JP2819559B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JP2819559B2 JP2819559B2 JP63141085A JP14108588A JP2819559B2 JP 2819559 B2 JP2819559 B2 JP 2819559B2 JP 63141085 A JP63141085 A JP 63141085A JP 14108588 A JP14108588 A JP 14108588A JP 2819559 B2 JP2819559 B2 JP 2819559B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体プロセス技術、表面処理技術等におい
て、スパッタ処理により基板上へ薄膜形成を行うスパッ
タリング装置に関するものである。
て、スパッタ処理により基板上へ薄膜形成を行うスパッ
タリング装置に関するものである。
従来の技術 従来、スパッタリング装置の構成は、例えば特公昭53
−19319号公報に示されているように、第２図のように
なっていた。
−19319号公報に示されているように、第２図のように
なっていた。
以下、図面を参照しながら従来のスパッタリング装置
について説明する。18は磁石15、ヨーク16を固定するカ
ソード本体、17はターゲット、19はプラズマシールド、
20はターゲット17を冷却するための冷却水の入口、21は
冷却水出口である。22はカソード本体18及び基板ホルダ
ー25を支持するチャンバーである。また26はスパッタリ
ングにより膜が形成される基板で、基板ホルダー25に装
着されている。
について説明する。18は磁石15、ヨーク16を固定するカ
ソード本体、17はターゲット、19はプラズマシールド、
20はターゲット17を冷却するための冷却水の入口、21は
冷却水出口である。22はカソード本体18及び基板ホルダ
ー25を支持するチャンバーである。また26はスパッタリ
ングにより膜が形成される基板で、基板ホルダー25に装
着されている。
以下その動作について説明する。チャンバー22内を真
空ポンプにより10-6Torr台の圧力まで排気する。その後
アルゴンガスを導入して５×10-3Torr程度に圧力を制御
し、カソード本体18へ電源23によりDCまたはRFの電圧を
印加する。これによりチャンバー22内にプラズマが発生
し、そのためアルゴンイオンが発生する。また、磁石15
の磁界24によりプラズマ密度の高い部分が発生し、アル
ゴンイオンのターゲット17への衝突量が増加し、アルゴ
ンイオンのスパッタにより基板26へ膜が形成される。
空ポンプにより10-6Torr台の圧力まで排気する。その後
アルゴンガスを導入して５×10-3Torr程度に圧力を制御
し、カソード本体18へ電源23によりDCまたはRFの電圧を
印加する。これによりチャンバー22内にプラズマが発生
し、そのためアルゴンイオンが発生する。また、磁石15
の磁界24によりプラズマ密度の高い部分が発生し、アル
ゴンイオンのターゲット17への衝突量が増加し、アルゴ
ンイオンのスパッタにより基板26へ膜が形成される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のスパッタリング装置を用いてITO
膜（In2O3−SNO2）を形成した場合、膜中に欠陥が多
く、ち密な膜にならず、エッチングされやすいという欠
点があった。このため液晶テレビ等の配線材料としてIT
O膜を用いた場合、ITO成膜後のエッチング工程で膜がエ
ッチングされ配線不良を発生する問題があった。
膜（In2O3−SNO2）を形成した場合、膜中に欠陥が多
く、ち密な膜にならず、エッチングされやすいという欠
点があった。このため液晶テレビ等の配線材料としてIT
O膜を用いた場合、ITO成膜後のエッチング工程で膜がエ
ッチングされ配線不良を発生する問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、膜中の欠陥を減らしち密
な膜を形成できるようにしたものである。
な膜を形成できるようにしたものである。
課題を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、ターゲットか
ら基板に向う垂直な磁力線を有し、ターゲット表面に磁
界を形成する磁気手段からの被処理基板表面への洩れ磁
界を強める方向に磁界を形成する基板用補助磁気手段を
基板裏面に設けたものである。
ら基板に向う垂直な磁力線を有し、ターゲット表面に磁
界を形成する磁気手段からの被処理基板表面への洩れ磁
界を強める方向に磁界を形成する基板用補助磁気手段を
基板裏面に設けたものである。
作用 本発明は上記した構成により、ターゲット表面から洩
れた磁力線を基板表面に導びき、磁力線に沿ってプラズ
マを基板に流入させ、電子及びイオンを成膜中の薄膜に
照射し、そのエネルギーにより欠陥の少ないち密な薄膜
を形成可能にする。
れた磁力線を基板表面に導びき、磁力線に沿ってプラズ
マを基板に流入させ、電子及びイオンを成膜中の薄膜に
照射し、そのエネルギーにより欠陥の少ないち密な薄膜
を形成可能にする。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を第１図にもとづいて説明す
る。１は磁石２、ヨーク３を固定するカソード本体、４
はターゲット、５はプラズマシールド、６はターゲット
４を冷却するための冷却水の入口、７は冷却水出口であ
る。８はカソード本体１及び磁性材料でつくくれた基板
ホルダ９を支持する内部が真空排気可能なチャンバーで
ある。10はスパッタリングにより膜が形成される基板で
基板ホルダ９に装着されている。11は基板10表面に磁界
を印加するための補助磁石、12は磁石２、補助磁石11に
より形成される磁力線である。
る。１は磁石２、ヨーク３を固定するカソード本体、４
はターゲット、５はプラズマシールド、６はターゲット
４を冷却するための冷却水の入口、７は冷却水出口であ
る。８はカソード本体１及び磁性材料でつくくれた基板
ホルダ９を支持する内部が真空排気可能なチャンバーで
ある。10はスパッタリングにより膜が形成される基板で
基板ホルダ９に装着されている。11は基板10表面に磁界
を印加するための補助磁石、12は磁石２、補助磁石11に
より形成される磁力線である。
以下その動作について説明する。チャンバー８内を真
空ポンプにより10-6Torr台の圧力まで排気する。その後
アルゴンガスを導入して５×10-3Torr程度に圧力を制御
して、カソード本体１へ電源13によりDCまたはRFの電圧
を印加する。これによりチャンバー８内にプラズマが発
