KR20130023282A - 스퍼터 성막 장치 - Google Patents

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KR20130023282A
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sputtering
vacuum chamber
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타츠노리 이소베
테츠히로 오노
시게미츠 사토
토모카즈 수다
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울박, 인크
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Abstract

타겟의 스퍼터면 전체를 스퍼터하여 타겟의 사용 효율을 높이고, 아킹을 발생시키지 않는 스퍼터 성막 장치를 제공한다. 도전성의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주를 둘러싸는 방착부재(251)를 절연성의 세라믹스로 형성한다. 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 스퍼터면(231)의 외주의 안쪽에 들어가는 위치와, 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측으로 삐져 나오는 위치와의 사이에 자석 장치(261)를 이동시키면서, 반응 가스 분위기중에서 타겟(211)을 스퍼터 한다. 타겟(211)의 스퍼터면(231) 전체가 스퍼터 되므로, 타겟(211)상에 절연성의 화합물은 퇴적하지 않고, 아킹은 발생하지 않는다.

Description

스퍼터 성막 장치{SPUTTER DEPOSITION DEVICE}
본 발명은, 스퍼터 성막 장치와 관련된 것으로, 특히 Si타겟을 O2가스 분위기중에서 스퍼터 하여 SiO2의 박막을 형성하는 기술 분야에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(TFT)의 채널층의 보호막이나, 청판 유리의 배리어막 등에 SiO2의 박막이 이용되고 있다. 근래, 대면적화하는 성막 대상물에 SiO2의 박막을 형성하는 방법으로서는, Si타겟을 O2가스 분위기중에서 화학 반응시키면서 스퍼터링 하는 반응성 스퍼터가 일반적으로 행해지고 있다.
도 8은 종래의 스퍼터 성막 장치(110)의 내부 구성도를 도시하고 있다.
스퍼터 성막 장치(110)는 진공조(111)와 복수의 스퍼터부(1201)~(1204)를 가지고 있다. 각 스퍼터부(1201)~(1204)의 구조는 동일하고, 부호(1201)의 스퍼터부로 대표하여 설명하면, 스퍼터부(1201)는 타겟(1211)과, 버킹 플레이트(1221)와, 석 장치(1261)를 가지고 있다.
타겟(1211)은 여기에서는 Si이며, 버킹 플레이트(1221) 표면의 크기보다 작은 평판 형상으로 형성되고, 타겟(1211)의 외주 전체가 버킹 플레이트(1221) 표면의 외주보다 안쪽에 위치하고, 버킹 플레이트(1221) 표면의 주연부가 타겟(1211)의 외주로부터 노출하도록 버킹 플레이트(1221) 표면에 중첩되어 합쳐져 있다.
자석 장치(1261)는 버킹 플레이트(1221)의 이면 측에 배치되어 있다. 자석 장치(1261)는 버킹 플레이트(1221)와 평행한 자석 고정판(127c1)상에, 직선 형상으로 배치된 중심 자석(127b1)과, 중심 자석(127b1)의 주연부로부터 소정 거리를 두고 환상으로 중심 자석(127b1)을 둘러싸는 외주 자석(127a1)을 가지고 있다. 외주 자석(127a1)과 중심 자석(127b1)은 각각 타겟(1211)의 이면에, 서로 다른 극성의 자극을 대향시켜 배치되어 있다.
자석 장치(1261)의 뒤편에는 이동 장치(129))가 배치되고, 자석 장치(1261)는 이동 장치(129))에 장착되어 있다. 이동 장치(129))는 자석 장치(1261)를 타겟(1211)의 이면에 평행한 방향으로 이동시키도록 구성되어 있다.
스퍼터 성막 장치(110)의 전체의 구조를 설명하면, 각 스퍼터부(1201)~(1204)의 버킹 플레이트(1221)~(1224)는, 진공조(111)의 안쪽의 벽면상에 서로 이간하여 일렬로 나란히 배치되어 있다. 각 버킹 플레이트(1221)~(1224)는 절연물(114)을 개재하여 진공조(111)의 벽면에 장착되고, 진공조(111)와 전기적으로 절연되어 있다.
각 버킹 플레이트(1221)~(1224)의 외주의 외측에는, 각 버킹 플레이트(1221)~(1224)의 외주와 이간하여 금속제의 방착부재(125))가 입설되고, 진공조(111)와 전기적으로 접속되어 있다. 방착부재(125))의 선단은 각 버킹 플레이트(1221)~(1224)의 주연부를 덮도록 타겟(1211)~(1214)의 외주를 향하여 직각으로 굽힐 수 있고, 타겟(1211)~(1214)의 표면을 링 형상으로 둘러싸고 있다. 타겟(1211)~(1214)의 표면중 방착부재(125))의 링의 내주에 노출하는 부분을 스퍼터면이라고 부른다.
진공조(111)의 배기구에 진공 배기 장치(112)를 접속하고, 진공조(111)내를 진공 배기하여 둔다. 진공조(111)내에 성막 대상물(131)을 성막 대상물 보호 지지부(132)에 재치하여 반입하고, 각 타겟(1211)~(1214)의 스퍼터면과 이간하여 대면하는 위치에 정지시킨다.
진공조(111)의 도입구에 가스 도입계(113)를 접속하여, 진공조(111)내에 스퍼터 가스인Ar가스와 반응 가스인 O2가스와의 혼합 가스를 도입하면, O2가스는 각 타겟(1211)~(1214)의 표면과 반응하여 산화물 SiO2를 형성한다.
각 버킹 플레이트(1221)~(1224)에 전원 장치(135)를 전기적으로 접속하여, 서로 이웃하는 두개의 타겟에 서로 역극성의 교류 전압을 인가하면, 서로 이웃하는 두개의 타겟중 한쪽이 정전위에 놓여질 때는 다른 한쪽이 부전위에 놓여진 상태가 된다. 서로 이웃하는 타겟간에 방전이 발생하고, 각 타겟(1211)~(1214)과 성막 대상물(131)과의 사이의Ar가스가 플라즈마화 된다.
혹은, 각 버킹 플레이트(1221)~(1224)와 성막 대상물 보호 지지부(132)와에 전원 장치(135)를 전기적으로 접속하고, 각 타겟(1211)~(1214)과 성막 대상물(131)에 서로 역극성의 교류 전압을 인가하여, 각 타겟(1211)~(1214)과 성막 대상물(131)과의 사이에 방전을 발생시켜, 각 타겟(1211)~(1214)과 성막 대상물(131)과의 사이의Ar가스를 플라즈마화 하여도 된다. 이 경우는, 단수의 타겟에서도 실시할 수 있다.
플라즈마중의 Ar 이온은 자석 장치(1261)~(1264)가 타겟(1211)~(1214)상에 있어서 버킹 플레이트(1221)~(1224)의 반대측의 표면에 형성하는 자장에 포착된다. 각 타겟(1211)~(1214)이 부전위에 놓여질 때,Ar이온은 해당 타겟(1211)~(1214)의 스퍼터면에 충돌하고, SiO2의 입자를 날려 버린다. 날아 가버린 SiO2의 일부는 성막 대상물(131)의 표면에 부착한다.
각 타겟(1211)~(1214)상에 생기는 자장은, 상술한 자석 장치(1261)~(1264)의 구조상 불균일하게 되기 때문에, 비교적 자력 밀도의 높은 부분에서는Ar이온이 집중되고, 주위의 비교적 자력 밀도의 낮은 부분에 비해 타겟(1211)~(1214)이 빨리 깎여진다. 이와 같이 타겟(1211)~(1214)이 국소적으로 깎여지는 부분(침식(erosion))이 생기는 것을 막기 위해서, 자석 장치(1261)~(1264)를 이동시키면서 스퍼터 하는 것이지만, 자장에 포착된 플라즈마가, 전기적으로 접지된 방착부재(125))와 접촉하면 이상 방전(아킹)이 다발하기 때문에, 외주 자석(127a1)~(127a4)의 링의 외주 전체가 스퍼터면의 외주보다 안쪽에 위치하는 범위내에서 이동시킬 필요가 있다.
그 때문에, 각 타겟(1211)~(1214)의 외연부에는 플라즈마가 닿지 않고, 스퍼터 되지 않는 영역(비침식 영역)이 생긴다. 각 타겟(1211)~(1214)의 비침식 영역과, 방착부재(125))의 표면에는 절연성의 SiO2가 퇴적하여 절연성의 박막(절연 박막)을 형성한다. 절연 박막상에는 전하가 축적되게 되어, 전하량이 있는 문턱값을 넘은 곳에서 절연 박막이 절연 파괴를 일으키고, 타겟(1211)~(1214)에 급격하게 전류가 흘러, 이상 방전(아킹)이 발생한다고 하는 문제가 있었다.
특허 문헌 1 : 일본국 특개 평4－210471호 공보
본 발명은 상기 종래 기술의 불합리함을 해결하기 위해서 창작된 것이며, 그 목적은, 타겟의 스퍼터면 전체를 스퍼터 하여 타겟의 사용 효율을 높이고, 아킹을 발생시키지 않는 스퍼터 성막 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 진공조와, 상기 진공조내를 진공 배기하는 진공 배기 장치와, 상기 진공조내에 가스를 도입하는 가스 도입계와, 상기 진공조내에 노출하는 스퍼터면을 가지는 타겟과, 상기 진공조내에 배치되고, 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 주위를 둘러싸도록 상기 타겟에 설치된 방착부재와, 상기 타겟의 상기 스퍼터면과 역의 이면 측에 배치된 자석 장치와, 상기 타겟에 전압을 인가하는 전원 장치와, 상기 자석 장치를 상기 타겟의 상기 이면에 평행한 방향으로 이동시키는 이동 장치를 가지고, 상기 자석 장치는 상기 타겟의 상기 이면에 대향하는 링 형상의 외주 자석과, 상기 외주 자석의 형성하는 링의 안쪽에 배치된 중심 자석을 가지고, 상기 외주 자석이 상기 타겟의 상기 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성과, 상기 중심 자석이 상기 타겟의 상기 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성이 서로 다른 스퍼터 성막 장치이며, 상기 방착부재는 절연성의 세라믹스로 형성되고, 상기 이동 장치는 상기 자석 장치를, 상기 외주 자석의 외주 전체가 상기 스퍼터면의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 상기 외주 자석의 외주의 일부가 상기 스퍼터면의 외주의 외측으로 삐져 나오는 위치와의 사이에 이동시키는 스퍼터 성막 장치이다.
본 발명은 스퍼터 성막 장치이며, 상기 타겟은 Si이며, 상기 가스 도입계는 O2가스를 방출하는 O2가스원을 가지는 스퍼터 성막 장치이다.
본 발명은 스퍼터 성막 장치이며, 상기 타겟과, 상기 타겟에 설치된 상기 방착부재와, 상기 타겟의 상기 이면 측에 배치된 상기 자석 장치를 포함한 스퍼터부를 복수 가지고, 각 상기 스퍼터부의 상기 타겟은 서로 이간하여 일렬로 나란히 배치되고, 각각 상기 스퍼터면은 상기 진공조내에 반입된 성막 대상물을 향하고, 상기 전원 장치는 각 상기 스퍼터부의 상기 타겟에 각각 전압을 인가하도록 구성되고, 상기 이동 장치는 하나의 상기 스퍼터부의 상기 자석 장치를, 해당 자석 장치의 상기 외주 자석의 외주 전체가 해당 스퍼터부의 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 해당 외주 자석의 외주의 일부가 해당 타겟의 상기 스퍼터면의 외주와, 해당 타겟에 인접하는 다른 상기 스퍼터부의 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 외주와의 사이에 삐져 나오는 위치와의 사이에 이동시키는 스퍼터 성막 장치이다.
