TWI488988B - 濺鍍成膜裝置 - Google Patents

濺鍍成膜裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI488988B
TWI488988B TW100119619A TW100119619A TWI488988B TW I488988 B TWI488988 B TW I488988B TW 100119619 A TW100119619 A TW 100119619A TW 100119619 A TW100119619 A TW 100119619A TW I488988 B TWI488988 B TW I488988B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering
target
magnet
outer circumference
portions
Prior art date
Application number
TW100119619A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201213575A (en
Inventor
Tatsunori Isobe
Tetsuhiro Ohno
Shigemitsu Sato
Tomokazu Suda
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of TW201213575A publication Critical patent/TW201213575A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI488988B publication Critical patent/TWI488988B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

濺鍍成膜裝置
本發明，係有關於濺鍍成膜裝置，特別是有關於在O2 氣體氛圍中而對Si靶材作濺鍍並形成SiO2 之薄膜的技術領域。
在薄膜電晶體(TFT)之通道層的保護膜或者是綠玻璃之阻障膜等之中，係利用有SiO2 之薄膜。近年來，作為在大面積化之成膜對象物上形成SiO2 之薄膜的方法，一般係進行有一面使Si靶材在O2 氣體氛圍中產生化學反應一面進行濺鍍之反應性濺鍍。
圖8，係對於先前技術之濺鍍裝置110之內部構成圖作展示。
濺鍍成膜裝置110，係具備有：真空槽111、和複數之濺鍍部1201 ～1204 。各濺鍍部1201 ～1204 之構造，係為相同，若是以符號1201 之濺鍍部為代表來作說明，則濺鍍部1201 係具備有靶材1211 、和擋板1221 、以及磁石裝置1261 。
靶材1211 ，於此係為Si，並被形成為較擋板1221 表面之大小而更小的平板形狀，靶材1211 之外周全體係位置在較擋板1221 表面之外周而更內側處，並以使擋板1221 表面之周緣部從靶材1211 之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋板1221 之表面上。
磁石裝置1261 ，係被配置在擋板1221 之背面側。磁石裝置1261 ，係在與擋板1221 相平行之磁石固定板127c1 上，具備有被配置為直線狀之中心磁石127b1 、和從中心磁石127b1 之周緣部而空出有特定距離地來以環狀而包圍中心磁石127b1 之外周磁石127a1 。外周磁石127a1 和中心磁石127b1 ，係分別在靶材1211 之背面處，使互為相異之極性的磁極相對向地來作配置。
在磁石裝置1261 之背面側處，係被配置有移動裝置129，磁石裝置1261 係被安裝在移動裝置129上。移動裝置129，係被構成為使磁石裝置1261 在與靶材1211 之背面相平行的方向上移動。
若是對於濺鍍成膜裝置110之全體的構造作說明，則各濺鍍部1201 ～1204 之擋板1221 ～1224 ，係在真空槽111之內側的壁面上相互分離的而並排為一列地作配置。各擋板1221 ～1224 ，係隔著絕緣物114而被安裝在真空槽111之壁面上，並被與真空槽111作電性絕緣。
在各擋板1221 ～1224 之外周的外側處，係與各擋板1221 ～1224 之外周相分離地而被立起設置有金屬製之防附著構件125，並被與真空槽111作電性連接。防附著構件125之前端，係以將各擋板1221 ～1224 之周緣部作覆蓋的方式，而被朝向靶材1211 ～1214 之外周作直角彎折，並以環狀來包圍靶材1211 ～1214 之表面。將靶材1211 ～1214 表面之中的露出於防附著構件125之環的內周處的部分，稱作濺鍍面。
在真空槽111之排氣口處，連接真空排氣裝置112，而預先對真空槽111內作真空排氣。將成膜對象物131載置在成膜對象物保持部132上，並搬入至真空槽111內，而使其在與各靶材1211 ～1214 之濺鍍面相分離並相對面的位置處靜止。
若是將氣體導入系113連接於真空槽111之導入口處，並將身為濺鍍氣體之Ar氣體和身為反應氣體之O2 氣體的混合氣體導入至真空槽111內，則O2 氣體係與各靶材1211 ～1214 之表面起反應，並形成氧化物SiO2 。
若是在各擋板1221 ～1224 處電性連接電源裝置135，並對於相鄰接之2個的靶材施加互為逆極性之交流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成為正電位時，另外一方係成為負電位的狀態。在相鄰接之靶材間，係產生放電，各靶材1211 ～1214 和成膜對象物131之間的Ar氣體係被電漿化。
或者是，將電源裝置135電性連接於各擋板1221 ～1224 和成膜對象物保持部132處，並對於各靶材1211 ～1214 和成膜對象物131施加互為相異極性之交流電壓，而在各靶材1211 ～1214 和成膜對象物131之間使放電產生，並使各靶材1211 ～1214 和成膜對象物131之間的Ar氣體電漿化。於此情況，就算是單數之靶材亦可作實施。
電漿中之Ar離子，係被磁石裝置1261 ～1264 在靶材1211 ～1214 上而於與擋板1221 ～1224 相反側之表面上所形成的磁場所捕捉。當各靶材1211 ～1214 成為負電位時，Ar離子係與該靶材1211 ～1214 之濺鍍面相碰撞，並將SiO2 之粒子彈飛。被彈飛的SiO2 之一部份，係附著於成膜對象物131之表面上。
