JPH0278224A - 有機物除去装置及び有機物除去方法 - Google Patents
有機物除去装置及び有機物除去方法Info
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- JPH0278224A JPH0278224A JP22868288A JP22868288A JPH0278224A JP H0278224 A JPH0278224 A JP H0278224A JP 22868288 A JP22868288 A JP 22868288A JP 22868288 A JP22868288 A JP 22868288A JP H0278224 A JPH0278224 A JP H0278224A
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- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機物に活性酸素原子を反応させて灰化除去
する装置に関する。
する装置に関する。
従来の装置は、特開昭６２−２７４７２７号に記載され
ているように、オゾンガスの供給は、被処理物の中央部
付近から供給されるか、横から供給するのみであった。
ているように、オゾンガスの供給は、被処理物の中央部
付近から供給されるか、横から供給するのみであった。
上記従来技術は、オゾンを、被処理物上の中心近く又は
、被処理物の表面上のいくつかの点から周辺方向にむけ
て流す方法により供給していた。
、被処理物の表面上のいくつかの点から周辺方向にむけ
て流す方法により供給していた。
このため、オゾンの供給位置から離れるに従って、被処
理物表面上の単位面積当りのオゾンの濃度が低下し９周
辺部はど除去速度が低下し、除去の均一性が悪く、従っ
てスループットが低いという問題があった。
理物表面上の単位面積当りのオゾンの濃度が低下し９周
辺部はど除去速度が低下し、除去の均一性が悪く、従っ
てスループットが低いという問題があった。
本発明は、有機物の均一な除去を目的とし、さらに、全
体の除去時間を短縮し高スループツトの有機物灰化除去
装置を提供することを目的としてなされたものである。
体の除去時間を短縮し高スループツトの有機物灰化除去
装置を提供することを目的としてなされたものである。
上記目的を達成するために、本発明においてはオゾンの
供給を被処理物の周辺部から行い、オゾンの流れを周辺
部から中央に向って流れるようにしたものである。
供給を被処理物の周辺部から行い、オゾンの流れを周辺
部から中央に向って流れるようにしたものである。
また、供給したオゾンを活性酸素原子に変えるために、
特に２５Ｏｎｍ付近に強い光を放射する紫外線ランプを
使用したものである。
特に２５Ｏｎｍ付近に強い光を放射する紫外線ランプを
使用したものである。
さらに、灰化除去を効率よく行うために被処理物を加熱
するようにしたものである。
するようにしたものである。
さらにまた、紫外線が被処理物表面によく到達するよう
にオゾンを流すフローギャップすなわち被処理物表面上
のオゾンのフローの厚さを０．５１以下とするようにし
たものである。
にオゾンを流すフローギャップすなわち被処理物表面上
のオゾンのフローの厚さを０．５１以下とするようにし
たものである。
オゾンは、紫外線や熱によって分解し励起酸素原子にな
る。該励起酸素原子は、有機物構成原子の炭素や水素と
反応して、Ｃｏｔ、ｃｏ、ＨｚＯ等を生成し、有機物を
気化させる働きがある。
る。該励起酸素原子は、有機物構成原子の炭素や水素と
反応して、Ｃｏｔ、ｃｏ、ＨｚＯ等を生成し、有機物を
気化させる働きがある。
また紫外線は、有機物の化学結合を切断する働きがある
。
。
供給するオゾンは、供給口から遠くなるに従って消費さ
れるために次第にその濃度が低下するので、オゾンを被
処理物周辺から中央に向かつて流れるようにすることに
より、表面全体にわたってオゾンの濃度を均一化するさ
せる。
れるために次第にその濃度が低下するので、オゾンを被
処理物周辺から中央に向かつて流れるようにすることに
より、表面全体にわたってオゾンの濃度を均一化するさ
せる。
また、オゾンを流すギャップを狭くすることにより、表
面上のオゾンの流速が速くなり１表面上に来るオゾンの
単位時間当りの個数が増加する。
面上のオゾンの流速が速くなり１表面上に来るオゾンの
単位時間当りの個数が増加する。
これらによって、灰化処理の均一化がはかられかつ、除
去速度を高めることができる。
去速度を高めることができる。
以上、本発明の一実施例を第１図により説明する。ウェ
ーハ等の被処理物５は、上下、回転可能な加熱源付ステ
ージ１１上に真空吸着によって固定されており、被処理
物５の表面の上側には、紫外線を透過させる合成石英等
のガラス板３が配置され、該ガラス板３には、被処理物
の中心もしくは中心近くに排気用のパイプ４が接続され
ている。
ーハ等の被処理物５は、上下、回転可能な加熱源付ステ
ージ１１上に真空吸着によって固定されており、被処理
物５の表面の上側には、紫外線を透過させる合成石英等
のガラス板３が配置され、該ガラス板３には、被処理物
の中心もしくは中心近くに排気用のパイプ４が接続され
ている。
上記ガラス板３の下で、被処理物５の周辺部には、オゾ
ンを吹き出す多数個の穴を有した水冷されたオゾン供給
器１０が配置され、該供給器１０には、１ケ所以上のオ
ゾン供給口、７，８から、オゾンが供給される。前記ガ
ラス板３のウェーハ５の反対側には、紫外線ランプが配
置されている。起票外線ランプを収納しているランプハ
ウス１内はＮ２ガス等によりパージされている。オゾン
の流れるウェーハ５とガラス板３との間のギャップは。
ンを吹き出す多数個の穴を有した水冷されたオゾン供給
器１０が配置され、該供給器１０には、１ケ所以上のオ
ゾン供給口、７，８から、オゾンが供給される。前記ガ
ラス板３のウェーハ５の反対側には、紫外線ランプが配
置されている。起票外線ランプを収納しているランプハ
ウス１内はＮ２ガス等によりパージされている。オゾン
の流れるウェーハ５とガラス板３との間のギャップは。
０．５漏以下となるようにコントロールされる。
本発明の具体的な実施例の内容とその結果について以下
に記す。
に記す。
直径６インチのウェーハの表面に、ホトレジスト１μｍ
を塗布して、９０℃×２０分間のプリベークしたレジス
トをサンプルとした。ステージ１１の湿度を２５０℃と
して、オゾンの濃度を１１０ｇ／Ｎｒｎ’、オゾンのキ
ャリアガスとして酸素を５Ｑ／分流した。ウェーハ５周
辺に配設したオゾンの吹き出し口の直径は、０．２〜０
．３ｍで。
を塗布して、９０℃×２０分間のプリベークしたレジス
トをサンプルとした。ステージ１１の湿度を２５０℃と
して、オゾンの濃度を１１０ｇ／Ｎｒｎ’、オゾンのキ