타겟의 스퍼터면 전체를 스퍼터 할 수 있으므로, 타겟의 사용 효율이 올라가고, 타겟의 수명이 늘어난다.
도전성의 타겟상에 절연물을 퇴적시키지 않기 때문에, 아킹이 발생하지 않고, 아킹에 의한 타겟의 손상을 방지할 수 있고, 또한 형성하는 박막의 불순물에 의한 오염을 방지할 수 있다.
서로 이웃하는 타겟의 외주간의 틈새를 넓힐 수 있으므로, 사용하는 타겟재의 양을 줄일 수가 있고, 코스트 다운이 된다.
도 1은 본 발명인 스퍼터 성막 장치의 내부 구성도이며,
도 2는 본 발명인 스퍼터 성막 장치의a－A선 절단 단면도이며,
도 3은 본 발명인 스퍼터 성막 장치의b－B선 절단 단면도이며,
도 4는 본 발명인 스퍼터 성막 장치의 제 2 예의 내부 구성도이며,
도 5는 (a),(b)：스퍼터중의 스퍼터부의 단면을 나타내는 모식도이며,
도 6은 종래의 스퍼터 성막 장치로 스퍼터 한 후의 타겟 표면의 각(角)부분을 촬영한 사진이며,
도 7은 본 발명의 스퍼터 성막 장치로 스퍼터 한 후의 타겟 표면의 각부분을 촬영한 사진이며,
도 8은 종래 기술의 스퍼터 성막 장치의 내부 구성도이다.
본 발명의 스퍼터 성막 장치의 구조를 설명한다.
도 1은 스퍼터 성막 장치(10)의 내부 구성도를 도시하고, 도 2는 동A－A선 절단 단면도, 도 3은 동B－B선 절단 단면도를 도시하고 있다.
스퍼터 성막 장치(10)는 진공조(11)와 복수의 스퍼터부(201)~(204)를 가지고 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 구조는 동일하고, 부호(201)의 스퍼터부로 대표하여 설명한다.
스퍼터부(201)는 진공조(11)내에 노출되어 스퍼터 되는 스퍼터면(231)을 가지는 타겟(211)과, 버킹 플레이트(221)와, 진공조(11)내에 배치되고, 타겟(211)의 스퍼터면(231)을 둘러싸도록 타겟(211)에 설치된 방착부재(251)와, 타겟(211)의 스퍼터면(231)과 역의 이면 측에 배치된 자석 장치(261)를 가지고 있다.
타겟(211)은 산소나 질소와 반응하면 절연성의 화합물을 형성하는 도전성 재료이며, 예를 들면, Si이다.
타겟(211)은 표면의 크기가 버킹 플레이트(221) 표면보다 작은 평판 형상으로 형성되고, 타겟(211)의 외주 전체가 버킹 플레이트(221)의 외주보다 안쪽에 위치하고, 버킹 플레이트(221)의 주연부의 사방이 타겟(211)의 외주로부터 노출하도록 버킹 플레이트(221) 표면에 중첩되어 합쳐져 있다.
방착부재(251)는 절연성의 세라믹스이며, 링 형상으로 되어 있다. 여기서 말하는 「링 형상」이란, 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 주위를 둘러싸는 형상을 나타내는 것이며, 반드시 하나의 연결고리가 없는 원환인 것을 의미하지 않는다. 즉, 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 주위를 둘러싸는 형상이라면 되고, 복수의 부품으로 이루어져도 되고, 어느 부분에 직선적인 형상을 가지고 있어도 된다.
여기에서는 도 2에 도시하는 바와 같이, 방착부재(251)의 링의 외주는 버킹 플레이트(221)의 외주보다 크고, 링의 내주는 타겟(211)의 외주와 동일하거나 그것보다 크게 되어 있다.
방착부재(251)는 링의 중심이 타겟(211)의 중심과 겹치는 것 같은 상대 위치이며, 버킹 플레이트(221)의 타겟(211)이 고정된 표면상에 배치되고, 버킹 플레이트(221)의 노출된 주연부를 가리고, 링의 내주에서 타겟(211)의 외주를 둘러싸고 있다.
방착부재(251)의 링의 내주와 타겟(211)의 외주와의 틈새에 후술하는 플라즈마가 침수하지 않도록, 링의 내주는 가능한 한 작은 것이 바람직하다.
타겟(211)의 양면중 버킹 플레이트(221)와 밀착한 쪽의 면을 이면, 그 역을 표면이라고 부르면, 방착부재(251)의 링의 안쪽에는 타겟(211)의 표면 전체가 노출하고, 타겟(211)의 표면 전체가 스퍼터 되는 스퍼터면을 이루고 있다. 부호(231)는 스퍼터면을 나타내고 있다.
즉, 방착부재(251)는 타겟(211)의 표면중 스퍼터면(231)을 포함한 면이 불연속이 되는 타겟(211) 단부에, 스퍼터면(231)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다.
본 발명의 방착부재(251)는 링의 내주가 타겟(211)의 외주와 동일하거나 그것보다 큰 경우에 한정되지 않고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 링의 내주가 타겟(211)의 외주보다 작은 경우도 포함된다. 이 경우에는, 방착부재(251)를 위에서 설명한 바와 같이 타겟(211) 표면상에 배치하면, 방착부재(251)는 타겟(211)의 주연부를 덮기 때문에, 타겟(211) 표면중 방착부재(251)의 링의 안쪽에 노출된 부분이 스퍼터 되는 스퍼터면(231)이 된다.