生し、そのためアルゴンイオンが発生する。また、磁石
２の磁界14によりプラズマ密度の高い部分が発生し、そ
れによりアルゴンイオンのターゲット４への衝突量が増
加し、アルゴンイオンのスパッタにより基板10へ薄膜が
形成される。一方、ターゲット表面からの洩れ磁力線12
に沿って電子がトラップされ、基板10へプラズマが導入
され、電子・イオンが基板10に流入する。この際、形成
中のITO膜に電子やイオンが衝突することにより、膜中
のボイド（空洞）がつぶされて、欠陥の少ないち密な膜
が形成される。これにより液晶テレビ等の配線材料とし
てITO膜を用いた場合でも、エッチング工程での不要エ
ッチングによる配線不良が発生しにくくなる。
空ポンプにより10-6Torr台の圧力まで排気する。その後
アルゴンガスを導入して５×10-3Torr程度に圧力を制御
して、カソード本体１へ電源13によりDCまたはRFの電圧
を印加する。これによりチャンバー８内にプラズマが発
生し、そのためアルゴンイオンが発生する。また、磁石
２の磁界14によりプラズマ密度の高い部分が発生し、そ
れによりアルゴンイオンのターゲット４への衝突量が増
加し、アルゴンイオンのスパッタにより基板10へ薄膜が
形成される。一方、ターゲット表面からの洩れ磁力線12
に沿って電子がトラップされ、基板10へプラズマが導入
され、電子・イオンが基板10に流入する。この際、形成
中のITO膜に電子やイオンが衝突することにより、膜中
のボイド（空洞）がつぶされて、欠陥の少ないち密な膜
が形成される。これにより液晶テレビ等の配線材料とし
てITO膜を用いた場合でも、エッチング工程での不要エ
ッチングによる配線不良が発生しにくくなる。
発明の効果 以上のように本発明は、被処理基板表面に垂直に磁力
線を有し、ターゲット表面に磁界を形成する磁気手段か
らの被処理基板への洩れ磁界を強める方向に磁界を形成
する基板用補助磁気手段を設けることにより、磁力線に
沿ってプラズマを基板に流入させ、電子及びイオンを成
膜中の薄膜に照射し、そのエネルギーにより欠陥の少な
いち密な薄膜を形成可能にする。
線を有し、ターゲット表面に磁界を形成する磁気手段か
らの被処理基板への洩れ磁界を強める方向に磁界を形成
する基板用補助磁気手段を設けることにより、磁力線に
沿ってプラズマを基板に流入させ、電子及びイオンを成
膜中の薄膜に照射し、そのエネルギーにより欠陥の少な
いち密な薄膜を形成可能にする。
第１図は本発明の実施例のスパッタリング装置の構成
図、第２図は従来のスパッタリング装置の構成図であ
る。 １……カソード本体、２……磁石、３……ヨーク、４…
…ターゲット、８……チャンバ、９……基板ホルダ、10
……基板、11……補助磁石。
図、第２図は従来のスパッタリング装置の構成図であ
る。 １……カソード本体、２……磁石、３……ヨーク、４…
…ターゲット、８……チャンバ、９……基板ホルダ、10
……基板、11……補助磁石。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内で被スパッタ物質から成る成膜
源としてのターゲットと、このターゲットを載置する陰
極と、この陰極のみに電圧を印加する電源と、前記ター
ゲット表面に隣接して磁界を形成する磁気手段と、前記
ターゲットと所定の間隔を隔てて対面し、ITO膜が形成
される被処理基板とを備え、かつ前記被処理基板表面に
ターゲットから被処理基板に向う垂直な磁力線を有し、
前記磁気手段からの前記被処理基板表面での洩れ磁界を
強める方向に磁界を形成する基板用補助磁気手段を基板
裏面に設けたスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141085A JP2819559B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141085A JP2819559B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309963A JPH01309963A (ja) | 1989-12-14 |
| JP2819559B2 true JP2819559B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=15283857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63141085A Expired - Fee Related JP2819559B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819559B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6579421B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition |
| US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US7504006B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| JP5239218B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-07-17 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JP4999602B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2012-08-15 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437076A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-19 | Nec Corp | Sputtering |
| JPS5558371A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Hitachi Ltd | Sputtering apparatus |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63141085A patent/JP2819559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01309963A (ja) | 1989-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |