JPH08260139A - 成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法 - Google Patents
成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法Info
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- JPH08260139A JPH08260139A JP9180695A JP9180695A JPH08260139A JP H08260139 A JPH08260139 A JP H08260139A JP 9180695 A JP9180695 A JP 9180695A JP 9180695 A JP9180695 A JP 9180695A JP H08260139 A JPH08260139 A JP H08260139A
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- film forming
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コリメータ孔の目詰まりによる成膜速度の低
減を少なくし、成膜用コリメータの交換頻度を低くし、
ステップカバレッジの良い成膜を生産性良く為し得るよ
うにする。 【構成】 成膜用コリメータ１１の、厚さ方向に貫通し
成膜用粒子４を通す複数のコリメータ孔１２がそれぞれ
内周面に複数のリング状溝１３、１３、１３（あるいは
螺旋状溝１５）を有する。
減を少なくし、成膜用コリメータの交換頻度を低くし、
ステップカバレッジの良い成膜を生産性良く為し得るよ
うにする。 【構成】 成膜用コリメータ１１の、厚さ方向に貫通し
成膜用粒子４を通す複数のコリメータ孔１２がそれぞれ
内周面に複数のリング状溝１３、１３、１３（あるいは
螺旋状溝１５）を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜用コリメータと、
該成膜用コリメータを用いた成膜装置と、該成膜装置を
用いて成膜する電子装置の製造方法に関する。
該成膜用コリメータを用いた成膜装置と、該成膜装置を
用いて成膜する電子装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に不可欠な微細ホール
への金属配線材料（例えばアルミニウム）の埋め込みを
する技術は、一般に、スパッタリングが用いられる。図
５はそのスパッタリングを行うスパッタリング装置の一
つの従来例を示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はそ
れに用いられる成膜用コリメータを示す斜視図である。
図面において、１はターゲット、２はウエハ（例えば半
導体装置製造用シリコンウエハあるいは液晶装置製造用
ガラス基板等）、３はウエハ２を支持する支持台、４は
ターゲット１から叩き出されるスパッタ粒子、５は内部
が略真空にされるチャンバで、該チャンバ５内に上記ウ
エハ２を支持する支持台３、ターゲット１が位置されて
いる。６はアルゴンＡｒガスを導入するガス導入口、７
は排気をする排気口である。
への金属配線材料（例えばアルミニウム）の埋め込みを
する技術は、一般に、スパッタリングが用いられる。図
５はそのスパッタリングを行うスパッタリング装置の一
つの従来例を示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はそ
れに用いられる成膜用コリメータを示す斜視図である。
図面において、１はターゲット、２はウエハ（例えば半
導体装置製造用シリコンウエハあるいは液晶装置製造用
ガラス基板等）、３はウエハ２を支持する支持台、４は
ターゲット１から叩き出されるスパッタ粒子、５は内部
が略真空にされるチャンバで、該チャンバ５内に上記ウ
エハ２を支持する支持台３、ターゲット１が位置されて
いる。６はアルゴンＡｒガスを導入するガス導入口、７
は排気をする排気口である。
【０００３】８は上記支持台３とターゲット１との間に
配置された平板状の成膜用コリメータで、それを厚さ方
向に貫通する多数のコリメータ孔９、９、・・・を有し
ている。該コリメータ孔９は上端から下端まで均一な径
を有していた。このような、成膜用コリメータ８は上記
ウエハ２に対して可能な限り垂直な向きのスパッタ粒子
のみが入射するようにするためのものである。そして、
ウエハ２に対して垂直な向きのスパッタ粒子のみが照射
されるようにしようとするのは、アスペクト比の大きい
ホール（スルーホールあるいはコンタクトホール等）に
対して完全に配線材料を埋め込むためである。
配置された平板状の成膜用コリメータで、それを厚さ方
向に貫通する多数のコリメータ孔９、９、・・・を有し
ている。該コリメータ孔９は上端から下端まで均一な径
を有していた。このような、成膜用コリメータ８は上記
ウエハ２に対して可能な限り垂直な向きのスパッタ粒子
のみが入射するようにするためのものである。そして、
ウエハ２に対して垂直な向きのスパッタ粒子のみが照射
されるようにしようとするのは、アスペクト比の大きい
ホール（スルーホールあるいはコンタクトホール等）に
対して完全に配線材料を埋め込むためである。
【０００４】即ち、配線膜などの形成（成膜）において
重要なことの一つがホールに対するステップカバレッジ
であるが、例えばスパッタリングはステップカバレッジ
があまり良くなかった。それはホールの深さ方向の向
き、つまりほとんどの場合ウエハ２に対して垂直な向き
と異なる向きに入射するスパッタ粒子が多く、そのた
め、ホールの内側面あるいは底面に蓄積スパッタ粒子に
よる影（シャドウ）が生じ易くその部分にはスパッタ粒
子が厚く付着しないという現象、つまりシャドウイング
が生じるからである。そこで、コリメータ孔９を多数配
設した成膜用コリメータ８をターゲット１と、ウエハ２
との間に介在させてそれのコリメータ孔９、９、・・・
を通過することのできたウエハ２に対して垂直な向きの
スパッタ粒子４、４、・・・のみがウエハ２に入射する
ようにしようとしたのである。
重要なことの一つがホールに対するステップカバレッジ
であるが、例えばスパッタリングはステップカバレッジ
があまり良くなかった。それはホールの深さ方向の向
き、つまりほとんどの場合ウエハ２に対して垂直な向き
と異なる向きに入射するスパッタ粒子が多く、そのた
め、ホールの内側面あるいは底面に蓄積スパッタ粒子に
よる影（シャドウ）が生じ易くその部分にはスパッタ粒
子が厚く付着しないという現象、つまりシャドウイング
が生じるからである。そこで、コリメータ孔９を多数配
設した成膜用コリメータ８をターゲット１と、ウエハ２
との間に介在させてそれのコリメータ孔９、９、・・・
を通過することのできたウエハ２に対して垂直な向きの
スパッタ粒子４、４、・・・のみがウエハ２に入射する
ようにしようとしたのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の成膜
用コリメータ８によれば、コリメータ孔９、９、・・・
に目詰まりが生じやすく、そのため、成膜速度の経時変
化、具体的には成膜速度の低下が著しいという問題があ
った。即ち、成膜用コリメータ８を使用すると、必然的
に成膜用コリメータ８にスパッタ粒子４、４、・・・が
付着する。勿論、コリメータ孔９、９、・・・の内周面
にも付着する。そして、コリメータ孔９、９、・・・の
内周面に付着するスパッタ粒子４、４、・・はその内径
を小さくする。これは必然的に、成膜速度の低下を招
く。
用コリメータ８によれば、コリメータ孔９、９、・・・
に目詰まりが生じやすく、そのため、成膜速度の経時変
化、具体的には成膜速度の低下が著しいという問題があ
った。即ち、成膜用コリメータ８を使用すると、必然的
に成膜用コリメータ８にスパッタ粒子４、４、・・・が
付着する。勿論、コリメータ孔９、９、・・・の内周面
にも付着する。そして、コリメータ孔９、９、・・・の
内周面に付着するスパッタ粒子４、４、・・はその内径
を小さくする。これは必然的に、成膜速度の低下を招
く。
【０００６】具体的にコリメータ孔９、９、・・・のア
スペクト比が１の成膜用コリメータ８を厚さ１００ｎｍ
のチタンＴｉ膜のスパッタリングを行うのに用いた場合
を例に採ると、２０００枚のウエハ２に対するスパッタ
リングを行った段階で成膜速度が２０％低下する。この
ように成膜速度が低下した成膜用コリメータ８を使い続
けると生産性が著しく低下するので、成膜用コリメータ
８を交換する必要があり、成膜速度の低下が著しいほど
成膜用コリメータ８の交換頻度を高くする必要が生じ
る。交換頻度が高いことはコスト増の原因になるので好
ましくないことはいうまでもない。
スペクト比が１の成膜用コリメータ８を厚さ１００ｎｍ
のチタンＴｉ膜のスパッタリングを行うのに用いた場合
を例に採ると、２０００枚のウエハ２に対するスパッタ
リングを行った段階で成膜速度が２０％低下する。この
ように成膜速度が低下した成膜用コリメータ８を使い続
けると生産性が著しく低下するので、成膜用コリメータ
８を交換する必要があり、成膜速度の低下が著しいほど
成膜用コリメータ８の交換頻度を高くする必要が生じ
る。交換頻度が高いことはコスト増の原因になるので好
ましくないことはいうまでもない。
【０００７】このような目詰まりの問題は、ホールの微
細化、高アスペクト比化に伴ってより深刻になる。そこ