자석 장치(261)는 버킹 플레이트(221)의 이면 측에 배치되고, 즉 타겟(211)의 이면 측에 배치되어 있다.
자석 장치(261)는 타겟(211)의 이면에 대향하는 링 형상의 외주 자석(27a1)과, 외주 자석(27a1)의 형성하는 링의 안쪽에 배치된 중심 자석(27b1)을 가지고 있다. 여기서 말하는 「링 형상」이란, 중심 자석(27b1)의 주위를 둘러싸는 형상을 나타내는 것이며, 반드시 하나의 연결고리가 없는 원환인 것을 의미하지 않는다. 즉, 중심 자석(27b1)의 주위를 둘러싸는 형상이면 되고, 복수의 부품으로 이루어져도 되고, 어느 부분에 직선적인 형상을 가지고 있어도 된다. 또한, 닫힌 원환 또는 원환을 닫힌 채로 변형시킨 형상이라도 좋다.
즉, 자석 장치(261)는 스퍼터면(231)에 자장을 발생시키는 방향으로 설치된, 중심 자석(27b1)과, 중심 자석(27b1)의 주위에 연속적인 형상으로 설치된 외주 자석(27a1)을 가지고 있다.
중심 자석(27b1)은 버킹 플레이트(221)와 평행한 자석 고정판(27c1)상에, 여기에서는 직선 형상으로 배치되고, 외주 자석(27a1)은 자석 고정판(27c1)상에서 중심 자석(27b1)의 주연부로부터 소정 거리를 두고 환상으로 중심 자석(27b1)을 둘러싸고 있다.
즉, 외주 자석(27a1)은 링 형상으로 되고, 외주 자석(27a1)의 링의 중심축선은 타겟(211)의 이면과 수직으로 교차하도록 향하고, 중심 자석(27b1)은 외주 자석(27a1)의 링의 안쪽에 배치되어 있다.
외주 자석(27a1)과 중심 자석(27b1)은 각각 타겟(211)의 이면에, 서로 다른 극성의 자극을 대향시켜 배치되어 있다. 즉, 외주 자석(27a1)이 타겟(211)의 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성과, 중심 자석(27b1)이 타겟(211)의 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성은 서로 차이가 난다.
스퍼터 성막 장치(10)의 전체의 구조를 설명하면, 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)는, 진공조(11)의 안쪽의 벽면상에, 각각 이면을 벽면과 대향시켜, 서로 이간하여 일렬로 나란히 배치되어 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)는 기둥 형상의 절연물(14)을 개재하여 진공조(11)의 벽면에 장착되고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)와 진공조(11)과는 전기적으로 절연되어 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)의 외주의 외측에는 기둥 형상의 지지부(24)가 입설되고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)는 지지부(24)의 선단에 고정되어 있다.
지지부(24)가 도전성의 경우에는, 지지부(24)는 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)의 외주로부터 이간되어 있다. 도전성의 지지부(24)는 진공조(11)에 전기적으로 접속되어 있지만, 방착부재(251)~(254)는 절연성이기 때문에, 가령 방착부재(251)~(254)가 버킹 플레이트(221)~(224)에 접촉하여도, 버킹 플레이트(221)~(224)와 진공조(11)는 전기적으로 절연되어 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에는 전원 장치(35)가 전기적으로 접속되어 있다. 전원 장치(35)는 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에 여기에서는 교류 전압을, 서로 이웃하는 두개의 타겟간에서는 겹치지 않게 반주기(半週期) 어긋나게 인가하도록 구성되어 있다(이른바, AC스퍼터 방식). 서로 이웃하는 두개의 타겟에 서로 역극성의 교류 전압이 인가되면, 서로 이웃하는 두개의 타겟중 한쪽이 정전위에 놓여질 때는 다른 한쪽이 부전위에 놓여진 상태가 되고, 서로 이웃하는 타겟간에 방전이 생기게 되어 있다. 교류 전압의 주파수는, 20kHz~70kHz(20kHz 이상 70kHz 이하)의 경우에는 서로 이웃하는 타겟간에서의 방전을 안정시켜 유지할 수 있으므로 바람직하고, 한층 더 바람직하게는 55kHz이다.
본 발명의 전원 장치(35)는 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에 교류 전압을 인가하는 구성에 한정되지 않고, 펄스 형상의 부전압을 여러 차례 인가하도록 구성하여도 된다. 이 경우에는, 서로 이웃하는 두개의 타겟중 한쪽의 타겟에 부전압의 인가를 끝마친 이후에, 또한 다음에 부전압의 인가를 시작하기전에, 다른 한쪽의 타겟에 부전압을 인가하도록 구성한다.
혹은, 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)와 후술하는 성막 대상물 보호 지지부(32)에 교류 전원인 전원 장치(35)를 전기적으로 접속하고, 각 타겟(211)~(214)와 성막 대상물(31)에 서로 역극성의 교류 전압을 인가하도록 구성하여도 된다(이른바, RF스퍼터 방식). 전원 장치(35)로부터 각 버킹 플레이트(221)~(224)와 성막 대상물 보호 지지부(32)에 각각 소정의 전압을 인가하면, 각 타겟(211)~(214)과 성막 대상물(31)과의 사이에 방전이 생기게 되어 있다.
