JP2006307303A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ12を配置し、ターゲット41aを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段5を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部51を形成する。
【選択図】 図1
Description
11 真空チャンバ
12 基板ステージ
2 真空排気手段
3 化学的成膜手段
3a、3b、43 ガス導入手段
4 スパッタリング成膜手段
41a ターゲット
5 遮蔽手段
51 開口部
Claims (6)
- 真空チャンバ内に処理基板の設置を可能とする基板ステージを配置し、成膜材料であるターゲットを有し、基板ステージ上の処理基板に対しスパッタリング法により成膜を行い得るスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設け、基板ステージ上の処理基板に対し所定のガスを導入するガス導入手段を有し、基板ステージ上の処理基板に対し化学的成膜法により成膜を行い得る化学的成膜手段を設けた成膜装置であって、前記ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部を形成したことを特徴とする成膜装置。
- 前記化学的成膜法は、原料ガスを導入して処理基板表面に原料ガスを吸着させる工程と、反応ガスを導入して吸着した原料ガスと反応させる工程とを周期的に繰り返して行うALD法であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記基板ステージ上に設置される処理基板を回転させる駆動手段を基板ステージに設けたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の成膜装置。
- 前記ガス導入手段は、基板ステージの上方に位置してこの基板ステージを囲うように設けたリング状のヘッド部を有し、このベッド部に、処理基板に向かって所定のガスを噴出するように所定の間隔を置いて複数のガス導入孔を形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記ターゲットの近傍に、所定のパージガスの導入を可能とするガス導入手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記ターゲットが遮蔽手段によって遮蔽された位置で、スパッタリング成膜手段を作動させてプレスパッタを行うように制御することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の成膜装置。
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