で、各コリメータ孔９、９、・・・の径を稍大きくする
ことが考えられたが、このようにするとウエハ２に対し
て垂直から少し傾いた斜めな方向のスパッタ粒子４、
４、・・・の通過を許容することになり、成膜用コリメ
ータ８によるシャドウイング防止効果が低下して好まし
くない。また、各コリメータ孔９、９、・・・の径を例
えば下から上に行くほど徐々に大きくして（つまりテー
パーをつけて）上部における目詰まりを生じにくくする
ことも試みられたが、そのようにした場合にも、コリメ
ータ孔９のアスペクト比を大きくするほど斜めの方向の
スパッタ粒子４、４、・・・の通過を許容することにな
るので好ましくない。
細化、高アスペクト比化に伴ってより深刻になる。そこ
で、各コリメータ孔９、９、・・・の径を稍大きくする
ことが考えられたが、このようにするとウエハ２に対し
て垂直から少し傾いた斜めな方向のスパッタ粒子４、
４、・・・の通過を許容することになり、成膜用コリメ
ータ８によるシャドウイング防止効果が低下して好まし
くない。また、各コリメータ孔９、９、・・・の径を例
えば下から上に行くほど徐々に大きくして（つまりテー
パーをつけて）上部における目詰まりを生じにくくする
ことも試みられたが、そのようにした場合にも、コリメ
ータ孔９のアスペクト比を大きくするほど斜めの方向の
スパッタ粒子４、４、・・・の通過を許容することにな
るので好ましくない。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、コリメータ孔の目詰まりによる成膜
速度の低減を少なくし、成膜用コリメータの交換頻度を
低くし、ステップカバレッジの良い成膜を生産性良く為
し得るようにすることを目的とする。
されたものであり、コリメータ孔の目詰まりによる成膜
速度の低減を少なくし、成膜用コリメータの交換頻度を
低くし、ステップカバレッジの良い成膜を生産性良く為
し得るようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の成膜用コリメ
ータは、厚さ方向に貫通し成膜用粒子を通す複数のコリ
メータ孔がそれぞれ内周面に螺旋状のねじ溝又は複数の
リング状溝を有することを特徴とする。請求項２の成膜
装置は、請求項１記載の成膜用コリメータを有すること
を特徴とする。請求項３の電子装置の製造法は、請求項
２の成膜装置を用いて成膜する工程を有することを特徴
とする。
ータは、厚さ方向に貫通し成膜用粒子を通す複数のコリ
メータ孔がそれぞれ内周面に螺旋状のねじ溝又は複数の
リング状溝を有することを特徴とする。請求項２の成膜
装置は、請求項１記載の成膜用コリメータを有すること
を特徴とする。請求項３の電子装置の製造法は、請求項
２の成膜装置を用いて成膜する工程を有することを特徴
とする。
【００１０】
【作用】請求項１の成膜用コリメータによれば、各コリ
メータ孔の内周面が螺旋状の溝又は複数のリング状溝を
有するので、その溝により断面で視て階段状にテーパー
が複数形成された形状になり、延いては各テーパー部分
にてオーバーハンギングを抑止することができる。従っ
て、成膜用粒子による目詰まりが生じにくくなり、成膜
速度の低下が少なくなり、延いては、交換頻度を低くす
ることができる。そして、階段状にテーパー部分を設け
たので、テーパーを比較的大きくつけてもコリメータ孔
は全体的には上端と下端との間に径に大きな差異が生ぜ
ず、シャドウイング防止効果がほとんど低下しない。し
かして、シャドウイング効果の低減をほとんど伴うこと
なく成膜速度の低減等の効果を享受することができる。
メータ孔の内周面が螺旋状の溝又は複数のリング状溝を
有するので、その溝により断面で視て階段状にテーパー
が複数形成された形状になり、延いては各テーパー部分
にてオーバーハンギングを抑止することができる。従っ
て、成膜用粒子による目詰まりが生じにくくなり、成膜
速度の低下が少なくなり、延いては、交換頻度を低くす
ることができる。そして、階段状にテーパー部分を設け
たので、テーパーを比較的大きくつけてもコリメータ孔
は全体的には上端と下端との間に径に大きな差異が生ぜ
ず、シャドウイング防止効果がほとんど低下しない。し
かして、シャドウイング効果の低減をほとんど伴うこと
なく成膜速度の低減等の効果を享受することができる。
【００１１】請求項２の成膜装置によれば、請求項１の
成膜用コリメータを用いるので、成膜用コリメータの交
換頻度を低くでき、成膜装置の稼働率をより高めること
ができる。請求項３の電子装置の製造方法によれば、請
求項２の成膜装置を用いて成膜するので、成膜に関する
生産性をシャドウイングを防止しつつ高めることができ
る。従って、高品質、高集積の電子装置を生産性良くつ
くることができる。
成膜用コリメータを用いるので、成膜用コリメータの交