ャリアガスとして酸素を５Ｑ／分流した。ウェーハ５周
辺に配設したオゾンの吹き出し口の直径は、０．２〜０
．３ｍで。
ウェーハ５周辺にほぼ均等な間隔に２０ケ設けた。
ステージ１１は、毎分１５回転した。オゾンフローギャ
ップは、０．２ｍとして、オゾンは、強制的に排気管４
より排気した。このときの、ウェーハ５の半径方向に対
するレジストの除去速度分布は、第２図の曲線Ｂであっ
た。
ップは、０．２ｍとして、オゾンは、強制的に排気管４
より排気した。このときの、ウェーハ５の半径方向に対
するレジストの除去速度分布は、第２図の曲線Ｂであっ
た。
従来方法では、ガラス板３に設けたオゾン供給用ノズル
３ケ（図示路、ウェーハ半径上、中心から１５．４０．
５３ｍ）からオゾンを供給した場合のウェーハ半径方向
のレジスト除去速度分布は第２図のＡであった。
３ケ（図示路、ウェーハ半径上、中心から１５．４０．
５３ｍ）からオゾンを供給した場合のウェーハ半径方向
のレジスト除去速度分布は第２図のＡであった。
本発明によれば、第２図の効果に示したようにウェーハ
半径方向に対する、レジスト除去分布速度が大幅に改善
されるので除去の均一化の効果がある。
半径方向に対する、レジスト除去分布速度が大幅に改善
されるので除去の均一化の効果がある。
また、最終除去時間が早くなるので装置のスループット
の大幅な向上が達成できた。
の大幅な向上が達成できた。
第１図は１本発明の一実施の装置の概念的断面図、第２
図は、本発明の効果を示すレジスト除去速度分布を示す
図である。 ２・・・紫外線ランプ、３・・・石英板、４・・・排気
筒、５・・・ウェーハ、９・・・オゾン吹き出し穴。 代理人 弁理士 小川勝馬と−） 、乞１明５゜ ん、・、：’、Ｌｊ
図は、本発明の効果を示すレジスト除去速度分布を示す
図である。 ２・・・紫外線ランプ、３・・・石英板、４・・・排気
筒、５・・・ウェーハ、９・・・オゾン吹き出し穴。 代理人 弁理士 小川勝馬と−） 、乞１明５゜ ん、・、：’、Ｌｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、オゾンを供給して、このオゾンを活性酸素原子に変
える手段を有し、該オゾンを被処理物の周辺から中央に
向かつて流れるように構成したことを特徴とする有機物
灰化除去装置。 ２、オゾンを活性酸素原子に変える手段が紫外線と熱で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の有機
物灰化除去装置。 ３、オゾンを流すフローギャップが０．５ｍｍ以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の有機物
灰化除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228682A JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228682A JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278224A true JPH0278224A (ja) | 1990-03-19 |
| JP2966419B2 JP2966419B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=16880158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63228682A Expired - Fee Related JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966419B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230018A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Orc Mfg Co Ltd | ホトレジストの光灰化装置 |
| WO2015037573A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| WO2023008316A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | キヤノン株式会社 | 活性酸素による処理装置及び活性酸素による処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182135A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS62274747A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63228682A patent/JP2966419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182135A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS62274747A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04230018A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Orc Mfg Co Ltd | ホトレジストの光灰化装置 |
| WO2015037573A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| US20160221049A1 (en) * | 2013-09-13 | 2016-08-04 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light projection device |
| US9616469B2 (en) * | 2013-09-13 | 2017-04-11 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light projection device |
| WO2023008316A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | キヤノン株式会社 | 活性酸素による処理装置及び活性酸素による処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2966419B2 (ja) | 1999-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |