JPS6143427A - スパツタエツチング装置 - Google Patents
スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6143427A JPS6143427A JP16494084A JP16494084A JPS6143427A JP S6143427 A JPS6143427 A JP S6143427A JP 16494084 A JP16494084 A JP 16494084A JP 16494084 A JP16494084 A JP 16494084A JP S6143427 A JPS6143427 A JP S6143427A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- sputter
- counter electrode
- insulating plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空内でガスイオンによシ基板表面をエツチン
グ除去する、スパッタエツチング装置に関するものであ
る。
グ除去する、スパッタエツチング装置に関するものであ
る。
スバツタエ９チング処理を高速で行なうスパッタエツチ
ング装置としては、例えば特開昭５７−１５４９５５
号公報に示されるように、対向した２個の平板電極の
、基板電極側に磁石を配置し、基板上に高密度プラズマ
を発生させ、高速にスパッタエッチを行なうものが知ら
れている。
ング装置としては、例えば特開昭５７−１５４９５５
号公報に示されるように、対向した２個の平板電極の
、基板電極側に磁石を配置し、基板上に高密度プラズマ
を発生させ、高速にスパッタエッチを行なうものが知ら
れている。
この場合、基板上の限定され次空間に高密度プラズマが
発生する几め、スパッタエッチ速度が基板内で異なり、
″基板内のスパッタエッチ速度分布の均一化が不十分で
アシ、この改善が必要であうｆｃ。
発生する几め、スパッタエッチ速度が基板内で異なり、
″基板内のスパッタエッチ速度分布の均一化が不十分で
アシ、この改善が必要であうｆｃ。
本発明の目的は上記従来技術の問題に鑑み、高速、低ダ
メージかつ均一なスパッタエッチ処理を可能とするスパ
ッタエツチング装置を提供することにある。
メージかつ均一なスパッタエッチ処理を可能とするスパ
ッタエツチング装置を提供することにある。
上記目的全達成するため、本発明ではウェーハと対向し
た対向電極側に磁石を配置し、ウェーハより離間した対
向電極側に高密度プラズマを発生させる構造としたもの
であり、プラズマの高密度化によ〕スパッタエッチ処理
の高速化およびデバイスへのダメージの低減を、またウ
ェーハから離間し次位置に高密度プラズマを発生させる
ことによシ、基板に入射するガスイオンの分布を均一に
し、スパッタエッチ速度の均一化全実現したものである
。
た対向電極側に磁石を配置し、ウェーハより離間した対
向電極側に高密度プラズマを発生させる構造としたもの
であり、プラズマの高密度化によ〕スパッタエッチ処理
の高速化およびデバイスへのダメージの低減を、またウ
ェーハから離間し次位置に高密度プラズマを発生させる
ことによシ、基板に入射するガスイオンの分布を均一に
し、スパッタエッチ速度の均一化全実現したものである
。
以下本発明の一実施例を、図面にもとづいて説明する。
図面の１はＸ２容器、２は真空配管。
３はガス導入配管％ ４Ｉｉガス導入パルプである。
真空容器１の底部の開口５に、絶縁体６を介して基板電
極７を取付ける。基板電極７の上に絶縁板８を置き、そ
の上に基板９を置く。真空容器１の上部の開口１０には
、絶縁体１１ヲ介して対向電極１２ヲ、また対向電極１
２の表面には絶縁板１３を設置する。対向電極１２０大
気側には断面Ｅ形の円形の磁石１４があり、絶縁板１３
０表面に出て再び表面に入シ、かつ１周連続した磁力線
１５を形成する。１６ 、１７はアースシールドである
。
極７を取付ける。基板電極７の上に絶縁板８を置き、そ
の上に基板９を置く。真空容器１の上部の開口１０には
、絶縁体１１ヲ介して対向電極１２ヲ、また対向電極１
２の表面には絶縁板１３を設置する。対向電極１２０大
気側には断面Ｅ形の円形の磁石１４があり、絶縁板１３
０表面に出て再び表面に入シ、かつ１周連続した磁力線
１５を形成する。１６ 、１７はアースシールドである
。
基板電極７と対向電極１２には高周波電源１８が接続さ
れ、さらに対向電極１２側には可変電源１９と抵抗２０
とにより、バイアス電圧が印加される。
れ、さらに対向電極１２側には可変電源１９と抵抗２０
とにより、バイアス電圧が印加される。
以上の構成の本装置は次のように動作する。
真空容器１の搬入口および搬送手段（ともに図示せず）
により、基板９は基板電極７の絶縁板８上に置かれる。
により、基板９は基板電極７の絶縁板８上に置かれる。
真空ポンプ（図示せず）により真空配管２から排気され
る排気速度と、ガス導入パルプ４、ガス導入配管３１）
導入されるガス量とによフ定まる低圧雰囲気に真空容器
１内を保つ。高周波電源１８を起動させ、高周波電力を
供給すると、基板電極７と対向電極１２との間にプラズ
マ２１が発生する。この時円形磁石１４によ夕形成され
る磁力線１５により、対向電極１２近傍に、特に高密度
のプラズマ２２が形成される。
る排気速度と、ガス導入パルプ４、ガス導入配管３１）
導入されるガス量とによフ定まる低圧雰囲気に真空容器
１内を保つ。高周波電源１８を起動させ、高周波電力を
供給すると、基板電極７と対向電極１２との間にプラズ
マ２１が発生する。この時円形磁石１４によ夕形成され
る磁力線１５により、対向電極１２近傍に、特に高密度
のプラズマ２２が形成される。
高周波電力が印加されると基板電極７上の絶縁板８表面
には負のセルフバイアス電圧が発生し、プラズマ２１中
のイオンは絶縁板８に引きつけられ、基板９表面をスパ
ッタエツチングする。
には負のセルフバイアス電圧が発生し、プラズマ２１中
のイオンは絶縁板８に引きつけられ、基板９表面をスパ
ッタエツチングする。
円形の磁石１４により発生する高密度のプラズマ２２の
ために、絶縁板８上のセルフバイアス電圧が減少するが
同時に、基板９に入射するイオン電流密度が増加するた
め、スパッタエツチング速度は向上゛する。
ために、絶縁板８上のセルフバイアス電圧が減少するが
同時に、基板９に入射するイオン電流密度が増加するた
め、スパッタエツチング速度は向上゛する。
対向電極１２１１ＩＩに発生する高密度プラズマ２２中
のイオンはプラズマ２１中を拡散した後、基板９および
絶縁板８に入射する。
のイオンはプラズマ２１中を拡散した後、基板９および
絶縁板８に入射する。
なお、対向電極１２は絶縁体１１によシ、真空容器１と
は電気的に絶縁されていて、可変電源１９と抵抗２０に
よシバイアスミ圧を可変でき、これにより高密度プラズ
マ２２の密度を制御することができる。
は電気的に絶縁されていて、可変電源１９と抵抗２０に
よシバイアスミ圧を可変でき、これにより高密度プラズ
マ２２の密度を制御することができる。
また図面にお論ては１ケの円形の磁石全示し几が、この
磁石は複敬あってもよく、ま良形状も矩形であってもよ
い。また電磁石であってもよい。さらに対向電極１２お
よび絶縁板１６は平板の場合を図示したが、これらは凹
状もしくは凸状でありても、マグネトロン放電が発生す
れば同様の効果がある。
磁石は複敬あってもよく、ま良形状も矩形であってもよ
い。また電磁石であってもよい。さらに対向電極１２お
よび絶縁板１６は平板の場合を図示したが、これらは凹
状もしくは凸状でありても、マグネトロン放電が発生す
れば同様の効果がある。
以上説明したように本発明によれば、基板電極上のセル
フバイアスが減少するために、基板に入射するイオンの
加速エネルギが減少し、基板へのスパッタダメージ全低
減できる。また基板に入射するイオン電流密度が増加す
るためにスパッタエツチング速度は向上する。さらに高
密度プラズマを従来と異なシ、対向電極側に発生させ、
基板上へは拡散の後、入射させる几め、基板内のスパッ
タエッチ速度分布は均一化される。
フバイアスが減少するために、基板に入射するイオンの
加速エネルギが減少し、基板へのスパッタダメージ全低
減できる。また基板に入射するイオン電流密度が増加す
るためにスパッタエツチング速度は向上する。さらに高
密度プラズマを従来と異なシ、対向電極側に発生させ、
基板上へは拡散の後、入射させる几め、基板内のスパッ
タエッチ速度分布は均一化される。
図は、本発明によるスパッタエツチング装置の一実施例
金示す断面図である。 １・・・真空容器 ２・・・真空配管６・・・
ガス導入配管 ４・・・カス導入パルプ５・・・開
口 ６・・・絶縁体７・・・基板電極
８・・・絶縁板９・・・基板 １０
・・・開口１１・・・絶縁体 １２・・・対
向電極１５・・・絶縁板 １４・・・磁石１
５・・・磁力線 １６．１７・・・アースシールド １８・・・高周波電源 １９・・・可変電源２０
・・・抵抗２１・・・プラズマ ２２・・・高密度プラズマ
金示す断面図である。 １・・・真空容器 ２・・・真空配管６・・・
ガス導入配管 ４・・・カス導入パルプ５・・・開
口 ６・・・絶縁体７・・・基板電極
８・・・絶縁板９・・・基板 １０
・・・開口１１・・・絶縁体 １２・・・対
向電極１５・・・絶縁板 １４・・・磁石１
５・・・磁力線 １６．１７・・・アースシールド １８・・・高周波電源 １９・・・可変電源２０
・・・抵抗２１・・・プラズマ ２２・・・高密度プラズマ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空排気手段とガス導入手段とにより所定の低圧雰
囲気に維持される真空容器内に、互いに対向した基板電
極および対向電極を配設し、両電極間に高周波電源を接
続したスパッタエッチング装置において、対向電極の、
基板電極と反対側に磁石を設置し、対向電極の基板電極
側表面から出て再び表面に入る閉じた磁力線を形成する
ことを特徴とするスパッタエッチング装置。 ２、基板電極と対向電極をともにアース電位より電気的
に絶縁するとともに、対向電極にバイアス電圧を印加す
