JPH02111887A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH02111887A JPH02111887A JP26506188A JP26506188A JPH02111887A JP H02111887 A JPH02111887 A JP H02111887A JP 26506188 A JP26506188 A JP 26506188A JP 26506188 A JP26506188 A JP 26506188A JP H02111887 A JPH02111887 A JP H02111887A
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- JP
- Japan
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- electrode
- gas
- plasma
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- cathode electrode
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- Granted
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- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 10
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、基板をアッシング又はエツチングする真空
処理装置に関するものである。
処理装置に関するものである。
（従来の技術）
従来のこの種の真空処理装置は、第３図及び第４図に示
され、これらの図において、真空槽（図示せず）内には
、カソード電極１とアノード電極２とが距離をおいて配
設されている。カソード電極１は、箱型をしだカソード
本体１ａの上端部に取付けた、アッシング又はエツチン
グ用ガスを吹き出す複数のガス吹き出し口１ｂの有する
ガス吹き出し電極板ＩＣと、このガス吹き出し電極板ｌ
Ｃ背部のカソード本体１ａの箱内に形成されたガス吹き
出し室１ｄと、このガス吹き出し室１ｄにアッシング又
はエツチング用ガスを導くガス導入管１ｅとを有してい
る。また、アノード電極２は、角形リング状をし、カソ
ード電極１のガス吹き出し電極板１ｃ近傍の空間に配設
されている。カソード電極ｌのガス吹き出し電極板１ｃ
と対向して基板３が配設されている。
され、これらの図において、真空槽（図示せず）内には
、カソード電極１とアノード電極２とが距離をおいて配
設されている。カソード電極１は、箱型をしだカソード
本体１ａの上端部に取付けた、アッシング又はエツチン
グ用ガスを吹き出す複数のガス吹き出し口１ｂの有する
ガス吹き出し電極板ＩＣと、このガス吹き出し電極板ｌ
Ｃ背部のカソード本体１ａの箱内に形成されたガス吹き
出し室１ｄと、このガス吹き出し室１ｄにアッシング又
はエツチング用ガスを導くガス導入管１ｅとを有してい
る。また、アノード電極２は、角形リング状をし、カソ
ード電極１のガス吹き出し電極板１ｃ近傍の空間に配設
されている。カソード電極ｌのガス吹き出し電極板１ｃ
と対向して基板３が配設されている。
したがって、カソード電極１とアノード電極２との間に
電位差をつけると、この間で放電が起こるようになる。
電位差をつけると、この間で放電が起こるようになる。
そのため、ガス導入管１ｅ及びガス吹き出し室１ｄを通
ってガス吹き出し口１ｂより吹き出されたアッシング又
はエツチング用ガスは、励起又は電離されて、プラズマ
が発生するようになる。そして、このプラズマ中のイオ
ン又はラジカルとが基板と化学反応を起こして、基板が
アッシング又はエツチングされるようになる。
ってガス吹き出し口１ｂより吹き出されたアッシング又
はエツチング用ガスは、励起又は電離されて、プラズマ
が発生するようになる。そして、このプラズマ中のイオ
ン又はラジカルとが基板と化学反応を起こして、基板が
アッシング又はエツチングされるようになる。
（発明が解決しようとする課題）
従来の真空処理装置は、上記のようにカソード電極１と
アノード電極２との間の放電により発生するプラズマ中
のイオン又はラジカルによって、基板をアッシング又は
エツチングするようにしているが、プラズマの拡散を抑
制するための手段を設けていないため、プラズマの密度
が低くなって、基板のアッシング及びエツチングレート
が悪くなる問題があった。また、基板はプラズマ中のイ
オンと化学反応をする他に、衝突もするため、イオンに
よるダメージを受ける問題もあった。
アノード電極２との間の放電により発生するプラズマ中
のイオン又はラジカルによって、基板をアッシング又は
エツチングするようにしているが、プラズマの拡散を抑
制するための手段を設けていないため、プラズマの密度
が低くなって、基板のアッシング及びエツチングレート
が悪くなる問題があった。また、基板はプラズマ中のイ
オンと化学反応をする他に、衝突もするため、イオンに
よるダメージを受ける問題もあった。
