定。
如上述之準直器14係藉由例如3D(dimensional，維)印表機積層造形。藉此，可容易形成設置有第1及第2連通孔41、42之第1及第2連通壁36、37。再者，準直器14並非限定於此，亦可利用其他方法製造。準直器14例如藉由金屬製造，亦可藉由其他材料製造。
如圖4所示，粒子C自靶12之下表面12a飛出。於鉛垂方向飛行之粒子C通過準直器14之貫通孔39，並朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2飛行。再者，於鉛垂方向飛行之粒子C亦有例如附著於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之上端部35a、36a、37a之情況。
另一方面，亦存在於相對於鉛垂方向傾斜之方向(傾斜方向)飛行之粒子C。傾斜方向與鉛垂方向之間之角度大於特定範圍之粒子C附著於阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37。亦即，準直器14阻斷傾斜方向與鉛垂方向之間之角度為特定範圍外之粒子C。
傾斜方向與鉛垂方向之間之角度為特定範圍內之粒子C通過準直器14之貫通孔39，並朝向被支持於載物台13之半導體晶圓2飛行。於此種傾斜方向飛行之粒子C可通過第1連通壁36之第1連通孔41，或第2連通壁37之第2連通孔42。再者，傾斜方向與鉛垂方向之間之角度為 特定範圍內之粒子C亦有附著於阻斷壁35、第1連通壁36及第2連通壁37之情況。
通過準直器14之貫通孔39之粒子C藉由附著及沈積於半導體晶圓2，而於半導體晶圓2成膜。換而言之，半導體晶圓2接收靶12釋放之粒子C。通過貫通孔39之粒子C之朝向(方向)相對於鉛垂方向而於特定之範圍內一致。如此，藉由準直器14之形狀而控制於半導體晶圓2成膜之粒子C之方向。
於第1實施形態之濺鍍裝置1中，準直器14藉由阻斷壁35、與分別所設置有第1及第2連通孔41、42之第1及第2連通壁36、37，而形成沿鉛垂方向延伸之貫通孔39。藉此，於相對於鉛垂方向傾斜之方向(傾斜方向)自靶12飛出之粒子C，可通過第1及第2連通壁36、37之第1及第2連通孔41、42。如此，濺鍍裝置1之準直器14於相對於鉛垂方向在特定角度之範圍內傾斜之方向，使自靶12釋放之粒子C通過，且可阻斷於相對於鉛垂方向較特定角度之範圍大地傾斜之方向自靶12釋放之粒子C。藉此，濺鍍裝置1可使用於傾斜方向飛行之粒子C而成膜，從而提高濺鍍之效率。由於相對於鉛垂方向之傾斜角度為特定之範圍外之粒子C藉由阻斷壁35與第1及第2連通壁36、37而阻斷，故而，可將成膜之粒子C之方向相對於鉛垂方向而控制於特定之範圍內。
於鉛垂方向上，於朝向靶12之位置，第1及第2連通壁36、37配置得多於阻斷壁35。由於粒子C自靶12依照餘弦定理飛出，故而，於鉛垂方向上，於朝向靶12之位置，於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C之比例較多。因第1及第2連通壁36、37更多地配置於該位置，故於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C易通過第1及第2連通孔41、42。因此，可使用於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜，從而提高濺鍍之效率。
另一方面，於鉛垂方向上，於朝向自靶12偏離之位置之位置，較第1及第2連通壁36、37更多地配置有阻斷壁35。於鉛垂方向上，於朝向自靶12偏離之位置之位置，於相對於鉛垂方向偏離特定之範圍而傾斜之方向飛行之粒子C之比例較大。因阻斷壁35更多地配置於該位置，故可容易阻斷於相對於鉛垂方向較特定之範圍大地傾斜之方向飛行之粒子C，可更確實地控制所成膜之粒子C之方向。
於在傾斜方向飛行之粒子C(傾斜成分)所飛來之比例較大之第1部分51，阻斷壁35配置得多於第1及第2連通壁36、37。由於粒子C係自靶12依照餘弦定理而飛行，故而，在於傾斜方向飛行之粒子C所飛來之比例較多之第1部分51，於相對於鉛垂方向較特定之範圍大地傾斜之方向飛行之粒子C所飛來之比例亦較大。因阻斷壁35更多地配置於第1部分51，故可容易阻斷於相對於鉛垂方向較特定之範圍大地傾斜之方向飛行之粒子，可更確實地控制所成膜之粒子C之方向。又，可整體上進行均勻之濺鍍。