換頻度を低くでき、成膜装置の稼働率をより高めること
ができる。請求項３の電子装置の製造方法によれば、請
求項２の成膜装置を用いて成膜するので、成膜に関する
生産性をシャドウイングを防止しつつ高めることができ
る。従って、高品質、高集積の電子装置を生産性良くつ
くることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一つの実施例示
すもので、（Ａ）は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用
コリメータの断面図である。図面において、１はターゲ
ット、２はウエハ（例えば半導体装置製造用シリコンウ
エハあるいは液晶装置製造用ガラス基板等）、３はウエ
ハ２を支持する支持台、４はターゲット１から叩き出さ
れるスパッタ粒子、５は内部が略真空にされるチャンバ
で、該チャンバ５内に上記ウエハ２を支持する支持台
３、ターゲット１が位置されている。６はアルゴンＡｒ
ガスを導入するガス導入口、７は排気をする排気口であ
る。
明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一つの実施例示
すもので、（Ａ）は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用
コリメータの断面図である。図面において、１はターゲ
ット、２はウエハ（例えば半導体装置製造用シリコンウ
エハあるいは液晶装置製造用ガラス基板等）、３はウエ
ハ２を支持する支持台、４はターゲット１から叩き出さ
れるスパッタ粒子、５は内部が略真空にされるチャンバ
で、該チャンバ５内に上記ウエハ２を支持する支持台
３、ターゲット１が位置されている。６はアルゴンＡｒ
ガスを導入するガス導入口、７は排気をする排気口であ
る。
【００１３】１１は円形平板状の成膜用コリメータ（例
えば厚さ１１ｍｍ、直径３００ｍｍ）で、多数のコリメ
ータ孔１２、１２、・・・を有している。該コリメータ
孔１２、１２、・・・はそれぞれ上に行くほど拡径する
テーパー部分１３を複数１３、１３、１３階段状に重ね
た形状を有する。換言すれば、鋸歯状のリング状溝１３
を複数１３、１３、１３階段状に重ねた形状を有してい
る。各溝１３の深さは例えば成膜用コリメータ１１の厚
さｄの１／３程度である。θはそのテーパーの角度であ
り、例えば８７度である。
えば厚さ１１ｍｍ、直径３００ｍｍ）で、多数のコリメ
ータ孔１２、１２、・・・を有している。該コリメータ
孔１２、１２、・・・はそれぞれ上に行くほど拡径する
テーパー部分１３を複数１３、１３、１３階段状に重ね
た形状を有する。換言すれば、鋸歯状のリング状溝１３
を複数１３、１３、１３階段状に重ねた形状を有してい
る。各溝１３の深さは例えば成膜用コリメータ１１の厚
さｄの１／３程度である。θはそのテーパーの角度であ
り、例えば８７度である。
【００１４】このような成膜用コリメータ１１を用いた
成膜装置によれば、成膜用コリメータ１１の各コリメー
タ孔１２がテーパー部分１３、１３、・・・を有してい
るので、スパッタ粒子４は、成膜装置におけるスパッタ
リングの繰り返しにより、成膜用コリメータ１１に図１
（Ｂ）において破線に示すように蓄積する。従って、そ
の蓄積厚さが相当に厚くなってもテーパー部分１３、１
３、１３を略埋めるに止まり、各コリメータ孔１２に目
詰まりが生じて成膜速度の低下が生じるのは、図１
（Ｂ）の破線に示す状態から更にスパッタ粒子４が相当
に蓄積した状態になってからである。つまり、オーバー
ハング状態になりにくくなる。従って、図５に示すよう
な従来のものよりも、成膜速度の低下を伴うような無視
できない目詰まりを起こす状態になるまでのスパッタリ
ング量が非常に多くなり、延いては、成膜用コリメータ
１１の交換頻度を低くすることができる。
成膜装置によれば、成膜用コリメータ１１の各コリメー
タ孔１２がテーパー部分１３、１３、・・・を有してい
るので、スパッタ粒子４は、成膜装置におけるスパッタ
リングの繰り返しにより、成膜用コリメータ１１に図１
（Ｂ）において破線に示すように蓄積する。従って、そ
の蓄積厚さが相当に厚くなってもテーパー部分１３、１
３、１３を略埋めるに止まり、各コリメータ孔１２に目
詰まりが生じて成膜速度の低下が生じるのは、図１
（Ｂ）の破線に示す状態から更にスパッタ粒子４が相当
に蓄積した状態になってからである。つまり、オーバー
ハング状態になりにくくなる。従って、図５に示すよう
な従来のものよりも、成膜速度の低下を伴うような無視
できない目詰まりを起こす状態になるまでのスパッタリ
ング量が非常に多くなり、延いては、成膜用コリメータ
１１の交換頻度を低くすることができる。
【００１５】そして、各コリメータ孔１２に階段状に複
数のテーパー部分１３、１３、１３を設けたので、テー
パーを比較的大きく（本明細書において上記テーパー角
度θが小さいほどテーパーが大きいということとす
る。）つけてもコリメータ孔１２は全体的には上端と下
端との間に径に大きな差異が生じないので、シャドウイ
ング防止効果がほとんど低下しない。つまり、もし一つ
のコリメータ孔１２のテーパー部分１３が一つだとテー
パーが大きい場合、必然的に相当に斜めの向きのスパッ
タ粒子４までも通過を許容してしまうが、本実施例のよ
うに、複数のテーパー部分１３、１３、１３を重ねた形
状にするとコリメータ孔１２全体的にはテーパーがほと
んどないのと等価であり、ウエハ２に斜めの向きのスパ
ッタ粒子が入射しないようにする効果にはほとんど影響
がないのである。しかして、シャドウイング効果の低減
をほとんど伴うことなく成膜速度の低減等の効果を享受
することができる。
数のテーパー部分１３、１３、１３を設けたので、テー
パーを比較的大きく（本明細書において上記テーパー角
度θが小さいほどテーパーが大きいということとす
る。）つけてもコリメータ孔１２は全体的には上端と下
端との間に径に大きな差異が生じないので、シャドウイ
ング防止効果がほとんど低下しない。つまり、もし一つ
のコリメータ孔１２のテーパー部分１３が一つだとテー
パーが大きい場合、必然的に相当に斜めの向きのスパッ
タ粒子４までも通過を許容してしまうが、本実施例のよ
うに、複数のテーパー部分１３、１３、１３を重ねた形
状にするとコリメータ孔１２全体的にはテーパーがほと
んどないのと等価であり、ウエハ２に斜めの向きのスパ
ッタ粒子が入射しないようにする効果にはほとんど影響
がないのである。しかして、シャドウイング効果の低減
をほとんど伴うことなく成膜速度の低減等の効果を享受
することができる。
【００１６】尚、このような成膜用コリメータ１１は、
皿孔１３を有する薄い板１１ａ、１１ｂ、１１ｃを積ね
ることによって簡単につくることができる。
皿孔１３を有する薄い板１１ａ、１１ｂ、１１ｃを積ね
ることによって簡単につくることができる。
【００１７】図２は本発明の第２の実施例の成膜用コリ
メータ１１ａを示す断面図である。本成膜用コリメータ
１１ａは、図１に示した成膜用コリメータ１１とは、各
コリメータ孔１２の階段状のテーパー部分１３、１３、
１３が下へゆくほど拡径するようにされている点でのみ
相違するが、それ以外では全く同じである。
メータ１１ａを示す断面図である。本成膜用コリメータ
１１ａは、図１に示した成膜用コリメータ１１とは、各
コリメータ孔１２の階段状のテーパー部分１３、１３、
１３が下へゆくほど拡径するようにされている点でのみ
相違するが、それ以外では全く同じである。
【００１８】本成膜用コリメータを用いた場合にも、ス
パッタ粒子４は、成膜装置におけるスパッタリングの繰
り返しにより、成膜用コリメータ１１に図２において破
線に示すように蓄積する。従って、その蓄積厚さが相当
に厚くなってもテーパー部分１３、１３、１３を略埋め
るに止まり、各コリメータ孔１２に目詰まりが生じて成
膜速度の低下が生じるのは、図２の破線に示す状態から
更にスパッタ粒子４が蓄積した状態になってからであ
る。つまり、オーバーハング状態になりにくくなる。従
って、図５に示すような従来のものよりも、成膜速度の
低下を伴うような無視できない目詰まりを起こす状態に
なるまでのスパッタリング量が非常に多くなり、延いて
は、成膜用コリメータ１１の交換頻度を低くすることが
できる。
パッタ粒子４は、成膜装置におけるスパッタリングの繰
り返しにより、成膜用コリメータ１１に図２において破
線に示すように蓄積する。従って、その蓄積厚さが相当
に厚くなってもテーパー部分１３、１３、１３を略埋め
るに止まり、各コリメータ孔１２に目詰まりが生じて成
膜速度の低下が生じるのは、図２の破線に示す状態から
更にスパッタ粒子４が蓄積した状態になってからであ
る。つまり、オーバーハング状態になりにくくなる。従
って、図５に示すような従来のものよりも、成膜速度の
低下を伴うような無視できない目詰まりを起こす状態に
なるまでのスパッタリング量が非常に多くなり、延いて
は、成膜用コリメータ１１の交換頻度を低くすることが
できる。
【００１９】そして、各コリメータ孔１２に階段状に複
数のテーパー部分１３、１３、１３を設けたので、テー
パーを比較的大きくつけてもコリメータ孔１２は全体的
には上端と下端との間に径に大きな差異が生じないの
で、シャドウイング防止効果がほとんど低下しない。従
って、シャドウイング効果の低下をほとんど伴うことな
く成膜速度の低減等の効果を享受することができる。
数のテーパー部分１３、１３、１３を設けたので、テー
パーを比較的大きくつけてもコリメータ孔１２は全体的
