TWI470101B - 濺鍍成膜裝置及防附著構件 - Google Patents

濺鍍成膜裝置及防附著構件 Download PDF

Info

Publication number
TWI470101B
TWI470101B TW100121226A TW100121226A TWI470101B TW I470101 B TWI470101 B TW I470101B TW 100121226 A TW100121226 A TW 100121226A TW 100121226 A TW100121226 A TW 100121226A TW I470101 B TWI470101 B TW I470101B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering
target
adhesion
vacuum chamber
film
Prior art date
Application number
TW100121226A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201213576A (en
Inventor
Tetsuhiro Ohno
Shigemitsu Sato
Tatsunori Isobe
Tomokazu Suda
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of TW201213576A publication Critical patent/TW201213576A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI470101B publication Critical patent/TWI470101B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

濺鍍成膜裝置及防附著構件
本發明，係有關於濺鍍成膜裝置以及防附著構件。
在薄膜電晶體(TFT)之通道層的保護膜或者是青板玻璃之阻障膜等之中，係利用有SiO2 之薄膜。近年來，作為在大面積化之基板表面上形成SiO2 之薄膜的方法，一般係進行有一面使Si靶材在O2 氣體氛圍中產生化學反應一面進行濺鍍之反應性濺鍍。
圖11，係對於先前技術之濺鍍裝置110之內部構成圖作展示。
濺鍍成膜裝置110，係具備有：真空槽111、和複數之濺鍍部1201 ～1204 。各濺鍍部1201 ～1204 之構造，係為相同，若是以符號1201 之濺鍍部為代表來作說明，則濺鍍部1201 係具備有靶材1211 、和擋板1221 、以及磁石裝置1261 。
靶材1211 ，於此係為Si，並被形成為較擋板1221 表面之大小而更小的平板形狀，靶材1211 之外周全體係位置在較擋板1221 表面之外周而更內側處，並以使擋板1221 表面之周緣部從靶材1211 之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋板1221 之表面上。以下，將靶材1211 和被插入至了靶材1211 之內側的狀態下之擋板1221 ，統稱為靶材部。
磁石裝置1261 ，係被配置在擋板1221 之背面側。磁石裝置1261 ，係在與擋板1221 相平行之磁石固定板127c1 上，具備有被配置為直線狀之中心磁石127b1 、和從中心磁石127b1 之周緣部而空出有特定距離地來以環狀而包圍中心磁石127b1 之外周磁石127a1 。外周磁石127a1 和中心磁石127b1 ，係分別在靶材1211 之背面處，使互為相異之極性的磁極相對向地來作配置。
在磁石裝置1261 之背面側處，係被配置有移動裝置129，磁石裝置1261 係被安裝在移動裝置129上。移動裝置129，係被構成為使磁石裝置1261 在與靶材1211 之背面相平行的方向上移動。
若是對於濺鍍成膜裝置110之全體的構造作說明，則各濺鍍部1201 ～1204 之靶材部，係在真空槽111內而相互分離的而並排為一列地作配置，各靶材部之靶材1211 ～1214 的表面，係以位置在相同之平面上的方式而被作了對齊。各擋板1221 ～1224 ，係隔著絕緣物114而被安裝在真空槽111之壁面上，並被與真空槽111作電性絕緣。
在各擋板1221 ～1224 之外周的外側處，係與各擋板1221 ～1224 之外周相分離地而被立起設置有金屬製之防附著構件1251 ～1254 ，防附著構件1251 ～1254 係被與真空槽111作電性連接。各防附著構件1251 ～1254 之前端，係以將各濺鍍部1201 ～1204 之擋板1221 ～1224 的周緣部作覆蓋的方式，而被朝向該濺鍍部1201 ～1204 之靶材1211 ～1214 之外周作直角彎折，並以環狀來包圍該靶材1211 ～1214 之表面。將各靶材1211 ～1214 表面之中的露出於防附著構件1251 ～1254 之環的內周處的部分，稱作濺鍍面。
若是對於使用先前技術之濺鍍成膜裝置110來在基板131之表面上形成SiO2 之薄膜的方法作說明，則係在真空槽111之排氣口處連接真空排氣裝置112，並預先對真空槽111內作真空排氣。將基板131載置在基板保持部132上並搬入至真空槽111內，而使其在與各靶材1211 ～1214 之濺鍍面相分離並相對面的位置處靜止。
若是將氣體導入系113連接於真空槽111之導入口處，並將身為濺鍍氣體之Ar氣體和身為反應氣體之O2 氣體的混合氣體導入至真空槽111內，則O2 氣體係與各靶材1211 ～1214 之表面起反應，並形成氧化物SiO2 。
若是在各擋板1221 ～1224 處電性連接電源裝置137，並對於相鄰接之2個的靶材施加互為逆極性之交流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成為正電位時，另外一方係成為負電位的狀態。在相鄰接之靶材間，係產生放電，各靶材1211 ～1214 和基板131之間的Ar氣體係被電漿化。
或者是，將電源裝置137電性連接於各擋板1221 ～1224 和基板保持板132處，並對於各靶材1211 ～1214 和基板131施加互為相異極性之交流電壓，而在各靶材1211 ～1214 和基板131之間使放電產生，並使各靶材1211 ～1214 和基板131之間的Ar氣體電漿化。於此情況，就算是單數之靶材亦可作實施。
電漿中之Ar離子，係被磁石裝置1261 ～1264 在靶材1211 ～1214 上而於與擋板1221 ～1224 相反側之表面上所形成的磁場所捕捉。當各靶材1211 ～1214 成為負電位時，Ar離子係與該靶材1211 ～1214 之濺鍍面相碰撞，並將SiO2 之粒子彈飛。
在各靶材1211 ～1214 上所產生之磁場，由於上述之磁石裝置1261 ～1264 在構造上係成為不均一，因此，在相對上磁力密度較高的部分，Ar離子會集中，相較於周圍的部分，靶材1211 ～1214 會更早地被削去。為了防止產生如此這般之靶材1211 ～1214 被局部性地削去的部分(侵蝕)，係一面使磁石裝置1261 ～1264 在較靶材1211 ～1214 之濺鍍面的外周更內側之範圍內移動，一面進行濺鍍。
從靶材1211 ～1214 的濺鍍面所彈飛的SiO2 之一部份，係附著在基板131之表面上，在基板131之表面上係被形成有SiO2 之薄膜。
此時，被從靶材1211 ～1214 所彈飛的SiO2 之一部份，係附著於防附著構件1251 ～1254 之表面上。附著在防附著構件1251 ～1254 之表面上的附著物之薄膜，係會在濺鍍中而從防附著構件1251 ～1254 之表面剝離並在真空槽111內飛散，而有著引起異常放電(發弧)或者是對被形成在基板131表面上之薄膜造成污染的問題。
又，並不限定於上述一般之在基板131表面上形成絕緣性之SiO2 薄膜的情況，就算是在形成導電性之金屬薄膜的情況時，附著在防附著構件1251 ～1254 之表面上的附著物之薄膜，亦會在成膜過程中從防附著構件1251 ～1254 而剝落，並產生對被形成在基板131表面上之薄膜造成污染的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-25031號公報
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種在成膜處理中而不會使附著物之薄膜剝離的防附著構件、以及具備有該防附著構件之濺鍍成膜裝置。
為了解決上述課題，本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，係具備有：真空槽、和將前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、和具備有露出於前述真空槽內之濺鍍面的靶材、和對於前述靶材施加電壓之電源裝置、和被配置在從前述靶材之前述濺鍍面所被濺鍍出之濺鍍粒子會作附著的位置處之防附著構件，該濺鍍成膜裝置，係在被配置於與前述靶材之前述濺鍍面相對面的位置處之基板的成膜面上，而成膜薄膜，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述濺鍍粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，前述防附著構件，係具備有：以將前述靶材的前述濺鍍面之周圍作包圍的方式，而設置在前述靶材處之靶材側防附著構件。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，並具備有複數之前述靶材，各前述靶材，係在前述真空槽內相互分離而被並排成一列地作配置，各前述靶材之前述濺鍍面，係以位置在相同之平面上的方式而被作對齊，前述電源裝置，係構成為對相鄰之2個靶材之間施加交流電壓，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：相鄰之2個前述靶材中之其中一方的前述靶材之前述濺鍍面的外周、和另外一方之前述靶材的前述濺鍍面之外周，其兩者間的空隙，係藉由前述靶材側防附著構件而被作覆蓋。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，並具備有複數之前述靶材，各前述靶材，係在前述真空槽內相互分離而被並排成一列地作配置，各前述靶材之前述濺鍍面，係以位置在相同之平面上的方式而被作對齊，前述電源裝置，係構成為對各前述靶材、和被配置在與各前述靶材之前述濺鍍面相對面的位置處之基板之間，施加直流電壓或者是交流電壓的其中一者，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：相鄰之2個前述靶材中之其中一方的前述靶材之前述濺鍍面的外周、和另外一方之前述靶材的前述濺鍍面之外周，其兩者間的空隙，係藉由前述靶材側防附著構件而被作覆蓋。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，前述防附著構件，係具備有：以將前述基板的前述成膜面之周圍作包圍的方式，而設置在前述基板處之靶材側防附著構件。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為SiO2 。
本發明，係為一種濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為Si，前述氣體導入系，係具備有放出O2 氣體之O2 氣體源。
本發明，係為一種防附著構件，係為在具備有真空槽、和對前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、以及從被配置在前述真空槽內之成膜材料而放出成膜粒子之放出手段的成膜裝置中，而被配置在前述成膜粒子所會附著之位置處的防附著構件，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述成膜粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
本發明，係為一種防附著構件，係為在具備有真空槽、和對前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、以及使被導入至前述真空槽內之前述氣體產生化學反應並產生成膜粒子之反應手段的成膜裝置中，而被配置在前述成膜粒子所會附著之位置處的防附著構件，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述成膜粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
另外，算數平均粗度(Ra)，係藉由JIS B0601：2001所規定者。
由於附著物之薄膜並不會從防附著構件而剝離，因此，係能夠對於由附著物所造成之對於被形成在基板上的薄膜之污染作防止，而能夠將被形成在基板上之薄膜的品質提升。
就算附著物係為絕緣性，也由於防附著構件亦係為絕緣性，因此，係不會由於附著物之薄膜而引起絕緣破壞，也不會產生發弧。因此，係能夠防止由於發弧所導致之防附著構件的損傷。又，係能夠對於由起因於發弧之雜質所導致的對於形成在基板處之薄膜的污染作防止。
對於本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之構造作說明。
圖1，係對於濺鍍成膜裝置10之內部構成作展示，圖2，係為其之A-A線切斷剖面圖，圖3，係為其之B-B線切斷剖面圖。
濺鍍成膜裝置10，係具備有：真空槽11、和複數之濺鍍部201 ～204 。各濺鍍部201 ～204 ，係分別具備有：具有露出於真空槽11內之濺鍍面231 ～234 之靶材211 ～214 、和在表面上配置有靶材211 ～214 之擋板221 ～224 、以及磁石裝置261 ～264 。
各濺鍍部201 ～204 之構造，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。
靶材211 ，係被形成為表面之大小為較擋板221 表面更小的平板形狀，靶材211 之外周全體係位置在較擋板221 之外周而更內側處，並以使擋板221 之周緣部的全周從靶材211 之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋板221 之表面上。以下，將靶材211 和在表面上貼合有靶材211 之擋板221 ，統稱為靶材部。
磁石裝置261 ，係具備有外周磁石27a1 和中心磁石27b1 以及磁石固定板27c1 。中心磁石27b1 ，係在磁石固定板27c1 上，於此係被配置為直線狀，外周磁石27a1 ，係在磁石固定板27c1 之表面上，從中心磁石27b1 之周緣部而空出有特定距離地來以環狀而包圍中心磁石27b1 。
亦即是，外周磁石27a1 ，係被設為環狀，中心磁石27b1 ，係被配置在外周磁石27a1 之環的內側處。於此之所謂「環狀」，係指將中心磁石27b1 之周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之圓環。亦即是，只要是將中心磁石27b1 之周圍作包圍之形狀即可，而亦可為由複數之零件所成者，且亦可為在某一部份而具有直線性之形狀者。又，亦可為作了閉鎖的圓環或者是在將圓環維持為閉鎖的狀態下而使其作了變形的形狀。
磁石裝置261 ，係被配置在擋板221 之背面側。磁石裝置261 之磁石固定板27c1 ，係將朝向設為：使配置有中心磁石27b1 和外周磁石27a1 的表面與擋板221 之背面相對面。外周磁石27a1 之與擋板221 之背面相對向的部分、和中心磁石27b1 之與擋板221 之背面相對向的部分，係分別被配置有互為相異之極性的磁極。
亦即是，磁石裝置261 ，係具備有以在濺鍍面231 處產生磁場的朝向而被作設置之中心磁石26b1 、和在中心磁石26b1 之周圍而被以連續性之形狀來作設置之外周磁石26a1 。外周磁石27a1 和中心磁石27b1 ，係以相對於濺鍍面231 而使互為相異之極性的磁極相對向的方式來作配置。亦即是，外周磁石27a1 之與靶材211 之背面相對向的部分之磁極的極性、和中心磁石27b1 之與靶材211 之背面相對向的部分之磁極的極性，係互為相異。
在磁石固定板27c1 之背面側處，係被配置有身為XY平台之移動裝置29，磁石裝置261 係被安裝在移動裝置29上。在移動裝置29處，係被連接有控制裝置36，並構成為：若是從控制裝置36而接收到控制訊號，則移動裝置29係使磁石裝置261 在與靶材211 的背面相平行之方向上移動。
若是經由移動裝置29而使磁石裝置261 移動，則磁石裝置261 的在靶材211 之表面上所形成的磁場，係成為隨著磁石裝置261 之移動而在靶材211 之表面上作移動。
