JP7312006B2 - 成膜方法 - Google Patents
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- 真空チャンバ内で物理蒸着法により粒子放出源から所定の余弦則に従って粒子を放出させて被処理基板表面に透明導電性酸化物膜を成膜する成膜方法において、
真空チャンバ内に存する部品の表面のうち、粒子放出源からみて所定の余弦則による直接の粒子の付着を受けない領域に、反跳した粒子が付着、堆積して透明導電性酸化物からなる第1回り込み膜が所定膜厚で形成されると、反跳した粒子の少なくとも一部が当該領域に付着するときの角度を変えて当該粒子を更に付着、堆積させて透明導電性酸化物からなる第2回り込み膜を積層させる工程を含み、
粒子放出源を透明導電性酸化物で構成されるスパッタリング用のターゲットとし、真空チャンバ内に被処理基板とターゲットとを対向配置し、真空雰囲気中の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに負の電位を持つ所定電力を投入してプラズマ雰囲気を形成し、プラズマ雰囲気中の希ガスのイオンでターゲットをスパッタリングすることで被処理基板表面に透明導電性酸化物膜を成膜し、
前記工程は、前記ターゲットのスパッタリング中に、前記部品に、ターゲットに印加される電位より高い電位を印加することで実施されることを特徴とする成膜方法。
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