には上端と下端との間に径に大きな差異が生じないの
で、シャドウイング防止効果がほとんど低下しない。従
って、シャドウイング効果の低下をほとんど伴うことな
く成膜速度の低減等の効果を享受することができる。
【００２０】これ等の点では、図１の実施例の場合と略
同様の効果を得ることができるといえるが、本実施例に
よれば、各コリメータ孔１２の各テーパー部分１３・１
３間に水平な上向きの面１３ａが生じ、そこにスパッタ
粒子４が安定に溜まり得る。従って、蓄積したスパッタ
粒子４の崩落が生じウエハ２上に落下してパーティクル
となって汚染するというおそれがなく、汚染が少ないと
いう効果も得ることができる。尚、本成膜用コリメータ
１１も皿孔１３を有する複数枚の薄い板１１ａ、１１
ｂ、１１ｃを積ねることによって簡単につくることがで
きる。
同様の効果を得ることができるといえるが、本実施例に
よれば、各コリメータ孔１２の各テーパー部分１３・１
３間に水平な上向きの面１３ａが生じ、そこにスパッタ
粒子４が安定に溜まり得る。従って、蓄積したスパッタ
粒子４の崩落が生じウエハ２上に落下してパーティクル
となって汚染するというおそれがなく、汚染が少ないと
いう効果も得ることができる。尚、本成膜用コリメータ
１１も皿孔１３を有する複数枚の薄い板１１ａ、１１
ｂ、１１ｃを積ねることによって簡単につくることがで
きる。
【００２１】図３は本発明の第３の実施例の成膜用コリ
メータ１４を示す断面図である。本成膜用コリメータ１
４は各コリメータ孔１２、１２、・・・に一つのねじ溝
１５を形成したものであり、下孔をあけ、それにタップ
をたてることにより形成することができる。この場合は
成膜用コリメータ１４は一枚板のものを用いることがで
きる。この成膜用コリメータ１４は、図１、図２の成膜
用コリメータとは、溝が螺旋状か、複数のリング状かの
違いがあるに過ぎず、断面で視るとテーパー部分が多数
重なった形状になっており、奏する効果にはほとんど違
いはない。
メータ１４を示す断面図である。本成膜用コリメータ１
４は各コリメータ孔１２、１２、・・・に一つのねじ溝
１５を形成したものであり、下孔をあけ、それにタップ
をたてることにより形成することができる。この場合は
成膜用コリメータ１４は一枚板のものを用いることがで
きる。この成膜用コリメータ１４は、図１、図２の成膜
用コリメータとは、溝が螺旋状か、複数のリング状かの
違いがあるに過ぎず、断面で視るとテーパー部分が多数
重なった形状になっており、奏する効果にはほとんど違
いはない。
【００２２】図４は上記各成膜用コリメータのいずれか
を用いた成膜装置による半導体装置製造のためのスパッ
タリング工程を示す断面図である。図４において、２１
は半導体基板、２２は選択酸化により形成されたフィー
ルド酸化膜、２３は半導体基板２１の露出部に形成され
た拡散層、２４は半導体基板２１上に形成された層間絶
縁膜、２５は該層間絶縁膜２４に形成されたところの上
記拡散層２３を露出させるコンタクトホール、２６はバ
リアメタル、２７は例えばアルミニウムからなる配線膜
で、上記成膜装置を用いてのスパッタリングにより形成
される。勿論、かかるスパッタリングを半導体装置の製
造のみならず、例えば液晶装置等、スパッタリング工程
を必要とする電子装置の製造一般に利用することができ
る。
を用いた成膜装置による半導体装置製造のためのスパッ
タリング工程を示す断面図である。図４において、２１
は半導体基板、２２は選択酸化により形成されたフィー
ルド酸化膜、２３は半導体基板２１の露出部に形成され
た拡散層、２４は半導体基板２１上に形成された層間絶
縁膜、２５は該層間絶縁膜２４に形成されたところの上
記拡散層２３を露出させるコンタクトホール、２６はバ
リアメタル、２７は例えばアルミニウムからなる配線膜
で、上記成膜装置を用いてのスパッタリングにより形成
される。勿論、かかるスパッタリングを半導体装置の製
造のみならず、例えば液晶装置等、スパッタリング工程
を必要とする電子装置の製造一般に利用することができ
る。
【００２３】このようなスパッタリングによれば、成膜
用コリメータの交換頻度が低いので、生産性が良く、ま
た、シャドウイングが少ないので、低コストで、ステッ
プカバレッジ良くコンタクトホール２５の孔埋めを行う
ことができ、低コスト化、高信頼度化を図ることができ
る。
用コリメータの交換頻度が低いので、生産性が良く、ま
た、シャドウイングが少ないので、低コストで、ステッ
プカバレッジ良くコンタクトホール２５の孔埋めを行う
ことができ、低コスト化、高信頼度化を図ることができ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、各コリメータ孔の内周
面が断面で視て階段状にテーパーが複数形成された形状
になり、各テーパー部分にてオーバーハンギングを抑止
することができるので、成膜用粒子による目詰まりが生
じにくくなり、成膜速度の低下が少なくなる。従って、
交換頻度を低くすることができる。そして、階段状にテ
ーパー部分を設けたので、テーパーを比較的大きくつけ
てもコリメータ孔は全体的には上端と下端との間に径に
大きな差異が生ぜず、シャドウイング防止効果がほとん
ど低下しない。依って、シャドウイング効果の低減をほ
とんど伴うことなく成膜速度の低減等の効果を享受する
ことができる。
面が断面で視て階段状にテーパーが複数形成された形状
になり、各テーパー部分にてオーバーハンギングを抑止
することができるので、成膜用粒子による目詰まりが生
じにくくなり、成膜速度の低下が少なくなる。従って、
交換頻度を低くすることができる。そして、階段状にテ
ーパー部分を設けたので、テーパーを比較的大きくつけ
てもコリメータ孔は全体的には上端と下端との間に径に
大きな差異が生ぜず、シャドウイング防止効果がほとん
ど低下しない。依って、シャドウイング効果の低減をほ
とんど伴うことなく成膜速度の低減等の効果を享受する
ことができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施例を示す
もので、（Ａ）は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用コ
リメータの断面図である。
もので、（Ａ）は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用コ
リメータの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の成膜用コリメータを示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の成膜用コリメータを示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明成膜装置を用いての電子装置製造のため
のスパッタリング工程を示す断面図である。
のスパッタリング工程を示す断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は従来例を示すもので、（Ａ）
は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用コリメータの斜視
図である。
は成膜装置の断面図、（Ｂ）は成膜用コリメータの斜視
図である。
４ 成膜用粒子（スパッタ粒子） １１ 成膜用コリメータ １２ コリメータ孔 １３ リング状溝（テーパー部分） １４ 成膜用コリメータ １５ 螺旋状溝
Claims (3)
- 【請求項１】 厚さ方向に貫通し成膜用粒子を通す複数
のコリメータ孔がそれぞれ内周面に螺旋状のねじ溝又は
複数のリング状溝を有したことを特徴とする成膜用コリ
メータ - 【請求項２】 請求項１記載の成膜用コリメータを有す
ることを特徴とする成膜装置 - 【請求項３】 請求項２の成膜装置を用いて成膜する工
程を有することを特徴とする電子装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180695A JPH08260139A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180695A JPH08260139A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08260139A true JPH08260139A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=14036875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180695A Pending JPH08260139A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 成膜用コリメータ、成膜装置及び電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08260139A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1350863A1 (de) * | 2002-03-19 | 2003-10-08 | Scheuten Glasgroep | Vorrichtung und Verfahren zum gerichteten Aufbringen von Depositionsmaterial auf ein Substrat |
| WO2016072400A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP6039117B1 (ja) * | 2016-01-25 | 2016-12-07 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP2017537227A (ja) * | 2014-11-26 | 2017-12-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板処理チャンバで使用するためのコリメータ |
| JP2018533673A (ja) * | 2015-10-27 | 2018-11-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｐｖｄスパッタチャンバ向けのバイアス可能なフラックスオプティマイザ／コリメータ |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP9180695A patent/JPH08260139A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1350863A1 (de) * | 2002-03-19 | 2003-10-08 | Scheuten Glasgroep | Vorrichtung und Verfahren zum gerichteten Aufbringen von Depositionsmaterial auf ein Substrat |
| WO2003078677A3 (de) * | 2002-03-19 | 2003-12-18 | Scheuten Glasgroup | Vorrichtung zum gerichteten aufbringen von depositionsmaterial auf ein substrat |
| CN107075669A (zh) * | 2014-11-05 | 2017-08-18 | 株式会社东芝 | 处理装置和准直器 |
| JP2016089224A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| WO2016072400A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| US10147589B2 (en) | 2014-11-05 | 2018-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus and collimator |
| US10755904B2 (en) | 2014-11-05 | 2020-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus and collimator |
| JP2017537227A (ja) * | 2014-11-26 | 2017-12-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板処理チャンバで使用するためのコリメータ |
| JP2018533673A (ja) * | 2015-10-27 | 2018-11-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｐｖｄスパッタチャンバ向けのバイアス可能なフラックスオプティマイザ／コリメータ |
| US11309169B2 (en) | 2015-10-27 | 2022-04-19 | Applied Materials, Inc. | Biasable flux optimizer / collimator for PVD sputter chamber |
| JP2022079472A (ja) * | 2015-10-27 | 2022-05-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｐｖｄスパッタチャンバ向けのバイアス可能なフラックスオプティマイザ／コリメータ |
| JP6039117B1 (ja) * | 2016-01-25 | 2016-12-07 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP2017133047A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
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