JP2020041167A - 成膜装置用の部品及び成膜準備方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数枚の被処理基板に対して非晶質な酸化インジウム系酸化物膜を継続して成膜する場合にも、製品歩留まりの低下を防止することができるスパッタリング装置用の部品を提供する。【解決手段】真空チャンバ１内でターゲット２をスパッタリングして被処理基板Ｗの表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するとき、真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜される本発明のスパッタリング装置用の部品５ａ，５ｂ，５ｃは、母材金属５１と、その母材金属の表面に形成された結晶質の酸化インジウム系酸化物膜５２とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、真空チャンバ内で物理蒸着法により被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するとき、真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜される成膜装置用の部品及び成膜準備方法に関する。

ディスプレイ装置の製造工程には透明導電膜を成膜する工程があり、透明電極膜としては、例えばＩＴＯ膜やＩＴＩＯ膜のような酸化インジウム系酸化物膜が用いられる場合がある。このような酸化インジウム系酸化物膜の成膜には、真空蒸着法やスパッタリング法などの物理蒸着法によるものを利用することが従来から知られている。スパッタリング法によりＩＴＯ膜を成膜する場合を例に説明すると、スパッタリング装置の真空チャンバ内に被処理基板とＩＴＯターゲットとを対向配置し、真空雰囲気中の真空チャンバ内に希ガス（または希ガス及び酸素ガス）を導入し、ＩＴＯターゲットに負の電位を持った所定電力を投入してプラズマ雰囲気を形成し、プラズマ雰囲気中の希ガスのイオンでＩＴＯターゲットをスパッタリングすることで、ＩＴＯターゲットから飛散したスパッタ粒子を被処理基板に付着、堆積させて被処理基板表面にＩＴＯ膜が成膜される（例えば特許文献１参照）。この場合、真空チャンバ内に導入するガス種やその流量、成膜時の真空チャンバ内の圧力、成膜時の基板温度などの成膜条件によって、成膜されるＩＴＯ膜を非晶質なものまたは結晶化したものにできることが一般に知られている。

ここで、上記のようにして被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するとき、例えば真空チャンバの内壁への着膜を防止する防着板のような真空チャンバ内に存する各種の部品（即ち、成膜対象ではないもの）の表面などにＩＴＯ膜が形成されることとなる。そして、複数枚の被処理基板に対してＩＴＯ膜を継続して成膜していく場合に、被処理基板に成膜しようとするＩＴＯ膜の膜質によっては、被処理基板にパーティクルが付着して、製品歩留まりを低下させることが判明した。

そこで、本発明者は、鋭意研究を重ね、次のことを知見するのに至った。即ち、複数枚の被処理基板に対してＩＴＯ膜を継続して成膜する場合、同様に、真空チャンバ内に存する各種の部品の表面にもスパッタ粒子が付着、堆積してＩＴＯ膜が形成される。このとき、所望の膜質である（２２２）方位が支配的となる多配向結晶化ＩＴＯ膜を得る成膜条件の場合、真空チャンバ内に存する部品のうち、例えば、防着板の裏面側（即ち、真空チャンバの壁面に面する側）にスパッタ粒子が回り込んで付着、堆積して成膜されたもののような所謂回り込み膜であって、プラズマ雰囲気に曝されないものや、プラズマ雰囲気に曝されるものの、所定温度に冷却されている部品表面に成膜したものは、（４００）方位が支配的となる単結晶のような膜質（黄色の膜）になり、且つ、針状構造で内部に空間を多く持つことを知見するのに至った。そして、このような膜は、柱状構造で内部に空間が殆どない上記多配向結晶化ＩＴＯ膜とは異なり、外力からの影響に弱くて脆いことから、これが、何らかの原因で黄色の粉状体（イエローパウダー）となって真空チャンバ内に飛散し、この飛散したものがパーティクルとなって被処置基板表面に付着するものと考えられた。

特開２０１５−９９４号公報

本発明は、上記知見に基づきなされたものであり、物理蒸着法により酸化インジウム系酸化物膜を継続して成膜する場合に、製品歩留まりの低下を防止することができる成膜装置用の部品及び成膜準備方法を提供することをその課題とするものである。

上記課題を解決するために、本発明は、真空チャンバ内で物理蒸着法により被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するとき、真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜される成膜装置用の部品において、母材金属と、その母材金属の表面に形成される、酸化インジウム系酸化物の結晶化膜とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、物理蒸着法、特にプラズマを利用したものにより被処理基板表面に継続してＩＴＯ膜を成膜するとき、同様に、真空チャンバ内に存する各種の部品表面にもターゲットから飛散したスパッタ粒子が付着、堆積してＩＴＯ膜が形成される。このとき、所望の膜質のＩＴＯ膜を得るための成膜条件によっては、所謂回り込み膜であって、プラズマ雰囲気に曝されないものや、プラズマ雰囲気に曝されるものの、所定温度に冷却されている部品表面に付着、堆積したものは、本質的には、（４００）方位に支配的に配向した単結晶のような膜質で、且つ、針状構造を持つＩＴＯ膜が形成されるところであるが、母材金属の表面に酸化インジウム系酸化物の結晶化膜が予め形成されているために、この結晶化膜表面に形成されるＩＴＯ膜は、上記と比較して太い針状構造を持つものに変化する（即ち、より強固な膜質へと改善される）。その結果、外力からの影響に強くなり、黄色の粉状体（イエローパウダー）となって真空チャンバ内に飛散するものを可及的に減少させることができる。これにより、真空チャンバ内に存する部品表面に成膜されたＩＴＯ膜がパーティクルの発生源となることがなく、製品歩留まりの低下を防止することができる。

なお、本発明において、「結晶化膜」は、その後に積層され得るＩＴＯ膜の針状構造を少なくともその界面で肥大化できるものであればよく、このような結晶化膜としては、例えば、（２２２）方位が支配的となる多配向結晶化ＩＴＯ膜が挙げられる。また、所謂「回り込み膜」とは、粒子放出源を直視できるような位置にはないが、反跳した粒子が到達することで成膜がなされたものをいい、例えば、物理蒸着法がスパッタリング法である場合、ターゲット表面から見て余弦則による直接のスパッタ粒子の入射を受けない位置にて、反跳したスパッタ粒子が到達して成膜がなされたものがその一例として挙げられる。

本発明において、前記酸化インジウム系酸化物膜の結晶化膜の膜厚を２０ｎｍ以上１ｍｍ未満としておけば、結晶化膜表面に形成されるＩＴＯ膜は、上記と比較して太い針状構造を持つものに確実に変化させることができ、有利である。

また、上記課題を解決するために、本発明は、真空チャンバ内でスパッタリング法により酸化インジウム系酸化物のターゲットをスパッタリングして被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するのに先立って実施される成膜準備方法であって、真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜され得る金属製の成膜装置用の部品表面に、酸化インジウム系酸化物の結晶化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。なお、酸化インジウム系酸化物の結晶化膜は、少なくとも、ターゲット表面から見て余弦則による直接のスパッタ粒子の入射を受けない位置にあるものの、回り込み膜が形成される領域や、スパッタリング法による成膜時、所定温度に冷却されている部品であってプラズマ雰囲気に曝される領域に形成されていればよい。

本発明の実施形態のスパッタリング装置用部品が適用されたスパッタリング装置を示す模式的断面図。 本実施形態で用いられる酸化インジウム系酸化物の結晶化膜をＸＲＤ分析したときのグラフであり、（ａ）はその膜厚が４０ｎｍ、（ｂ）はその膜厚が１５０ｎｍの場合である。 本実施形態で用いられる母材金属の表面をＸＲＤ分析したときのグラフであり、（ａ）はステンレス、（ｂ）はステンレス表面にアルミニウムを溶射したものである。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の効果を示す実験で成膜されたガラス片のＳＥＭ画像。

以下、図面を参照して、物理蒸着法をスパッタリング法とし、また、真空チャンバ内に存してその表面にも酸化インジウム系酸化物膜が成膜される成膜装置用の部品を、真空チャンバ内に配置される防着板とし、本発明のスパッタリング装置用の部品の実施形態及び本実施形態の成膜準備方法を説明する。

図１を参照して、ＳＭは、ガラス基板などの被処理基板（以下「基板Ｗ」という）表面に対して物理蒸着法としてのスパッタリング法により成膜が実施できるマグネトロン方式のスパッタリング装置である。スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１を備え、真空チャンバ１の天井部には、公知の方法で製作されたＩＴＯ製のターゲット２が取り付けられている。以下においては、図１に示すスパッタリング装置ＳＭの姿勢を基準に、真空チャンバ１の天井部側を向く方向を「上」とし、その底部側を向く方向を「下」として説明する。

ターゲット２は、内部に冷媒循環通路（図示省略）が形成された銅等の熱伝導に優れた金属製のバッキングプレート２１の下面にインジウム等の公知のボンディング剤（図示省略）を介して接合され、この状態でスパッタ面２ａを下方にして絶縁体Ｉ_１を介して真空チャンバ１の側壁上部に取り付けられている。バッキングプレート２１にはスパッタ電源Ｅが接続され、スパッタリングによる成膜時、例えば、バッキングプレート２１を介してターゲット２に負の電位を持った電力が投入できるようにしている。バッキングプレート２１の上方には、ターゲット２を貫通する漏洩磁場を作用させる閉鎖磁場若しくはカスプ磁場構造の磁石ユニット３が配置されている。

真空チャンバ１の底部中央には、ターゲット２に対向させてステージ４が絶縁体Ｉ_２を介して配置されている。ステージ４は、基板Ｗの輪郭に対応した上面形状を持つ金属製の基台４１と、この基台４１上面に接着されるチャックプレート４２とで構成され、基板Ｗをその成膜面を上側にして位置決め保持できるようにしている。チャックプレート４２には、図示省略するチャック電源から電圧が印加される静電チャック用の電極が埋設されている。静電チャックの構造については、単極型や双極型等の公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。

また、真空チャンバ１内には、真空チャンバ１内壁への着膜を防止すると共に処理室１０を画成する環状の防着板５ａ，５ｂ，５ｃが配置され、本実施形態のスパッタリング装置用の部品を構成する。そして、防着板５ａは、ターゲット２の周囲を囲うように真空チャンバ１上部に吊設され、防着板５ｃは、基台４１の周縁部に立設され、防着板５ｂは、これらの防着板５ａ，５ｃと水平方向に所定間隔の隙間を夫々存して、かつ、上下方向に所定長さだけ夫々オーバーラップするように配置されている。尚、中間の防着板５ｂは、基板Ｗを搬送する際に、図示省略する昇降機構により上昇できるように構成されている。

真空チャンバ１の側壁上部には、マスフローコントローラ６１が介設された、アルゴン等の希ガスからなるスパッタガス（場合によっては、希ガスと酸素を含有する反応ガス）を導入するガス導入管６の先端部が貫設されて防着板５ａの近傍まで達している。そして、マスフローコントローラ６１によりスパッタガスを処理室１０に所定の流量で導入できるようにしている。また、真空チャンバ１の側壁下部に開設された排気口１１には、ターボ分子ポンプ等の真空排気手段Ｐに通じる排気管１２が接続され、処理室１０を真空引きできるようになっている。上記スパッタリング装置ＳＭは、特に図示しないが、マイクロコンピュータやシーケンサ等を備えた公知の制御手段を有し、制御手段によりスパッタ電源Ｅの稼働、マスフローコントローラ６１の稼働、真空排気手段Ｐの稼働等を統括管理するようになっている。

次に、スパッタリング装置ＳＭにより所定の成膜条件で基板Ｗの上面にＩＴＯ膜を成膜するのに際しては、先ず、図示省略の搬送ロボットを用いて、真空チャンバ１内のステージ４に基板Ｗをセットする。真空排気手段Ｐを作動させて処理室１０内を所定の真空度（例えば、１×１０^−５Ｐａ）まで真空引きした後、マスフローコントローラ６１を制御してスパッタガスたるアルゴンガスを所定の流量（例えば、１００〜１５００ｓｃｃｍ）で導入する（このとき、処理室１０の圧力は、０．１〜１Ｐａの範囲となる）。尚、反応ガスとしての酸素ガスを導入する場合、例えば、１〜１００ｓｃｃｍの範囲で導入される。そして、スパッタ電源Ｅによってターゲット２に５００〜５０００Ｗの範囲力で負の電位をもった直流電力を投入して処理室１０内にプラズマ雰囲気を形成する。これにより、ＩＴＯターゲット２のスパッタ面２ａがプラズマ雰囲気中の希ガスのイオンでスパッタされ、飛散したスパッタ粒子が基板Ｗ表面に付着、堆積してＩＴＯ膜が成膜される。

上記のようにして基板Ｗ表面にＩＴＯ膜を成膜するとき、真空チャンバ１内に存する部品としての防着板５ａ，５ｂ，５ｃにもＩＴＯ膜が形成される。即ち、処理室１０側に位置する防着板５ａ，５ｂ，５ｃの表面だけでなく、互いにオーバーラップすることで遮蔽される防着板５ａ，５ｂ，５ｃの部分５０ａ，５０ｂ（真空チャンバ１の壁面側に位置する防着板５ａ，５ｂ，５ｃの裏面の一部を含む）にも、スパッタ粒子が回り込んで付着、堆積し、ＩＴＯ膜が形成される。つまり、防着板５ａ，５ｂ，５ｃの部分５０ａ，５０ｂは、本質的にターゲット２表面から見て余弦則による直接のスパッタ粒子の入射を受けない位置にあるが、防着板５ａ，５ｂ，５ｃ相互の間に間隙５０ｃが存在することで、反跳したスパッタ粒子が到達することでＩＴＯ膜（所謂回り込み膜）が成膜される。この場合、成膜時の真空チャンバ１内の圧力などの成膜条件にもよるが、防着板５ａ，５ｂ，５ｃの上下方向において間隙５０ｃの開口幅に対して２倍程度の領域まで回り込み膜が成膜され、この領域までに形成された回り込み膜が、後述のようにパーティクルの発生源になり得る。

ここで、本願発明者らの実験によれば、成膜条件によっては（特に、基板Ｗ表面に非晶質のＩＴＯ膜を成膜するような条件で成膜する場合には）、処理室１０側に位置する、プラズマ雰囲気に直接曝される部分としての防着板５ａ，５ｂ，５ｃの表面（オーバーラップした部分５０ａ，５０ｂを除く）に形成されたＩＴＯ膜は、（２２２）と（４００）方位に配向した酸化インジウム系酸化物の多配向結晶化膜となっているのに対して、プラズマ雰囲気に曝されない部分としての防着板５ａ，５ｂ，５ｃの部分５０ａ，５０ｂに形成されたＩＴＯ膜は、（４００）方位が支配的となる単結晶のような膜質（黄色の膜）になり、且つ、針状構造で内部に空間を多く持つことが判った。そして、このようなＩＴＯ膜は、柱状構造で内部に空間が殆どない上記多配向結晶化膜とは異なり、外力からの影響に弱くて脆く、これが、何らかの原因で黄色の粉状体（イエローパウダー）となって真空チャンバ１内に飛散して浮遊したのでは、複数枚の基板Ｗ表面にＩＴＯ膜を継続して成膜するとき、製品歩留まりの低下を招来してしまう。

本実施形態では、防着板５ａ，５ｂ，５ｃをステンレス、アルミニウム、チタン等から選択される金属又は合金製の母材金属５１と母材金属５１の表面にその全面に亘って形成される酸化インジウム系酸化物の結晶化膜５２とで構成することとした。このような結晶化膜５２としては、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、２０〜６０度の範囲でＸＲＤ分析すると、例えば（２２２）や（４００）方位に多配向したものであって、（２２２）が他のミラー指数と比較して３倍以上の強度を持つ酸化インジウム系酸化物の多配向結晶化膜を用いることができる。このような結晶化膜５２の形成には、スパッタリング法だけでなく、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学的気相法（ＣＶＤ）等から選択される他の公知の方法を利用することもでき、また、ＩＴＯ膜を成膜した後にアニール処理を行うことで（多）結晶化したＩＴＯ膜を得るようにしてもよい。なお、結晶化膜５２は、少なくとも、ターゲット２表面から見て余弦則による直接のスパッタ粒子の入射を受けない位置であるものの、回り込み膜が形成される領域や、スパッタリングによる成膜時、所定温度に冷却されている部品であって、プラズマ雰囲気に曝される領域に形成されていればよい。また、母材金属５１の面に例えばブラスト処理を施して凹凸面とした上で結晶化膜５２を形成するようにしてもよい。このとき、表面粗さＲａを１μｍ以上とすれば、母材金属５１と結晶化膜５２との接触面積を増やすことができ、密着性を向上させることができる。また、母材金属５１と結晶化膜５２との間に、溶射等によりＡｌ膜を介在させてもよい。なお、母材金属５１としてのステンレスの表面を２０〜８０度の範囲でＸＲＤ分析すると、図３（ａ）に示すように、（１１１）に支配的に配向しており、また、ステンレスの表面にアルミニウムを溶射したものの表面を２０〜８０度の範囲でＸＲＤ分析すると、図３（ｂ）に示すように、上記同様、（１１１）に支配的に配向しており、これらの表面に回り込み膜が形成されると、成膜条件によっては、（４００）方位が支配的となる単結晶のような膜質（黄色の膜）になり、且つ、針状構造で内部に空間を多く持つものになる。

以上によれば、母材金属５１の表面に酸化インジウム系酸化物の結晶化膜５２が予め形成されているため、基板Ｗに対する成膜時に、母材金属５１表面の結晶化膜５２表面に形成されるＩＴＯ膜は、上記と比較して太い針状構造を持つものに変化する（即ち、より強固な膜質へと改善される）。その結果、外力からの影響に強くなって黄色の粉状体（イエローパウダー）となって真空チャンバ１内に飛散して浮遊するものを可及的に減少させることができる。これにより、防着板５ａ，５ｂ，５ｃがパーティクルの発生源となることがなく、製品歩留まりの低下を防止することができる。なお、上記酸化インジウム系酸化物膜の結晶化膜５２の膜厚を２０ｎｍ以上１ｍｍ未満としておけば、結晶化膜表面に形成されるＩＴＯ膜は、上記と比較して太い針状構造を持つものに確実に変化でき、有利である。

ところで、スパッタリング装置ＳＭにより複数枚の基板Ｗに対して所定の成膜条件でＩＴＯ膜を成膜しようする場合、その当初、真空チャンバ１内には、母材金属５１のままの防着板５ａ，５ｂ，５ｃを設けていてもよい。このような場合、真空チャンバ１内でＩＴＯ膜を成膜するのに先立って、本実施形態の成膜準備方法が実施される。具体的には、真空チャンバ１内のステージ４にダミー基板Ｗをセットし、真空排気手段Ｐを作動させて処理室１０内を所定の真空度（例えば、１×１０^−５Ｐａ）まで真空引きした後、マスフローコントローラ６１を制御してスパッタガスたるアルゴンガスや酸素ガスを所定の流量で導入する。そして、スパッタ電源Ｅによってターゲット２に負の電位をもった所定の直流電力を投入して処理室１０内にプラズマ雰囲気を形成し、ＩＴＯターゲット２のスパッタ面２ａをスパッタする。このとき、真空チャンバ内に導入するガス種やその流量、成膜時の真空チャンバ１内の圧力などの成膜条件を適宜設定し、プラズマ雰囲気に曝されない部分としての防着板５ａ，５ｂ，５ｃの部分５０ａ，５０ｂ（真空チャンバ１の壁面側に位置する防着板５ａ，５ｂ，５ｃの裏面の一部を含む）にも、スパッタ粒子を回り込ませてＩＴＯ膜を成膜し、このとき、このようなＩＴＯ膜を、例えば、（２２２）が他のミラー指数と比較して３倍以上の強度を持つ酸化インジウム系酸化物の多配向結晶化膜とする。これにより、その後に、複数枚の基板Ｗに対してスパッタリング装置ＳＭによりＩＴＯ膜を成膜する場合に、真空チャンバ１内に飛散して浮遊するものを可及的に減少させることができ、防着板５ａ，５ｂ，５ｃがパーティクルの発生源となることがなく、製品歩留まりの低下を防止することができる。

次に、上記効果を確認するために、上記スパッタリング装置ＳＭを用いて次の実験を行った。即ち、発明実験１では、ターゲット２をＩＴＯ（ＳｎＯ_２が１０ｗｔ％）ターゲット、基板Ｗをガラス基板とした。成膜条件として、基板Ｗを真空チャンバ１内のステージ４にセットした後、真空排気後に真空チャンバ１内にアルゴンガスを１０００ｓｃｃｍ、酸素ガスを２０ｓｃｃｍの流量で導入し（このときの処理室１０内の圧力は０．７Ｐａ）、ＩＴＯターゲット２に対する投入直流電力を２５００Ｗに設定し、処理室１０内にプラズマ雰囲気を形成して１８時間連続放電させた。そして、成膜に際しては、真空チャンバ１内でプラズマに直接晒されないが、ＩＴＯ膜が形成され得る位置に２枚のガラス片（試料１、試料２）をセットした。なお、試料２は、ガラス片の表面に、予め１５０ｎｍの膜厚で、（２２２）が他のミラー指数と比較して３倍以上の強度を持つ酸化インジウム系酸化物の多配向結晶化膜を形成したものとした。

図４は、試料１，２のＳＥＭ画像である、これによれば、試料１，２とも、上記成膜条件での成膜によりその表面に約１４０ｎｍの膜厚でＩＴＯ膜が形成されている。この場合、図４（ａ）に示す試料１では、針状構造で内部に空間を多く持つことが判る。そして、試料１に対してＸ線解析法によりその結晶構造解析すると、特に図示して説明しないが、（４００）方位に支配的に配向していることが確認された。他方、図４（ｂ）に示す試料２では、多配向結晶化膜の表面に、試料１と同様のＩＴＯ膜が形成されているが、特に界面において、上記と比較して太い針状構造を持つものに変化していることが確認された。試料２に対してＸＲＤ分析すると、試料１と同様、多配向結晶化膜上のＩＴＯ膜は、（４００）方位に支配的に配向していることが確認された。

次に、上記スパッタリング装置ＳＭを用いて他の実験を行った。即ち、発明実験２では、防着板５ａ，５ｂ，５ｃとして、母材金属５１表面にその全面に亘って２０μｍの膜厚で（２２２）が他のミラー指数と比較して３倍以上の強度を持つ酸化インジウム系酸化物の多配向結晶化膜５２が形成されたものを用い、ターゲット２をＩＴＯ（ＳｎＯ_２が１０ｗｔ％）ターゲットとし、基板Ｗをガラス基板とした。そして、成膜条件として、基板Ｗを真空チャンバ１内のステージ４にセットした後、真空排気後に真空チャンバ１内にアルゴンガスを１０００ｓｃｃｍの流量で導入し（このときの処理室１０内の圧力は０．７Ｐａ）、ＩＴＯターゲット２に対する投入直流電力を３０００Ｗに設定し、処理室１０内にプラズマ雰囲気を形成して１２時間連続放電させた。その結果、成膜後の基板Ｗ表面に黄色の粉状体が全く付着していないことが確認され、防着板５ａ，５ｂ，５ｃを母材金属５１のままとし、上記と同条件で１２時間連続放電させた場合（成膜後の基板Ｗ表面には、黄色の粉状体が付着している）と比較して、パーティクルの発生が著しく抑制できることが確認された。なお、追加の発明実験３として、ターゲット２をＩＴＩＯ（１ｗｔ％ＴｉＯ_２が添加されたＩｎ_２Ｏ_３）ターゲットとし、防着板５ａ，５ｂ，５ｃの母材金属５１表面にＩＴＩＯ膜５２を形成した点以外は、上記発明実験２と同様に１２時間連続放電させたところ、上記発明実験２と同様に、パーティクルの発生が著しく抑制できることが確認された。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。上記実施形態においては、物理蒸着法を実施する装置としてスパッタリング装置ＳＭを例に説明したが、これに限定されるものではなく、真空蒸着法やイオンプレーティング法によりＩＴＯ膜を成膜する場合にも本発明は適用できる。この場合、真空蒸着法やイオンプレーティング法によるものは、スパッタリング法によるものより防着板への回り込みが多い（つまり、スパッタリング法より広面積に回り込み膜が成膜される）ため、有効である。また、上記実施形態では、部品として防着板５ａ，５ｂ，５ｃを例に説明したが、真空チャンバ１内に存して酸化インジウム系酸化物膜が着膜される部品であれば、本発明を適用することができる。

ＳＭ…スパッタリング装置、Ｗ…被処理基板、１…真空チャンバ、２…ターゲット、５ａ，５ｂ，５ｃ…防着板（部品）、５１…母材金属、５２…結晶質のＩＴＯ膜，ＩＴＩＯ膜（酸化インジウム系酸化物膜の結晶化膜）。

Claims (3)

1. 真空チャンバ内で物理蒸着法により被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するとき、真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜される成膜装置用の部品において、母材金属と、その母材金属の表面に形成される、酸化インジウム系酸化物の結晶化膜とを備えることを特徴とする成膜装置用の部品。
2. 前記酸化インジウム系酸化物膜の結晶化膜の膜厚を２０ｎｍ以上１ｍｍ未満としたことを特徴とする請求項１記載の成膜装置用の部品。
3. 真空チャンバ内でスパッタリング法により酸化インジウム系酸化物のターゲットをスパッタリングして被処理基板表面に酸化インジウム系酸化物膜を成膜するのに先立って実施される成膜準備方法であって、
   真空チャンバ内に存してその表面にも前記酸化インジウム系酸化物膜が成膜され得る金属製の成膜装置用の部品表面に、酸化インジウム系酸化物の結晶化膜を形成する工程を含むことを特徴とする成膜準備方法。