JPS60182135A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS60182135A JPS60182135A JP3603084A JP3603084A JPS60182135A JP S60182135 A JPS60182135 A JP S60182135A JP 3603084 A JP3603084 A JP 3603084A JP 3603084 A JP3603084 A JP 3603084A JP S60182135 A JPS60182135 A JP S60182135A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は例えばシリコンウェハーを累材とする集積回路
等、半導体デバイスの製造に用いるドライエツチング装
置に関するものである。
等、半導体デバイスの製造に用いるドライエツチング装
置に関するものである。
半導体集積回路のウェハープロセスにおいては、気体の
放電によシ生じたプラズマ、つまシミ子、原子ラジカル
やイオンをウェハー表面に導入し、これらとの反応また
は衝突によってウェハー上の酸化膜や金属薄膜の配線エ
ツチング加工を行なういわゆるドライエツチングが一般
的に用いられている。
放電によシ生じたプラズマ、つまシミ子、原子ラジカル
やイオンをウェハー表面に導入し、これらとの反応また
は衝突によってウェハー上の酸化膜や金属薄膜の配線エ
ツチング加工を行なういわゆるドライエツチングが一般
的に用いられている。
このドライエツチングには、電極と、それに対向するウ
ェハー間で放電させ、それによって生ずるプラズマをエ
ッチャントとする方式と、予め別室で発生させたプラズ
マを何らかの方法によってウェハー上に輸送し、これを
エッチャントとする方式とに分けられる。前者では、プ
ラズマ中のラジカルやイオンが直接電極とウェハー間に
印加された電界によって加速され、これがウェハーを衝
撃するのに対し、後者のプラズマ輸送形ではウェハーは
プラズマ流のみにさらされ、直接的に電界の影響を受け
ず、イオン電界衝撃等によるラジエーション・ダメージ
を防ぐことができるという大きなメリットをもつ。
ェハー間で放電させ、それによって生ずるプラズマをエ
ッチャントとする方式と、予め別室で発生させたプラズ
マを何らかの方法によってウェハー上に輸送し、これを
エッチャントとする方式とに分けられる。前者では、プ
ラズマ中のラジカルやイオンが直接電極とウェハー間に
印加された電界によって加速され、これがウェハーを衝
撃するのに対し、後者のプラズマ輸送形ではウェハーは
プラズマ流のみにさらされ、直接的に電界の影響を受け
ず、イオン電界衝撃等によるラジエーション・ダメージ
を防ぐことができるという大きなメリットをもつ。
このプラズマ輸送形のエツチング装置では、第１図に示
したように（−に、 ５ｕｚｕｋｉ ａｔ ａｔ 、ｔ
ｙ、 Ｊ。
したように（−に、 ５ｕｚｕｋｉ ａｔ ａｔ 、ｔ
ｙ、 Ｊ。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 １６．１９７９（１９７７）
） 通常ウエノ１−１をエツチングするチャンバー（
ウェハー室）２の他にプラズマを発生させる別のチャン
バー（プラズマ室）３がその横または側部に装備されて
おシ、プラズマ室３でマイクロ波と磁場の相互作用によ
り高密度・高エネルギーのプラズマが形成さ゛ れ、図
中矢印Ａで示すようにプラズマ流がウエノ１−ｔｔｉに
流れ込む。なお、第１図において４はウェハーホルダー
、５はマイクロ波（Ｂ）導入口、６はガス（Ｃ）導入口
、７は空気（Ｄ）導入口、８は石英管であシ、９が放電
領域となる。また、１０はウエノ・−冷却用コイル、１
１は真空排気（ト）口でめる。
） 通常ウエノ１−１をエツチングするチャンバー（
ウェハー室）２の他にプラズマを発生させる別のチャン
バー（プラズマ室）３がその横または側部に装備されて
おシ、プラズマ室３でマイクロ波と磁場の相互作用によ
り高密度・高エネルギーのプラズマが形成さ゛ れ、図
中矢印Ａで示すようにプラズマ流がウエノ１−ｔｔｉに
流れ込む。なお、第１図において４はウェハーホルダー
、５はマイクロ波（Ｂ）導入口、６はガス（Ｃ）導入口
、７は空気（Ｄ）導入口、８は石英管であシ、９が放電
領域となる。また、１０はウエノ・−冷却用コイル、１
１は真空排気（ト）口でめる。
しかし、このような構造では、ウエノ・−室２とプラズ
マ室３とが離れている場合、ウエノ・−室２に至る前に
プラズマ流の密度が減少し、ウニ／・−のエツチング速
度が低下する欠点がある。特に、第１図のようにウエノ
・−１の片側よシ輸送されて来る場合には、ウエノ・−
１のプラズマ流の流れ込む側と出て行く側とでエツチン
グ速度が異なシ、均一なエツチングができない傾向がラ
シ、この傾向はウェハー径が大きくなるほど太きい。
マ室３とが離れている場合、ウエノ・−室２に至る前に
プラズマ流の密度が減少し、ウニ／・−のエツチング速
度が低下する欠点がある。特に、第１図のようにウエノ
・−１の片側よシ輸送されて来る場合には、ウエノ・−
１のプラズマ流の流れ込む側と出て行く側とでエツチン
グ速度が異なシ、均一なエツチングができない傾向がラ
シ、この傾向はウェハー径が大きくなるほど太きい。
また、第２図のように（）１． ＩＴＡＫＵＲＡ ａｔ
ａｌ 。
ａｌ 。
Ｐｒｏｃ、、ｏｆ ｓｙｍｐｏｇｌｕｍ ｏｎ ｄｒｙ
Ｐｒｏｃｅｓｓ、Ｓｅｐ。
Ｐｒｏｃｅｓｓ、Ｓｅｐ。
Ｐａｇｅ３１．１９８３．Ｔｏｋｙｏ、 ）ウェハー１
をプラズマ流に対して直角に配置した場合には、プラズ
マ流は一様になるものの、ウェハー搬送の面で困難が生
じる。
をプラズマ流に対して直角に配置した場合には、プラズ
マ流は一様になるものの、ウェハー搬送の面で困難が生
じる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、プラズマ輸送形エツチング装置において、その
エツチング速度およびウエノ・−内均一性を高めること
が可能なドライエツチング装置を提供することにある。
目的は、プラズマ輸送形エツチング装置において、その
エツチング速度およびウエノ・−内均一性を高めること
が可能なドライエツチング装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、ウェハー
室とプラズマ室とを別個に設ける代シに、ウェハーを囲
む周辺領域においてプラズマを発生させ、これをウエノ
・−中心に向けてラジアル方向に導入するようにしたも
のである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明す
る。
室とプラズマ室とを別個に設ける代シに、ウェハーを囲
む周辺領域においてプラズマを発生させ、これをウエノ
・−中心に向けてラジアル方向に導入するようにしたも
のである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明す
る。
第３図は本発明の一実施例を示す断面図、第４図はその
平面図である。図示のように、ウェハー１の径よシも十
分大口径の２枚の平行平板電極、上部電極２１および下
部電極２２を設け、ウェハー１の外側の上下電極間周辺
貨域Ｒ８およびＴＵにおいてプラズマを発生させる。な
お、第４図では上部電極２１は省略しである。ここで、
電極は、ウェハー１上の領域ＳＴにおいてその電極間距
離ｄが上下に制御できる構造とする。
平面図である。図示のように、ウェハー１の径よシも十
分大口径の２枚の平行平板電極、上部電極２１および下
部電極２２を設け、ウェハー１の外側の上下電極間周辺
貨域Ｒ８およびＴＵにおいてプラズマを発生させる。な
お、第４図では上部電極２１は省略しである。ここで、
電極は、ウェハー１上の領域ＳＴにおいてその電極間距
離ｄが上下に制御できる構造とする。
また、ウェハー領域Ｉの上部電極２１には、複数個のガ
ス引出し用の排気孔２３があり、周辺領域から流入した
ガスがポンプ力によシ矢印Ｅで示すように上方に引出さ
れ、プラズマ領域■からのプラズマ流がウェハー領域Ｉ
の中央部に向けてラジアル方向に導入される構造となっ
ている。一方、エツチングガスは電極周辺部に斜めに配
置された反射板２４によシ矢印Ｃで示すようにウェハー
１の主面に平行な流れに変えられる。
ス引出し用の排気孔２３があり、周辺領域から流入した
ガスがポンプ力によシ矢印Ｅで示すように上方に引出さ
れ、プラズマ領域■からのプラズマ流がウェハー領域Ｉ
の中央部に向けてラジアル方向に導入される構造となっ
ている。一方、エツチングガスは電極周辺部に斜めに配
置された反射板２４によシ矢印Ｃで示すようにウェハー
１の主面に平行な流れに変えられる。
さらに、プラズマ領域■には、電磁コイル２５によシ静
磁場が印加され、また上・下部電極２１゜２２の外側に
矢印Ｂで示すようにマイクロ波が導入されて高密度・高
