JPH04288826A - 基板上に層を設ける方法およびこれに使用するスパッタリング装置 - Google Patents
基板上に層を設ける方法およびこれに使用するスパッタリング装置Info
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- JPH04288826A JPH04288826A JP3259071A JP25907191A JPH04288826A JP H04288826 A JPH04288826 A JP H04288826A JP 3259071 A JP3259071 A JP 3259071A JP 25907191 A JP25907191 A JP 25907191A JP H04288826 A JPH04288826 A JP H04288826A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板支持体が設けられ
ている反応室内において、ある処理時間中に減圧下にタ
ーゲット板にガス放電からイオン衝撃を加えることによ
り、前記ターゲント板から物質を脱離させ、この際に前
記基板支持体の近くの反応室構成部品の表面上に堆積す
る物質の接着性を一層良好にする手段を講ずることによ
り、前記基板上に層を設ける方法に関するものである。 また、本発明はこのような方法を実施するのに使用する
スパッタリング装置に関するものである。
ている反応室内において、ある処理時間中に減圧下にタ
ーゲット板にガス放電からイオン衝撃を加えることによ
り、前記ターゲント板から物質を脱離させ、この際に前
記基板支持体の近くの反応室構成部品の表面上に堆積す
る物質の接着性を一層良好にする手段を講ずることによ
り、前記基板上に層を設ける方法に関するものである。 また、本発明はこのような方法を実施するのに使用する
スパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このような方法は、金属層が設けられて
いる（すなわち、スパッタリングされている）ことの多
い半導体デバイスの製造に特に適しており、前記金属層
はパターン化され、半導体デバイスが完成した後に導体
として作用する。半導体デバイス（ＶＬＳＩ回路）の充
填密度は絶えず増大してきたので、高品質要件がこのよ
うな金属層に課せられている。
いる（すなわち、スパッタリングされている）ことの多
い半導体デバイスの製造に特に適しており、前記金属層
はパターン化され、半導体デバイスが完成した後に導体
として作用する。半導体デバイス（ＶＬＳＩ回路）の充
填密度は絶えず増大してきたので、高品質要件がこのよ
うな金属層に課せられている。
【０００３】スパッタリング中に、スパッタリングされ
た物質の一部分が半導体スライスの表面に到達できず、
半導体スライスの近くの反応室構成部品の表面上、普通
壁、スクリーン、制御電極、または閉鎖部材の上に堆積
するのを回避することは不可能である。普通、このスパ
ッタリングされた物質は接着性が不良であるので、この
物質が粒子の形態で前記表面から脱離して半導体スライ
スを汚染する危険がある。このような粒子は金属層を妨
害するので、この方法で製造した半導体デバイスは正し
く作用しないことがある。従って、半導体スライスのこ
のような汚染を防止する手段を講じる必要があるのが普
通である。
た物質の一部分が半導体スライスの表面に到達できず、
半導体スライスの近くの反応室構成部品の表面上、普通
壁、スクリーン、制御電極、または閉鎖部材の上に堆積
するのを回避することは不可能である。普通、このスパ
ッタリングされた物質は接着性が不良であるので、この
物質が粒子の形態で前記表面から脱離して半導体スライ
スを汚染する危険がある。このような粒子は金属層を妨
害するので、この方法で製造した半導体デバイスは正し
く作用しないことがある。従って、半導体スライスのこ
のような汚染を防止する手段を講じる必要があるのが普
通である。
【０００４】冒頭に記載した方法は特願昭６３−１６２
８６１ 号から既知であり、この特許出願の方法では半
導体スライスの近くの反応室壁の表面を粗面にしてここ
に堆積した物質に一層良好な接着性を与えている。
８６１ 号から既知であり、この特許出願の方法では半
導体スライスの近くの反応室壁の表面を粗面にしてここ
に堆積した物質に一層良好な接着性を与えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の既知方法は、実
際に余りにも多数の粒子が半導体基板に到達するという
欠点がある。他の欠点は、反応室構成部品を粗面にする
と平滑な反応室構成部品の場合より表面積が大きくなる
ことである。このような大きい表面は一層多量の不純物
を吸収および脱離することができるので、スパッタリン
グ処理に必要な減圧の達成および維持が容易でない。本
発明はなかんずく従来方法における上述の欠点を解決す
ることにある。
際に余りにも多数の粒子が半導体基板に到達するという
欠点がある。他の欠点は、反応室構成部品を粗面にする
と平滑な反応室構成部品の場合より表面積が大きくなる
ことである。このような大きい表面は一層多量の不純物
を吸収および脱離することができるので、スパッタリン
グ処理に必要な減圧の達成および維持が容易でない。本
発明はなかんずく従来方法における上述の欠点を解決す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、前記
堆積する物質に一層良好な接着性を付与する手段として
、前記反応室構成部品の表面に、少なくとも前記処理時
間の少なくとも一部分の間、前記ガス放電からイオン衝
撃を加えることを特徴とする基板上に層を設ける方法に
よって、上述の目的を達成する。
堆積する物質に一層良好な接着性を付与する手段として
、前記反応室構成部品の表面に、少なくとも前記処理時
間の少なくとも一部分の間、前記ガス放電からイオン衝
撃を加えることを特徴とする基板上に層を設ける方法に
よって、上述の目的を達成する。
【０００７】本発明においては、基板支持体の近くの反
応室構成部品にイオン衝撃を加えた場合に、この構成部
品に到達するターゲット板からの物質が極めて良好な接
着性を有することを見い出した。接着性が良好になるの
で、粒子は反応室構成部品から脱離しなくなる。これは
いわゆるイオンめっきプロセスによってイオンが強い接
着性を付与するからであり、このプロセスによりイオン
は数原子の層の深さまで表面に侵入する。反応室構成部
品を粗面にする必要がないので、減圧の達成および維持
に関する問題が消滅する。実際に、全スパッタリング処
理にわたって反応室構成部品にイオン衝撃を加えること
は不必要になるのが普通である。
応室構成部品にイオン衝撃を加えた場合に、この構成部
品に到達するターゲット板からの物質が極めて良好な接
着性を有することを見い出した。接着性が良好になるの
で、粒子は反応室構成部品から脱離しなくなる。これは
いわゆるイオンめっきプロセスによってイオンが強い接
着性を付与するからであり、このプロセスによりイオン
は数原子の層の深さまで表面に侵入する。反応室構成部
品を粗面にする必要がないので、減圧の達成および維持
に関する問題が消滅する。実際に、全スパッタリング処
理にわたって反応室構成部品にイオン衝撃を加えること
は不必要になるのが普通である。
【０００８】反応室構成部品の表面に、例えばスパッタ
リング処理の中断後に、あるいはターゲット板の交換中
に反応室圧力が一時的に一層高い圧力になった後に、し
ばらくの間イオン衝撃を加えれば十分である。このよう
な中断期間に基板表面が汚染され、その結果ターゲット
板からの物質はもはや満足には接着しなくなると思われ
る。同時にイオン衝撃を加えることにより良好な接着性
を有する物質の層が反応室構成部品に固着する。この層
は清浄な表面を有し、イオン衝撃を停止した後でもター
ゲット板からの物質はこの清浄な表面に対して良好な接
着性を有する。イオン衝撃後に反応室構成部品の汚染が
起こらないことが保証される場合には、半導体スライス
が存在していない場合にも反応室構成部品に対してイオ
ン衝撃を加えることができる。
リング処理の中断後に、あるいはターゲット板の交換中
に反応室圧力が一時的に一層高い圧力になった後に、し
ばらくの間イオン衝撃を加えれば十分である。このよう
な中断期間に基板表面が汚染され、その結果ターゲット
板からの物質はもはや満足には接着しなくなると思われ
る。同時にイオン衝撃を加えることにより良好な接着性
を有する物質の層が反応室構成部品に固着する。この層
は清浄な表面を有し、イオン衝撃を停止した後でもター
ゲット板からの物質はこの清浄な表面に対して良好な接
着性を有する。イオン衝撃後に反応室構成部品の汚染が
起こらないことが保証される場合には、半導体スライス
が存在していない場合にも反応室構成部品に対してイオ
ン衝撃を加えることができる。
【０００９】本発明方法においては、反応室構成部品の
表面に対するイオン衝撃を、この表面にガス放電からの
イオンが引き付けられるような電位を付与することによ
り達成するのが好ましい。このようにして、極めて簡単
にイオンを反応室構成部品の表面に送ることができる。 電位の値はイオンが数原子の層の深さまで表面に侵入す
るように選定する。普通 ５００〜１０００Ｖの電位が
このために十分な電位である。
表面に対するイオン衝撃を、この表面にガス放電からの
イオンが引き付けられるような電位を付与することによ
り達成するのが好ましい。このようにして、極めて簡単
にイオンを反応室構成部品の表面に送ることができる。 電位の値はイオンが数原子の層の深さまで表面に侵入す
るように選定する。普通 ５００〜１０００Ｖの電位が
このために十分な電位である。
【００１０】半導体デバイスを製造する際の、反応室構
成部品に対する接着性不良を伴う問題は、特にタングス
テン層またはタングステン合金層を設ける場合に起こる
。従って、本発明方法においては、ターゲット板を構成
する物質がタングステンまたはタングステン合金である
のが好ましい。
成部品に対する接着性不良を伴う問題は、特にタングス
テン層またはタングステン合金層を設ける場合に起こる
。従って、本発明方法においては、ターゲット板を構成
する物質がタングステンまたはタングステン合金である
のが好ましい。
【００１１】半導体スライスが支持体に支持されており
、かつ反応室構成部品の表面にイオン衝撃を加えた場合
には、これらのイオンの一部分は半導体スライスに衝突
し、ここに放射損害を起すことがある。さらに、ターゲ
ット板を構成する物質は反応室構成部品にスパッタリン
グされ、半導体スライスを汚染することがある。従って
、反応室構成部品にイオン衝撃を加えている間、支持体
に支持されている基板を遮蔽するのが好ましい。
、かつ反応室構成部品の表面にイオン衝撃を加えた場合
には、これらのイオンの一部分は半導体スライスに衝突
し、ここに放射損害を起すことがある。さらに、ターゲ
ット板を構成する物質は反応室構成部品にスパッタリン
グされ、半導体スライスを汚染することがある。従って
、反応室構成部品にイオン衝撃を加えている間、支持体
に支持されている基板を遮蔽するのが好ましい。
【００１２】また、本発明は、反応室を具え、該反応室
はガス放電発生手段、ターゲット板支持体、および基板
支持体を具える、基板上に層を設けるためのスパッタリ
ング装置に関するものである。本発明装置は、前記基板
支持体の近くの反応室構成部品の表面に、ガス放電から
イオン衝撃を加える手段を具えることを特徴とするスパ
ッタリング装置である。本発明のスパッタリング装置を
使用して半導体デバイスを製造することができる。この
スパッタリング装置においては、処理時間の少なくとも
一部分の間に、反応室構成部品の表面にイオン衝撃を加
えることができる。このようにして、ターゲット板から
脱離した物質が半導体スライスに到達するのを防止する
ことができる。イオンは電界または磁界によって反応室
構成部品の方向に向きを変えることができる。
はガス放電発生手段、ターゲット板支持体、および基板
支持体を具える、基板上に層を設けるためのスパッタリ
ング装置に関するものである。本発明装置は、前記基板
支持体の近くの反応室構成部品の表面に、ガス放電から
イオン衝撃を加える手段を具えることを特徴とするスパ
ッタリング装置である。本発明のスパッタリング装置を
使用して半導体デバイスを製造することができる。この
スパッタリング装置においては、処理時間の少なくとも
一部分の間に、反応室構成部品の表面にイオン衝撃を加
えることができる。このようにして、ターゲット板から
脱離した物質が半導体スライスに到達するのを防止する
ことができる。イオンは電界または磁界によって反応室
構成部品の方向に向きを変えることができる。
【００１３】本発明装置の追加の利点は、前記反応室構
成部品の表面にイオン衝撃を加える手段が、ガス放電か
らのイオンを引き付けるような電位を、前記反応室構成
部品の表面に付与するための電気結線を具える場合に得
られる。このような電気結線を具えている場合には、ガ
ス放電からのイオンを引き付けるような電位を反応室構
成部品の表面に容易に与えることができ、良好な接着性
を有する層が得られる。
成部品の表面にイオン衝撃を加える手段が、ガス放電か
らのイオンを引き付けるような電位を、前記反応室構成
部品の表面に付与するための電気結線を具える場合に得
られる。このような電気結線を具えている場合には、ガ
ス放電からのイオンを引き付けるような電位を反応室構
成部品の表面に容易に与えることができ、良好な接着性
を有する層が得られる。
【００１４】本発明装置の追加の利点は、前記基板支持
体の前面に、前記基板を遮蔽することができる閉鎖部材
が設けられている場合に得られる。反応室構成部品がイ
オン衝撃を受けている間半導体スライスが存在している
場合には、このような閉鎖部材を半導体スライスに対す
る遮蔽部材として使用することができるので、半導体ス
ライスの近くの反応室構成部品の表面がイオン衝撃を受
けている間半導体スライスに衝突するイオンによって起
こる放射損傷を防止することができる。
体の前面に、前記基板を遮蔽することができる閉鎖部材
が設けられている場合に得られる。反応室構成部品がイ
オン衝撃を受けている間半導体スライスが存在している
場合には、このような閉鎖部材を半導体スライスに対す
る遮蔽部材として使用することができるので、半導体ス
ライスの近くの反応室構成部品の表面がイオン衝撃を受
けている間半導体スライスに衝突するイオンによって起
こる放射損傷を防止することができる。