於朝鉛垂方向飛行之粒子C所飛來之比例較大之第2部分52，第1及第2連通壁36、37配置得多於阻斷壁35。由於粒子C係自靶12依照餘弦定理而飛行，故而，於鉛垂方向飛行之粒子C所飛來之比例較多之第2部分52，於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C所飛來之比例亦較大。藉由第1及第2連通壁36、37更多地配置於第2部分52，而於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C易通過第1及第2連通孔41、42。因此，可使用沿相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜，從而提高濺鍍之效率。
阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37係相對於靶12之形狀以特定之分佈而配置。藉此，可使用沿相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜，從而提高濺鍍之效率。進而，可 易阻斷於相對於鉛垂方向較特定之範圍大地傾斜之方向飛行之粒子，可更確實地控制成膜粒子C之方向。
第2連通壁37之第2連通孔42之密度較第1連通壁36大。亦即，第2連通壁37較第1連通壁36更容易使於傾斜方向飛行之粒子C通過。藉此，可根據粒子C飛行之方向之分佈而配置所對應之第1及第2連通壁36、37，從而可更有效率地使用沿相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜。
朝向阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之上壁21之內表面21a之上端部35a、36a、37a，形成相對於內表面21a而凹陷之整流部32之上端部32a。藉此，自靶12之中央部分於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C難以被阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37阻斷。因此，可更有效率地使用沿相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜。
阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之下端部35b、36b、37b形成向載物台13之載置面13a突出之整流部32之下端部32b。藉此，自靶12之端部部分於相對於鉛垂方向以較特定範圍大之角度傾斜之方向飛行之粒子C更確實地被阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37阻斷。因此，可更確實地控制所成膜之粒子C之方向。
第1及第2連通孔41、42之鉛垂方向之長度長於第1及第2連通孔41、42之水平方向之長度。藉此，於相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C難以被阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37阻斷。因此，可更有效率地使用沿相對於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C而成膜。
於以下，參照圖5對第2實施形態進行說明。再者，於以下之複數個實施形態之說明中，對具有與已說明之構成要件相同之功能之構成要件，附加與既述之構成要件相同之符號，進而有省略說明之情 形。又，附加相同符號之複數個構成要件並非所有功能及性質皆為共通，亦可具有與各實施形態對應之不同功能及性質。
圖5係概略性地表示第2實施形態之準直器14之一部分之剖視圖。如圖5所示，阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37隨著自上端部35a、36a、37a朝向下端部35b、36b、37b而變厚。換而言之，貫通孔39之剖面積隨著自整流部32之上端部32a朝向下端部32b而縮小。
