TWI780173B - 濺鍍裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠在被形成於基板表面處之孔或溝渠的內部具有良好的對稱性並且能夠以良好覆蓋率來成膜特定之薄膜的濺鍍裝置。 　　具備有被配置有靶材(2)之真空腔(1)，並一面使在真空腔內被與靶材作對向配置的圓形之基板(W)以其之中心作為旋轉中心來以特定之旋轉數進行旋轉，一面對於靶材進行濺鍍而在基板表面上成膜薄膜之本發明之濺鍍裝置，係具備有：平台(5)，係在使基板之中心從靶材之中心起而朝向徑方向之其中一方以特定間隔(Vo)來作了偏位的狀態下，將此基板可自由旋轉地作保持；和遮蔽板(7)，係被設置在靶材與平台上之基板之間，並將基板作覆蓋，在遮蔽板處，係被形成有容許藉由對於靶材以特定之放電壓力來進行濺鍍而從靶材所飛散的濺鍍粒子通過至基板側之開口部(71)，開口部，係具有如同以基板之中心區域作為起點(72)並隨著從此起點起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加一般之輪廓，開口面積之增加量，係因應於靶材與基板之間之距離(d1)而被作設定。

Description

濺鍍裝置
本發明，係有關於在半導體裝置之製造工程中於被形成在基板表面處之孔或溝渠的內部成膜阻障膜或種層等之薄膜的濺鍍裝置，更詳細而言，係有關於適合於在孔或溝渠之底面以及側面成為覆蓋率為良好並且對於孔或溝渠之對稱性為佳(亦即是，會使被成膜在孔或溝渠之相對向之側面處的薄膜之膜厚成為相等)的薄膜之濺鍍裝置。
作為一般性之濺鍍裝置，例如為了得到基板面內之良好的均一性，係存在有下述之構成者：亦即是，係具備有：真空腔，係被配置有靶材；和平台，係將在真空腔內被與靶材作對向配置的圓形基板可自由旋轉地作保持，一面使基板將其之中心作為旋轉中心而以特定之旋轉數進行旋轉，一面對於靶材進行濺鍍而在基板表面上成膜薄膜。
又，例如在專利文獻1中，係揭示有下述之構成者：亦即是，藉由在使基板之中心從靶材之中心起朝向徑方向之其中一方以特定間隔來作了偏位的狀態下而在平台上將基板可自由旋轉地作保持，並在靶材與基板之間配置一部分為具備有開口部之遮蔽板，係能夠使用較小之靶材來涵蓋較大的基板之表面全體來進行成膜。
然而，在上述先前技術例之構成中，係並無法對於從靶材所飛散出的濺鍍粒子中之相對於基板表面而傾斜地射入者充分地作抑制，而有著會伴隨著在孔開口部處之懸伸部(overhang)的成長而導致覆蓋率之降低以及非對稱性之發生的問題，而並無法達成近年之對於細微圖案之成膜所要求的以良好覆蓋率及良好對稱性來在孔或溝渠之內部成膜薄膜之要求。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平9-213634號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明，係有鑑於以上之問題點，而以提供一種能夠在被形成於基板表面處之孔或溝渠的內部具有良好的對稱性並且能夠以良好覆蓋率來成膜特定之薄膜的濺鍍裝置一事，作為課題。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之濺鍍裝置，係具備有被配置有靶材之真空腔，並一面使在真空腔內被與靶材作對向配置的圓形之基板以其之中心作為旋轉中心來以特定之旋轉數進行旋轉，一面對於靶材進行濺鍍而在基板表面上成膜薄膜，該濺鍍裝置，其特徵為，係具備有：平台，係在使基板之中心從靶材之中心起而朝向徑方向之其中一方以特定間隔來作了偏位的狀態下，將此基板可自由旋轉地作保持；和遮蔽板，係被設置在靶材與平台上之基板之間，並將基板作覆蓋，在遮蔽板處，係被形成有容許藉由對於靶材以特定之放電壓力來進行濺鍍而從靶材所飛散的濺鍍粒子通過至基板側之開口部，開口部，係具有如同以基板之中心區域作為起點並隨著從此起點起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加一般之輪廓，開口面積之增加量，係因應於靶材與基板之間之距離而被作設定。
若依據本發明，則由於係以濺鍍粒子之平均自由行程為長之壓力區域來進行濺鍍，因此，濺鍍粒子係在將從靶材而飛散出來的角度作了保持的狀態下而前進。在該前進之過程中，由於從靶材所飛散出的濺鍍粒子中之相對於基板表面而傾斜地射入者係被遮蔽板所遮蔽，因此，係能夠在孔或溝渠之底面以及側面處以良好覆蓋率來成膜薄膜，並且能夠對於孔或溝渠而以良好對稱性來成膜薄膜。並且，藉由因應於靶材與基板之間之距離來對於開口部之開口面積的增加量作設定，係能夠在並不對於「能夠在具有良好之對稱性的同時亦以良好覆蓋率來成膜特定之薄膜」的功能有所損害的同時，亦實現高成膜速率。另外，在本發明中，為了得到成膜於孔或溝渠處之薄膜的膜厚之良好的均一性以及著膜形狀之對稱性，靶材之直徑，較理想，係設定為基板半徑之2倍程度或者是其以上。
在本發明中，較理想，於前述開口部為具有扇形之輪廓的情況時，係將基板之半徑設為r，並將靶材與基板之間之距離設為d，並且使基板之中心以從靶材之中心而離開有r/3以上的方式而作偏位，而以使由遮蔽板所致之基板之被遮蔽面積比會成為較1-(d÷2r/2.66)之值而更大的方式，來設定前述開口部之面積。此種開口部之面積，較理想，係將前述開口部之中心角設為60～120°之範圍。若是中心角為較60°而更小，則係會有無法將成膜速率充分地提高的情形，另一方面，若是中心角為較120°而更大，則相對於基板表面而傾斜地射入的濺鍍粒子之量係變多，而會有對稱性或覆蓋率變差的情況。
另外，若是在開口部之起點周邊的部份處被成膜，則係會有使到達基板之中心區域處的濺鍍粒子之量減少的情況。於此情況，雖然亦可考慮對於遮蔽板作交換，但是，如此一來，係有必要將真空腔內作大氣開放，並導致生產性的降低。在本發明中，藉由沿著相對於靶材之中心的基板之偏位方向來使遮蔽板作移動，係能夠維持到達基板之中心區域處的濺鍍粒子之量，而能夠防止被成膜於存在於該中心區域處之孔或溝渠中的薄膜之膜厚變薄的情形。
又，在具備有被配置在靶材之與基板間之背面側處並以在靶材與基板之間且集中於靶材之中心與靶材之外周部之間的方式來產生漏洩磁場之磁石單元和以靶材之中心作為旋轉中心而使磁石單元旋轉之旋轉手段的情況時，若是使磁石單元與平台之間的旋轉相互同步，則會有在基板面內產生並未被以所期望之膜厚而成膜的區域之情況。在本發明中，藉由設置以不會使磁石單元與平台之間之旋轉相互同步的方式來對於磁石單元以及平台之旋轉數分別進行控制的控制手段，係能夠涵蓋基板全面而以所期望之膜厚來進行成膜。
在本發明中，較理想，前述遮蔽板與基板之間之距離，係為前述放電壓力之平均自由行程的2倍以內。若是較2倍而更大，則由於起因於粒子彼此之散射，對於基板表面而傾斜地射入之粒子的數量會增加，因此，係會有導致對於孔或溝渠之開口部的附著膜容易發生懸伸的問題。
在本發明中，較理想，前述遮蔽板之開口部，係使基板之中心區域露出。若依據此，則藉由在基板之中心的正上方處設置開口部，係不會有使被成膜於存在於基板之中心區域處之孔或溝渠中的薄膜之膜厚變薄的情形，而能夠使基板之中心區域的覆蓋率成為良好。
以下，參考圖面，針對本發明之實施形態的濺鍍裝置作說明。於以下，係以圖1作為基準，而將真空腔1之頂板部側設為「上」，並將其之底部側設為「下」，來進行說明。
如同圖1中所示一般，濺鍍裝置SM，係具備有區劃出處理室1a之真空腔1。在真空腔1之側壁處，係被設置有排氣口11，在此排氣口11處，係經由排氣管12而被連接有由渦輪分子幫浦或旋轉幫浦等所成之真空幫浦P，並構成為能夠將處理室1a一直真空抽氣至成為特定壓力(例如1×10-5 Pa)為止。在真空腔1之側壁處，係被設置有氣體導入口13，在此氣體導入口13處，係被連接有與省略圖示之氣體源相通連並且中介設置有質量流控制器14之氣體管15，並成為能夠將由Ar等之稀有氣體所成之濺鍍氣體以特定流量來導入至處理室1a內。
在真空腔1之頂板部處，係被可自由裝卸地設置有陰極單元C。陰極單元C，係藉由以面臨真空腔1內(處理室1a)的方式而被作設置之靶材2、和被配置在靶材2之與濺鍍面2a相背向之側處並以在靶材2與基板W之間且集中於靶材2之中心與靶材2之外周部之間的方式來產生漏洩磁場之磁石單元3，而構成之。靶材2，係為因應於欲成膜之薄膜的組成而適宜選擇的金屬或金屬化合物(絕緣物)等的材料製，並使用公知之方法而以例如具有圓形之輪廓的方式來製作。在靶材2處，係被連接有從作為濺鍍電源E之具有負的電位之直流電源或高頻電源而來之輸出，在濺鍍時係被投入電力。在靶材2之與濺鍍面2a相背向之面處，係隔著銦或者是錫等之接合材，而被接合有背板21。背板21，係為熱傳導為佳之Cu等的金屬製，並藉由在省略圖示之冷媒循環通路中使冷媒作循環，而成為能夠將靶材2冷卻。作為磁石單元3，係可使用具備有「磁性材料製之板狀的軛31」和「在軛31之下面處排列設置為環狀的同磁化之複數個的第1磁石32」以及「以包圍第1磁石32之周圍的方式而被排列設置為環狀的與第1磁石32同磁化之複數個的第2磁石33」之公知之構成者。在軛31之上面處，係被連接有旋轉手段4之旋轉軸41，在對於靶材2進行濺鍍而進行成膜的期間中，係成為能夠以靶材2之中心作為旋轉中心而使磁石單元3旋轉。
在真空腔1之底部，係被設置有將基板W以從靶材2之中心起朝向徑方向之其中一方而以特定間隔來作了偏位的狀態而作保持的平台5。在平台5之下面中央處，係被連接有隔著省略圖示之真空密封構件而貫通真空腔1之底壁的旋轉手段6之旋轉軸61，並成為能夠使基板W以特定之旋轉數來旋轉。於平台5處，係被連接有身為偏壓電源E2之高頻電源的輸出，於濺鍍時，係被投入偏壓電力。另外，平台5，係具備有省略圖示之公知的靜電吸盤，藉由對於此靜電吸盤之電極施加特定電壓，係成為能夠在平台5上將基板W以其之成膜面作為上方地來作吸附保持。又，係亦可在平台5處連接省略圖示之升降手段的驅動軸，並構成為能夠對於靶材2與基板W之間之距離作變更。
在靶材2與平台5上的基板W之間，係被設置有將基板W作覆蓋的遮蔽板7。在遮蔽板7處，係被形成有容許從靶材2所飛散的濺鍍粒子之朝向基板W側的通過之開口部71。亦參考圖2，開口部71，例如係具備有使基板W之中心區域露出並且以此中心區域所露出的部份作為起點72來隨著從此起點起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加一般的輪廓，開口面積之增加量，係因應於靶材2與基板W之間之距離d1而被作設定。基板W與遮蔽板7之間之距離d2，較理想，係設定為5～100mm之範圍內。特別是若是對於穿過了遮蔽板7之開口部71之後的濺鍍粒子之與其他之粒子相互碰撞並導致其之前進方向有所改變的現象作考慮，則基板W與遮蔽板7之間之距離d2，更理想，係被設定為相對於放電壓力之平均自由行程的2倍以內。又，在遮蔽板7之側面處，係被連接有移動手段8之驅動軸81，並成為能夠沿著相對於靶材2之中心的基板W之偏位方向(亦即是，圖1中之右方向)來使遮蔽板7作移動。
上述濺鍍裝置SM，係具有具備著微電腦或是序列器等之週知的控制手段Ru，並成為對於真空幫浦P之稼動、質量流控制器14之稼動、濺鍍電源E之稼動、旋轉手段4之稼動、旋轉手段6之稼動及移動手段8之稼動等作統籌控制。另外，若是磁石單元3與平台5之間之旋轉相互同步，則會有在基板W面內而產生並未被以所期望之膜厚而成膜之區域的情況，但是，藉由以控制手段Ru來以不會使磁石單元3與平台5之間之旋轉相互同步的方式來對於磁石單元3以及平台5之旋轉數分別進行控制，係能夠涵蓋基板W全面而以所期望之膜厚來進行成膜。以下，針對使用有上述濺鍍裝置SM之成膜方法，以在被形成於基板W之表面上的省略圖示之孔或溝渠之內部而成膜Cu膜的情況為例來作說明。
將Cu製之靶材2所被作配置的真空腔1內真空抽氣至特定之真空度(例如，1×10-5 Pa)，並藉由未圖示之搬送機器人來將基板W搬送至真空腔1內，並且將基板W遞交至平台5上，而將基板W靜電吸附於平台5上並作保持。接著，藉由旋轉手段6來使平台5以特定之旋轉數(例如120rpm)來作旋轉，藉由此而使基板W旋轉。與此一同地，一面藉由旋轉手段4而使磁石單元3以特定之旋轉數(例如52rpm)進行旋轉，一面將身為濺鍍氣體之氬氣以例如0～20sccm之流量來導入(此時之真空腔1內的壓力，係為2.0×10-1 Pa以下)，並從濺鍍電源E1來對於靶材2投入直流電力(例如，10～30kW)，並且從偏壓電源E2來對於平台5而投入例如13.56MHz之高頻電力300W，藉由此，來在真空腔1內形成電漿。藉由此，靶材2之濺鍍面2a係被濺鍍，從靶材2所飛散的濺鍍粒子係通過遮蔽板7之開口部71，並附著、堆積於被形成在基板W表面上的孔或溝渠之底面以及側面處，Cu膜係被成膜。
此時，由於從靶材2所飛散出的濺鍍粒子中之相對於基板W表面而傾斜地射入者係被遮蔽板7所遮蔽，亦即是，由於通過了遮蔽板7之開口部71的濺鍍粒子係相對於基板W表面而略垂直地射入，因此，係能夠對於孔或溝渠而以良好對稱性以及良好覆蓋率來成膜Cu膜。又，較理想，係以在基板W之中央區域的正上方處存在有遮蔽板7之開口部71的方式，來設置遮蔽板7。於此情況，係不會有使到達基板W之中心區域處的濺鍍粒子變少的情形，被成膜於存在於基板W之中心區域處之孔或溝渠中的Cu膜之膜厚係並不會局部性地變薄，而能夠涵蓋基板W之全面來成膜具有略同等之膜厚的Cu膜。
另外，若是將遮蔽板7之開口部71的開口面積設定為小，則雖然能夠得到良好的對稱性以及覆蓋率，但是，係會有成膜速率變低的情況。另一方面，若是將遮蔽板7之開口部71的開口面積設定為大，則雖然能夠將成膜速率提高，但是係會有使對稱性以及覆蓋率惡化的情況。
於此，若依據本發明，則由於係因應於基板W與靶材2之間之距離來對於開口部71之開口面積的增大量作設定，因此，係能夠並不對於「能夠在被形成於基板W之表面上的孔或溝渠之內部而在具有良好之對稱性的同時亦以良好覆蓋率來成膜Cu膜」的功能有所損害地，而以高成膜速率來成膜涵蓋基板W之全面地而具有同等之膜厚的Cu膜。具體而言，於開口部71為具有扇形之輪廓的情況時，係將基板W之半徑設為r，並將靶材2與基板W之間之距離設為d1，並且使基板W之中心以從靶材2之中心而離開有r/2以上的方式而作偏位，而以使由遮蔽板7所致之基板W之被遮蔽面積比會成為較1-(d1÷2r/2.66)之值而更大的方式，來設定開口部71之面積。於此情況，較理想，係將開口部71之中心角θ設為60～120°之範圍。
另外，若是在開口部71之起點72周邊的部份處被成膜，則係會有使到達基板W之中心區域處的濺鍍粒子之量減少的情況。於此情況，藉由以移動手段8來沿著相對於靶材2之中心的基板W之偏位方向來使遮蔽板7作移動，係能夠維持到達基板W之中心區域處的濺鍍粒子之量，而能夠防止被成膜於存在於該中心區域處之孔或溝渠中的薄膜之膜厚變薄的情形。另外，係亦可構成為預先取得基板W之處理枚數與對於上述部分之成膜量之間的關係，並因應於基板W之處理枚數來使遮蔽板7作移動。
接著，為了對於上述效果作確認，係使用上述濺鍍裝置SM而進行了以下之實驗。亦即是，在本實驗中，作為基板W，係使用在f300mm之圓形的矽基板之表面上被形成有開口寬幅50nm、深度200nm之溝渠者，並作為靶材2，而使用f400mm(基板W之半徑r的2.66倍)的Cu製者，將基板W與靶材2之間之距離(以下，稱作T/S距離)d1設定為400mm，並將基板W與遮蔽板7之間之距離d2設定為50mm，而將從靶材2之中心起之基板W之中心的偏位量Vo設定為r/2。作為遮蔽板7，係使用f400mm之SUS製者，並在遮蔽板7處開設了具有中心角θ為90°之扇形之輪廓的開口部71。之後，將平台5之旋轉數控制為120rpm，並將磁石單元3之旋轉數控制為52rpm，而對於真空腔1內導入氬氣，並且對於靶材投入直流電力，而產生了電漿。之後，立即將氬氣之流量調整為0sccm(此時之處理室1a內的壓力係為1×10-5 Pa)，並將對於靶材2所投入的直流電力設定為23kW，並且對於平台5而將13.56MHz之高頻電力作300W的投入，而對於靶材2進行濺鍍並在溝渠之內部成膜了Cu膜。根據成膜後之基板W的剖面SEM像而對於被成膜在溝渠內部之Cu膜之對稱性以及覆蓋率進行評價，並且，一併根據被成膜在基板W表面之平坦之部分(溝渠以外之部分)處的Cu膜之膜厚測定值來對於成膜速率進行了評價。將此些之評價結果統整展示於圖3(a)中。在圖3(a)中，係亦將使開口部71之中心角θ變化為45°、60°、120°、150°、180°的情況時之評價結果一併作展示。另外，針對圖3中所示之評價結果，「○」係代表對稱性以及覆蓋率為優良並且成膜速率為高的情況，「△」係代表對稱性以及覆蓋率為優良並且成膜速率為可適用於量產的情況、「▲」係代表對稱性以及覆蓋率為可適用於量產並且成膜速率為高的情況、「×」係代表對稱性以及覆蓋率為NG(不可適用於量產)的情況。在圖3(a)中，係亦將在使T/S距離d1變化為200mm、300mm的情況時之評價結果一併作展示。
在得到圖3(a)中所示之「○」、「△」以及「▲」之評價結果的情況時，係滿足由遮蔽板7所致之基板W之被遮蔽面積比為變得較1-(d÷2r/2.66)之值而更大的條件。係以滿足此條件的方式來設定開口部71之面積，例如，係確認到了：當T/S距離d1為200mm的情況時，係能夠將中心角θ一直增大至90°，若是將T/S距離d1設定為300mm，則能夠將中心角θ一直增大至120°，若是將T/S距離d1設定為400mm，則係能夠將中心角θ一直增大至180°。但是，在對於覆蓋率之性能有嚴格的要求的情況時，較理想，係將中心角θ設為120°以下，進而，若是考慮到生產性，則較理想，係設為60°以上。
圖3(b)，係除了使用有f450mm之基板W以外，為藉由與上述相同之方法來成膜Cu膜，並對於其之評價結果作展示。在得到圖3(b)中所示之「○」、「△」以及「▲」之評價結果的情況時，係滿足由遮蔽板7所致之基板W之被遮蔽面積比為變得較1-(d÷2r/2.66)之值而更大的條件。係以滿足此條件的方式來設定開口部71之面積，例如，係確認到了：當T/S距離d1為200mm的情況時，中心角θ係被設定為45°，但是，若是將T/S距離d1設定為300mm，則能夠將中心角θ一直增大至60°，若是將T/S距離d1設定為400mm，則係能夠將中心角θ一直增大至90°，若是將T/S距離d1設定為600mm，則係能夠將中心角θ一直增大至180°。但是，在對於覆蓋率之性能有嚴格的要求的情況時，較理想，係將中心角θ設為120°以下，進而，若是考慮到生產性，則較理想，係設為60°以上。
若依據以上所說明了的實驗，則係可得知，若是因應於T/S距離d1來設定中心角θ，則係能夠並不對於「能夠以良好之對稱性以及覆蓋率來進行成膜」的功能有所損害地而將成膜速率提高。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明，係並不被限定於上述構成。例如，係亦可如同圖4中所示一般，使遮蔽板7之開口部71作為切缺部而被形成。又，開口部71，雖係具備有以中心區域作為起點來隨著從此起點起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加一般的輪廓，但是，係並不限定於在1個場所處被設置有所謂略扇形或略三角形形狀之開口部的情況，亦可構成為離散性地作為複數之開口部而被作設置，並使該些之開口部的總和滿足上述條件。
又，在上述實施形態中，雖係針對作為靶材2而使用Cu製者並在基板W表面上成膜Cu膜的情況為例來進行了說明，但是，係並不被限定於此，在成膜Cu膜以外之金屬膜的情況或者是使用藉由Al2 O3 、MgO、SiC，SiN等所製作的絕緣物靶材來成膜絕緣膜的情況時，係亦可作適用。
1‧‧‧真空腔2‧‧‧靶材2a‧‧‧濺鍍面2c‧‧‧靶材2之中心3‧‧‧磁石單元5‧‧‧平台7‧‧‧遮蔽板71‧‧‧開口部72‧‧‧起點SM‧‧‧濺鍍裝置W‧‧‧基板
[圖1] 係為對於本發明之實施形態的磁控管濺鍍裝置作展示之示意性剖面圖。 　　[圖2] 係為圖1中所示之遮蔽板的示意性平面圖。 　　[圖3] 係為針對對於本發明之效果作確認的實驗結果作展示之圖。 　　[圖4] 係為對於遮蔽板的變形例作展示之示意性平面圖。
1‧‧‧真空腔
2‧‧‧靶材
2a‧‧‧濺鍍面
3‧‧‧磁石單元
4‧‧‧旋轉手段
5‧‧‧平台
6‧‧‧旋轉手段
7‧‧‧遮蔽板
8‧‧‧移動手段
11‧‧‧排氣口
12‧‧‧排氣管
13‧‧‧氣體導入口
14‧‧‧質量流控制器
15‧‧‧氣體管
21‧‧‧背板
31‧‧‧軛
32‧‧‧第1磁石
33‧‧‧第2磁石
41‧‧‧旋轉軸
61‧‧‧旋轉軸
71‧‧‧開口部
72‧‧‧起點
81‧‧‧驅動軸
C‧‧‧陰極單
E1‧‧‧濺鍍電源
E2‧‧‧偏壓電源
Ru‧‧‧控制手段
P‧‧‧真空幫浦
Vo‧‧‧偏位量
d1、d2‧‧‧距離
SM‧‧‧濺鍍裝置
W‧‧‧基板

Claims (6)

  1. 一種濺鍍裝置，係具備被配置有靶材之真空腔，並一面使在真空腔內被與靶材作對向配置的圓形之基板以其之中心作為旋轉中心來以特定之旋轉數進行旋轉，一面對於靶材進行濺鍍而在基板表面上成膜薄膜，該濺鍍裝置，其特徵為，係具備有：平台，係在使基板之中心從靶材之中心起而朝向徑方向之其中一方以特定間隔來作了偏位的狀態下，將此基板可自由旋轉地作保持；和遮蔽板，係被設置在靶材與平台上之基板之間，並將基板作覆蓋，在遮蔽板處，係被形成有容許藉由對於靶材以特定之放電壓力來進行濺鍍而從靶材所飛散的濺鍍粒子通過至基板側之開口部，開口部，係具有如同以基板之中心區域作為起點並隨著從此起點起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加一般之輪廓，開口面積之增加量，係因應於靶材與基板之間之距離而被作設定，於前述開口部為具有扇形之輪廓的情況時，將基板之半徑設為r，並將靶材與基板之間之距離設為d，使基板之中心以從靶材之中心而離開有r/3以上的方式而作偏位，以使由遮蔽板所致之基板之被遮蔽面積比會成為較1-(d÷2r/2.66)之值而更大的方式，來設定前述開口部之面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍裝置，其中，係將前述開口部之中心角設為60~120°之範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍裝置，其中，係更進而具備有：移動手段，係能夠使前述遮蔽板沿著相對於前述靶材之中心之基板之偏位方向而移動。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之濺鍍裝置，其中，係具備有：磁石單元，係被配置在靶材之與基板間之背面側處，並以在靶材與基板之間且集中於靶材之中心與靶材之外周部之間的方式來產生漏洩磁場；和旋轉手段，係以靶材之中心作為旋轉中心而使磁石單元旋轉，並且，係更進而具備有：控制手段，係以不會使磁石單元與平台相互同步的方式，來對於磁石單元以及平台之旋轉數分別作控制。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之濺鍍裝置，其中，前述遮蔽板與基板之間之距離，係為前述放電壓力中之平均自由行程的2倍以內。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之濺鍍裝置，其中，前述遮蔽板之開口部，係使基板之中心區域露出。
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