【００１５】
【実施例】次に本発明を図面を参照して実施例について
詳細に説明する。図１は半導体基板１の上に層を設ける
装置を示す。この装置は反応室２を具え、反応室２はガ
ス放電４を発生する手段３、ターゲット板６を支持する
支持体５および半導体基板１を支持する支持体７を具え
る。ガス放電４を発生する手段３は、例えば、ガス放電
４に必要な電力を送給する電源ユニット３である。ター
ゲット板６は電源ユニット３の電力を伝達するための第
１電極として作用し、半導体スライス１は電源ユニット
３の電流を伝達するための第２電極として作用する。反
応室２内において、ある処理時間中に減圧下にターゲッ
ト板６にガス放電４からイオン衝撃を加えることにより
、ターゲット板６から物質が脱離し、次いでこの物質が
半導体基板１の上に堆積する。
詳細に説明する。図１は半導体基板１の上に層を設ける
装置を示す。この装置は反応室２を具え、反応室２はガ
ス放電４を発生する手段３、ターゲット板６を支持する
支持体５および半導体基板１を支持する支持体７を具え
る。ガス放電４を発生する手段３は、例えば、ガス放電
４に必要な電力を送給する電源ユニット３である。ター
ゲット板６は電源ユニット３の電力を伝達するための第
１電極として作用し、半導体スライス１は電源ユニット
３の電流を伝達するための第２電極として作用する。反
応室２内において、ある処理時間中に減圧下にターゲッ
ト板６にガス放電４からイオン衝撃を加えることにより
、ターゲット板６から物質が脱離し、次いでこの物質が
半導体基板１の上に堆積する。
【００１６】このような本発明装置および方法は、エッ
チングおよびパターン化の後に半導体デバイスにおいて
導電パターンとして作用する金属層を半導体基板上に設
けるのに特に適している。しかし、物質８の一部は半導
体スライス１に近い反応室２の構成部品上にも堆積する
。このような反応室の構成部品は例えばスクリーン９で
あり、スクリーン９は反応室の壁の汚染を防止し、また
ターゲット板支持体５およびターゲット板６の後方への
飛散を防止する作用をするが、上述の反応室の構成部品
は反応室の壁１０、閉鎖部材１１、補助電極（図示せず
）あるいは同様な部材から形成することもできる。実際
に、例えば反応室２を開放した後に、スクリーン９の表
面に到達する物質８は接着性が不良であると思われ、こ
の物質は粒子の形態でスクリーン９の表面から脱離する
ことがあり、従って半導体スライス１を汚染することが
ある。反応室を開放している間スクリーン９の表面が汚
染されるので、物質８は接着性が不良であると思われる
。
チングおよびパターン化の後に半導体デバイスにおいて
導電パターンとして作用する金属層を半導体基板上に設
けるのに特に適している。しかし、物質８の一部は半導
体スライス１に近い反応室２の構成部品上にも堆積する
。このような反応室の構成部品は例えばスクリーン９で
あり、スクリーン９は反応室の壁の汚染を防止し、また
ターゲット板支持体５およびターゲット板６の後方への
飛散を防止する作用をするが、上述の反応室の構成部品
は反応室の壁１０、閉鎖部材１１、補助電極（図示せず
）あるいは同様な部材から形成することもできる。実際
に、例えば反応室２を開放した後に、スクリーン９の表
面に到達する物質８は接着性が不良であると思われ、こ
の物質は粒子の形態でスクリーン９の表面から脱離する
ことがあり、従って半導体スライス１を汚染することが
ある。反応室を開放している間スクリーン９の表面が汚
染されるので、物質８は接着性が不良であると思われる
。
【００１７】本発明装置においては、スクリーン９の表
面にガス放電４からイオン衝撃を加える手段をスパッタ
リング装置に設ける。処理時間の少なくとも一部分の期
間にスクリーン９の表面にガス放電４からイオン衝撃を
加えた場合には、物質８がスクリーン９の表面に対して
極めて良好な接着性を有するようにすることができる。 スクリーン９の表面にイオン衝撃を加えた後に、スクリ
ーン９の表面に清浄で接着性の良好な層が形成される。 スパッタリング処理を継続した場合には、この層に到達
する物質もこの層に対して良好な接着性を有しているの
で、脱離して半導体スライスに到達することのある粒子
の発生が防止される。勿論のことであるが、半導体スラ
イスを装入する間に反応室構成部品の表面の新たな汚染
が起こらない場合には、半導体スライスを存在させても
、半導体スライスの支持体７の近くの反応室構成部品に
対するターゲット板６からの物質８の接着性を良好にす
る必要はない。半導体スライス１の装入は、例えば、半
導体スライス１をロードロック（ｌｏａｄ ｌｏｃｋ）
（図示せず） によって導入することにより達成するこ
とができる。本発明装置においては、反応室構成部品の
表面にイオン衝撃を加える手段は、ガス放電４からのイ
オンが引き付けられるような電位を反応室構成部品の表
面に与えるための電気結線１２を具える。従って、ガス
放電４からのイオンは反応室構成部品の表面に向けて簡
単に引き付けられる。
面にガス放電４からイオン衝撃を加える手段をスパッタ
リング装置に設ける。処理時間の少なくとも一部分の期
間にスクリーン９の表面にガス放電４からイオン衝撃を
加えた場合には、物質８がスクリーン９の表面に対して
極めて良好な接着性を有するようにすることができる。 スクリーン９の表面にイオン衝撃を加えた後に、スクリ
ーン９の表面に清浄で接着性の良好な層が形成される。 スパッタリング処理を継続した場合には、この層に到達
する物質もこの層に対して良好な接着性を有しているの
で、脱離して半導体スライスに到達することのある粒子
の発生が防止される。勿論のことであるが、半導体スラ
イスを装入する間に反応室構成部品の表面の新たな汚染
が起こらない場合には、半導体スライスを存在させても
、半導体スライスの支持体７の近くの反応室構成部品に
対するターゲット板６からの物質８の接着性を良好にす
る必要はない。半導体スライス１の装入は、例えば、半
導体スライス１をロードロック（ｌｏａｄ ｌｏｃｋ）
（図示せず） によって導入することにより達成するこ
とができる。本発明装置においては、反応室構成部品の
表面にイオン衝撃を加える手段は、ガス放電４からのイ
オンが引き付けられるような電位を反応室構成部品の表
面に与えるための電気結線１２を具える。従って、ガス
放電４からのイオンは反応室構成部品の表面に向けて簡
単に引き付けられる。
【００１８】半導体スライス１の支持体７の近くの反応
室構成部品がイオン衝撃を受けている間、半導体スライ
スが支持体７に支持されて存在している場合には、これ
らのイオンの一部は半導体スライス１に衝突し、ここに
放射損傷を生じさせることがある。従って、本発明装置
においては、スパッタリング装置は半導体スライス１の
前面に閉鎖部材１１を具え、これにより半導体スライス
１を遮蔽することができる。従って、支持体７に支持さ
れて存在している半導体スライス１は、反応室構成部品
９がイオン衝撃を受けている間遮蔽されている。放射損
傷はこのようにして防止される。
室構成部品がイオン衝撃を受けている間、半導体スライ
スが支持体７に支持されて存在している場合には、これ
らのイオンの一部は半導体スライス１に衝突し、ここに
放射損傷を生じさせることがある。従って、本発明装置
においては、スパッタリング装置は半導体スライス１の
前面に閉鎖部材１１を具え、これにより半導体スライス
１を遮蔽することができる。従って、支持体７に支持さ
れて存在している半導体スライス１は、反応室構成部品
９がイオン衝撃を受けている間遮蔽されている。放射損
傷はこのようにして防止される。
【００１９】実際に、反応室２は排出口１３を経て真空
ポンプ１４によって減圧に維持される。アルゴンガスを
入口１５から圧力約５×１０−７トル（ｍｍＨｇ）の反
応室２内に導入する。電源ユニット３は、第１電極とし
て作用するターゲット板６と、第２電極として作用する
直径約１５ｃｍの半導体スライス１との間に、電界を生
じさせる。ガスは電界と相互作用してガス放電４を生じ
させる。ターゲット板６は半導体スライス１の上に層を
設けようとする物質８から構成されている。この物質８
はなかんずく白金、チタン、窒化チタンまたはアルミニ
ウムのような金属を含有することができるが、この代わ
りにタングステンまたはタングステン合金も使用するこ
とができる。
ポンプ１４によって減圧に維持される。アルゴンガスを
入口１５から圧力約５×１０−７トル（ｍｍＨｇ）の反
応室２内に導入する。電源ユニット３は、第１電極とし
て作用するターゲット板６と、第２電極として作用する
直径約１５ｃｍの半導体スライス１との間に、電界を生
じさせる。ガスは電界と相互作用してガス放電４を生じ
させる。ターゲット板６は半導体スライス１の上に層を
設けようとする物質８から構成されている。この物質８
はなかんずく白金、チタン、窒化チタンまたはアルミニ
ウムのような金属を含有することができるが、この代わ
りにタングステンまたはタングステン合金も使用するこ
とができる。
【００２０】スパッタリング処理中に、反応室を５×１
０−７トル（ｍｍＨｇ）の圧力まで排気し、その後にア
ルゴンガスを導入して５×１０−３トル（ｍｍＨｇ）の
圧力を達成する。支持体５およびターゲット板６には電
源ユニット３によって−５００ Ｖ（電力５ｋｗ）の電
位を与えるが、支持体７および半導体スライス１は大地
電位にする。アルゴンイオンはターゲット板６によって
引き付けられ、ターゲット板６からタングステン原子８
を脱離させ、次いでタングステン原子８は半導体スライ
ス１の上に堆積するが、一部分は半導体スライス１の近
くの反応室構成部品、例えば、スクリーン９の上にも堆
積する。反応室２の開放後に、例えば、タングステン原
子８はスクリーン９に対する接着性が不良である。接着
性不良のタングステン原子８は粒子の形態でスクリーン
９の表面から脱離して半導体スライス１を汚染すること
がある。従って、本発明においては、スクリーン９の表
面に汚染が生じる可能性が生じた後に、短期間、例えば
約１分の間、スクリーン９に−１０００Ｖの電位を与え
て、ガス放電４からのアルゴンイオンをスクリーン９の
方に引き付ける。この期間中半導体スライス１は存在し
ていないのが好ましい。
０−７トル（ｍｍＨｇ）の圧力まで排気し、その後にア
ルゴンガスを導入して５×１０−３トル（ｍｍＨｇ）の
圧力を達成する。支持体５およびターゲット板６には電
源ユニット３によって−５００ Ｖ（電力５ｋｗ）の電
位を与えるが、支持体７および半導体スライス１は大地
電位にする。アルゴンイオンはターゲット板６によって
引き付けられ、ターゲット板６からタングステン原子８
を脱離させ、次いでタングステン原子８は半導体スライ
ス１の上に堆積するが、一部分は半導体スライス１の近
くの反応室構成部品、例えば、スクリーン９の上にも堆
積する。反応室２の開放後に、例えば、タングステン原
子８はスクリーン９に対する接着性が不良である。接着
性不良のタングステン原子８は粒子の形態でスクリーン
９の表面から脱離して半導体スライス１を汚染すること
がある。従って、本発明においては、スクリーン９の表
面に汚染が生じる可能性が生じた後に、短期間、例えば
約１分の間、スクリーン９に−１０００Ｖの電位を与え
て、ガス放電４からのアルゴンイオンをスクリーン９の
方に引き付ける。この期間中半導体スライス１は存在し
ていないのが好ましい。
【００２１】アルゴンイオンは確実にタングステン原子
８をスクリーン９に極めて良好に接着させるので、半導
体スライス１を汚染することのある固着していないタン
グステン粒子の生成が防止される。この後に、ターゲッ
ト板６を−５００ Ｖ（電力５ｋｗ）にし、この間に閉
鎖部材１１および半導体スライス１の支持体７を大地電
位にすることにより、約１分間予備スパッタリングを行
う。次いで、ガス放電を中断し、次いで真空を中断せず
にいわゆるロードロックを経て半導体スライス１を反応
室２に導入し、支持体上に位置させる。半導体スライス
１を閉鎖部材１１によって遮蔽し、予備スパッタリング
を１〜２秒間行う。予備スパッタリングの後に、閉鎖部
材１１を回転させて遠ざけると、例えば１分の間に、厚
さ１００ｎｍ のタングステン層が半導体スライス１の
上に設けられる。次いで、このタングステン層を通常の
エッチング技術によってパターン化することができるの
で、このタングステン層を例えば半導体デバイスにおけ
る導体層として使用することができる。
８をスクリーン９に極めて良好に接着させるので、半導
体スライス１を汚染することのある固着していないタン
グステン粒子の生成が防止される。この後に、ターゲッ
ト板６を−５００ Ｖ（電力５ｋｗ）にし、この間に閉
鎖部材１１および半導体スライス１の支持体７を大地電
位にすることにより、約１分間予備スパッタリングを行
う。次いで、ガス放電を中断し、次いで真空を中断せず
にいわゆるロードロックを経て半導体スライス１を反応
室２に導入し、支持体上に位置させる。半導体スライス
１を閉鎖部材１１によって遮蔽し、予備スパッタリング
を１〜２秒間行う。予備スパッタリングの後に、閉鎖部
材１１を回転させて遠ざけると、例えば１分の間に、厚
さ１００ｎｍ のタングステン層が半導体スライス１の
上に設けられる。次いで、このタングステン層を通常の
エッチング技術によってパターン化することができるの
で、このタングステン層を例えば半導体デバイスにおけ
る導体層として使用することができる。
【００２２】反応室構成部品から流れてくる粒子によっ
て汚染されていない金属層は、上述の方法によって得ら
れる。本発明を半導体基板上に層を設ける場合について
説明した。本発明はこの場合に特に適しているが、この
ような基板に限定されるものではない。本発明の方法お
よび装置は高度の品質要件を満たす必要がある層を他の
基板に設ける場合にも有用である。その例は、液晶表示
テレビジョンスクリーン（ＬＶ−ＴＶ）を製造する際の
ような、ガラス上に金属層を設ける場合である。
て汚染されていない金属層は、上述の方法によって得ら
れる。本発明を半導体基板上に層を設ける場合について
説明した。本発明はこの場合に特に適しているが、この
ような基板に限定されるものではない。本発明の方法お
よび装置は高度の品質要件を満たす必要がある層を他の
基板に設ける場合にも有用である。その例は、液晶表示
テレビジョンスクリーン（ＬＶ−ＴＶ）を製造する際の
ような、ガラス上に金属層を設ける場合である。
【図１】本発明方法により金属層をスパッタリングする
装置の一例の断面図である。
装置の一例の断面図である。
１ 基板（半導体スライス）
２ 反応室
３ ガス放電発生手段（電源ユニット）４ ガス放
電 ５ ターゲット板支持体 ６ ターゲット板 ７ 基板支持体（スライス支持体） ８ ターゲット板からの物質（堆積する物質、タング
ステン原子） ９ 遮蔽部材（反応室構成部品） １０ 反応室の壁 １１ 閉鎖部材 １２ 電気結線 １３ 排出口 １４ 真空ポンプ １５ 入口
電 ５ ターゲット板支持体 ６ ターゲット板 ７ 基板支持体（スライス支持体） ８ ターゲット板からの物質（堆積する物質、タング
ステン原子） ９ 遮蔽部材（反応室構成部品） １０ 反応室の壁 １１ 閉鎖部材 １２ 電気結線 １３ 排出口 １４ 真空ポンプ １５ 入口
Claims (7)
- 【請求項１】 基板支持体が設けられている反応室内
において、ある処理時間中に減圧下にターゲット板にガ
ス放電からイオン衝撃を加えることにより、前記ターゲ
ント板から物質を脱離させ、この際に前記基板支持体の
近くの反応室構成部品の表面上に堆積する物質の接着性
を一層良好にする手段を講ずることにより、前記基板上
に層を設けるに当り、前記堆積する物質に一層良好な接
着生を付与する手段として、前記反応室構成部品の表面
に、少なくとも前記処理時間の少なくとも一部分の間、
前記ガス放電からイオン衝撃を加えることを特徴とする
基板上に層を設ける方法。 - 【請求項２】 反応室構成部品の表面に対するイオン
衝撃を、この表面にガス放電からのイオンが引き付けら
れるような電位を付与することにより達成することを特
徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記ターゲット板からの物質がタング
ステンまたはタングステン合金であることを特徴とする
請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 前記反応室構成部品にイオン衝撃を加
えている間前記支持体に支持されている基板を遮蔽する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つの項に記
載の方法。 - 【請求項５】 反応室を具え、該反応室はガス放電発
生手段、ターゲット板支持体、および基板支持体を具え
る、基板上に層を設けるためのスパッタリング装置にお
いて、前記基板支持体の近くの反応室構成部品の表面に
ガス放電からイオン衝撃を加える手段を具えることを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項６】 前記反応室構成部品の表面にイオン衝
撃を加える手段が、ガス放電からのイオンを引き付ける
ような電位を、前記反応室構成部品の表面に付与するた
めの電気結線を具えることを特徴とする請求項５記載の
装置。 - 【請求項７】 前記基板支持体の前面に、前記基板を
遮蔽することができる閉鎖部材が設けられている請求項
５または６記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9002176 | 1990-10-08 | ||
| NL9002176A NL9002176A (nl) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | Werkwijze voor het verminderen van deeltjescontaminatie tijdens sputteren en een sputterinrichting voor gebruik van een dergelijke werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288826A true JPH04288826A (ja) | 1992-10-13 |
| JP3659653B2 JP3659653B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=19857779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25907191A Expired - Lifetime JP3659653B2 (ja) | 1990-10-08 | 1991-10-07 | 基板上に層を設ける方法およびこれに使用するスパッタリング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6059938A (ja) |
| EP (1) | EP0480504B1 (ja) |
| JP (1) | JP3659653B2 (ja) |
| DE (1) | DE69110394T2 (ja) |
| NL (1) | NL9002176A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000069523A (ko) * | 1997-01-16 | 2000-11-25 | 보텀필드 레인, 에프. | 기상 증착 요소 및 기상 증착 방법 |
| US6645357B2 (en) | 2001-11-05 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Mesh shield in a sputter reactor |
| US6863930B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-03-08 | Delphi Technologies, Inc. | Refractory metal mask and methods for coating an article and forming a sensor |
| US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
| CN103132032A (zh) * | 2013-03-15 | 2013-06-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种用于减少ito溅射损伤衬底的溅射设备及其方法 |
| CN112813389A (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-18 | 河北召飞科技服务有限公司 | 一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3528906A (en) * | 1967-06-05 | 1970-09-15 | Texas Instruments Inc | Rf sputtering method and system |
| US3699034A (en) * | 1971-03-15 | 1972-10-17 | Sperry Rand Corp | Method for sputter depositing dielectric materials |
| US3864239A (en) * | 1974-04-22 | 1975-02-04 | Nasa | Multitarget sequential sputtering apparatus |
| DD142568A1 (de) * | 1979-03-22 | 1980-07-02 | Harald Bilz | EINRICHTUNG ZUM REAKTIVEN BESCHICHTEN MIT DEM PLASM&TRON |
| US4410407A (en) * | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
| JPH0624345B2 (ja) * | 1986-04-28 | 1994-03-30 | 日本電気株式会社 | 予備回線監視回路 |
| JPH029115A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
-
1990
- 1990-10-08 NL NL9002176A patent/NL9002176A/nl not_active Application Discontinuation
-
1991
- 1991-09-30 DE DE69110394T patent/DE69110394T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-30 EP EP91202530A patent/EP0480504B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-07 JP JP25907191A patent/JP3659653B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-06 US US08/400,783 patent/US6059938A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0480504B1 (en) | 1995-06-14 |
| EP0480504A1 (en) | 1992-04-15 |
| JP3659653B2 (ja) | 2005-06-15 |
| US6059938A (en) | 2000-05-09 |
| DE69110394T2 (de) | 1996-02-08 |
| DE69110394D1 (de) | 1995-07-20 |
| NL9002176A (nl) | 1992-05-06 |
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