TWI770421B - 濺鍍裝置及濺鍍方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種濺鍍裝置，其係不會損害可在被形成於被處理基板表面的孔和溝渠的底面及側面以良好的被覆性和對稱性成膜特定的薄膜之功能，並可提昇靶材之利用效率。 本發明之濺鍍裝置(SM)，係具備配置有靶材(21)的真空腔(1)，於真空腔內形成電漿氛圍來將靶材進行濺鍍，使從靶材飛散的濺鍍粒子附著、堆積於被配置在真空腔內的基板(Sw)表面，而成膜特定的薄膜，該濺鍍裝置(SM)，係在從靶材飛散的濺鍍粒子所附著之真空腔內的特定位置處，設置有至少將濺鍍粒子的附著面(61a)設為與靶材同種的材料製的附著體(61)，於附著體連接有偏壓電源(62)，該偏壓電源(62)，係在電漿氛圍之形成時施加具有負的電位之偏壓電壓。

Description

濺鍍裝置及濺鍍方法
本發明係關於濺鍍裝置及濺鍍方法，更詳細而言，係關於可提昇靶材之利用效率者。
於半導體裝置之製造工程中，係存在有在被形成於被處理基板表面之孔或溝渠的底面及側面成膜阻障膜或種層等之薄膜的工程，於如此之成膜中，一般是利用濺鍍裝置。於例如專利文獻1中已知有一種濺鍍裝置，其係可在孔或溝渠的底面及側面成膜被覆性佳且相對於孔或溝渠而對稱性佳(亦即是，會使被成膜於孔或溝渠之相對向之側面的薄膜之膜厚成為相等)的薄膜。
上述以往例者，係為所謂的LTS(Long Throw Sputtering)方式者，其係具有可形成真空氛圍的真空腔，於真空腔之上部處配置有靶材，於真空腔內之下部處係設置有平台，該平台，係與靶材相對峙地而被設置有被處理基板。於此情況中，靶材與平台上之被處理基板之間的距離(T/S距離)，係被設定成較一般的濺鍍裝置更長。藉由此，可增加在到達被處理基板表面的濺鍍粒子之中具有直進性的濺鍍粒子之比例，其結果，使良好的被覆性和對稱性之成膜成為可能。
另外，若將靶材進行濺鍍，則依據特定的餘弦定理，濺鍍粒子會從靶材表面飛散，但是，濺鍍粒子的一部分也會朝向被處理基板以外之處飛散。於此情況中，附著在存在於真空腔內的防附著板等之零件處的濺鍍粒子，通常是被廢棄的。並且，如上述以往例一般，若為了增加具有直進性的濺鍍粒子之比例而將T/S距離設定得較長，則附著於被處理基板以外的濺鍍粒子之量會變多，如此一來，係存在有靶材之利用效率為差的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-213634號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明，係鑑於以上之觀點，而以提供一種濺鍍裝置及濺鍍方法作為其課題者，其係不會損害可在被形成於被處理基板表面的孔和溝渠的底面及側面以良好的被覆性和對稱性成膜特定的薄膜之功能，並可提昇靶材之利用效率。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之濺鍍裝置，係具備配置有靶材的真空腔，於真空腔內形成電漿氛圍來將靶材進行濺鍍，使從靶材飛散的濺鍍粒子附著、堆積在被配置於真空腔內的被處理基板表面，而成膜特定的薄膜，其特徵為，在從靶材飛散的濺鍍粒子所附著之真空腔內的特定位置處，設置有至少將濺鍍粒子的附著面設為與靶材同種的材料製的附著體，於附著體連接有偏壓電源，該偏壓電源，係在電漿氛圍之形成時施加具有負的電位之偏壓電壓。