RF스퍼터 방식으로는, AC스퍼터 방식과 비교하여, 사용하는 타겟의 수가 단수의 경우에도 실시할 수 있다고 하는 이점이 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 자석 장치(261)~(264)의 자석 고정판(27c1)~(27c4)의 이면 측에는 XY스테이지인 이동 장치(29)가 배치되고, 각 자석 장치(261)~(264)는 이동 장치(29)에 장착되어 있다. 이동 장치(29)에는 제어장치(36)가 접속되고, 제어장치(36)로부터 제어 신호를 받으면, 이동 장치(29)는 각 스퍼터부(201)~(204)의 자석 장치(261)~(264)를 해당 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 이면에 평행한 2방향(X축 방향 및 Y축 방향)으로 각각 이동시키도록 구성되어 있다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 구성은 같고, 부호(201)의 스퍼터부로 대표하여 설명하면, 제어장치(36)에는, 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측으로 삐져 나오는 위치가 기억된 기억장치(37)가 접속되어 있다. 삐져 나오는 위치는 X축과 Y축의 각각의 이동 축에 대하여 정의되어 있다.
제어장치(36)는 자석 장치(261)를, 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 기억장치(37)에 기억된 삐져 나오는 위치와의 사이를 이동시키도록 구성되어 있다. 후술하는 삐져 나오는 최소값보다 긴 거리를 삐져 나오는 위치가 기억장치(37)에 기억되어 있으면, 이러한 이동을 반복하는 동안에, 외주 자석(27a1)에 표면이 스퍼터면(231) 전체의 각 점의 바로 안쪽의 점이 적어도 한 번씩 대면하고, 또한, 외주 자석(27a1)의 외주가 스퍼터면(231)의 외주 사방의 각 부분과 적어도 한 번씩 교차하게 되어 있다.
후술하는 바와 같이 스퍼터중에 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측으로 삐져 나오면, 자석 장치(261)가 형성하는 자장에 포착된 플라즈마가 방착부재(251)와 접촉하지만, 방착부재(251)는 절연성의 세라믹스이며, 플라즈마가 방착부재(251)와 접촉하여도 이상 방전은 발생하지 않고, 스퍼터면(231)의 전체가 스퍼터 되게 되어 있다. 그 때문에, 종래보다 타겟(211)의 사용 효율이 올라가고, 타겟(211)의 수명이 늘어나게 된다.
또한, 각 스퍼터부(201)~(204)중 하나의 스퍼터부(예를 들면, 부호(201))와 그것에 인접하는 다른 스퍼터부(202)와의 관계로 말하면, 제어장치(36)는 하나의 스퍼터부(201)의 자석 장치(261)를 해당 자석 장치(261)의 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 해당 스퍼터부(201)의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 해당 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 해당 스퍼터면(231)의 외주와, 해당 타겟(211)에 인접하는 다른 스퍼터부(202)의 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 외주와의 사이에 삐져 나오는 위치와의 사이에서도 이동시키도록 구성되어 있다.
즉, 하나의 스퍼터부(201)의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주와, 해당 스퍼터부(201)에 인접하는 다른 스퍼터부(202)의 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 외주와의 사이를 외측 영역이라고 칭하면, 제어장치(36)는 해당 스퍼터부(201)의 자석 장치(261)를, 해당 자석 장치(261)의 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 해당 스퍼터부(201)의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 외측 영역으로 삐져 나오는 위치와의 사이에서도 이동시키도록 구성되어 있다.
바꾸어 말하면, 적어도 하나의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 뒤편에 설치된 자석 장치(261)는 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 해당 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 주위를 둘러싸는 방착부재(251)의 내주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 타겟(211)의 방착부재(251)의 내주보다 외측과 해당 타겟(211)에 인접하는 다른 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 주위를 둘러싸는 방착부재(252)의 내주와의 사이에 삐져 나오는 위치와의 사이에서 이동하도록 구성되어 있다.
그 때문에 본 발명에서는, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)의 크기를 종래와 동일하게 하고, 또한, 하나의 스퍼터부(여기에서는 부호(201))의 타겟(211)의 스퍼터면(231)중 스퍼터되는 침식 영역의 외주와, 인접하는 다른 스퍼터부(202)의 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 침식 영역의 외주와의 사이의 폭을 종래와 동일하게 하는 경우에는, 서로 이웃하는 타겟(211)~(214)의 외주간의 틈새를 종래보다 넓게 할 수 있으므로, 사용하는 타겟재의 양을 종래보다 줄일 수가 있어, 코스트 다운이 된다.
진공조(11)의 벽면에는 배기구가 설치되고, 배기구에는 진공 배기 장치(12)가 접속되어 있다. 진공 배기 장치(12)는 배기구로부터 진공조(11)내를 진공 배기하도록 구성되어 있다.
또한, 진공조(11)의 벽면에는 도입구가 설치되고, 도입구에는 가스 도입계(13)가 접속되어 있다. 가스 도입계(13)는 스퍼터 가스를 방출하는 스퍼터 가스원과, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)과 반응하는 반응 가스를 방출하는 반응 가스원을 가지고, 스퍼터 가스와 반응 가스와의 혼합 가스를 도입구로부터 진공조(11)내에 도입 가능하게 구성되어 있다.
상기 스퍼터 성막 장치(10)를 사용하여 SiO2의 박막을 형성하는 스퍼터 성막 방법을 설명한다.
먼저, 각 스퍼터부(201)~(204)의 자석 장치(261)~(264)의 외주 자석(27a1)~(27a4)의 외주의 일부를 해당 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)의 외주로부터 삐져나오게 하는 양의 최소값인 삐져나옴 최소값과, 최대값인 삐져나옴 최대값을 구하는 측정 공정을 설명한다.
도 2, 3을 참조하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)이 장착된 버킹 플레이트(221)~(224)를 진공조(11)내에 반입하여, 절연물(14)상에 배치한다. 여기에서는 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)에는 Si를 사용한다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)를 지지부(24)에 고정하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)의 링의 안쪽에 해당 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)을 노출시켜 둔다. 여기에서는 각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)에는Al2O3를 사용한다.
성막 대상물(31)을 진공조(11)내에 반입하지 않고, 진공 배기 장치(12)에 의해 진공조(11)내를 진공 배기한다. 이후, 진공 배기를 계속하여 진공조(11)내의 진공 분위기를 유지한다.
가스 도입계(13)로부터 진공조(11)내에 스퍼터 가스와 반응 가스와의 혼합 가스를 도입한다.
여기에서는 스퍼터 가스에Ar가스를 사용하고, 반응 가스에 O2가스를 사용하고, 진공조(11)내에 도입된 O2가스가 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214) 표면과 반응하고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 표면에 절연성의 산화물 SiO2를 형성하는, 이른바 산화 모드(Oxide　Mode)를 이루는 것 같은 유량으로 진공조(11)내에 혼합 가스를 도입한다. 여기에서는Ar가스를 50sccm, O2가스를 150 sccm의 유량으로 도입한다.
진공조(11)를 접지 전위로 해 둔다. 전원 장치(35)로부터 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에 20kHz~70kHz의 교류 전압을 인가하면, 서로 이웃하는 타겟(211)~(214)의 사이에 방전이 발생하고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)상의Ar가스가 전리되어 플라즈마화한다.
플라즈마중의Ar이온은 각 스퍼터부(201)~(204)의 자석 장치(261)~(264)가 형성하는 자장에 포착된다. 전원 장치(35)로부터 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에 부전압이 인가되어 있을 때,Ar이온은 부전압이 인가된 버킹 플레이트(221)~(224)상의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)에 충돌하고, 해당 스퍼터면(231)~(234)에 형성된 SiO2를 날려 버린다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)로부터 날아 가버린 SiO2의 일부는, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)에 재부착한다.
스퍼터중의 각 스퍼터부(201)~(204)의 상태는 동일하고, 부호(201)의 스퍼터부로 대표하여 설명한다. 도 5(a)는 측정 공정에서의 스퍼터중의 스퍼터부(201)의 단면을 나타내는 모식도이다.
외주 자석(27a1)의 외주 전체가 스퍼터면(231)의 외주의 안쪽에 위치하는 이동 범위내에서 자석 장치(261)를 이동시키면서 스퍼터면(231)을 스퍼터한다.
스퍼터를 계속하면, 스퍼터면(231)의 중앙부는 스퍼터 되어 오목형상으로 깎여진다. 스퍼터면(231)중 스퍼터 되어 깎여진 영역을 침식 영역이라고 부른다. 스퍼터면(231)중 침식 영역의 외측의 스퍼터 되지 않는 비침식 영역에는 재부착한 SiO2의 입자가 퇴적한다. 부호(49)는 퇴적한 SiO2의 박막을 나타내고 있다.
침식 영역의 외주를 시인(視認)할 수 있게 될 때까지 침식 영역을 깎는다.
그 다음에, 진공조(11)내의 진공 배기중의 가스 조성이나 압력을 모니터 하면서, 자석 장치(261)의 이동 범위를 서서히 넓혀, 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측으로 삐져 나오는 양을 서서히 크게 한다.
외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측으로 삐져 나오는 양이 커짐에 따라, 방착부재(251)상의 자장의 수평 성분이 커지고, 방착부재(251)가 스퍼터 되어 깎여지면, 진공조(11)내의 진공 배기중의 가스 조성이 변화한다. 진공조(11)내의 진공 배기중의 가스 조성의 변화로부터 방착부재(251)의 스퍼터가 확인되었을 때에, 외주 자석(27a1)의 외주의 스퍼터면(231)의 외주로부터의 삐져나옴량을 측정한다.
후술하는 생산 공정에서, 가령 방착부재(251)가 스퍼터하여 깎여지면, 방착부재(251)의 입자가 성막 대상물(31)의 표면에 부착하고, 성막 대상물(31)의 표면에 형성하는 박막이 불순물로 오염되게 되므로, 여기서 측정한 삐져나옴량을 삐져나옴 최대값으로 한다.
방착부재(251)의 경도가 스퍼터 되지 않을 정도 큰 경우에는, 외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 인접하는 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 안쪽에 삐져나와, 인접하는 타겟(212)의 스퍼터면(232)이 깎여지면, 진공조(11)내의 압력이 변화한다. 진공조(11)내의 압력의 변화로부터 인접하는 타겟(212)의 스퍼터면(232)의 스퍼터가 확인되었을 때에, 외주 자석(27a1)의 외주의 해당 스퍼터면(231)의 외주로부터의 삐져나옴량을 측정한다.
후술하는 생산 공정으로, 가령 하나의 스퍼터부(202)의 타겟(212)의 스퍼터면(232)이, 인접하는 스퍼터부(201)의 자석 장치(261)의 자장에 포착된 플라즈마에 의해 깎여지면, 성막 대상물(31)의 표면에 형성되는 박막의 평면성이 저하하므로, 여기서 측정한 삐져나옴량을 삐져나옴 최대값으로 한다.
그 다음에 도 3을 참조하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에의 전압 인가를 정지하고, 가스 도입계(13)로부터의 혼합 가스의 도입을 정지하여 스퍼터를 종료한다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)를 지지부(24)로부터 떼어내고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)을 버킹 플레이트(221)~(224)와 함께 진공조(11)의 외측에 반출한다.
도 5(a)를 참조하여, 침식 영역의 외주를 시인하여, 스퍼터면(231)중 스퍼터 되어 깎여진 침식 영역의 외주와 스퍼터면(231)의 외주와의 사이의 간격(L1)을 구한다.
외주 자석(27a1)의 외주로부터 여기서 구한 간격(L1)보다 안쪽은 스퍼터 되어 깎여지므로, 여기서 구한 간격(L1)을 삐져나옴 최소값으로 한다.
외주 자석(27a1)의 외주의 일부가 스퍼터면(231)의 외주의 외측에, 구한 삐져나옴 최소값보다 길고, 또한, 삐져나옴 최대값보다 짧은 거리를 삐져나오는 위치를 기억장치(37)에 기억한다.
그 다음에 생산 공정으로서 도 3을 참조하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 미사용의 타겟(211)~(214)이 장착된 버킹 플레이트(221)~(224)를 진공조(11)내에 반입하여, 절연물(14)상에 배치한다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 방착부재(251)~(254)를 지지부(24)에 고정하여, 각 방착부재(251)~(254)의 링의 안쪽에 해당 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)를 노출시킨다.
진공 배기 장치(12)에 의해 진공조(11)내를 진공 배기한다. 이후, 진공 배기를 계속하여 진공조(11)내의 진공 분위기를 유지한다.
진공조(11)내에 성막 대상물(31)을 성막 대상물 보호 지지부(32)에 재치하여 반입하고, 각 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)과 이간하여 대면하는 위치에 정지시킨다.
가스 도입계(13)로부터 진공조(11)내에 스퍼터 가스와 반응 가스와의 혼합 가스를, 상술한 준비 공정과 같은 유량으로 도입한다. 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 표면은, 진공조(11)내에 도입된 반응 가스인 O2가스와 반응하여 SiO2가 형성된다.
측정 공정과 마찬가지로, 전원 장치(35)로부터 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에 20kHz~70kHz의 교류 전압을 인가하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)과 성막 대상물(31)과의 사이의 스퍼터 가스인Ar가스를 플라즈마화하고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)을 스퍼터 한다.
각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 스퍼터면(231)~(234)로부터 날아 가버린 SiO2의 일부는, 성막 대상물(31)의 표면에 부착되고, 성막 대상물의 표면에 SiO2의 박막이 형성된다.
스퍼터중의 각 스퍼터부(201)~(204)의 상태는 동일하고, 부호(201)의 스퍼터부로 대표하여 설명한다.
스퍼터중에, 스퍼터부(201)의 자석 장치(261)에, 외주 자석(27a1)의 외주 전체가 해당 스퍼터부(201)의 타겟(211)의 스퍼터면(231)의 외주의 안쪽이 되는 위치와, 기억장치(37)에 기억된 삐져나온 위치와의 사이의 이동을 반복하게 한다.
방착부재(251)는 절연성의 재질로 형성되어 있기 때문에, 자석 장치(261)의 자장에 포착된 플라즈마가 방착부재(251)에 접촉하여도 이상 방전(아킹)은 생기지 않고, 스퍼터를 계속할 수 있다.
도 5(b)는 생산 공정에서의 스퍼터중의 스퍼터부(201)의 단면을 도시하는 모식도이다.
외주 자석(27a1)의 외주의 일부는 스퍼터면(231)의 외주 사방의 각 부분으로부터 측정 공정으로 구한 삐져나옴 최소값보다 긴 거리를 삐져나오도록 되어 있다. 스퍼터면(231)의 외주보다 안쪽 전체가 스퍼터 되어 깎여지고, 스퍼터면(231)에 재부착하는 SiO2는 퇴적하지 않는다.
종래의 스퍼터 성막 장치에서는 도전성의 타겟(211)에 절연성의 SiO2가 퇴적하기 위해서 타겟상에서 이상 방전(아킹)이 발생하고 있었지만, 본 발명의 스퍼터 성막 장치(10)에서는 타겟(211)에 SiO2가 퇴적하지 않기 때문에 타겟(211)상에서 아킹은 생기지 않는다.
도 6은 종래의 스퍼터 성막 장치로 스퍼터 한 후의 타겟 표면의 각(角)부분을 촬영한 사진을 나타내고, 도 7은 본 발명의 스퍼터 성막 장치로 스퍼터 한 후의 타겟 표면의 각부분을 촬영한 사진을 나타내고 있다. 도 7에서는 타겟의 주연부상에 Al2O3의 가림 부재를 배치하고 있다. 도 6에서는 타겟의 비침식 영역에 반점 형상의 아킹의 자국을 확인할 수 있지만, 도 7에서는 타겟상에 아킹의 자국은 확인하지 못하고, 아킹은 발생하지 않았던 것을 알수있다.
본 발명에서는, 타겟(211)상에서 아킹이 발생하지 않기 때문에, 아킹에 의한 타겟(211)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 성막 대상물(31)에 형성하는 박막의 불순물에 의한 오염을 방지할 수 있다.
더욱이 외주 자석(27a1)의 외주가 스퍼터면(231)의 외주로부터 삐져나오는 거리는, 측정 공정으로 구한 삐져나옴 최대값보다 짧은 거리로 제한되어 있다. 방착부재(251)가 스퍼터 되어 깎여지는 것을 방지할 수 있다.
방착부재(251)의 표면에는 재부착한 SiO2의 박막(49)이 퇴적하지만, 방착부재(251)는 절연성의 재질로 형성되어 있기 때문에, 퇴적한 SiO2의 박막(49)으로 절연 파괴는 일어나지 않고, 방착부재(251)상에서도 아킹은 발생하지 않는다.
방착부재(251)상에서 아킹이 발생하지 않기 때문에, 아킹에 의한 방착부재(251)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 성막 대상물(31)에 형성하는 박막의 불순물에 의한 오염을 방지할 수 있다.
도 2, 3을 참조하여, 스퍼터를 소정의 시간 계속하여 성막 대상물(31)의 표면에 소정 두께의 SiO2의 박막을 형성한 후, 각 스퍼터부(201)~(204)의 버킹 플레이트(221)~(224)에의 전압 인가를 정지하여, 가스 도입계(13)로부터의 혼합 가스의 도입을 정지하여 스퍼터를 종료한다.
성막 대상물(31)을 성막 대상물 보호 지지부(32)와 함께 진공조(11)의 외측에 반출하여 후속 공정으로 흘린다. 그 다음에, 미성막의 성막 대상물(31)을 성막 대상물 보호 지지부(32)에 재치하여 진공조(11)내에 반입하고, 상술한 생산 공정에 의한 스퍼터 성막을 반복한다.
혹은, 성막 대상물 보호 지지부(32)로부터 성막된 성막 대상물(31)을 떼어내고, 진공조(11)의 외측으로 반출하여 후속 공정으로 흘린다. 그 다음에, 미성막의 성막 대상물(31)을 진공조(11)내에 반입하고, 성막 대상물 보호 지지부(32)에 재치하여, 상술한 생산 공정에 의한 스퍼터 성막을 반복한다.
상기 설명에서는 스퍼터 성막 장치(10)가 스퍼터부(201)~(204)를 복수개 가지는 경우로 설명하였지만, 본 발명은 스퍼터부를 1개만 가지는 경우도 포함된다.
상기 설명에서는 반응 가스로서 O2가스를 사용하였지만, 반응 가스로서 N2가스 또는 O2가스와 N2가스와의 혼합 가스를 사용하고, 절연성의 SiOxNy의 박막을 형성하는 경우도 본 발명에 포함된다(x, y는, x＋y가 0보다 크고 2 이하라고 하는 관계를 만족하는 0이상의 실수이다).
상기 설명에서는 도 2를 참조하여, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)과 성막 대상물(31)을 각각 세운 상태로 대면시켰지만, 본 발명은 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)과 성막 대상물(31)이 서로 대면한다면 상기 배치에 한정되지 않고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 아래쪽에 성막 대상물(31)을 배치하여 서로 대면시켜도 되고, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 하부에 성막 대상물(31)을 배치하여 서로 대면시켜도 된다. 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 하부에 성막 대상물(31)을 배치하면, 성막 대상물(31)에 파티클이 낙하하여 박막의 품질이 저하하기 때문에, 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)의 윗쪽에 성막 대상물(31)을 배치하거나, 혹은 상술한 실시 예와 같이 각 스퍼터부(201)~(204)의 타겟(211)~(214)과 성막 대상물(31)을 각각 세운 상태로 대면시키는 쪽이 바람직하다.
또한, 도 1에서는 자석 장치(261)~(264)의 평면 형상은 세장 형상으로 나타나 있지만, 본 발명의 자석 장치(261)~(264)의 평면 형상은 세장 형상으로 한정되지 않는다.
10 : 스퍼터 성막 장치 11 : 진공조
12 : 진공 배기 장치 13 : 가스 도입계
201~204 : 스퍼터부 211~214 : 타겟
251~254 : 방착부재 261~264 : 자석 장치
27a1 : 외주 자석 27b1 : 중심 자석
29 : 이동 장치 31 : 성막 대상물
35 : 전원 장치

Claims (3)

  1. 진공조와,
    상기 진공조내를 진공 배기하는 진공 배기 장치와,
    상기 진공조내에 가스를 도입하는 가스 도입계와,
    상기 진공조내에 노출하는 스퍼터면을 가지는 타겟과,
    상기 진공조내에 배치되고, 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 주위를 둘러싸도록 상기 타겟에 설치된 방착부재와,
    상기 타겟의 상기 스퍼터면과 역의 이면 측에 배치된 자석 장치와,
    상기 타겟에 전압을 인가하는 전원 장치와,
    상기 자석 장치를 상기 타겟의 상기 이면에 평행한 방향으로 이동시키는 이동 장치와,
    를 가지고,
    상기 자석 장치는, 상기 타겟의 상기 이면에 대향하는 링 형상의 외주 자석과, 상기 외주 자석의 형성하는 링 안쪽에 배치된 중심 자석을 가지고, 상기 외주 자석이 상기 타겟의 상기 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성과, 상기 중심 자석이 상기 타겟의 상기 이면에 대향하고 있는 부분의 자극의 극성이 서로 다른 스퍼터 성막 장치이며,
    상기 방착부재는 절연성의 세라믹스로 형성되고,
    상기 이동 장치는 상기 자석 장치를, 상기 외주 자석의 외주 전체가 상기 스퍼터면의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 상기 외주 자석의 외주의 일부가 상기 스퍼터면의 외주의 외측으로 삐져 나오는 위치와의 사이에 이동시키는 스퍼터 성막 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟은 Si이며, 상기 가스 도입계는 O2가스를 방출하는 O2가스원을 가지는 스퍼터 성막 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟과, 상기 타겟에 설치된 상기 방착부재와, 상기 타겟의 상기 이면 측에 배치된 상기 자석 장치를 포함한 스퍼터부를 복수 가지고,
    각 상기 스퍼터부의 상기 타겟은 서로 이간하여 일렬로 나란히 배치되고, 각각 상기 스퍼터면은 상기 진공조내에 반입된 성막 대상물을 향하고,
    상기 전원 장치는 각 상기 스퍼터부의 상기 타겟에 각각 전압을 인가하도록 구성되고,
    상기 이동 장치는 하나의 상기 스퍼터부의 상기 자석 장치를, 해당 자석 장치의 상기 외주 자석의 외주 전체가 해당 스퍼터부의 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 외주보다 안쪽에 들어가는 위치와, 해당 외주 자석의 외주의 일부가 해당 타겟의 상기 스퍼터면의 외주와, 해당 타겟에 인접하는 다른 상기 스퍼터부의 상기 타겟의 상기 스퍼터면의 외주와의 사이에 삐져 나오는 위치와의 사이에서 이동시키는 스퍼터 성막 장치.
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