若是對濺鍍成膜裝置10之全體的構造作說明，則在真空槽11之壁面處，係被設置有排氣口和導入口，在排氣口處，係被連接有真空排氣裝置12，在導入口處，係被連接有氣體導入系13。真空排氣裝置12，係構成為能夠從排氣口來將真空槽11內作真空排氣。氣體導入系13，係具備有放出濺鍍氣體之濺鍍氣體源13a、和放出與各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 起反應的反應氣體之反應氣體源13b，並構成為能夠將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體從導入口來導入至真空槽11內。
各濺鍍部201 ～204 ，係在真空槽11內而相互分離的而並排為一列地作配置，各靶材部之靶材211 ～214 的表面，係以位置在相同之平面上的方式而被作了對齊。
各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 ，係隔著柱狀絕緣物14而被安裝在真空槽11之壁面上，各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 和真空槽11，係被作電性絕緣。
在各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 處，係被電性連接有電源裝置37。電源裝置37，係構成為對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 ，而將電壓(於此係為交流電壓)在相鄰之2個靶材間而偏移半個週期地來作施加。若是在相鄰接之2個的靶材處被施加有互為逆極性之交流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成為正電位時，另外一方係成為負電位的狀態，在相鄰之靶材間，係成為產生有放電。交流電壓之頻率，當成為20kHz～70kHz(20kHz以上70kHz以下)的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材間的放電安定地作維持，故為理想，更理想，係為55kHz。
本發明之電源裝置37，係並不被限定於對各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加交流電壓的構成，而亦可設為將脈衝狀之負電壓作複數次施加一般的構成。於此情況，係構成為：在對於相鄰之2個的靶材中之其中一方的靶材，而結束了負電壓之施加後，並且在下一次開始施加負電壓之前，而對於另外一方之靶材施加負電壓。
濺鍍成膜裝置10，係具備有防附著構件，其係被配置在會使從靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 而被濺鍍並放出的濺鍍粒子作附著之位置處。
防附著構件，係具備有：以將靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 之周圍作包圍的方式，而設置在靶材211 ～214 處之靶材側防附著構件251 ～254 。
亦即是，在較各靶材211 ～214 之外周更外側處，係被配置有被設為了環狀之靶材側防附著構件251 ～254 。於此之所謂「環狀」，係指將靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 的周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之圓環。亦即是，只要是將靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 的周圍作包圍之形狀即可，而亦可為由複數之零件所成者，且亦可為在某一部份而具有直線性之形狀者。
靶材側防附著構件251 ～254 ，係為Al2 O3 ，靶材側防附著構件251 ～254 的表面中之露出於較靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 的外周更外側處之面(以下，稱作附著面)的算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。如同後述之實施例中所示一般，靶材側防附著構件251 ～254 之附著面的算數平均粗度，更理想係被設為6μm以上10μm以下。
各濺鍍部201 ～204 之構成，係為相同，若是以符號201 之濺鍍部為代表來作說明，則如圖2中所示一般，靶材側防附著構件251 之環的外周，係較擋板221 之外周更大，靶材側防附著構件251 的環之內周，於此係被設為和靶材211 之外周相同或者是較其更大。
靶材側防附著構件251 ，係在使靶材側防附著構件251 之環的中心與靶材211 之中心相重合一般的相對位置處，而被配置在擋板221 之固定有靶材211 的表面上，並將擋板221 之從靶材211 的外周所露出之周緣部作覆蓋，而藉由靶材側防附著構件251 之環的內周來包圍靶材211 之外周。
較理想，係以盡量不會使後述之電漿侵入至靶材側防附著構件251 之環的內周和靶材211 的外周間之間隙處的方式，來將環的內周盡可能縮小。
在靶材側防附著構件251 之環的內側處，係露出有靶材211 之表面全體，靶材211 之表面全體，係成為被作濺鍍之濺鍍面。符號231 ，係代表濺鍍面。
若是如同後述一般而使靶材211 之濺鍍面231 被作濺鍍，則從濺鍍面231 所放出之粒子的一部份，係附著在靶材側防附著構件251 之附著面上，並成為不會附著在擋板221 之表面上。
本發明之靶材側防附著構件251 ，係並不被限定於靶材側防附著構件251 之環的內周為與靶材211 之外周相同或者是較其更大的情況，而亦包含有靶材側防附著構件251 之環的內周為較靶材211 之外周更小的情況。於此情況，若是將靶材側防附著構件251 如同上述一般而配置在靶材211 表面上，則由於靶材側防附著構件251 係覆蓋靶材211 之周緣部，因此，靶材211 表面中之露出於靶材側防附著構件251 的環之內側處的部分，係成為被作濺鍍之濺鍍面231 。
亦即是，靶材側防附著構件251 ，係在靶材211 之表面中的包含濺鍍面231 之面成為不連續的靶材211 端部處，以包圍濺鍍面231 之周圍的方式而被作設置。
若是針對各濺鍍部201 ～204 中之一個的濺鍍部(例如符號201 )和與其相鄰接之其他濺鍍部202 之間的關係作描述，則相鄰接之2個的靶材211 、212 中之其中一個靶材211 的濺鍍面231 之外周、和另外一個靶材212 的濺鍍面232 之外周，其兩者間的空隙，係被靶材側防附著構件251 ～252 所覆蓋。
故而，其中一個的靶材211 之濺鍍面231 的外周、和另外一個的靶材212 之濺鍍面232 的外周，其兩者間的空隙處，係成為並不會侵入有從各濺鍍面231 、232 所放出之濺鍍粒子。
在擋板221 ～224 的外周之外側處，係被立起設置有柱狀之支持部24，靶材側防附著構件251 ～254 ，係被安裝在支持部24之前端處。
當支持部24為導電性的情況時，支持部24係從擋板221 的外周而分離。導電性之支持部24，係被與真空槽11作電性連接，但是，靶材側防附著構件251 ，由於係為絕緣性，因此，就算是靶材側防附著構件251 與擋板221 作接觸，擋板221 和真空槽11亦係被作電性絕緣。
另外，不論是支持部24為導電性的情況或者為絕緣性的情況時，靶材側防附著構件251 ～254 均係電性浮動。
濺鍍成膜裝置10，係具備有保持基板31之基板保持板32。
基板31，係被保持在基板保持板32上，並成為被配置在與各靶材211 ～214 之表面(濺鍍面231 ～234 )相對面的位置處。
基板保持板32表面之大小，係被設為較基板31表面之大小更大，基板31，係在使基板31之外周全體為位置在較基板保持板32之外周而更內側處，並使基板保持板32之周緣部的全周從基板31之外周而露出一般的相對位置處，而被保持在基板保持板32之表面上。
基板31之應成膜的成膜面，係露出於真空槽11內。
防附著構件，係具備有：於此係以將基板31的成膜面之周圍作包圍的方式，而設置在基板31處之基板側防附著構件35。
亦即是，在較基板31之外周更外側處，係被配置有被設為了環狀之基板側防附著構件35。於此之所謂「環狀」，係指將基板31之成膜面的周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之圓環。亦即是，只要是將基板31之成膜面的周圍作包圍之形狀即可，而亦可為由複數之零件所成者，且亦可為在某一部份而具有直線性之形狀者。
基板側防附著構件35，係為Al2 O3 ，基板側防附著構件35的表面中之露出於較基板31之成膜面的外周更外側處之面(以下，稱作附著面)的算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。如同後述之實施例中所示一般，基板側防附著構件35之附著面的算數平均粗度，更理想係被設為6μm以上10μm以下。
基板側防附著構件35之環的外周，係較基板保持板32之外周更大，基板側防附著構件35的環之內周，係被設為和基板31表面中之應形成薄膜的成膜面之外周相同或者是較其更大。
基板側防附著構件35，係在使基板側防附著構件35之環的中心與基板31之成膜面的中心相重合一般的相對位置處，而被配置在保持基板31之基板保持板32的表面上，並將基板保持板32之從基板31的外周所露出之周緣部作覆蓋，而藉由基板側防附著構件35之環的內周來包圍基板31之成膜面的外周。
若是如同後述一般而使各靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 被作濺鍍，則從各濺鍍面231 ～234 所放出之粒子的一部份，係分別附著在基板31之表面和基板側防附著構件35之附著面上，並成為不會附著在基板保持板32之表面上。
於後，將基板31、和保持基板31之基板保持板32、以及將基板31之成膜面的外周作包圍之基板側防附著構件35，統稱為成膜對象物30。
對於使用此濺鍍成膜裝置10來在基板31之成膜面上形成SiO2 之薄膜的濺鍍成膜方法作說明。
首先，針對求取出身為能夠使各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 的外周磁石之外周的一部份從該濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 之外周而超出的量之最小值的超出量最小值和身為最大值之超出量最大值的測定工程作說明。
參考圖2、圖3，將各濺鍍部201 ～204 之靶材部搬入真空槽11內，並配置在絕緣物14上。於此，在各濺鍍部201 ～204 之靶材部的靶材211 ～214 處，係使用Si。
將靶材側防附著構件251 ～254 固定在支持部24處，並使各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 露出於各靶材側防附著構件251 ～254 的環之內側處。
藉由真空排氣裝置12，對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
並不將成膜對象物30搬入至真空槽11內地，而將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體從氣體導入系13來導入至真空槽11內。於此，在濺鍍氣體處，係使用Ar氣體，在反應氣體處，係使用O2 氣體，以使從反應氣體源(O2 氣體源)13b而被導入至真空槽11內之O2 氣體會與各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 表面起反應並在各靶材211 ～214 的表面上形成絕緣性之氧化物SiO2 的會成為所謂之氧化模式(Oxide Mode)一般之流量，來將混合氣體導入至真空槽11內。於此，係將Ar氣體以50sccm之流量作導入，並將O2 氣體以150sccm之流量來作導入。
將真空槽11預先設為接地電位。若是從電源裝置37而對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加20kHz～70kHz之交流電壓，則在相鄰之靶材211 ～214 之間係產生放電，各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 上的Ar氣體係被電離並被電漿化。
電漿中之Ar離子，係被各濺鍍部201 ～204 之磁石裝置261 ～264 所形成的磁場所捕捉。當從電源裝置37而對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加有負電壓時，Ar離子係與被施加有負電壓之擋板221 ～224 上的靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 相碰撞，並將被形成在該濺鍍面231 ～234 處之SiO2 的粒子彈飛。
濺鍍中之各濺鍍部201 ～204 之狀態，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。
若是經由移動裝置29而使磁石裝置261 移動，則磁石裝置261 的在靶材211 之表面上所形成的磁場，係成為與被磁場所捕捉之電漿一同地，而在靶材211 之表面上作移動，並沿著電漿所移動之軌跡而將靶材211 表面連續性地作濺鍍。
若是在使外周磁石27a1 之外周全體均會位置於濺鍍面231 之外周的內側處之移動範圍內，來使磁石裝置261 移動，則濺鍍面231 之中央部係被作濺鍍並被削成凹形狀。將濺鍍面231 中之被作濺鍍並被削去的區域，稱作侵蝕區域。對於濺鍍面231 作削去，直到成為能夠以視覺來辨認出侵蝕區域之外周位置為止。
接著，一面對於真空槽11內之真空排氣中的氣體組成或壓力作監測，一面逐漸擴廣磁石裝置261 之移動範圍，而將外周磁石27a1 之外周的一部份所超出至濺鍍面231 的外周之外側處的量逐漸增大。
隨著外周磁石27a1 之外周的一部份所超出至濺鍍面231 的外周之外側處的超出量之增大，靶材側防附著構件251 上之磁場的水平成分係變大，靶材側防附著構件251 係被濺鍍並被削去，如此一來，真空槽11內之真空排氣中的氣體組成係會改變。當根據真空槽11內之真空排氣中的氣體組成之改變而確認到靶材側防附著構件251 被作了濺鍍時，對於外周磁石27a1 之外周的超出至濺鍍面231 的外周之超出量作測定。
在後述之生產工程中，若是假設靶材側防附著構件251 被濺鍍並被削去，則靶材側防附著構件251 之粒子會附著在基板31之表面上，被形成在基板31之表面上的薄膜係成為被雜質所污染，因此，於此所測定出之超出量，係作為超出量最大值而記憶在控制裝置36中。
當靶材側防附著構件251 之硬度於此係大到不會被濺鍍的情況時，若是外周磁石27a1 之外周的一部份超出至相鄰接之靶材212 的濺鍍面232 之內側處，而相鄰接之靶材212 的濺鍍面232 被削去，則真空槽11內之壓力係改變。當根據真空槽11內之壓力的改變而確認到相鄰接之靶材212 之濺鍍面232 被作了濺鍍時，對於外周磁石27a1 之外周的從該濺鍍面231 之外周所超出的量作測定。
在後述之生產工程中，若是假設1個的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 ，經由被相鄰接之濺鍍部201 的磁石裝置261 之磁場所捕捉的電漿，而被作削去，則由於被形成在基板31之表面上的薄膜之平面性係會降低，因此，於此所測定出之超出量，係作為超出量最大值並記憶在控制裝置36中。
接著，參考圖3，將對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系13之混合氣體的導入，而結束濺鍍。
將各濺鍍部201 ～204 之靶材側防附著構件251 ～254 從支持部24而卸下，並將各濺鍍部201 ～204 之靶材部搬出至真空槽11之外側。
根據被搬出至真空槽11之外側處的靶材部之靶材211 ，來計測出侵蝕區域之外周和濺鍍面231 之外周間的間隔。由於係得知了：從外周磁石27a1 之外周起而較此間隔更內側處，係被濺鍍並被削去，因此，於此所求取出之間隔，係作為超出量最小值並記憶在控制裝置36中。
接著，作為生產工程，參考圖3，將各濺鍍部201 ～204 之未使用的靶材部搬入真空槽11內，並配置在絕緣物14上。
將靶材側防附著構件251 ～254 固定在支持部24處，並使各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 露出於各靶材側防附著構件251 ～254 的環之內側處。
藉由真空排氣裝置12，對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
將成膜對象物30搬入至真空槽11內，而使其在成膜對象物30之基板31的成膜面會與各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 相對面之位置處靜止。
將濺鍍氣體和反應氣體之混合氣體，以與上述之測定工程相同的流量來從氣體導入系13而導入至真空槽11內。各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的表面，係與被導入至真空槽11內之身為反應氣體的O2 氣體起反應，並形成SiO2 。
與測定工程相同的，從電源裝置37來對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 施加交流電壓，而將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 和基板31之間的Ar氣體電漿化，並對於各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 作濺鍍。
從各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 所被濺鍍的SiO2 之粒子的一部份，係附著在基板31之成膜面上，在基板31之成膜面上係被形成有SiO2 之薄膜。
從各靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 所被作濺鍍之SiO2 粒子的一部份，係附著在靶材側防附著構件251 ～254 之附著面或者是基板側防附著構件35之附著面上。靶材側防附著構件251 ～254 和基板側防附著構件35，係均為Al2 O3 ，靶材側防附著構件251 ～254 之附著面的算術平均粗度和基板側防附著構件35之附著面的算術平均粗度，均係被設為4μm以上10μm以下，如同後述之實施例中所示一般，在濺鍍中，附著在各防附著構件251 ～254 、35之附著面上的附著物之薄膜，係並不會從該附著面而剝離。故而，並不會產生像是從各防附著構件251 ～254 、35之附著面所剝離了的附著物之薄膜在真空槽11內飛散並引起發弧或者是對附著在基板31表面上並形成於基板31之成膜面上的薄膜造成污染的問題。
進而，由於靶材側防附著構件251 ～254 係為絕緣性，因此，堆積在靶材側防附著構件251 ～254 之附著面上的SiO2 之附著膜，係並不會發生絕緣破壞，在靶材側防附著構件251 ～254 上係並不會產生發弧。由於在靶材側防附著構件251 ～254 上係並不會產生發弧，因此，係能夠防止由於發弧所造成之靶材側防附著構件251 ～254 的損傷。又，係能夠對於由起因於發弧之雜質所導致的對於形成在基板31之成膜面上的薄膜之污染作防止。
濺鍍中之各濺鍍部201 ～204 之狀態，係為相同，故以符號201 之濺鍍部為代表來作說明。
控制裝置36，於此係構成為使磁石裝置261 ，在外周磁石27a1 之外周全體均進入至較靶材211 之濺鍍面231 的外周更內側處的位置、和外周磁石27a1 之外周的一部份會從濺鍍面231 的外周而超出的位置，此兩者的位置間移動。
亦即是，磁石裝置261 ，係構成為：在外周磁石27a1 之外周全體均進入至較包圍濺鍍面231 的周圍之防附著構件251 的內周而更內側處的位置、和外周磁石27a1 之外周的一部份超出至較包圍濺鍍面231 之周圍的防附著構件251 之內周而更外周側處的位置，此兩者的位置間移動。
若是在濺鍍中而外周磁石27a1 之外周的一部份從濺鍍面231 之外周而超出，則藉由磁石裝置261 所形成之磁場而捕捉到的電漿，係會與靶材側防附著構件251 接觸，但是，靶材側防附著構件251 由於係藉由絕緣性之材質所形成，因此，就算是電漿與靶材側防附著構件251 相接觸，亦不會產生發弧。故而，係能夠對於靶材211 之濺鍍面231 中的較先前技術而更為廣泛的面積而進行濺鍍。
本發明之控制裝置36，係並不被限定於上述構成，而亦包含有構成為使磁石裝置261 ，在外周磁石27a1 之外周全體均被包含在較靶材211 之濺鍍面231 的外周更內側處的範圍內移動的情況。然而，係以使外周磁石27a1 之外周的一部份從濺鍍面231 之外周而超出的情況，能夠對於濺鍍面231 中之更廣的面積作濺鍍，而為理想。
於此，控制裝置36，係在使外周磁石27a1 之外周的一部份從濺鍍面231 之外周而超出較藉由測定工程所求取出之超出量最小值更長的距離，而使磁石裝置261 移動的情況時，係構成為：使外周磁石27a1 之表面與靶材211 之濺鍍面231 全體的各點之正背面的點至少各作一次的對面，並且使外周磁石27a1 之外周與濺鍍面231 之外周全周的各部份作至少各一次的交叉。
因此，濺鍍面231 之較外周而更內側處的全體，係被濺鍍並被削去，在濺鍍面231 處，作了再附著之SiO2 係並不會堆積在濺鍍面231 上。在先前技術中，係會由於在導電性之靶材表面上堆積有絕緣性之SiO2 ，而由於堆積了的SiO2 處之絕緣破壞而在靶材上產生有發弧，但是，在本發明中，由於在靶材211 上係並不會堆積SiO2 ，因此，在靶材211 上係並不會產生發弧。
由於在靶材211 上係並不會產生發弧，因此，係能夠防止由於發弧所造成之靶材211 的損傷。又，係能夠對於形成在基板31處之薄膜的由於雜質所導致之污染作防止。
進而，控制裝置36，係構成為使外周磁石27a1 之外周從濺鍍面231 之外周而超出較藉由測定工程所求取出之超出量最大值而更短之距離。故而，係能夠對於靶材側防附著構件251 被作濺鍍並被削去的情況作防止，並且亦能夠對於形成在基板31處之薄膜的由於雜質所導致之污染作防止。
另外，若是以各濺鍍部201 ～204 中之1個的濺鍍部(例如符號201 )和與其鄰接之其他的濺鍍部202 之間的關係來作說明，則控制裝置36，係使1個的濺鍍部201 之磁石裝置261 ，亦在該磁石裝置261 之外周磁石27a1 的外周全體為較該濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周而更進入至內側處的位置、和該外周磁石27a1 的外周之一部份為超出至該濺鍍面231 之外周和與該靶材211 相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之外周之間處的位置，此兩者之位置間作移動。
亦即是，若是將1個的濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周、和與該濺鍍部201 相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之外周，其兩者間的區域，稱作外側區域，則控制裝置36，係使該濺鍍部201 之磁石裝置261 ，亦在該磁石裝置261 之外周磁石27a1 的外周全體為較該濺鍍部201 之靶材211 的濺鍍面231 之外周而更進入至內側處的位置、和超出至外側區域處的位置，此兩者之位置間作移動。
換言之，被設置在至少1個的靶材211 之濺鍍面231 的背面側處之磁石裝置261 ，係構成為：在外周磁石27a1 之外周全體均為進入至較包圍該靶材211 之濺鍍面231 的周圍之防附著構件251 的內周而更內側之位置、和外周磁石27a1 之一部份為超出至較靶材211 之防附著構件251 的內側而更外側處和包圍與該靶材211 相鄰接之其他的靶材212 之濺鍍面232 之周圍之防附著構件252 的內周之間之位置，此兩者之位置間作移動。
因此，在本發明中，當將各濺鍍部201 ～204 之靶材211 ～214 的濺鍍面231 ～234 之大小，設為與先前技術相同，並且，將1個的濺鍍部(於此，係為符號201 )之靶材211 的濺鍍面231 中之被作濺鍍的侵蝕區域之外周、和相鄰接之其他的濺鍍部202 之靶材212 的濺鍍面232 之侵蝕區域的外周，其兩者間之寬幅設為與先前技術之情況相同的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材211 ～214 的外周間之空隙設為較先前技術更廣，因此，係能夠相較於先前技術而將所使用之靶材的量更加減少，而成為降低成本。
參考圖2、圖3，對於靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 持續進行特定時間之濺鍍，而在基板31之成膜面上形成特定之厚度的SiO2 之薄膜，之後，將對於各濺鍍部201 ～204 之擋板221 ～224 的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系13而來之混合氣體的導入，而結束濺鍍。
將結束處理之成膜對象物30搬出至真空槽11之外側，並運送至後續工程。接著，將未處理之成膜對象物30搬入至真空槽11內，而反覆進行由上述之生產工程所致的濺鍍成膜。
在上述說明中，雖係針對濺鍍成膜裝置10為具備有複數個的濺鍍部之情況而作了說明，但是，本發明係亦包含僅具備有1個濺鍍部的情況。於此情況，只要將電源裝置電性連接於擋板和基板保持板處，並對於靶材和基板施加互為相異極性之交流電位，而在靶材和基板之間使放電產生，並使靶材和基板之間的濺鍍氣體電漿化即可。
在上述說明中，係使各濺鍍部之靶材和基板分別以立起了的狀態來相對面，但是，本發明，只要是使各濺鍍部之靶材的濺鍍面和基板之成膜面相互對面，則並不被限定於上述之配置，亦可在各濺鍍部之靶材的上方配置基板，並使該些相互對面，且亦可在各濺鍍部之靶材的下方配置基板，並使該些相互對面。若是在各濺鍍部之靶材的下方配置基板，則由於粒子會落下至基板上而使薄膜之品質降低，因此，較理想，係在各濺鍍部之靶材的上方配置基板，或者是如同上述之說明一般，將各濺鍍部之靶材和基板分別以立起了的狀態來相對面。
另外，在圖1中，雖係將磁石裝置261 ～264 之平面形狀展示為細長形狀，但是，本發明之磁石裝置261 ～264 的平面形狀，係並不被限定於細長形狀。
在上述說明中，首先係使O2 氣體和Si之靶材211 ～214 表面起反應，而在靶材211 ～214 之表面上形成SiO2 ，之後，再對靶材211 ～214 之表面作濺鍍，而形成了SiO2 之薄膜，但是，就算是當並不使O2 氣體與靶材211 ～214 之表面起反應，而對於Si之靶材211 ～214 的表面進行濺鍍，再使從靶材211 ～214 之表面所放出的Si之粒子與O2 氣體起反應，而形成SiO2 薄膜的情況，亦係被包含在本發明中。
在上述說明中，雖係針對一面將O2 氣體導入至真空槽11內一面對於Si之靶材進行濺鍍而形成SiO2 之薄膜的情況作了說明，但是，就算是對於SiO2 之靶材進行濺鍍並形成SiO2 之薄膜的情況，亦係被包含在本發明中。
進而，本發明，係亦可使用在對於Al等之金屬材料的靶材進行濺鍍並形成金屬之薄膜的情況中。
當在成膜中並不使用O2 氣體的情況時，亦可從濺鍍成膜裝置10之氣體導入系13中而將O2 氣體源13b省略。
本發明之防附著構件，只要是從靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 而被濺鍍並放出的濺鍍粒子會作附著的位置，則係並不被限定於上述一般之被配置在將靶材211 ～214 之濺鍍面231 ～234 的外周作包圍之位置處的靶材側防附著構件251 ～254 或者是被配置在將基板31之成膜面的外周作包圍之基板側防附著構件35，例如亦可具備有被配置在真空槽11之內壁面的防附著構件。符號39，係對於被配置在真空槽11之內壁面的防附著構件作展示。
當真空槽11之內壁面的材質係為Al2 O3 的情況時，亦可並不在真空槽11之內壁面上安裝防附著構件39，而是對於真空槽11之內壁面本身進行處理而使其成為4μm以上10μm以下之算術平均粗度並作使用。然而，若是在內壁面上安裝防附著構件39，則對於真空槽11所進行之清淨係為容易，故為理想。
本發明之防附著構件，只要係為Al2 O3 ，並且在防附著構件的表面中之成膜粒子會作附著的附著面之算術平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下，則係並不被限定於如同上述說明一般之在濺鍍裝置中所被使用的防附著構件，參考圖2、圖4，就算是在具備有真空槽11、和對真空槽11內進行真空排氣之真空排氣裝置12、和從被配置在真空槽11內之成膜材料211 、21而使成膜粒子放出之放出手段，並且在基板31之表面而使成膜材料堆積之成膜裝置10、10a中，而被配置在成膜粒子會作附著的位置處之防附著構件251 、35、39，亦係被包含在本發明中。
於此，所謂放出手段，具體而言，參照圖2，當成膜裝置10為濺鍍裝置的情況時，係指將氣體導入至真空槽11內之氣體導入系13、和將被導入之氣體作加速並使其與靶材碰撞之電源裝置37，參考圖4，當成膜裝置10a為蒸鍍裝置的情況時，係指加熱成膜材料21之加熱裝置51。
又，本發明之防附著構件，只要係為Al2 O3 ，並且在防附著構件的表面中之成膜粒子會作附著的附著面之算術平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下，則參考圖5、圖6，就算是在具備有真空槽11、和對真空槽11內進行真空排氣之真空排氣裝置12、和將氣體導入至真空槽11內之氣體導入系52、和使被導入至真空槽11內之氣體起化學反應並產生成膜粒子之反應手段，並且在基板31之表面而使成膜材料堆積之成膜裝置10b、10c中，而被配置在成膜粒子會作附著的位置處之防附著構件35、39，亦係被包含在本發明中。
於此，所謂反應手段，具體而言，參照圖5，當成膜裝置10b為PE-CVD裝置的情況時，係指使被導入至真空槽11內氣體放電的電極53，參考圖6，當成膜裝置10c為Cat-CVD裝置的情況時，係指與被導入至真空槽11內之氣體作接觸並使氣體分解之燈絲55。另外，圖5之符號54，係為對於電極53施加電壓之電源裝置。
另外，本發明之防附著構件，相較於在金屬母材之表面上將Al2 O3 作了膜被覆者，係以Al2 O3 之無垢材為更理想。此係因為，若是在金屬母材之表面上將Al2 O3 之薄膜作了膜被覆者，則若是被電漿之熱所加熱，則會因為金屬之熱膨脹率較Al2 O3 更大，而產生使Al2 O3 被覆膜從作了熱膨脹的金屬母材而剝離之虞之故。
[實施例]
作成藉由電漿處理而將附著面之算術平均粗度設為較2μm更小的身為Al2 O3 之第1試驗用防附著構件、和藉由電漿處理而將附著面之算術平均粗度設為2μm以上而較3μm更小的身為Al2 O3 之第2試驗用防附著構件、和藉由電漿處理而將附著面之算術平均粗度設為4μm以上而較6μm更小的身為Al2 O3 之第3試驗用防附著構件、以及藉由電漿處理而將附著面之算術平均粗度設為6μm以上10μm以下的身為Al2 O3 之第4試驗用防附著構件。
在本發明之濺鍍成膜裝置10中，作為試驗工程，將第1～第4試驗用防附著構件中之其中一種類作為防附著構件251 ～254 、35來使用，並將Ar氣體和O2 氣體之混合氣體導入真空槽11內，而對於Si之靶材211 ～214 進行濺鍍，來使SiO2 之粒子附著在防附著構件251 ～254 、35之表面上。持續進行靶材211 ～214 之濺鍍，直到附著在防附著構件251 ～254 、35之附著面上的附著物之薄膜(SiO2 膜)的膜厚成為1000μm為止，之後，停止濺鍍，並將防附著構件251 ～254 、35搬出至真空槽11之外側，而對於防附著構件251 ～254 、35之附著面拍攝了相片。作為防附著構件251 ～254 、35，將第1～第4試驗用防附著構件一次一種類地作使用，而反覆進行了此試驗工程。
另外，係預先得知了：在上述濺鍍成膜裝置10中，若是並不對於防附著構件251 ～254 、35作交換地而對於10000枚之基板31進行成膜，則在防附著構件251 ～254 、35之附著面上，係被形成有1000μm之膜厚的SiO2 膜。
圖7，係為對於第1試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。在照片上，於從右側邊緣起之廣範圍處，係能夠確認到從SiO2 膜之附著面的膜之剝離。
圖8，係為對於第2試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。係可確認到部分性之SiO2 膜的從附著面之剝離。
圖9，係為對於第3試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。雖然在SiO2 膜之表面上能夠確認到起伏，但是係並無法確認到SiO2 膜之從附著面的剝離。
圖10，係為對於第4試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。在SiO2 膜之表面上，係並無法確認到起伏，且亦無法確認到SiO2 膜之從附著面的剝離。
根據上述結果，可以得知：只要在防附著構件中使用藉由電漿處理而將附著面之算術平均粗度設為了4μm以上10μm以下的Al2 O3 ，則就算是對於10000枚的基板進行處理，附著物亦不會從防附著構件之附著面而剝離。
又，可以得知，當將附著面之前述算術粗度設為了6μm以上10μm以下的情況時，其之防止附著物剝離的效果係為更高。
10．．．濺鍍成膜裝置
10a、10b、10c．．．成膜裝置
11．．．真空槽
12．．．真空排氣裝置
13．．．氣體導入系
13b．．．反應氣體源(O2 氣體源)
21．．．成膜材料
211 ～214 ．．．靶材(成膜材料)
251 ～254 ．．．靶材側防附著構件
31．．．基板
35．．．基板側防附著構件
37．．．電源裝置
39．．．被配置在真空槽之內壁面的防附著構件
52．．．氣體導入系
[圖1]本發明之濺鍍成膜裝置的內部構成圖。
[圖2]本發明之濺鍍成膜裝置的A-A線切斷剖面圖。
[圖3]本發明之濺鍍成膜裝置的B-B線切斷剖面圖。
[圖4]真空蒸鍍裝置之內部構成圖。
[圖5]PE-CVD裝置之內部構成圖。
[圖6]Cat-CVD裝置之內部構成圖。
[圖7]對於第1試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。
[圖8]對於第2試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。
[圖9]對於第3試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。
[圖10]對於第4試驗用防附著構件之試驗工程後的附著面作了攝影之照片。
[圖11]先前技術之濺鍍成膜裝置的內部構成圖。
10．．．濺鍍成膜裝置
11．．．真空槽
12．．．真空排氣裝置
13．．．氣體導入系
13a．．．濺鍍氣體源
13b．．．反應氣體源(O2 氣體源)
201 ～204 ．．．濺鍍部
211 ～214 ．．．靶材(成膜材料)
221 ～224 ．．．擋板
231 ～234 ．．．濺鍍面
24．．．支持部
251 ～254 ．．．靶材側防附著構件
261 ～264 ．．．磁石裝置
29．．．移動裝置
30．．．成膜對象物
31．．．基板
32．．．基板保持板
35．．．基板側防附著構件
36．．．控制裝置
37．．．電源裝置
39．．．被配置在真空槽之內壁面的防附著構件

Claims (9)

  1. 一種濺鍍成膜裝置，係具備有：真空槽、和將前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、和具備有露出於前述真空槽內之濺鍍面的靶材、和對於前述靶材施加電壓之電源裝置、和被配置在從前述靶材之前述濺鍍面所被濺鍍出之濺鍍粒子會作附著的位置處之防附著構件，該濺鍍成膜裝置，係在被配置於與前述靶材之前述濺鍍面相對面的位置處之基板的成膜面上，而成膜薄膜，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述濺鍍粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，前述防附著構件，係具備有：以將前述靶材的前述濺鍍面之周圍作包圍的方式，而設置在前述靶材處之靶材側防附著構件。
  3. 一種濺鍍成膜裝置，係為如申請專利範圍第2項所記載之濺鍍成膜裝置，並具備有複數之前述靶材，各前述靶材，係在前述真空槽內相互分離而被並排成一列地作配置，各前述靶材之前述濺鍍面，係以位置在相同之平面上的方式而被作對齊，前述電源裝置，係構成為對相鄰之2個靶材之間施加交流電壓，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：相鄰之2個前述靶材中之其中一方的前述靶材之前述濺鍍面的外周、和另外一方之前述靶材的前述濺鍍面之外周，其兩者間的空隙，係藉由前述靶材側防附著構件而被作覆蓋。
  4. 一種濺鍍成膜裝置，係為如申請專利範圍第2項所記載之濺鍍成膜裝置，並具備有複數之前述靶材，各前述靶材，係在前述真空槽內相互分離而被並排成一列地作配置，各前述靶材之前述濺鍍面，係以位置在相同之平面上的方式而被作對齊，前述電源裝置，係構成為對各前述靶材、和被配置在與各前述靶材之前述濺鍍面相對面的位置處之基板之間，施加直流電壓或者是交流電壓的其中一者，該濺鍍成膜裝置，其特徵為：相鄰之2個前述靶材中之其中一方的前述靶材之前述濺鍍面的外周、和另外一方之前述靶材的前述濺鍍面之外周，其兩者間的空隙，係藉由前述靶材側防附著構件而被作覆蓋。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，前述防附著構件，係具備有：以將前述基板的前述成膜面之周圍作包圍的方式，而設置在前述基板處之靶材側防附著構件。
  6. 如申請專利範圍第1～5項中之任一項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為SiO2 。
  7. 如申請專利範圍第1～5項中之任一項所記載之濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材，係為Si，前述氣體導入系，係具備有放出O2 氣體之O2 氣體源。
  8. 一種防附著構件，係為在具備有真空槽、和對前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、以及從被配置在前述真空槽內之成膜材料而放出成膜粒子之放出手段的成膜裝置中，而被配置在前述成膜粒子所會附著之位置處的防附著構件，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述成膜粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
  9. 一種防附著構件，係為在具備有真空槽、和對前述真空槽內作真空排氣之真空排氣裝置、和將氣體導入至前述真空槽內之氣體導入系、以及使被導入至前述真空槽內之前述氣體產生化學反應並產生成膜粒子之反應手段的成膜裝置中，而被配置在前述成膜粒子所會附著之位置處的防附著構件，其特徵為：前述防附著構件，係為Al2 O3 ，前述防附著構件的表面中之前述成膜粒子所附著的附著面之算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下。
TW100121226A 2010-06-17 2011-06-17 濺鍍成膜裝置及防附著構件 TWI470101B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010138498 2010-06-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201213576A TW201213576A (en) 2012-04-01
TWI470101B true TWI470101B (zh) 2015-01-21

Family

ID=45348227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121226A TWI470101B (zh) 2010-06-17 2011-06-17 濺鍍成膜裝置及防附著構件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130098757A1 (zh)
JP (1) JP5362112B2 (zh)
KR (2) KR20150092375A (zh)
CN (1) CN103038385B (zh)
TW (1) TWI470101B (zh)
WO (1) WO2011158828A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5891040B2 (ja) * 2012-01-16 2016-03-22 株式会社アルバック スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法
JP5968740B2 (ja) * 2012-09-20 2016-08-10 株式会社アルバック ターゲット装置、スパッタ装置、及び、ターゲット装置の製造方法
KR200471181Y1 (ko) 2013-02-20 2014-02-21 쉬 허 테크놀로지스 인코포레이티드 반도체 스퍼터링 장치의 반응실 구조
KR102234456B1 (ko) * 2013-07-09 2021-04-01 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 전기적 절연층의 반응성 스퍼터 침착을 위한 타깃
US10008372B2 (en) * 2014-02-19 2018-06-26 Sakai Display Products Corporation Film deposition apparatus
US10170288B2 (en) * 2014-02-19 2019-01-01 Sakai Display Products Corporation Sputtering apparatus
CN106756834A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种真空溅镀机防着板及其制备方法
TWI684283B (zh) 2017-06-07 2020-02-01 日商日新電機股份有限公司 薄膜電晶體的製造方法
CN110832108B (zh) 2017-06-30 2023-03-31 凸版印刷株式会社 膜处理方法及膜制造方法
CN108342683A (zh) * 2018-02-09 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种预溅射基板及其制作方法
JP2019157144A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 シャープ株式会社 成膜装置
JP7012157B2 (ja) * 2018-06-20 2022-01-27 株式会社アルバック 防着部材及び真空処理装置
JP7361497B2 (ja) * 2019-05-28 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200948999A (en) * 2008-01-21 2009-12-01 Ulvac Inc Sputtering film forming method and sputtering film forming apparatus
JP2010116629A (ja) * 2010-03-05 2010-05-27 Canon Anelva Corp 基板処理装置及び基板処理装置におけるアーキング発生監視方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4042287C2 (de) * 1990-12-31 1999-10-28 Leybold Ag Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff
DE4106770C2 (de) * 1991-03-04 1996-10-17 Leybold Ag Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
JPH1025569A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Shin Etsu Chem Co Ltd スパッタ装置
JP2001140054A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Nec Kagoshima Ltd 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置
US7306707B2 (en) * 2003-06-04 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same
JP2005036300A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Ntt Afty Corp プラズマ成膜装置及びその防着シールド並びに防着シールドの構造設計方法
JP4780972B2 (ja) * 2004-03-11 2011-09-28 株式会社アルバック スパッタリング装置
KR101073420B1 (ko) * 2004-06-07 2011-10-17 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터링 방법 및 마그네트론 스퍼터링 장치
US8647484B2 (en) * 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
CN101622374B (zh) * 2007-03-01 2012-07-18 株式会社爱发科 薄膜形成方法及薄膜形成装置
JP5283880B2 (ja) * 2007-10-01 2013-09-04 株式会社東芝 真空成膜装置
JP2009161819A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Fuji Electric Holdings Co Ltd スパッタリング装置
WO2011152482A1 (ja) * 2010-06-03 2011-12-08 株式会社アルバック スパッタ成膜装置
WO2011152481A1 (ja) * 2010-06-03 2011-12-08 株式会社アルバック スパッタ成膜装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200948999A (en) * 2008-01-21 2009-12-01 Ulvac Inc Sputtering film forming method and sputtering film forming apparatus
JP2010116629A (ja) * 2010-03-05 2010-05-27 Canon Anelva Corp 基板処理装置及び基板処理装置におけるアーキング発生監視方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103038385A (zh) 2013-04-10
KR20150092375A (ko) 2015-08-12
JPWO2011158828A1 (ja) 2013-08-19
US20130098757A1 (en) 2013-04-25
TW201213576A (en) 2012-04-01
WO2011158828A1 (ja) 2011-12-22
CN103038385B (zh) 2014-12-24
JP5362112B2 (ja) 2013-12-11
KR20130041105A (ko) 2013-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI470101B (zh) 濺鍍成膜裝置及防附著構件
US20150311043A1 (en) Chamber component with fluorinated thin film coating
TWI448573B (zh) 濺鍍成膜裝置
JP5824072B2 (ja) スパッタリング装置
TW201936389A (zh) 稀土氧化物系抗電漿腐蝕薄膜塗層
TWI488988B (zh) 濺鍍成膜裝置
TWI577820B (zh) Means for improving MOCVD reaction method and improvement method thereof
JP5654939B2 (ja) 成膜装置
CN104241069B (zh) 等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法
JP4233702B2 (ja) カーボンスパッタ装置
EP2835444A1 (en) Vacuum film deposition device and vacuum film deposition method
JP2013147711A (ja) 気相成長装置
JP2002115051A (ja) バイアススパッタリング装置
JP2014173166A (ja) スパッタ装置および太陽電池の製造方法
JP5978072B2 (ja) 絶縁膜の形成方法
JP4902054B2 (ja) スパッタリング装置
JP2013079420A (ja) スパッタ装置
US20100155935A1 (en) Protective coating for semiconductor substrates
JP2013007109A (ja) スパッタリング用のターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
JP2020041167A (ja) 成膜装置用の部品及び成膜準備方法
JP2020152984A (ja) 成膜装置用の部品及びその製造方法
KR19980042709A (ko) 코팅된 증착 챔버 장치