在各靶材1211 ～1214 上所產生之磁場，由於上述之磁石裝置1261 ～1264 在構造上係成為不均一，因此，在相對上磁力密度較高的部分，Ar離子會集中，相較於周圍之相對上磁力密度較低的部分，靶材1211 ～1214 會更早地被削去。如此這般，為了防止在靶材1211 ～1214 處產生被局部性地削去的部分(侵蝕)，係設為一面使磁石裝置1261 ～1264 移動一面進行濺鍍，但是，被磁場所捕捉之電漿，若是與被作了電性接地之防附著構件125相接觸，則會經常發生異常放電(發弧)，因此，係有必要使其在外周磁石127a1 ～127a4 之環的外周全體會位置在較濺鍍面之外周而更內側的位置處之範圍內來作移動。
因此，在各靶材1211 ～1214 之外緣部處，電漿係並不會到達，而產生並未被濺鍍之區域(非侵蝕區域)。在各靶材1211 ～1214 之非侵蝕區域和防附著構件125之表面上，係堆積有絕緣性之SiO2 ，並形成絕緣性之薄膜(絕緣薄膜)。在絕緣薄膜上，係成為積蓄有電荷，在電荷量超過了某一臨限值時，絕緣薄膜會產生絕緣破壞，並在靶材1211 ～1214 處急遽地流動電流，而會有產生異常放電(發弧)的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平4-210471號公報
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種將靶材之濺鍍面全體作濺鍍，而提高靶材之使用效率，且不使發弧(arcing)產生之濺鍍成膜裝置。
為了解決上述課題，本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，係具備有：真空槽、和將前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、和具備有露出於前述真空槽內之濺鍍面的靶材、和被配置在前述真空槽內，並以包圍前述靶材之前述濺鍍面之周圍的方式而被設置在前述靶材處之防附著構件、和被配置在前述靶材之與前述濺鍍面相反的背面側處之磁石裝置、和對於前述靶材施加電壓之電源裝置、以及使前述磁石裝置在與前述靶材之前述背面相平行的方向上移動之移動裝置，前述磁石裝置，係具備有：與前述靶材之前述背面相對向的環狀之外周磁石、和被配置在前述外周磁石所形成之環的內側處之中心磁石，前述外周磁石之與前述靶材的前述背面相對向之部分的磁極之極性，和前述中心磁石之與前述靶材的前述背面相對向之部分的磁極之極性係互為相異，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：前述防附著構件，係藉由絕緣性之陶瓷所形成，前述移動裝置，係使前述磁石裝置，在前述外周磁石之外周全體為位在較前述濺鍍面之外周而更內側處的位置、和前述外周磁石之外周的一部份為超出至前述濺鍍面之外周的外側處的位置，此兩者之間作移動。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為Si，前述氣體導入系，係具備有放出O2 氣體之O2 氣體源。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，係具備有複數之濺鍍部，該濺鍍部，係包含有前述靶材、和設置在前述靶材處之前述防附著構件、以及配置在前述靶材之前述背面側的前述磁石裝置，各前述濺鍍部之前述靶材，係相互分離地而被並排配置成1列，並分別將前述濺鍍面朝向被搬入至前述真空槽內之成膜對象物，前述電源裝置，係構成為對於各前述濺鍍部之前述靶材而分別施加電壓，前述移動裝置，係使1個的前述濺鍍部之前述磁石裝置，在該磁石裝置之前述外周磁石的外周全體為位於較該濺鍍部的前述靶材之前述濺鍍面之外周而更內側處的位置、和該外周磁石之外周的一部份為超出於該靶材之前述濺鍍面的外周和與該靶材相鄰接之其他的前述濺鍍部之前述靶材的前述濺鍍面之外周之間的位置，此兩者間作移動。
由於係能夠對於靶材之濺鍍面全體而進行濺鍍，因此靶材之使用效率係提高，而靶材之壽命係延長。
由於並不使絕緣物堆積在導電性之靶材上，因此，係不會產生發弧，而能夠防止由於發弧所導致的靶材之損傷，並且亦可對於所形成之薄膜的由於雜質所導致之污染作防止。
由於係能夠將相鄰之靶材的外周間之空隙增廣，因此係能夠將所使用之靶材的量減少，而成為降低成本。
對於本發明之濺鍍成膜裝置的構造作說明。
圖1，係對於濺鍍成膜裝置10之內部構成作展示，圖2，係為其之A-A線切斷剖面圖，圖3，係為其之B-B線切斷剖面圖。
濺鍍成膜裝置10，係具備有：真空槽11、和複數之濺鍍部201 ～204 。
各濺鍍部201 ～204 之構造，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。
濺鍍部201 ，係具備有：具備露出於真空槽11內並被作濺鍍之濺鍍面231 的靶材211 、和擋板221 、和被配置在真空槽11內，並以將靶材211 之濺鍍面231 作包圍的方式而被設置在靶材211 處之防附著構件251 、以及被配置在靶材211 之與濺鍍面231 相反的背面側處之磁石裝置261 。
靶材211 ，係為若是與氧或氮起反應則會形成絕緣性之化合物的導電性材料，例如係為Si。
靶材211 ，係被形成為表面之大小為較擋板211 表面更小的平板形狀，靶材221 之外周全體係位置在較擋板221 表面之外周而更內側處，並以使擋板221 表面之周緣部從靶材211 之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋板221 之表面上。
防附著構件251 ，係為絕緣性之陶瓷，並被設為環狀。於此之所謂「環狀」，係指將靶材211 之濺鍍面231 的周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之圓環。亦即是，只要是將靶材211 之濺鍍面231 的周圍作包圍之形狀即可，而亦可為由複數之零件所成者，且亦可為在某一部份而具有直線性之形狀者。
於此，如圖2中所示一般，防附著構件251 之環的外周，係較擋板221 之外周更大，環之內周，係被設為和靶材211 之外周相同或者是較其更大。
防附著構件251 ，係在使環的中心與靶材211 之中心相重疊一般的相對位置處，而被配置在擋板221 之固定有靶材211 的表面上，並將擋板221 所露出之周緣部作覆蓋，而藉由環的內周來包圍靶材211 之外周。
較理想，係以盡量不會使後述之電漿侵入至防附著構件251 之環的內周和靶材211 的外周間之間隙處的方式，來將環的內周盡可能縮小。
若是將靶材211 之兩面中的與擋板221 相密著之面稱作背面，並將相反側稱作表面，則在防附著構件251 之環的內側處，係露出有靶材211 之表面全體，靶材211 之表面全體係成為被作濺鍍之濺鍍面。符號231 ，係代表濺鍍面。