依據本發明，例如，若在被作真空排氣的真空腔內，以特定流量導入氬等之稀有氣體，並對於靶材投入具有負的電位之特定電力，則於真空腔內形成電漿氛圍，藉由電漿氛圍中的稀有氣體之離子，靶材表面會被濺鍍而濺鍍粒子會飛散，且其之一部分也會附著於附著體的表面。此時，由於濺鍍粒子之附著面是以與靶材同種的材料所構成，因此若對於附著體施加偏壓電壓，則藉由電漿氛圍中的稀有氣體之離子，附著面也會被濺鍍而與上述濺鍍粒子同種的濺鍍粒子(以下，將其稱為「再濺鍍粒子」)會飛散，且其之一部分也會附著於靶材表面。如此般，於本發明中，係使朝向被處理基板以外作了飛散的濺鍍粒子之一部分暫時附著於附著體來作回收，並且也將此附著有濺鍍粒子的附著面進行濺鍍，使包含附著的濺鍍粒子之再濺鍍粒子返回靶材表面，藉由此，而可提高靶材之利用效率。另外，若使施加於附著體的偏壓電壓較施加於靶材的電壓更高，則相較於靶材之濺鍍，附著體之濺鍍係成為支配性的，而會產生於被處理基板表面無法成膜特定的薄膜之問題。又，對附著體之偏壓電壓的施加，不僅是在靶材之濺鍍中，亦可作為另一工程，而在以靶材之濺鍍所致之成膜結束後單獨進行。
於本發明中，在將前述靶材設為第1靶材，將前述附著體設為身為與第1靶材同種之材料製的板狀之第2靶材，且第1靶材與被處理基板，係在真空腔內被作對向配置的情況，較理想為，第2靶材，係在第1靶材與被處理基板之間的空間被與第1靶材相對向地被作設置，於第2靶材開設有第1透孔，該第1透孔，係貫通該板厚方向來容許濺鍍粒子通過。
若依據以上構成，則藉由使身為附著體的第2靶材與第1靶材相對向，而可使更多從第1靶材飛散之濺鍍粒子附著於第2靶材來作回收。因此，可使更多的再濺鍍粒子返回第1靶材表面，而可更進一步提高第1靶材之利用效率。又，從第1靶材飛散的濺鍍粒子，由於會通過被開設於第2靶材的第1透孔來射入至被處理基板，因此可於被處理基板表面膜厚之面內分布佳地成膜薄膜。於此情況中，若是以複數個透孔來構成第1透孔，則第2靶材本身係發揮「對相對於朝與被處理基板表面正交的方向延伸的假想線而超過特定角度來射入至被處理基板的濺鍍粒子作限制」之作為準直儀的功能，而於在被形成於被處理基板表面的孔或溝渠的底面及側面成膜的情況時，能夠以良好的被覆性和對稱性成膜特定的薄膜。藉由此，無須如同上述LTS方式之濺鍍裝置般地將T/S距離設定得較長，而可將裝置構造小型化，並且亦進而可提昇成膜速率，而為有利。
於本發明中，較理想為，係進一步具備平台，該平台，係將從前述被處理基板朝向前述第1靶材的方向設為上方向，前述第1靶材與前述被處理基板，係在與上下方向正交的方向上被作偏位，且將前述被處理基板旋轉自如地作保持，於第2靶材與前述平台之間的空間設置分布板，該分布板，係對通過第2靶材的第1透孔而朝向被處理基板之濺鍍粒子的一部分作限制。若依據此，則由於藉由分布板而調整對被處理基板表面之濺鍍粒子的射入量，因此可涵蓋被處理基板表面之全面而膜厚分布更佳地成膜。
又，於本發明中，較理想為，係在第2靶材與前述平台之間的空間設置有接地電位的電極板，該電極板，係開設有容許濺鍍粒子通過的第2透孔。若依據此，則可防止於第2靶材與被處理基板之間的空間形成電漿氛圍而使第2靶材下面被濺鍍的問題產生。
又，為了解決上述課題，使用有上述濺鍍裝置的本發明之濺鍍方法，其特徵為，包含有：在將前述靶材進行濺鍍來使濺鍍粒子附著於前述附著體的同時，對於前述附著體施加較被施加於前述靶材之電壓更低的偏壓電位，而使附著於前述附著體的濺鍍粒子再附著於前述靶材的工程。
又，為了解決上述課題，使用有上述濺鍍裝置的本發明之濺鍍方法，其特徵為，包含有：將前述靶材進行濺鍍來使濺鍍粒子附著於前述附著體的第1工程、和對於前述附著體施加偏壓電位而使附著於前述附著體的濺鍍粒子再附著於前述靶材的第2工程。
以下，參照附圖，以將靶材設為Cu製者、將被處理基板設為於在矽晶圓的表面以特定的膜厚形成有矽氧化物膜之後於此矽氧化物膜以特定圖案形成有例如縱橫比為3以上之微細的凹部者(以下，稱為「基板Sw」)，並於包含此凹部的底部及側面的基板Sw表面成膜Cu膜的情況為例，來說明本發明之濺鍍裝置的實施形態。於以下內容中，代表「上」、「下」之方向的用語，係以第1圖展示之濺鍍裝置的設置姿勢作為基準。
參照第1圖，SM係為本實施形態之濺鍍裝置。濺鍍裝置SM，係具備可形成真空氛圍的真空腔1。於真空腔1的下部，係連接有與由渦輪分子泵或旋轉泵等所構成之真空排氣手段Pu相通的排氣管11。於真空腔1的側壁，係連接有將濺鍍氣體導入至真空腔1內的氣體導入管12。於氣體導入管12，係中介設置有質量流控制器13，並與圖示省略的氣體源相通連。於濺鍍氣體中，係不僅包含有在形成電漿氛圍時被導入至真空腔1內的氬氣等之稀有氣體，也包含有氧氣或氮氣等之反應氣體。藉由此，藉由質量流控制器13而被作了流量控制的濺鍍氣體，係能夠導入至藉由真空排氣手段Pu而以一定的排氣速度被真空抽氣之真空腔1內，並被構成為，在成膜中，真空腔1內的壓力(全壓力)係被保持為略一定。
於真空腔1的上面開口，係可裝卸地安裝有陰極單元2。陰極單元2，係以金屬製(Cu製)之靶材21、和被配置於此靶材21的上方之磁鐵單元22，而構成之。靶材21，係因應於基板Sw的輪廓而以具有圓形的輪廓的方式而形成，在接合於背板21a的狀態下，以使濺鍍面21b成為下方的姿勢來隔著設置於真空腔1的側壁上部之絕緣體31而被安裝於真空腔1的上部。
於靶材21，係連接有來自由直流電源或高頻電源所構成之濺鍍電源21c之輸出21d，並被構成為可投入具有負的電位之特定電力。磁鐵單元22，係為具有：於靶材21的濺鍍面21b之下方空間產生磁場，而於濺鍍時在濺鍍面21b的下方捕捉電離的電子等並將從靶材21飛散的濺鍍粒子有效率地離子化之周知的閉鎖磁場或是尖點磁場構造者，例如，係可使用由磁性材料製之板狀的磁軛22a、和於磁軛22a的下面以環狀作排列設置的同磁化之複數個中心磁鐵22b、以及以包圍中心磁鐵22b之周圍的方式以環狀作排列設置的同磁化之複數個周邊磁鐵22c所構成者。在磁軛22a之上面處，係連接有馬達23之旋轉軸23a，並構成為於成膜中，能夠以靶材21之中心作為旋轉中心而使磁鐵單元22旋轉。
於真空腔1之下部係被設置有平台4，該平台4，係以從靶材21之中心起朝徑方向(圖中之左右方向)的其中一方而以特定間隔作了偏位的狀態來將基板Sw作保持。在此，通過靶材21的中心而朝上下方向延伸的假想線L1與通過基板Sw中心而朝上下方向延伸的假想線L2之間的距離(偏位量)d，係考慮靶材21或基板Sw的尺寸來作適當設定。於平台4的上部，係設置有組裝有靜電吸盤用之電極(圖示省略)的吸盤板41，藉由對於電極施加特定的直流電壓，而構成為能夠在吸盤板41表面上使基板Sw以其之成膜面為上方來被靜電吸附。在平台4之下面中央處係被連接有經由圖示省略之真空密封構件而貫通真空腔1之下壁的馬達42之旋轉軸42a，並構成為，於成膜中能夠使基板Sw以特定旋轉數來旋轉。另外，雖無特別圖示來作說明，但在平台4處，係設置有冷媒循環路或加熱器等，而構成為在成膜中能夠將基板Sw控制成特定溫度。