自靶12飛出之粒子C會有附著及沈積於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之情形。粒子C於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之表面形成膜61。
若形成膜61，則會有為去除膜61而清洗準直器14之情況。例如，將準直器14浸漬於溶解膜61之清洗液中。藉此，自阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之表面去除膜61。
準直器14浸漬於清洗液之時間係例如根據膜61之最厚部分之厚度而設定。另一方面，清洗液會有溶解準直器14之情況。因此，膜61之厚度越均勻，越可抑制準直器14溶解，從而準直器14之耐用次數增加。
於第2實施形態之濺鍍裝置1中，阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37隨著自上端部35a、36a、37a朝向下端部35b、36b、37b而變厚。藉此，自靶12飛出之粒子C變得容易更均等地附著於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之表面。亦即，膜61之厚度變得更均等。換而言之，可抑制僅於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之上端部35a、36a、37a形成膜61。因此，可抑制於清洗附著於準直器14之粒子C之膜61時溶解準直器14之狀況，從而準直器14之耐用次數變得更多。
進而，因自靶12飛出之粒子C容易更均等地附著於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之表面，故阻斷壁35、第1連通壁36、及 第2連通壁37可更確實地保持附著於該等之表面之粒子C。藉此，可抑制附著於阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之表面之粒子C下落至例如半導體晶圓2。
於以下，參照圖6對第3實施形態進行說明。圖6係概略性地表示第3實施形態之準直器14之一部分之剖視圖。如圖6所示般，第1及第2連通孔41、42於相對於鉛垂方向傾斜之方向延伸。第1及第2連通孔41、42所延伸之方向係相對於鉛垂方向以特定範圍內之角度傾斜。再者，第1連通孔41延伸之方向與第2連通孔42延伸之方向亦可為不同。
如上所述，自靶12飛行之粒子會有於相對於鉛垂方向傾斜之方向飛行之情況。粒子C飛行之方向與第1及第2連通孔41、42延伸之方向越近，越容易使粒子C通過第1及第2連通孔41、42。
於第3實施形態之濺渡裝置1中，第1及第2連通孔41、42於相對於鉛垂方向傾斜之方向延伸。於越靠近第1及第2連通孔41、42延伸之方向之方向飛行之粒子C，越容易通過第1及第2連通孔41、42。藉此，可更確實地控制所成膜之粒子C之方向。
圖7係概略性地表示第3實施形態之準直器14之第1變化例之一部分之剖視圖。於上述第3實施形態中，第1及第2連通孔41、42於相對於鉛垂方向以一個角度傾斜之方向延伸。然而，如圖7所示，第1及第2連通孔41、42亦可為例如於相對於鉛垂方向以一個角度傾斜之方向延伸之孔，與於相對於鉛垂方向以其他角度傾斜之方向延伸之孔所合成之孔。
於圖7之例中，第1及第2連通孔41、42係於相對於該鉛垂方向傾斜-45°之方向延伸之孔，與於相對於該鉛垂方向傾斜45°之方向延伸之孔所合成之孔。於該情形時，第1連通壁36之位於相鄰之兩個第1連通孔41之間之部分36c的剖面形狀為大致菱形。具有此種第1及第2連通孔41、42之第1及第2連通壁36、37即便傾斜成分之粒子C自相鄰之兩 個貫通孔39之任一者飛來，亦可容易使該粒子C通過。再者，第1及第2連通孔41、42之形狀並非限定於此。
圖8係概略性地表示第3實施形態之準直器14之第2變化例之一部分之剖視圖。圖8表示第1連通壁36及第2連通壁37之各者之一例。如圖8所示，複數個第1連通孔41或複數個連通孔42分別包含複數個第1傾斜孔41a、42a、及複數個第2傾斜孔41b、42b。第1傾斜孔41a、42a係第1延通路之一例。第2傾斜孔41b、42b係第2延通路之一例。
第1傾斜孔41a、42a係分別於相對於鉛垂方向傾斜-75°之方向延伸。第2傾斜孔41b、42b係分別於相對於鉛垂方向傾斜75°之方向延伸。換而言之，第2傾斜孔41b、42b於與第1傾斜孔41a、42a交叉之方向延伸。第1傾斜孔41a、42a之端部連接於第2傾斜孔41b、42b之端部。
圖8之變化例之第1傾斜孔41a、42a之端部連接於第2傾斜孔41b、42b之端部。因此，可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b擴展，從而可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b使非所期望之傾斜角度之粒子C通過。亦即，第1傾斜孔41a、42a可僅使以所期望之角度範圍(相對於鉛垂方向為-75°±α)傾斜之粒子C通過。進而，第2傾斜孔41b、42b可僅使以所期望之角度範圍(相對於鉛垂方向為75°±α)傾斜之粒子C通過。
圖9係概略性地表示第3實施形態之準直器14之第3變化例之一部分之剖視圖。圖9表示第1連通壁36及第2連通壁37之各者之一例。如圖9所示，複數個第1連通孔41或複數個第2連通孔42分別包含複數個第1傾斜孔41a、42a、及複數個第2傾斜孔41b、42b。
第1傾斜孔41a、42a與第2傾斜孔41b、42b交叉。於第1或第2連通壁36、37之一面，於第1傾斜孔41a、42a與第2傾斜孔41b、42b之間設置有第1或第2連通壁36、37之一部分。相同地，於第1或第2連通壁 36、37之另一面，於第1傾斜孔41a、42a與第2傾斜孔41b、42b之間設置有第1或第2連通壁36、37之一部分。
於圖9之變化例之第1或第2連通壁36、37之一面，於第1傾斜孔41a、42a與第2傾斜孔41b、42b之間設置有第1或第2連通壁36、37之一部分。因此，可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b擴展，從而可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b使非所期望之傾斜角度之粒子C通過。
圖10係概略性地表示第3實施形態之準直器14之第4變化例之一部分之剖視圖。圖10表示第1連通壁36及第2連通壁37之各者一例。如圖10所示，複數個第1連通孔41或複數個第2連通孔42分別包含複數個第1傾斜孔41a、42a與複數個第2傾斜孔41b、42b。
第1傾斜孔41a、42a係分別於相對於鉛垂方向傾斜大致-75°之方向延伸。第2傾斜孔41b、42b係分別於相對於鉛垂方向傾斜大致75°之方向延伸。換而言之，第2傾斜孔41b、42b於與第1傾斜孔41a、42a交叉之方向延伸。第1傾斜孔41a、42a之端部連接於第2傾斜孔41b、42b之端部。
形成有第1傾斜孔41a、42a與第2傾斜孔41b、42b之第1或第2連通壁36、37，分別具有複數個第1分隔壁65與複數個第2分隔壁66。
複數個第1分隔壁65形成第1或第2連通壁36、37之一面。複數個第1分隔壁65於鉛垂方向相互介隔間隔而排列。複數個第1分隔壁65之間之間隔形成第1傾斜孔41a、42a之端部或第2傾斜孔41b、42b之端部。
複數個第2分隔壁66形成第1或第2連通壁36、37之另一面。複數個第2分隔壁66於鉛垂方向相互介隔間隔而排列。複數個第2分隔壁66之間之間隔形成第1傾斜孔41a、42a之端部或第2傾斜孔41b、42b之端部。
複數個第1分隔壁65與複數個第2分隔壁66於水平方向介隔間隔而隔開。因此，於複數個第1分隔壁65與複數個第2分隔壁66之間形成有於鉛垂方向延伸之間隙67。
圖10之變化例之複數個第1分隔壁65於鉛垂方向相互介隔間隔而排列。複數個第2分隔壁66於鉛垂方向相互介隔間隔而排列。因此，可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b擴展，從而可抑制第1傾斜孔41a、42a及第2傾斜孔41b、42b使非所期望之傾斜角度之粒子C通過。
進而，於複數個第1分隔壁65與複數個第2分隔壁66之間形成有於鉛垂方向延伸之間隙67。藉此，於鉛垂方向飛行之粒子C可通過於複數個第1分隔壁65與複數個第2分隔壁66之間之間隙67。
於以下，參照圖11對第4實施形態進行說明。圖11係概略性地表示第4實施形態之準直器14之一部分之立體圖。圖11表示第1連通壁36及第2連通壁37之各者之一例。
如圖11所示，第1或第2連通孔41、42中之幾個延伸至第1或第2連通壁36、37之上端部36a、37a為止。進而，第1或第2連通孔41、42中之幾個延伸至第1或第2連通壁36、37之下端部36b、37b為止。亦即，第1或第2連通孔41、42不僅包含孔，亦包含於一方向(例如上方向或下方向)開放之缺口、及於複數個方向(例如上方向及下方向)開放之裂縫。
於第4實施形態之濺鍍裝置1中，第1或第2連通孔41、42中之幾個延伸至第1或第2連通壁36、37之上端部36a、37a或下端部36b、37b為止。藉此，於傾斜方向飛行之粒子C變得容易通過第1或第2連通孔41、42。
於以下，參照圖12對第5實施形態進行說明。圖12係表示第5實施形態之準直器14之俯視圖。如圖12所示般，第5實施形態之準直器 14具有複數個圓壁71與複數個連接壁72。
複數個圓壁71係配置成與框部31為同心圓狀之圓弧狀之部分。連接壁72係相對於框部31之中心呈放射狀延伸之直線狀之部分。連接壁72連接複數個圓壁71與框部31。
阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37形成複數個圓壁71與複數個連接壁72。亦即，各個圓壁71與連接壁72藉由阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之任一者而形成。換而言之，準直器14具有藉由阻斷壁35而形成之圓壁71及連接壁72，藉由第1連通壁36而形成之圓壁71及連接壁72，藉由第2連通壁37而形成之圓壁71及連接壁72。再者，圓壁71及連接壁72亦可僅藉由阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37之任一者或兩者而形成。
於第5實施形態之濺鍍裝置1中，阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37形成配置為同心圓狀之複數個圓壁71與連接複數個圓壁71之複數個連接壁72。藉此，通過準直器14之貫通孔39之粒子C以與圓形之半導體晶圓2之形狀對應之同心圓狀成膜。
於以下，參照圖13對第6實施形態進行說明。圖13係概略性地表示第6實施形態之濺鍍裝置1之剖視圖。如圖13所示，第6實施形態之濺鍍裝置1包含三3個載物台13與三個準直器14。
於以下之說明中，有將三個載物台13個別地稱作載物台13A、13B之情況。一個載物台13A係第1載物台之一例。兩個載物台13B係第2物體配置部之一例。
進而，於以下之說明中，有將三個準直器14個別地稱作準直器14A、14B之情況。一個準直器14A係第1準直器之一例。兩個準直器14B係第2準直器之一例。
載物台13A之形狀及配置與第1至第5實施形態之任一者之載物台13之形狀及配置相同。準直器14A之形狀及配置與第1至第5實施形態 之任一者之準直器14之形狀及配置相同。
處理室11還具有複數個傾斜壁81。傾斜壁81介置於底壁22與側壁23之間。傾斜壁81相對於底壁22朝斜向傾斜。於傾斜壁81安裝有載物台13B。
載物台13B係於相對於鉛垂方向傾斜之方向(以下，稱為傾斜基準方向)自靶12隔開而配置。傾斜基準方向係相對於第1方向傾斜之方向，及自產生源配置部朝向第2物體配置部之方向之一例。靶12與載物台13B之間之距離和靶12與載物台13A之間之距離大致相同。
載物台13B亦具有載置面13a。載物台13B之載置面13a支持半導體晶圓2。被支持於載物台13B之半導體晶圓2係第2物體之一例。
載物台13B之載置面13a係第2物體配置部之一例。載物台13B之載置面13a係朝向傾斜基準方向之大致平坦之面。載物台13B之載置面13a係自上壁21之內表面21a於傾斜基準方向隔開而配置。於此種載物台13B之載置面13a配置半導體晶圓2。
準直器14B係於傾斜基準方向上配置於靶12與載物台13B之間。準直器14B之形狀與準直器14A之形狀相同。亦即，準直器14B與準直器14A相同，具有框部31與整流部32。準直器14B之整流部32與準直器14A相同，具有複數個阻斷壁35、複數個第1連通壁36、及複數個第2連通壁37。
準直器14B之阻斷壁35係第3壁之一例。準直器14B之第1及第2連通壁36、37係第4壁之一例。準直器14B之第1及第2連通孔41、42係第2通路之一例。
準直器14B與準直器14A相同，藉由阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37而形成貫通孔39。準直器14B之貫通孔39係第2貫通孔之一例。準直器14B之貫通孔39於傾斜基準方向延伸。
粒子C自靶12之下表面12a飛出。於鉛垂方向飛行之粒子C與相對 於鉛垂方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C通過準直器14A之貫通孔39，並朝向被支持於載物台13A之半導體晶圓2飛行。藉此，粒子C於被支持於載物台13A之半導體晶圓2之表面成膜。
另一方面，於傾斜基準方向飛行之粒子C與於相對於傾斜基準方向在特定之範圍內傾斜之方向飛行之粒子C通過準直器14B之貫通孔39，並朝向被支持於載物台13B之半導體晶圓2飛行。藉此，粒子C亦於被支持於載物台13B之半導體晶圓2之表面成膜。換而言之，配置於載物台13B之載置面13a之半導體晶圓2接收靶12釋放之粒子。
第6實施形態之濺鍍裝置1包含自靶12於傾斜基準方向隔開之載物台13B，與形成有沿傾斜基準方向延伸之複數個貫通孔39之準直器14B。藉此，濺鍍裝置1可使用自靶12於傾斜基準方向飛出之粒子C而成膜，從而更提高濺鍍之效率。換而言之，濺鍍裝置1可使用朝處理室11之側壁23飛行之粒子C而成膜，從而提高產量。
於以下，參照圖14對第7實施形態進行說明。圖14係概略性地表示第7實施形態之靶12及準直器14之剖視圖。如圖14所示，於準直器14之框部31設置有複數個第3連通孔91。
第3連通孔91係例如平行四邊形狀之孔，排列於鉛垂方向及水平方向。再者，第3連通孔91之形狀及配置並非限定於此。第3連通孔91之鉛垂方向之長度長於第3連通孔91之水平方向之長度。亦即，第3連通孔91係於鉛垂方向延伸之縱孔。
第3連通孔91連接與框部31鄰接之貫通孔39、及準直器14之直徑方向上之框部31之外部。換而言之，第3連通孔91貫通框部31。
粒子C自靶12之下表面12a飛出。傾斜方向與鉛垂方向之間之角度大於特定範圍之粒子C有通過第3連通孔91之情況。例如，於在濺鍍裝置1配置複數個半導體晶圓2之情形時，有通過第3連通孔91之粒子C附著於與位於準直器14之下方之半導體晶圓2不同之其他半導體 晶圓2之情況。
於第7實施形態之濺鍍裝置1中，於框部31設置有第3連通孔91。例如，有即便於半導體晶圓2附著有少量之傾斜方向與鉛垂方向之間之角度大於特定範圍之粒子C，亦可獲得具有所期望之性能之半導體晶圓2之情況。於該情形時，可使用通過第3連通孔91之粒子C而成膜，從而提高濺鍍之效率。再者，亦可於配置一個半導體晶圓2之濺鍍裝置1，於框部31設置有第3連通孔91。
於以下，參照圖15對第8實施形態進行說明。圖15係概略性地表示第8實施形態之靶12及準直器14之剖視圖。如圖15所示，於第8實施形態之阻斷壁35設置有第4連通孔95。
第4連通孔95係例如平行四邊形狀之孔，排列於水平方向。再者，第4連通孔95之形狀及配置並非限定於此。第4連通孔95之鉛垂方向之長度長於第4連通孔95之水平方向之長度。亦即，第4連通孔95係於鉛垂方向延伸之縱孔。
第4連通孔95係連接兩個貫通孔39，該等貫通孔39係藉由設置有該第4連通孔95之阻斷壁35而分隔。換而言之，第4連通孔95於一個貫通孔39與鄰接之另一貫通孔39開口。
第4連通孔95小於第1連通孔41。阻斷壁35之複數個第4連通孔95之密度小於第1連通壁36之複數個第1連通孔41之密度。進而，阻斷壁35之複數個第4連通孔95之密度亦小於第2連通壁37之複數個第2連通孔42之密度。
如以上之第8實施形態所示般，亦可於第1壁之一例即阻斷壁35設置有如第4連通孔95般之通路。亦即，亦可於形成貫通孔39之所有壁(阻斷壁35、第1連通壁36、及第2連通壁37)，設置有如第1、第2、及第4連通孔41、42、95般之通路。再者，亦可於第3壁之一例即第6實施形態之準直器14B之阻斷壁35設置有如第4連通孔95般之通路。
於以上所說明之至少一個實施形態中，濺鍍裝置1為處理裝置之一例。然而，處理裝置亦可為如蒸鍍裝置或X射線CT(computed tomography，計算機斷層攝影)裝置般之其他裝置。
於處理裝置為蒸鍍裝置之情形時，例如，被蒸發之材料為粒子產生源之一例，自該材料產生之蒸氣為粒子之一例，蒸鍍之加工對象為第1物體之一例。氣化之物質即蒸氣包含一種或複數種分子。該分子為粒子。於蒸鍍裝置中，準直器14配置於例如配置被蒸發之材料之位置與配置加工對象之位置之間。
於處理裝置為X射線CT裝置之情形時，例如，釋放X射線之X射線管為粒子產生源之一例，X射線為粒子之一例，被照射X射線之被檢測物體為第1物體之一例。X射線係電磁波之一例，電磁波於微觀上係作為基本粒子之一種之光子。基本粒子係粒子。於X射線CT裝置中，準直器14配置於例如配置X射線管之位置與配置被檢測物體之位置之間。
於X射線CT裝置中，自X射線管照射之X射線量於照射範圍不均勻。藉由於此種X射線CT裝置設置準直器14，而可使照射範圍之X射線量均勻，進而，可調整照射範圍。此外，可避免不必要之曝光。
根據以上所說明之至少一個實施形態，第1準直器係藉由第1壁與設置有第1通路之第2壁而形成於第1方向延伸之第1貫通孔。藉此，可於相對於第1方向在特定角度之範圍內傾斜之方向使自粒子產生源釋放之粒子通過，且可阻斷於相對於第1方向較特定角度之範圍大地傾斜之方向自粒子產生源釋放之粒子。
雖已對本發明之幾個實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為例而提出者，並非意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態而實施，且可於不脫離發明之要旨之範圍進行各種省略、替換、及變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主 旨，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及與其相等之範圍。
1‧‧‧濺鍍裝置
2‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧處理室
12‧‧‧靶
12a‧‧‧下表面
13‧‧‧載物台
13a‧‧‧載置面
14‧‧‧準直器
21‧‧‧上壁
21a‧‧‧內表面
22‧‧‧底壁
23‧‧‧側壁
24‧‧‧排出口
25‧‧‧導入口
31‧‧‧框部
32‧‧‧整流部
32a‧‧‧上端部
32b‧‧‧下端部
35‧‧‧阻斷壁
36‧‧‧第1連通壁
37‧‧‧第2連通壁
39‧‧‧貫通孔

Claims (22)

  1. 一種處理裝置，其包含：產生源配置部，其係以配置可釋放粒子之粒子產生源之方式而構成；第1物體配置部，其係以自上述產生源配置部隔開而配置，且配置接收上述粒子之第1物體之方式而構成；及第1準直器，其配置於上述產生源配置部與上述第1物體配置部之間，具有複數個第1壁與複數個第2壁，且藉由上述複數個第1壁及上述複數個第2壁，形成沿自上述產生源配置部朝向上述第1物體配置部之第1方向延伸之複數個第1貫通孔，且於上述複數個第2壁各自設置有貫通該第2壁且可供上述粒子通過之至少一個第1通路。
  2. 如請求項1之處理裝置，其中於上述準直器之以與上述粒子產生源對向之方式而構成之區域，上述第2壁配置為多於上述第1壁，於上述準直器之以自上述粒子產生源偏離之方式而構成之區域，上述第1壁配置為多於上述第2壁。
  3. 如請求項1之處理裝置，其中上述第1準直器具有第1部分與第2部分，自上述粒子產生源向相對於上述第1方向傾斜之方向釋放之上述粒子朝向上述第1部分的數量相對於自上述粒子產生源向上述第1方向釋放之上述粒子朝向上述第1部分的數量之比例，大於自上述粒子產生源向相對於上述第1方向傾斜之方向釋放之上述粒子朝向上述第2部分的數量相對於自上述粒子產生源向上述第1方向釋放之上述粒子朝向上述第2部分的數量之比例，於上述第1部分，上述第1壁配置為多於上述第2壁， 於上述第2部分，上述第2壁配置為多於上述第1壁。
  4. 如請求項1之處理裝置，其中上述複數個第1壁與上述複數個第2壁係相對於以配置於上述產生源配置部之方式構成之上述粒子產生源之形狀而以特定的分佈配置。
  5. 如請求項1之處理裝置，其中上述複數個第2壁具有第1連通壁，及上述第1通路之密度大於上述第1連通壁之第2連通壁。
  6. 如請求項1之處理裝置，其中上述第1壁及上述第2壁係隨著自朝上述產生源配置部之一端部向朝上述第1物體配置部之另一端部而變厚。
  7. 如請求項1之處理裝置，其中上述第1通路係於相對於上述第1方向傾斜之方向延伸。
  8. 如請求項7之處理裝置，其中上述第1通路包含：第1延通路，其於相對於上述第1方向傾斜之方向延伸；及第2延通路，其於與上述第1延通路交叉之方向延伸。
  9. 如請求項1之處理裝置，其中上述複數個第1壁及上述複數個第2壁之朝向上述產生源配置部之一端部係形成相對於上述產生源配置部而凹陷之上述第1準直器之一端部。
  10. 如請求項1之處理裝置，其中上述第1通路之上述第1方向上之長度，長於上述第1通路之與上述第1方向正交之第2方向上之長度。
  11. 如請求項1之處理裝置，其中上述複數個第1壁與上述複數個第2壁係形成配置成同心圓狀之複數個圓壁、及連接上述複數個圓壁之複數個連接壁。
  12. 如請求項1之處理裝置，其進而具備：第2物體配置部，其以於相對於上述第1方向傾斜之方向自上述產生源配置部隔開而配置，且配置接收上述粒子之第2物體之 方式而構成；及第2準直器，其配置於上述產生源配置部與上述第2物體配置部之間，且具有複數個第3壁與複數個第4壁，藉由上述複數個第3壁與複數個第4壁而形成沿自上述產生源配置部朝向上述第2物體配置部之第3方向延伸之複數個第2貫通孔，且於上述複數個第4壁各自設置有貫通該第4壁並且可供上述粒子通過之至少一個第2通路。
  13. 一種準直器，其具有複數個第1壁及複數個第2壁，藉由上述複數個第1壁及上述複數個第2壁而形成沿一方向延伸之複數個貫通孔，且於上述複數個第2壁各自設置有貫通該第2壁之至少一個通路。
  14. 如請求項13之準直器，其中上述複數個第2壁具有第1連通壁、及上述通路之密度大於上述第1連通壁之第2連通壁。
  15. 如請求項13之準直器，其中上述第1壁及上述第2壁係隨著自上述貫通孔延伸之方向之一端部朝另一端部而變厚。
  16. 如請求項13之準直器，其中上述通路係於相對於上述貫通孔延伸之方向傾斜之方向延伸。
  17. 如請求項16之準直器，其中上述通路包含：第1延通路，其於相對於上述貫通孔延伸之方向傾斜之方向延伸；及第2延通路，其於與上述第1延通路交叉之方向延伸。
  18. 如請求項13之準直器，其中上述複數個第1壁及上述複數個第2壁之上述貫通孔延伸之方向上的一端部係形成凹陷之上述第1準直器之一端部。
  19. 如請求項13之準直器，其中上述通路之上述貫通孔延伸之方向上之長度，長於上述通路之與上述貫通孔延伸之方向正交之方向上之長度。
  20. 如請求項13之準直器，其中上述複數個第1壁與上述複數個第2壁係形成配置成同心圓狀之複數個圓壁、及連接上述複數個圓壁之複數個連接壁。
  21. 一種處理裝置，其包含：產生源配置部，其係以供配置可釋放粒子之粒子產生源之方式而構成；釋放目標部，其係於配置於上述產生源配置部之上述粒子產生源釋放至少一個粒子之方向，自上述產生源配置部隔開；及準直器，其具有形成沿自上述產生源配置部朝向上述釋放目標部之方向延伸之複數個貫通孔之複數個壁，且於至少一個上述壁設置有貫通該壁之至少一個通路。
  22. 一種處理裝置，其包含：產生源配置部，其係以供配置可釋放粒子之粒子產生源之方式而構成；物體配置部，其係以自上述產生源配置部隔開而配置，且供配置接收上述粒子之物體之方式而構成；及準直器，其配置於上述產生源配置部與上述物體配置部之間，具有複數個第1連通壁與複數個第2連通壁，藉由上述複數個第1連通壁及上述複數個第2連通壁而形成沿自上述產生源配置部朝向上述物體配置部之方向延伸之複數個貫通孔，且於上述複數個第1連通壁各自設置有貫通該第1連通壁並且可供上述粒子通過之至少一個通路，於上述複數個第2連通壁各自設置有貫通該第2連通壁且可供上述粒子通過之至少一個上述通路，設置於上述第2連通壁之上述通路之密度大於設置於上述第1連通壁之上述通路之密度。
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