この発明は、上記のような従来の問題を解決して、プラ
ズマの拡散を抑制して、プラズマの密度を高め、基板の
アッシング及びエツチングレートを向上させると共に、
プラズマ中のイオンとの衝突による基板へのダメージを
なくすることのできる真空処理装置を提供することを目
的としている。
ズマの拡散を抑制して、プラズマの密度を高め、基板の
アッシング及びエツチングレートを向上させると共に、
プラズマ中のイオンとの衝突による基板へのダメージを
なくすることのできる真空処理装置を提供することを目
的としている。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明は、上記のような
構成をした真空処理装置において、カソード電極内に少
なくとも一対の磁石を設け、カソード電極の表面近傍の
、基板とカソード電極との間の空間に、湾曲した磁力線
よりなるトンネル状の磁場を形成し、この磁場内のプラ
ズマ密度を高めることを特徴とするものである。
構成をした真空処理装置において、カソード電極内に少
なくとも一対の磁石を設け、カソード電極の表面近傍の
、基板とカソード電極との間の空間に、湾曲した磁力線
よりなるトンネル状の磁場を形成し、この磁場内のプラ
ズマ密度を高めることを特徴とするものである。
（作用）
この発明においては、プラズマを磁場内に封じ込め、磁
場内のプラズマの密度は高くなる。この密度の高くなっ
たプラズマ中のイオンは電荷をもっているため、磁場内
に封じ込められたままになるのに対して、プラズマ中の
ラジカルは電気的に中性であるため、磁場の影響を受け
ることなく、磁場外に拡散し、基板と化学反応を起こし
て、基板をアッシング又はエツチングするようになる。
場内のプラズマの密度は高くなる。この密度の高くなっ
たプラズマ中のイオンは電荷をもっているため、磁場内
に封じ込められたままになるのに対して、プラズマ中の
ラジカルは電気的に中性であるため、磁場の影響を受け
ることなく、磁場外に拡散し、基板と化学反応を起こし
て、基板をアッシング又はエツチングするようになる。
プラズマ中のラジカルの量はプラズマの密度が高くなる
にしたがって増加するため、基板と化学反応を起こすラ
ジカルの量が増加して、基板のアッシング及びエツチン
グレートが向上するようになる。
にしたがって増加するため、基板と化学反応を起こすラ
ジカルの量が増加して、基板のアッシング及びエツチン
グレートが向上するようになる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図及び第２図はこの発明の実施例を示しており、こ
れらの図において、第３図及び第４図と同符号は同−又
は相当部分を示しているので、その説明を省略するが、
カソード電極ｌのガス吹き出し電極板１ｃ背部のカソー
ド本体１ａの箱内の中央部には、磁石４ａが設けられ、
周辺部には、磁石４ｂ、４ｃがそれぞれ設けられている
。
れらの図において、第３図及び第４図と同符号は同−又
は相当部分を示しているので、その説明を省略するが、
カソード電極ｌのガス吹き出し電極板１ｃ背部のカソー
ド本体１ａの箱内の中央部には、磁石４ａが設けられ、
周辺部には、磁石４ｂ、４ｃがそれぞれ設けられている
。
そのため、磁石４ａ１４ｂ、４ｃにより、カソード電極
１のガス吹き出し電極板１ｃの表面近傍の、基板３とカ
ソード電極ｌとの間の空間には、湾曲した磁力線よりな
るトンネル状の磁場５が形成され、そして、この磁場５
内にプラズマが封じ込められ、磁場５内のプラズマの密
度が高くなる。
１のガス吹き出し電極板１ｃの表面近傍の、基板３とカ
ソード電極ｌとの間の空間には、湾曲した磁力線よりな
るトンネル状の磁場５が形成され、そして、この磁場５
内にプラズマが封じ込められ、磁場５内のプラズマの密
度が高くなる。
この密度の高くなったプラズマ中のイオンは電荷をもっ
ているため、磁場内に封じ込められたままになるが、プ
ラズマ中のラジカルは電気的に中性であるため、磁場の
影響を受けることなく、磁場外に拡散し、基板と化学反
応を起こして、基板をアッシング又はエツチングするよ
うになる。その際、プラズマ中のラジカルの量はプラズ
マの密度が高くなるにしたがって増加するため、基板と
化学反応を起こすラジカルの量が増加して、基板のアッ
シング及びエツチングレートが向上するようになる。
ているため、磁場内に封じ込められたままになるが、プ
ラズマ中のラジカルは電気的に中性であるため、磁場の
影響を受けることなく、磁場外に拡散し、基板と化学反
応を起こして、基板をアッシング又はエツチングするよ
うになる。その際、プラズマ中のラジカルの量はプラズ
マの密度が高くなるにしたがって増加するため、基板と
化学反応を起こすラジカルの量が増加して、基板のアッ
シング及びエツチングレートが向上するようになる。
なお、この発明の実施例に用いられている磁石４ａ、４
ｂ１４ｃは、永久磁石であっても、電磁石であってもよ
い。また、カソード電極ｌ及びアノード電極２の形状は
、角形に限らず、丸形、楕円形等いかなる形状であって
もよい。
ｂ１４ｃは、永久磁石であっても、電磁石であってもよ
い。また、カソード電極ｌ及びアノード電極２の形状は
、角形に限らず、丸形、楕円形等いかなる形状であって
もよい。
（発明の効果）
この発明は、磁場内に封じ込めた密度の高いプラズマ中
のラジカルの磁場外への拡散によって、基板をアッシン
グ又はエツチングするようにしているので、基板がイオ
ンによってダメージを受けることがなくなると共に、プ
ラズマの密度が高くなることにより、基板と化学反応を
起こすラジカルの量も増加するので、基板のアッシング
及びエツチングレートが向上するようになる。
のラジカルの磁場外への拡散によって、基板をアッシン
グ又はエツチングするようにしているので、基板がイオ
ンによってダメージを受けることがなくなると共に、プ
ラズマの密度が高くなることにより、基板と化学反応を
起こすラジカルの量も増加するので、基板のアッシング
及びエツチングレートが向上するようになる。
第１図はこの発明の実施例の断面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線よりみた平面図である。第３図は従来の真空処
理装置の断面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線よりみた平
面図である。 図中、 し・・・・ ２彎・・拳ｅ ３・・・・・ ４ａ・・・・ ４ｂ・・・・ ４ｃ・・・・ ５１拳・・ ・カソード電極 ・アノード電極 ・基板 ・磁石 ・磁石 ・磁石 ・磁場 なお、図中、 同一符号は同−又は相当部分を示 している。
Ａ−Ａ線よりみた平面図である。第３図は従来の真空処
理装置の断面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線よりみた平
面図である。 図中、 し・・・・ ２彎・・拳ｅ ３・・・・・ ４ａ・・・・ ４ｂ・・・・ ４ｃ・・・・ ５１拳・・ ・カソード電極 ・アノード電極 ・基板 ・磁石 ・磁石 ・磁石 ・磁場 なお、図中、 同一符号は同−又は相当部分を示 している。
Claims (1)
- アッシング又はエッチング用ガスを吹き出す複数のガス
吹き出し口を有するガス吹き出し電極板を備えたカソー
ド電極と、アノード電極とを真空槽内で距離をおいて配
設し、カソード電極とアノード電極との間で起こる放電
により発生するプラズマによって、真空槽内でカソード
電極と対向して配設した基板をアッシング又はエッチン
グする真空処理装置において、上記カソード電極内に少
なくとも一対の磁石を設け、上記カソード電極の表面近
傍の、上記基板と上記カソード電極との間の空間に、湾
曲した磁力線よりなるトンネル状の磁場を形成し、この
磁場内のプラズマ密度を高めることを特徴とした真空処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265061A JP2717421B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265061A JP2717421B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111887A true JPH02111887A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2717421B2 JP2717421B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=17412044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265061A Expired - Lifetime JP2717421B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717421B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774981U (ja) * | 1980-10-22 | 1982-05-08 | ||
| JPS6143427A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | スパツタエツチング装置 |
| JPS62197850U (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63265061A patent/JP2717421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774981U (ja) * | 1980-10-22 | 1982-05-08 | ||
| JPS6143427A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | スパツタエツチング装置 |
| JPS62197850U (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2717421B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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