亦即是，防附著構件251 ，係在靶材211 之表面中的包含濺鍍面231 之面成為不連續的靶材211 端部處，以包圍濺鍍面231 之周圍的方式而被作設置。
本發明之防附著構件251 ，係並不被限定於環的內周為與靶材211 之外周相同或者是較其更大的情況，而亦包含有如圖4中所示一般，環的內周為較靶材211 之外周更小的情況。於此情況，若是將防附著構件251 如同上述一般而配置在靶材211 表面上，則由於防附著構件251 係覆蓋靶材211 之周緣部，因此，靶材211 表面中之露出於防附著構件251 的環之內側處的部分，係成為被作濺鍍之濺鍍面231 。
磁石裝置261 ，係被配置在擋板221 之背面側，亦即是被配置在靶材211 之背面側。
磁石裝置261 ，係具備有與靶材211 之背面相對向的環狀之外周磁石27a1 、和被配置在外周磁石27a1 所形成之環的內側處之中心磁石27b1 。於此之所謂「環形狀」，係指將中心磁石27b1 之周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之圓環。亦即是，只要是將中心磁石27b1 之周圍作包圍之形狀即可，而亦可為由複數之零件所成者，且亦可為在某一部份而具有直線性之形狀者。又，亦可為作了閉鎖的圓環或者是在將圓環維持為閉鎖的狀態下而使其作了變形的形狀。
亦即是，磁石裝置261 ，係具備有以在濺鍍面231 處產生磁場的朝向而被作設置之中心磁石26b1 、和在中心磁石26b1 之周圍而被以連續性之形狀來作設置之外周磁石26a1 。
中心磁石27b1 ，係在與擋板221 相平行之磁石固定板27c1 上，於此係被配置為直線狀，外周磁石27a1 ，係在磁石固定板27c1 上，從中心磁石27b1 之周緣部而空出有特定距離地來以環狀而包圍中心磁石27b1 。
亦即是，外周磁石27a1 ，係被設為環狀，外周磁石27a1 之環的中心軸線，係以與靶材211 之背面垂直交叉的方式而被配向，中心磁石27b1 ，係被配置在外周磁石27a1 之環的內側處。
外周磁石27a1 和中心磁石27b1 ，係分別在靶材211 之背面處，使互為相異之極性的磁極相對向地來作配置。亦即是，外周磁石27a1 之與靶材211 之背面相對向的部分之磁極的極性、和中心磁石27b1 之與靶材211 之背面相對向的部分之磁極的極性，係互為相異。
若是對於濺鍍成膜裝置10之全體的構造作說明，則各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 ，係在真空槽11之內側的壁面上，分別使背面和壁面相對向，並相互分離的而並排為一列地作配置。
各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 ，係隔著柱狀絕緣物14而被安裝在真空槽11之壁面上，各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 和真空槽11，係被作電性絕緣。
在各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的外周之外側處，係被立起設置有柱狀之支持部24，各濺鍍部201 ～204 之防附著構件251 ～254 ，係被固定在支持部24之前端處。
當支持部24為導電性的情況時，支持部24係從各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的外周而分離。導電性之支持部24，係被與真空槽11作電性連接，但是，防附著構件251 ～254 ，由於係為絕緣性，因此，就算是防附著構件251 ～254 與擋板221 ～224 作接觸，擋板221 ～224 和真空槽11亦係被作電性絕緣。
在各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 處，係被電性連接有電源裝置35。電源裝置35，係構成為對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 ，而將電壓(於此係為交流電壓)在相鄰之2個靶材間而偏移半個週期地來作施加(所謂的AC濺鍍方式)。若是在相鄰接之2個的靶材處被施加有互為逆極性之交流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成為正電位時，另外一方係成為負電位的狀態，在相鄰之靶材間，係成為產生有放電。交流電壓之頻率，當成為20kHz～70kHz(20kHz以上70kHz以下)的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材間的放電安定地作維持，故為理想，更理想，係為55kHz。
本發明之電源裝置35，係並不被限定於對各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加交流電壓的構成，而亦可設為將脈衝狀之負電壓作複數次施加一般的構成。於此情況，係構成為：在對於相鄰之2個的靶材中之其中一方的靶材，而結束了負電壓之施加後，並且在下一次開始施加負電壓之前，而對於另外一方之靶材施加負電壓。
或者是，亦可構成為：將身為交流電源之電源裝置35，電性連接於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 和後述之成膜對象物保持部32處，並對於各靶材211 ～214 和成膜對象物31施加互為逆極性之交流電壓(所謂的RF濺鍍方式)。若是從電源裝置35而對於各擋板221 ～224 和成膜對象物保持部32分別施加特定的電壓，則係成為在各靶材211 ～214 和成膜對象物31之間而產生放電。
在RF濺鍍方式中，相較於AC濺鍍方式，係有著就算是在使用的靶材之數量為單數的情況時亦能夠實施的優點。
在各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 的磁石固定板27c1 ～27c4 之背面側處，係被配置有身為XY平台之移動裝置29，各磁石裝置261 ～264 ，係被安裝在移動裝置29處。在移動裝置29處，係被連接有控制裝置36，並構成為：若是從控制裝置36而接收到控制訊號，則移動裝置29係使各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 在與該濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的背面相平行之二方向(X軸方向以及Y軸方向)上分別移動。