エネルギーのプラズマが発生する。なお、本実施例では
上・下部電極２１．２２は絶縁物、例えば石英やガラス
によシ構成されるが、これを導電性材料で形成し、両者
間に高電圧を印加して放電を起こさせ、プラズマを発生
させてこれをソースとしてもよい。ガス流量、真空度、
排気孔２３の数およびその径の大きさならびに電 −極
間距離によってウェハー１上のプラズマ流の密度が一様
になるように制御する。
磁場が印加され、また上・下部電極２１゜２２の外側に
矢印Ｂで示すようにマイクロ波が導入されて高密度・高
エネルギーのプラズマが発生する。なお、本実施例では
上・下部電極２１．２２は絶縁物、例えば石英やガラス
によシ構成されるが、これを導電性材料で形成し、両者
間に高電圧を印加して放電を起こさせ、プラズマを発生
させてこれをソースとしてもよい。ガス流量、真空度、
排気孔２３の数およびその径の大きさならびに電 −極
間距離によってウェハー１上のプラズマ流の密度が一様
になるように制御する。
以上説明したように、本発明によればウエノ・−を囲む
周辺領域でプラズマを発生させこれをウニ・・−の中心
に向けて導入するようにしたことによシ、従来別室でプ
ラズマを発生させていた場合に比較してプラズマの輸送
距離を短縮できるため、プラズマ輸送形としての特長を
活かしつつ、しかもエツチング速度およびそのウニ／・
−内均一性を高めることができる。
周辺領域でプラズマを発生させこれをウニ・・−の中心
に向けて導入するようにしたことによシ、従来別室でプ
ラズマを発生させていた場合に比較してプラズマの輸送
距離を短縮できるため、プラズマ輸送形としての特長を
活かしつつ、しかもエツチング速度およびそのウニ／・
−内均一性を高めることができる。
第１図および第２図は従来のプラズマ輸送形ドライエツ
チング装置の構成例を示す断面図、第３図は本発明の一
実施例を示す断面図、第４図はその平面図である。 １・・０・ウェハー、２１，２２・・・・電極、２３・
・・・排気孔、２４・・・・反射板、２５・・・・電磁
コイル、■・・・・ウェハー領域、■・ψ・・プラズマ
領域。 第１図 第２図
チング装置の構成例を示す断面図、第３図は本発明の一
実施例を示す断面図、第４図はその平面図である。 １・・０・ウェハー、２１，２２・・・・電極、２３・
・・・排気孔、２４・・・・反射板、２５・・・・電磁
コイル、■・・・・ウェハー領域、■・ψ・・プラズマ
領域。 第１図 第２図
Claims (1)
- 平行平板電極間にウェハーを配置し、プラズマを導入し
て上記ウェハーをエツチングするドライエツチング装置
において、上記電極をウェハーに対して十分に大きい径
を有するものとし、ウェハーを囲む周辺領域の電極間を
プラズマを発生させる領域とするとともに、発生したプ
ラズマをウェハーの中心に向かったラジアル方向に導入
するようにしたことを特徴とするドライエツチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3603084A JPS60182135A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3603084A JPS60182135A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182135A true JPS60182135A (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=12458313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3603084A Pending JPS60182135A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278224A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3603084A patent/JPS60182135A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278224A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
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