於真空腔1內，係設置有氧化鋁或不鏽鋼等之周知之材料製的防附著板5，該防附著板5，係防止藉由靶材21之濺鍍而飛散的濺鍍粒子附著於真空腔1的內壁面。防附著板5，係具有筒狀的輪廓，並經由設置於真空腔1的側壁之卡止部32而被作吊設。
又，於真空腔1內係設置有金屬製的附著體61，該附著體61，係供從靶材21飛散的濺鍍粒子附著，並在靶材21與平台4之間的空間與靶材21正對，且至少將濺鍍粒子的附著面61a設為與靶材21同種。於本實施形態中，附著體61，係由與靶材21(以下，稱為「第1靶材21」)同種之金屬製(Cu製)且板狀之第2靶材61所構成。第2靶材61，例如，係藉由設置於真空腔1的側壁之絕緣體33所支持，從第1靶材21的下面(濺鍍面)21b起至第2靶材61的上面(附著面)61a為止之距離，係被設定為25mm～250mm之範圍。若較25mm更短，則會產生第2靶材61的下面被濺鍍的問題，另一方面，若較250mm更長，則存在有在防附著板5而附著更多的濺鍍粒子的問題。
又，如第2圖所示般地，於第2靶材61係開設有貫通其之上下方向(板厚方向)來容許濺鍍粒子通過的複數個第1透孔61b。於本實施形態中，係於第2靶材61的中央開設1個第1透孔61b，並於其之徑方向外側在周方向上以等間隔開設有6個第1透孔61b。第1透孔61b的孔徑和個數及各第1透孔61b的配置，係考慮成膜於基板Sw後之膜厚分布而適當設定。於此情況中，較理想為，第1透孔61b之開口率係設定為15%～75%。若低於15%，則成膜速率會變得過慢而不適合量產，另一方面，若高於75%，則附著於第2靶材61的附著面61a之濺鍍粒子的量會變少。又，較理想為，第1透孔61b之縱橫比(=第2靶材61的厚度/第1透孔61b的孔徑)，係設定為0.5以上。若小於0.5，則無法使通過第2靶材61的濺鍍粒子具有直進性。另外，複數個第1透孔61b，亦可以各個的孔徑皆相異的方式作開設。
進而，於第2靶材61，係連接有來自偏壓電源62的輸出62a，並構成為在成膜中，於形成電漿氛圍時投入具有較施加於第1靶材21之直流電壓更低之負的直流電位(以下稱為「偏壓電壓」)之偏壓電力。於此情況中，施加於第2靶材61的偏壓電壓，係以使相對於直流電壓之比成為2%～90%之範圍的方式而被作設定。若偏壓電壓相對於直流電壓之比偏離上述範圍，則例如，相較於第1靶材21之濺鍍，第2靶材61之濺鍍係成為支配性的，而使有助於成膜的濺鍍粒子之量變少，結果，變得無法將Cu膜以特定膜厚成膜，或使成膜速率明顯降低。另外，上述濺鍍裝置SM，係具有具備微電腦或是序列器等之周知的控制手段(圖示省略)，並構成為對於真空排氣手段Pu之作動、質量流控制器13之作動、濺鍍電源21c之作動、馬達23、42之作動、偏壓電源62之作動及後述之移動手段72之作動等作統籌控制。以下，以藉由上述濺鍍裝置SM而於基板Sw表面成膜Cu膜的情況為例來對於成膜方法進行說明。
於真空腔1內設置了第1靶材21、第2靶材61及防附著板5等之各種的零件，之後，使真空排氣手段Pu作動，而將真空腔1進行真空排氣。接著，藉由圖外的真空搬送機器人而將基板Sw搬送至平台4上，並將基板Sw載置於平台4之吸盤板41上。若真空搬送機器人退避，則對於吸盤板41之電極施加特定電壓，以將基板Sw靜電吸附於吸盤板41上。