各濺鍍部201 ～204 之構造，係為相同，若是以符號201 之濺鍍部為代表來作說明，則在控制裝置36處，係被連接有記憶裝置37，該記憶裝置37，係記憶有外周磁石27a1 之外周的一部份在濺鍍面231 之外周的外側處所超出之位置。超出位置，係對於X軸和Y軸之各別的移動軸而作了定義。
控制裝置36，係構成為使磁石裝置261 ，在外周磁石27a1 之外周全體均進入至較靶材211 之濺鍍面231 的外周更內側處的位置、和在記憶裝置37中所記憶之超出位置，此兩者的位置間移動。若是將較後述之超出量最小值而更長的距離作為超出位置而記憶在記憶裝置37中，則在反覆進行此種移動的期間中，外周磁石27a1 之表面，係與濺鍍面231 全體之各點的正背面之點各作至少一次的對面，並且外周磁石27a1 之外周，係成為與濺鍍面231 之外周全周的各部份至少各作一次交叉。
如同後述一般，若是在濺鍍中而外周磁石27a1 之外周的一部份超出至濺鍍面231 之外周的外側處，則藉由磁石裝置261 所形成之磁場而捕捉到的電漿，係會與防附著構件251 接觸，但是，防附著構件251 係為絕緣性之陶瓷，就算是電漿與防附著構件251 相接觸，亦不會產生異常放電，並成為使濺鍍面231 之全體被作濺鍍。因此，相較於先前技術，靶材211 之使用效率係更為提升，並成為能夠延長靶材211 之壽命。
另外，若是以各濺鍍部201 ～204 中之1個的濺鍍部(例如符號201 )和與其鄰接之其他的濺鍍部202 之間的關係來作說明，則控制裝置36，係使1個的濺鍍部201 之磁石裝置261 ，亦在該磁石裝置261 之外周磁石27a1 的外周全體為較該濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周而更進入至內側處的位置、和該外周磁石27a1 的外周之一部份為超出至該濺鍍面231 之外周和與該靶材211 相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之外周之間處的位置，此兩者之位置間作移動。
亦即是，若是將1個的濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周、和與該濺鍍部201 相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之外周，其兩者間的區域，稱作外側區域，則控制裝置36，係使該濺鍍部201 之磁石裝置261 ，亦在該磁石裝置261 之外周磁石27a1 的外周全體為較該濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周而更進入至內側處的位置、和超出至外側區域處的位置，此兩者之位置間作移動。
換言之，被設置在至少1個的靶材211 之濺鍍面231 的背面側處之磁石裝置261 ，係構成為：在外周磁石27a1 之外周全體均為進入至較包圍該靶材211 之濺鍍面231 的周圍之防附著構件251 的內周而更內側之位置、和外周磁石27a1 之一部份為超出至較靶材211 之防附著構件251 的內周而更外側處和包圍與該靶材211 相鄰接之其他的靶材212 之濺鍍面232 之周圍之防附著構件252 的內周之間之位置，此兩者之位置間作移動。
因此，在本發明中，當將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 之大小，設為與先前技術相同，並且，將1個的濺鍍部(於此，係為符號201 )之靶材211 的濺鍍面231 中之被作濺鍍的侵蝕區域之外周、和相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之侵蝕區域的外周，其兩者間之寬幅設為與先前技術之情況相同的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材211 ～214 的外周間之空隙設為較先前技術更廣，因此，係能夠相較於先前技術而將所使用之靶材的量更加減少，而成為降低成本。
在真空槽11之壁面處，係被設置有排氣口，在排氣口處，係被連接有真空排氣裝置12。真空排氣裝置12，係構成為能夠將真空槽11內作真空排氣。
又，在真空槽11之壁面處，係被設置有導入口，在導入口處，係被連接有氣體導入系13。氣體導入系13，係具備有放出濺鍍氣體之濺鍍氣體源、和放出與各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 起反應的反應氣體之反應氣體源，並構成為能夠將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體從導入口來導入至真空槽11內。
對於使用此濺鍍成膜裝置10來形成SiO2 之薄膜的濺鍍成膜方法作說明。
首先，針對求取出身為能夠使各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 的外周磁石27a1 ～27a4 之外周的一部份從該濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 之外周而超出的量之最小值的超出最小值和身為最大值之超出最大值的測定工程作說明。
參考圖2、圖3，將安裝有各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的擋板221 ～224 搬入真空槽11內，並配置在絕緣物14上。於此，在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 處，係使用Si。
將各濺鍍部201 ～204 之防附著構件251 ～254 固定在支持部24處，並使該濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 露出於各濺鍍部201 ～204 之防附著構件251 ～254 的環之內側處。於此，在各濺鍍部201 ～204 之防附著構件251 ～254 處，係使用Al2 O3 。
並不將成膜對象物31搬入至真空槽11內地，來藉由真空排氣裝置12而對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體從氣體導入系13來導入至真空槽11內。
於此，在濺鍍氣體處，係使用Ar氣體，在反應氣體處，係使用O2 氣體，以使被導入至真空槽11內之O2 氣體會與各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 表面起反應並在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的表面上形成絕緣性之氧化物SiO2 的會成為所謂之氧化模式(Oxide Mode)一般之流量，來將混合氣體導入至真空槽11內。於此，係將Ar氣體以50sccm之流量作導入，並將O2 氣體以150sccm之流量來作導入。
將真空槽11預先設為接地電位。若是從電源裝置35而對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加20kHz～70kHz之交流電壓，則在相鄰之靶材211 ～214 之間係產生放電，各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 上的Ar氣體係被電離並被電漿化。
電漿中之Ar離子，係被各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 所形成的磁場所捕捉。當從電源裝置35而對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加有負電壓時，Ar離子係與被施加有負電壓之擋板221 ～224 上的靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 相碰撞，並將被形成在該濺鍍面231 ～234 處之SiO2 彈飛。
從各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 所彈飛的SiO2 粒子之一部份，係再度附著在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 上。
濺鍍中之各濺鍍部201 ～204 之狀態，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。圖5(a)，係為對測定工程處的濺鍍中之濺鍍部201 的剖面作展示之模式圖。
一面在使外周磁石27a1 之外周全體會位置於濺鍍面231 之外周的內側處之移動範圍內，來使磁石裝置261 移動，一面對於濺鍍面231 進行濺鍍。
若是繼續進行濺鍍，則濺鍍面231 之中央部係被濺鍍並被削成凹形狀。將濺鍍面231 中之被作濺鍍並被削去的區域，稱作侵蝕區域。在濺鍍面231 中之位於侵蝕區域外側的並未被濺鍍之非侵蝕區域處，係堆積有作了再附著的SiO2 粒子。符號49，係代表堆積了的SiO2 之薄膜。
對於侵蝕區域作削去，直到能夠以視覺來辨認出侵蝕區域之外周為止。
接著，一面對於真空槽11內之真空排氣中的氣體組成或壓力作監測，一面逐漸擴廣磁石裝置261 之移動範圍，而將外周磁石27a1 之外周的一部份所超出至濺鍍面231 的外周之外側處的量逐漸增大。
隨著外周磁石27a1 之外周的一部份所超出至濺鍍面231 的外周之外側處的超出量逐漸增大，防附著構件251 上之磁場的水平成分係變大，防附著構件251 係被濺鍍並被削去，如此一來，真空槽11內之真空排氣中的氣體組成係會改變。當根據真空槽11內之真空排氣中的氣體組成之改變而確認到防附著構件251 被作了濺鍍時，對於外周磁石27a1 之外周的超出至濺鍍面231 的外周之超出量作測定。
在後述之生產工程中，若是假設防附著構件251 被濺鍍並被削去，則防附著構件251 之粒子會附著在成膜對象物31之表面上，被形成在成膜對象物31之表面上的薄膜係成為被雜質所污染，因此，於此所測定出之超出量，係設為超出量最大值。
當防附著構件251 之硬度大到不會被濺鍍的情況時，若是外周磁石27a1 之外周的一部份超出至相鄰接之靶材212 的濺鍍面232 之內側處，而相鄰接之靶材212 的濺鍍面232 被削去，則真空槽11內之壓力係改變。當根據真空槽11內之壓力的改變而確認到相鄰接之靶材212 之濺鍍面232 被作了濺鍍時，對於外周磁石27a1 之外周的從該濺鍍面231 之外周所超出的量作測定。
在後述之生產工程中，若是假設1個的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 ，經由被相鄰接之濺鍍部201 的磁石裝置261 之磁場所捕捉的電漿，而被作削去，則由於被形成在成膜對象物31之表面上的薄膜之平面性係會降低，因此，於此所測定出之超出量，係設為超出量最大值。
接著，參考圖3，將對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系31之混合氣體的導入，而結束濺鍍。
將各濺鍍部201 ～204 之防附著構件擋板251 ～254 從支持部24而卸下，並將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和擋板221 ～224 一同地搬出至真空槽11之外側。
參考圖5(a)，對於侵蝕區域之外周作視覺辨認，並將濺鍍面231 中之被作濺鍍而被削去的侵蝕區域之外周和濺鍍面231 之外周間的間隔L1 求取出來。
從外周磁石27a1 之外周起而較於此所求取出之間隔L1 更內側處，由於係被濺鍍並被削去，因此，於此所求取出之間隔L1 ，係設為超出量最小值。
將外周磁石27a1 之外周的一部份在濺鍍面231 之外周的外側處而超出了較所求取出之超出量最小值更長並且較超出量最大值更短之距離，作為超出位置而記憶在記憶裝置37中。
接下來，作為生產工程，參考圖3，將各濺鍍部201 ～204 之安裝有未使用的靶材211 ～214 之擋板221 ～224 搬入真空槽11內，並配置在絕緣物14上。
將各濺鍍部201 ～204 之防附著構件251 ～254 固定在支持部24處，並使該濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 露出於各防附著構件251 ～254 的環之內側處。
藉由真空排氣裝置12，對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
將成膜對象物31載置在成膜對象物保持部32上，並搬入至真空槽11內，而使其在與各靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 相分離並相對面的位置處靜止。
將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體，以與上述之準備工程相同的流量來從氣體導入系13而導入至真空槽11內。各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的表面，係與被導入至真空槽11內之身為反應氣體的O2 氣體起反應，並形成SiO2 。
與準備工程相同的，從電源裝置35來對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加20kHz～70kHz之交流電壓，而將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和成膜對象物31之間的身為濺鍍氣體之Ar氣體電漿化，並對於各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 作濺鍍。
從各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 所彈飛的SiO2 之一部份，係附著在成膜對象物31之表面上，在成膜對象物31之表面上係被形成有SiO2 之薄膜。
濺鍍中之各濺鍍部201 ～204 之狀態，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。
在濺鍍中，使濺鍍部201 之磁石裝置261 ，在外周磁石27a1 之外周全體均成為位於該濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 的外周之內側處的位置、和被記憶在記憶裝置37處之超出位置，此兩者的位置間反覆移動。
防附著構件251 ，由於係藉由絕緣性之材質所形成，因此，就算是被磁石裝置261 之磁場所捕捉了的電漿與防附著構件251 作接觸，亦不會產生異常放電(發弧)，而能夠繼續進行濺鍍。
圖5(b)，係為對生產工程處的濺鍍中之濺鍍部201 的剖面作展示之模式圖。
係設為使外周磁石27a1 之外周的一部份從濺鍍面231 之外周全周的各部分而作較藉由測定工程所求取出之超出量最小值更長的距離之超出。濺鍍面231 之較外周而更內側處的全體，係被濺鍍並被削去，在濺鍍面231 處，作了再附著之SiO2 係並不會堆積。
在先前技術之濺鍍成膜裝置中，係會由於在導電性之靶材211 上堆積有絕緣性之SiO2 ，而在靶材上產生有異常放電(發弧)，但是，在本發明之濺鍍成膜裝置10中，由於在靶材211 上係並不會堆積SiO2 ，因此，在靶材211 上係並不會產生發弧。
圖6，係展示對於藉由先前技術之濺鍍成膜裝置而作了濺鍍後之靶材表面的角隅部份所進行攝影後之照片，圖7，係展示對於藉由本發明之濺鍍成膜裝置而作了濺鍍後之靶材表面的角隅部份所進行攝影後之照片。在圖7中，於靶材之周緣部上，係配置有Al2 O3 之遮蔽構件。在圖6中，於靶材之非侵蝕區域處，係能夠確認到般點狀的發弧之痕跡，但是，在圖7中，於靶材上係並無法確認到發弧之痕跡，而可以得知係並未發生有發弧。
在本發明中，由於在靶材211 上係並不會產生發弧，因此，係能夠防止由於發弧所造成之靶材211 的損傷。又，係能夠對於形成在成膜對象物31處之薄膜的由於雜質所導致之污染作防止。
進而，外周磁石27a1 之外周的從濺鍍面231 之外周所超出的距離，係被限制在較藉由測定工程所求取出之超出量最大值而更短之距離。故而，係能夠防止防附著構件251 被作濺鍍並被削去。
在防附著構件251 之表面上，係堆積有作了再附著的SiO2 之薄膜49，但是，由於防附著構件251 係藉由絕緣性之材質所形成，因此，係不會由於堆積了的SiO2 之薄膜49而引起絕緣破壞，在防附著構件251 上亦並不會發生發弧。
由於在防附著構件251 上係並不會產生發弧，因此，係能夠防止由於發弧所造成之防附著構件251 的損傷。又，係能夠對於形成在成膜對象物31處之薄膜的由於雜質所導致之污染作防止。
參考圖2、圖3，持續進行特定時間之濺鍍，而在成膜對象物31之表面上形成特定之厚度的SiO2 之薄膜，之後，將對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系13而來之混合氣體的導入，而結束濺鍍。
將成膜對象物31與成膜對象物保持部32一同地搬出至真空槽11之外側，並運送至後續工程。接著，將未成膜之成膜對象物31載置在成膜對象物保持部32上，並搬入至真空槽11內，而反覆進行由上述之生產工程所致的濺鍍成膜。
或者是，將成膜對象物31從成膜對象物保持部32而卸下，並搬出至真空槽11之外側，而運送至後續工程。接著，將未成膜之成膜對象物31搬入至真空槽11內，並載置在成膜對象物保持部32上，而反覆進行由上述之生產工程所致的濺鍍成膜。
在上述說明中，雖係針對濺鍍成膜裝置10為具備有複數個的濺鍍部201 ～204 之情況而作了說明，但是，本發明係亦包含僅具備有1個濺鍍部的情況。
在上述說明中，作為反應氣體，雖然係使用了O2 氣體，但是，當作為反應氣體，而使用N2 氣體或者是O2 氣體和N2 氣體之混合氣體，並形成絕緣性之SiOx Ny 薄膜的情況時，亦係被包含在本發明中(x、y，係為滿足x+y為大於0且為2以下的關係之0以上的實數)。
在上述說明中，參考圖2，係為使各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和成膜對象物31分別以立起了的狀態來相對面，但是，本發明，只要是使各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和成膜對象物31相互對面，則並不被限定於上述之配置，亦可在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的上方配置成膜對象物31，並使該些相互對面，且亦可在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的下方配置成膜對象物31，並使該些相互對面。若是在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的下方配置成膜對象物31，則由於粒子會落下至成膜對象物31上而使薄膜之品質降低，因此，較理想，係在各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的上方配置成膜對象物31，或者是如同上述之實施例一般，將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和成膜對象物31分別以立起了的狀態來相對面。
另外，在圖1中，雖係將磁石裝置261 ～264 之平面形狀展示為細長形狀，但是，本發明之磁石裝置261 ～264 的平面形狀，係並不被限定於細長形狀。
10‧‧‧濺鍍成膜裝置
11‧‧‧真空槽
12‧‧‧真空排氣裝置
13‧‧‧氣體導入系
201 ~204 ‧‧‧濺鍍部
211 ~214 ‧‧‧靶材
251 ~254 ‧‧‧防附著構件
261 ~264 ‧‧‧磁石裝置
27a1 ‧‧‧外周磁石
27b1 ‧‧‧中心磁石
29‧‧‧移動裝置
31‧‧‧成膜對象物
35‧‧‧電源裝置
[圖1]本發明之濺鍍成膜裝置的內部構成圖。
[圖2]本發明之濺鍍成膜裝置的A-A線切斷剖面圖。
[圖3]本發明之濺鍍成膜裝置的B-B線切斷剖面圖。
[圖4]本發明之濺鍍成膜裝置的第2例之內部構成圖。
[圖5](a)、(b)：對濺鍍中之濺鍍部的剖面作展示之模式圖。
[圖6]對於藉由先前技術之濺鍍成膜裝置而作了濺鍍後的靶材表面之角隅部份作了攝影之照片。
[圖7]對於藉由本發明之濺鍍成膜裝置而作了濺鍍後的靶材表面之角隅部份作了攝影之照片。
[圖8]先前技術之濺鍍成膜裝置的內部構成圖。
201 ．．．濺鍍部
211 ．．．靶材
221 ．．．擋板
231 ．．．濺鍍面
251 ．．．防附著構件
261 ．．．磁石裝置
27a1 ．．．外周磁石
27b1 ．．．中心磁石
49．．．薄膜

Claims (3)

  1. 一種濺鍍成膜裝置，係具備有：真空槽、和將前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將包含有反應氣體之氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、和被施加有電壓之擋板、和被配置在較前述擋板之外周而更內側處，並具備有露出於前述真空槽內而被濺鍍之濺鍍面的靶材、和被配置在前述真空槽內，並以包圍前述靶材之前述濺鍍面之周圍的方式而被設置在前述靶材處之防附著構件、和被配置在前述擋板之身為與被配置有前述靶材之面相反的面之背面側處之磁石裝置、和對於前述靶材施加電壓之電源裝置、以及使前述磁石裝置在與前述靶材之前述背面相平行的方向上移動之移動裝置，前述磁石裝置，係具備有：與前述靶材之前述背面相對向的環狀之外周磁石、和被配置在前述外周磁石所形成之環的內側處之中心磁石，前述外周磁石之與前述靶材的前述背面相對向之部分的磁極之極性，和前述中心磁石之與前述靶材的前述背面相對向之部分的磁極之極性，係互為相異，前述靶材係為導電性材料，並藉由前述濺鍍而被形成有絕緣物， 該濺鍍成膜裝置，其特徵為：前述移動裝置，係使前述磁石裝置，在前述外周磁石之外周全體為位在較前述濺鍍面之外周而更內側處的位置、和前述外周磁石之外周的一部份為超出至前述濺鍍面之外周的外側處的位置，此兩者之間作移動，在前述濺鍍面之外周處，藉由絕緣性之陶瓷所形成的前述防附著構件係露出，並構成為：就算是被前述磁石裝置所形成之磁場而捕捉的電漿與露出於前述濺鍍面之外周的外側處之前述防附著構件相接觸，也不會產生異常放電。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為Si，前述氣體導入系，係具備有放出O2 氣體之O2 氣體源。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，係具備有複數之濺鍍部，該濺鍍部，係包含有前述靶材、和前述擋板、和設置在前述靶材處之前述防附著構件、以及配置在前述靶材之前述背面側的前述磁石裝置，各前述濺鍍部之前述靶材，係相互分離地而被並排配置成1列，並分別將前述濺鍍面朝向被搬入至前述真空槽內之成膜對象物，前述電源裝置，係構成為對於各前述濺鍍部之前述靶材而分別施加電壓，前述移動裝置，係使1個的前述濺鍍部之前述磁石裝 置，在該磁石裝置之前述外周磁石的外周全體為位於較該濺鍍部的前述靶材之前述濺鍍面之外周而更內側處的位置、和該外周磁石之外周的一部份為超出於該靶材之前述濺鍍面的外周和與該靶材相鄰接之其他的前述濺鍍部之前述靶材的前述濺鍍面之外周之間的位置，此兩者間作移動。
TW100119619A 2010-06-03 2011-06-03 濺鍍成膜裝置 TWI488988B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010128343 2010-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201213575A TW201213575A (en) 2012-04-01
TWI488988B true TWI488988B (zh) 2015-06-21

Family

ID=45066838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100119619A TWI488988B (zh) 2010-06-03 2011-06-03 濺鍍成膜裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130068614A1 (zh)
JP (1) JP5282167B2 (zh)
KR (1) KR20130023282A (zh)
CN (1) CN102906303B (zh)
TW (1) TWI488988B (zh)
WO (1) WO2011152481A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5282167B2 (ja) * 2010-06-03 2013-09-04 株式会社アルバック スパッタ成膜装置
JP5362112B2 (ja) * 2010-06-17 2013-12-11 株式会社アルバック スパッタ成膜装置及び防着部材
KR102194765B1 (ko) * 2013-09-06 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 대향 스퍼터링 장치의 타겟 모듈, 대향 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
CN108103456B (zh) * 2017-12-26 2019-07-16 华南理工大学 阴极电弧装置
WO2020137027A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 株式会社アルバック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN110885966A (zh) * 2019-11-22 2020-03-17 维达力实业(深圳)有限公司 滚筒式磁控溅射镀膜机
CN113005400A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 京东方科技集团股份有限公司 吸附装置和蒸镀设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0610127A (ja) * 1992-06-28 1994-01-18 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置
US20040251130A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling darkspace gap in a chamber
US20070158180A1 (en) * 2004-06-07 2007-07-12 Ulvac, Inc. Magnetron sputtering method and magnetron sputtering apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6277461A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Shinku Kikai Kogyo Kk 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト
US5147520A (en) * 1991-02-15 1992-09-15 Mcnc Apparatus and method for controlling processing uniformity in a magnetron
JPH0734236A (ja) * 1993-07-19 1995-02-03 Canon Inc 直流スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JP2000192233A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
JP4274452B2 (ja) * 2001-03-30 2009-06-10 芝浦メカトロニクス株式会社 スパッタ源及び成膜装置
JP4965479B2 (ja) * 2008-02-15 2012-07-04 株式会社アルバック スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットの洗浄方法
JP2009191340A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Seiko Epson Corp 成膜装置及び成膜方法
JP5309150B2 (ja) * 2008-10-16 2013-10-09 株式会社アルバック スパッタリング装置及び電界効果型トランジスタの製造方法
JP5282167B2 (ja) * 2010-06-03 2013-09-04 株式会社アルバック スパッタ成膜装置
WO2011152482A1 (ja) * 2010-06-03 2011-12-08 株式会社アルバック スパッタ成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0610127A (ja) * 1992-06-28 1994-01-18 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置
US20040251130A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling darkspace gap in a chamber
US20070158180A1 (en) * 2004-06-07 2007-07-12 Ulvac, Inc. Magnetron sputtering method and magnetron sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130023282A (ko) 2013-03-07
WO2011152481A1 (ja) 2011-12-08
CN102906303B (zh) 2015-01-28
US20130068614A1 (en) 2013-03-21
CN102906303A (zh) 2013-01-30
JP5282167B2 (ja) 2013-09-04
JPWO2011152481A1 (ja) 2013-08-01
TW201213575A (en) 2012-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI488988B (zh) 濺鍍成膜裝置
TWI448573B (zh) 濺鍍成膜裝置
TWI470101B (zh) 濺鍍成膜裝置及防附著構件
JP5824072B2 (ja) スパッタリング装置
TWI414621B (zh) Sputtering target and sputtering method using the target
EP1978127A1 (en) Spattering device and film forming method
JP2007031817A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN104241069A (zh) 等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法
JP5186297B2 (ja) スパッタリング装置
JP5654939B2 (ja) 成膜装置
JP2012052191A (ja) スパッタ装置
JP2009191340A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2010024532A (ja) マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法
JP6030404B2 (ja) スパッタリング装置
JP2013001943A (ja) スパッタリング装置
CN111417741B (zh) 溅射成膜装置
JP2013007109A (ja) スパッタリング用のターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
JP2013079420A (ja) スパッタ装置
JP2009249677A (ja) マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法
JP2007131930A (ja) 反応性マグネトロンスパッタリング装置
JPS63286572A (ja) プレ−ナマグネトロン方式のスパッタリング装置