るバイアス電圧回路を付加したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のスパッタエッチング装置。 ３、前記基板電極側表面での閉じた磁力線と、基板電極
表面とにより形成されるトンネル状通路をエンドレスに
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
スパッタエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16494084A JPS6143427A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16494084A JPS6143427A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143427A true JPS6143427A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15802734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16494084A Pending JPS6143427A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143427A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204529A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Toshiba Corp | 反応性イオンエッチング方法 |
| JPS63131520A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS63184333A (ja) * | 1986-01-17 | 1988-07-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
| JPH01183123A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Hitachi Ltd | Ａｌのスパッタエッチング装置 |
| JPH02111887A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Ulvac Corp | 真空処理装置 |
| JPH02310383A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-26 | Applied Materials Inc | 磁気的に強化された半導体処理用プラズマ反応システム |
| JPH07207471A (ja) * | 1994-12-05 | 1995-08-08 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置 |
| KR20020004783A (ko) * | 2000-06-21 | 2002-01-16 | 고미야 히로요시 | Ｒｆ 스퍼터링 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
| JPS56155533A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Tohoku Metal Ind Ltd | Plasma apparatus |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16494084A patent/JPS6143427A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
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| JPH02111887A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Ulvac Corp | 真空処理装置 |
| JPH02310383A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-26 | Applied Materials Inc | 磁気的に強化された半導体処理用プラズマ反応システム |
| JPH07207471A (ja) * | 1994-12-05 | 1995-08-08 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置 |
| KR20020004783A (ko) * | 2000-06-21 | 2002-01-16 | 고미야 히로요시 | Ｒｆ 스퍼터링 장치 |
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