若真空腔1內被真空抽氣直到特定壓力(例如，1×10-5 Pa)，則經由氣體導入管12來將作為濺鍍氣體的氬氣以一定的流量(例如，氬分壓為0.5Pa)來導入，與此一併地，對於第1靶材21從濺鍍電源21c投入具有負的電位(例如，600V)之特定電力(例如，5～30kW)。藉由此，於真空腔1內形成電漿氛圍，藉由電漿中之氬氣的離子使第1靶材21之濺鍍面21b被濺鍍，而使濺鍍粒子從第1靶材21飛散。濺鍍粒子，係通過第2靶材61的第1透孔61b來附著、堆積於基板Sw表面，而成膜Cu膜。
在此，藉由第1靶材21之濺鍍而飛散的濺鍍粒子之一部分，雖然也會附著於第2靶材61的上面(附著面)61a，但是，藉由對於第2靶材61從偏壓電源62施加偏壓電壓(例如100～150V)，藉由電漿中的氬氣之離子，第2靶材61之附著面61a也會被濺鍍，而使再濺鍍粒子飛散，且其之一部分會附著於第1靶材21的濺鍍面21b。附著於此濺鍍面21b的再濺鍍粒子，會再度被濺鍍，藉由濺鍍而飛散的濺鍍粒子之一部分係附著於基板Sw表面。
若依據以上之實施形態，則藉由使朝向基板Sw飛散的濺鍍粒子之一部分暫時附著於第2靶材61的附著面61a來回收，並且也對此附著有濺鍍粒子的附著面61a進行濺鍍，使包含所附著的濺鍍粒子之再濺鍍粒子返回第1靶材21之濺鍍面21b(還原)，而使提高第1靶材21之利用效率一事成為可能。並且，藉由使第2靶材61正對著第1靶材21，而可使更多從第1靶材21飛散的濺鍍粒子當中無助於成膜者附著於第2靶材61之附著面61a來作回收。因此，可使更多的再濺鍍粒子返回第1靶材21之濺鍍面21b，而可更進一步提高第1靶材21之利用效率。
又，由於從第1靶材21飛散的濺鍍粒子是通過被開設於第2靶材61的第1透孔61b來射入至基板Sw，因此第2靶材61本身，係發揮對相對於朝與基板Sw表面正交的方向延伸的假想線L1而超過特定角度來射入至基板Sw的濺鍍粒子作限制之作為準直儀的功能，於在被形成於基板Sw表面的孔或溝渠之類的凹部之底面及側面成膜的情況時，能夠以良好的被覆性及對稱性成膜特定的薄膜。其結果，無須如同上述LTS方式之濺鍍裝置般地將T/S距離設定得較長，而可將裝置構造小型化，並且亦進而可提昇成膜速率，而為有利。
以上，雖針對本發明之實施形態作了說明，但本發明係並不限定於上述實施形態，在不脫離本發明之趣旨的範圍內，可進行各種之變形。於上述實施形態中，依據第2靶材61處之第1透孔61b的配置等，係有在被成膜於基板Sw表面的薄膜之膜厚分布中產生不均的情況。因此，亦可如第3圖所示之變形例的濺鍍裝置般地，在第2靶材61與平台4之間的空間設置有分布板7，該分布板7，係對通過第2靶材61的第1透孔61b來朝向基板Sw之濺鍍粒子的一部分作限制。於這樣的分布板7處，係如第4圖所示般地，形成有開口部71，該開口部71，係容許濺鍍粒子之朝向基板Sw側通過並具有扇狀的輪廓。亦即，開口部71，係被構成為，以分布板7的特定位置(例如，對應於基板Sw中心的位置)作為起點71a，來隨著從此起點71a起朝向徑方向外側而使其之開口面積逐漸增加。開口部71之中心角θ，係因應於膜厚分布而適當設定。此開口部71，亦可作為缺口部而被作形成，又，並不限定於被設置於分布板7之1處的情況，亦可離散地作為複數個開口部而被作設置。亦可被構成為，於分布板7的側面處連接移動手段72之驅動軸72a，而可沿著相對於第1靶材21的中心之基板Sw的偏位方向(第1圖中之左右方向)來移動分布板7。
又，於第2靶材61與平台4之間的空間(於本變形例中，係為第2靶材61的正下方)處，係與第2靶材61相對向地設置有接地電位之電極板8。藉由此，而避免於第2靶材61與基板Sw之間的空間形成電漿氛圍而使第2靶材61的下面被濺鍍的問題產生。另外，於電極板8處，係與第2靶材61之第1透孔61b相對應地開設有容許濺鍍粒子通過的複數個第2透孔81，來自第1靶材21之濺鍍粒子，係通過第2靶材61之第1透孔61b與電極板8之第2透孔81來附著於基板Sw。
於上述實施形態中，雖然是以為了使用較小的第1靶材21來在較大的基板Sw表面成膜薄膜，而使基板Sw從第1靶材21之中心起朝向徑方向之其中一方被作偏位的情況為例來作了說明，但是，在第1靶材21之中心與基板Sw之中心位置於同一線上的情況中亦可適用本發明。於此情況中，亦同樣的，由於第2靶材61本身，會發揮對相對於將基板Sw與第1靶材21的中心連結的假想線而超過特定角度來射入至基板Sw的濺鍍粒子作限制之作為準直儀的功能，因此無須將T/S距離設定得較長。
又，於上述實施形態中，雖然是以作為第1及第2靶材21、61而使用Cu製者來於基板Sw表面成膜Cu膜的情況為例來進行了說明，但是，並不被限定於此，在成膜Cu膜以外之Al等之金屬膜的情況，和成膜氧化鋁等之絕緣物膜的情況中，亦可適用本發明。
又，依據第1靶材21與第2靶材61之間的距離、和施加於第2靶材61之偏壓電壓，係會有在第1靶材21與第2靶材61之間的放電成為不安定的情況。於此情況中，亦可為了使放電安定化，而構成為，於通常接地電位之防附著板5連接施加具有正的電位之電壓的電源之輸出，而使防附著板5兼用作為屏蔽。
於上述實施形態中，對附著體(第2靶材)61之偏壓電壓的施加，雖是在第1靶材21之濺鍍中進行，但，亦可作為另一工程，而在以第1靶材21之濺鍍所致之成膜結束後單獨進行。亦即，包含：將第1靶材21進行濺鍍來使濺鍍粒子附著於第2靶材(附著體)61的第1工程、和對於第2靶材61施加偏壓電位，而使附著於第2靶材61的濺鍍粒子再附著於第1靶材的第2工程。於此情況中，施加於第2靶材61的偏壓電位，係無須較施加於第1靶材21的電壓更低。
於上述實施形態中，雖然是以作為附著體而設置第2靶材61的情況為例來進行了說明，但例如，可將如防附著板5一般之在真空腔1內被配置於供從第1靶材21飛散的濺鍍粒子附著的位置者，設為附著體。於此情況中，只要是將防附著板5以與第1靶材21同種的材料形成、或將防附著板5之供濺鍍粒子附著的內周面(附著面)以與第1靶材21同種的材料覆蓋，並於防附著板5連接偏壓電源即可。
SM:濺鍍裝置 Sw:基板(被處理基板) 1:真空腔 21:靶材、第1靶材 4:平台 61:附著體、第2靶材 61a:附著面 61b:第1透孔 62:偏壓電源 7:分布板 8:電極板 81:第2透孔
[第1圖]係對於本發明之實施形態之濺鍍裝置作展示的示意性剖面圖。 [第2圖]係為第1圖中所示之第2靶材的示意性平面圖。 [第3圖]係對於本發明之變形例之濺鍍裝置作展示的示意性剖面圖。 [第4圖]係為第3圖中所示之分布板的示意性平面圖。
1:真空腔
2:陰極單元
4:平台
5:防附著板
11:排氣管
12:氣體導入管
13:質量流控制器
21:靶材、第1靶材
21a:背板
21b:濺鍍面
21c:濺鍍電源
21d:輸出
22:磁鐵單元
22a:磁軛
22b:中心磁鐵
22c:周邊磁鐵
23:馬達
23a:旋轉軸
31:絕緣體
32:卡止部
33:絕緣體
41:夾盤
42:馬達
42a:旋轉軸
61:附著體、第2靶材
61a:附著面
61b:第1透孔
62:偏壓電源
62a:輸出
d:距離
L1:假想線
L2:假想線
Pu:真空排氣手段
SM:濺鍍裝置
Sw:基板(被處理基板)

Claims (7)

  1. 一種濺鍍裝置，其係具備配置有第1靶材的真空腔，於前述真空腔內形成電漿氛圍來將前述第1靶材進行濺鍍，使從前述第1靶材飛散的濺鍍粒子附著、堆積於被配置在前述真空腔內的被處理基板表面，而成膜特定的薄膜，其特徵為，在從前述第1靶材飛散的濺鍍粒子所附著之前述真空腔內的特定位置處，設置有具備濺鍍粒子的附著面之與前述第1靶材同種材料製之板狀之第2靶材，在前述第2靶材處，係開設有貫通前述第2靶材之板厚方向並容許濺鍍粒子之通過的第1透孔，前述第1透孔之開口率係被設定為15%~75%之範圍，於前述第2靶材連接有偏壓電源，該偏壓電源，係在電漿氛圍之形成時施加具有負的電位之偏壓電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍裝置，其中，前述第1靶材與前述被處理基板，係在真空腔內被作對向配置，前述第2靶材，係在前述第1靶材與前述被處理基板之間的空間被與前述第1靶材相對向地作設置。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之濺鍍裝置，其 中，前述第1透孔係由複數個透孔所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之濺鍍裝置，其中，係進一步具備平台，該平台，係將從前述被處理基板朝向前述第1靶材的方向設為上，前述第1靶材與前述被處理基板，係在與上下方向正交的方向上被作偏位，且將前述被處理基板旋轉自如地作保持，在前述第2靶材與前述平台之間的空間設置有分布板，該分布板，係對通過前述第2靶材的前述第1透孔而朝向前述被處理基板之濺鍍粒子的一部分作限制。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之濺鍍裝置，其中，係在前述第2靶材與前述平台之間的空間，設置有接地電位的電極板，該電極板，係開設有容許濺鍍粒子通過的第2透孔。
  6. 一種濺鍍方法，其係使用有如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍裝置，其特徵為，係包含有：在將前述第1靶材進行濺鍍來使濺鍍粒子附著於前述第2靶材的同時，對於前述第2靶材施加較被施加於前述第1靶材之電壓更低的偏壓電位，而使附著於前述第2靶材的濺鍍粒子再附著於前述第1靶材的工程。
  7. 一種濺鍍方法，其係使用有如申請專利範圍第1項所 記載之濺鍍裝置，其特徵為，係包含有：將前述第1靶材進行濺鍍來使濺鍍粒子附著於前述第2靶材的第1工程、和對於前述第2靶材施加偏壓電位而使附著於前述第2靶材的濺鍍粒子再附著於前述第1靶材的第2工程。
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