JPH0425117A - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
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- JPH0425117A JPH0425117A JP12907990A JP12907990A JPH0425117A JP H0425117 A JPH0425117 A JP H0425117A JP 12907990 A JP12907990 A JP 12907990A JP 12907990 A JP12907990 A JP 12907990A JP H0425117 A JPH0425117 A JP H0425117A
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- gas
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Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機物の除去状態が検知できる、レジスト等
の有機物除去装置に関するものである。
の有機物除去装置に関するものである。
半導体の製造工程では、ホトレジス１−などの有機レジ
スト膜をマスクとして使用するが、エツチングやＩ・−
ピングを行った後、不要になった−に記有機しンスト膜
を除去するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プラズ
マによって雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レンス
１〜膜を酸化除去する方法が多く採用されている。上記
プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさらされ
プラズマによるチャージアップのために、上記半導体デ
バイスはダメージを生じる。従って、上記ダメージを最
小限度に抑制するためには、有機物除去処理の終点を検
出することが必須であり、特開昭６３７０４２７号に記
載されているような処理に関連するガスの、ガス検出方
法が用いられている。
スト膜をマスクとして使用するが、エツチングやＩ・−
ピングを行った後、不要になった−に記有機しンスト膜
を除去するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プラズ
マによって雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レンス
１〜膜を酸化除去する方法が多く採用されている。上記
プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさらされ
プラズマによるチャージアップのために、上記半導体デ
バイスはダメージを生じる。従って、上記ダメージを最
小限度に抑制するためには、有機物除去処理の終点を検
出することが必須であり、特開昭６３７０４２７号に記
載されているような処理に関連するガスの、ガス検出方
法が用いられている。
−に記従来技術は、有機物の除去処理を真空処理室内で
行うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混
入することはない。大気圧下で有機物処理を行う光アッ
シャは、上記従来技術よりもはるかに効率的であるが、
処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気が混
入する。従って、除去処理によるガス濃度の変化を分析
することは困難４であり、実施されていなかった。
行うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混
入することはない。大気圧下で有機物処理を行う光アッ
シャは、上記従来技術よりもはるかに効率的であるが、
処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気が混
入する。従って、除去処理によるガス濃度の変化を分析
することは困難４であり、実施されていなかった。
本発明は、大気圧下で有機物処理を行うアッシャ等にお
いても、ガス濃度の変化を検出することができる有機物
除去処理装置を得ることを目的とする。
いても、ガス濃度の変化を検出することができる有機物
除去処理装置を得ることを目的とする。
上記１」的は、被処理物に近接対向して設置した隔壁板
の、被処理物に対向する面にガス導入口とガス排出口を
設け、その位置関係を規制することにより達成される。
の、被処理物に対向する面にガス導入口とガス排出口を
設け、その位置関係を規制することにより達成される。
被処理物と被処理物に近接対向して設けた隔壁板との間
隙には、ガス導入口から流入した反応ガスと被処理物表
面から生成したガスだけが充満しており、これらのガス
は上記被処理物の周辺から排出される。上記生成ガスを
、上記隔壁板に設けたガス排出口から採集し、ガス検知
手段に導き分析することによって除去処理の終点を検知
する。
隙には、ガス導入口から流入した反応ガスと被処理物表
面から生成したガスだけが充満しており、これらのガス
は上記被処理物の周辺から排出される。上記生成ガスを
、上記隔壁板に設けたガス排出口から採集し、ガス検知
手段に導き分析することによって除去処理の終点を検知
する。
上記ガス排出口を、ガス導入口の間に設けることにより
ガスの流れを適正化して、空気をガス排出口に流入させ
ること無く、ガス分析により除去処理の終点を検知する
。
ガスの流れを適正化して、空気をガス排出口に流入させ
ること無く、ガス分析により除去処理の終点を検知する
。
次に本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による有機物除去装置の一実施例を示す
構成図である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、
レンスＩ・膜の除去］ユ程がある。その−手段として、
大気圧下で紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除
去する方法があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、
紫外線によって上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウ
ェーハやマスク等に塗布されたレンス１−と反応させ、
炭酸ガス、水などに分解気化させて排出する。一般には
反応をさらに促進させる目的で被処理物の温度を」二げ
るため、加熱機構を付加している。
構成図である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、
レンスＩ・膜の除去］ユ程がある。その−手段として、
大気圧下で紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除
去する方法があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、
紫外線によって上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウ
ェーハやマスク等に塗布されたレンス１−と反応させ、
炭酸ガス、水などに分解気化させて排出する。一般には
反応をさらに促進させる目的で被処理物の温度を」二げ
るため、加熱機構を付加している。
第１図に示す処理室１は大気圧であり、上記処理室１内
にはウェーハ２を搭載し加熱するためのステージ３、お
よび上記ウェーハ２の表面に反応ガスであるオゾンを効
率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板４
、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入口５と反
応後の生成ガスを排出するガス排出口６、および紫外線
を放射する紫外線ランプ７が設けられている。ここでガ
ス排出口６は、ガス導入口５の間に設置されている。
にはウェーハ２を搭載し加熱するためのステージ３、お
よび上記ウェーハ２の表面に反応ガスであるオゾンを効
率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板４
、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入口５と反
応後の生成ガスを排出するガス排出口６、および紫外線
を放射する紫外線ランプ７が設けられている。ここでガ
ス排出口６は、ガス導入口５の間に設置されている。
レジストを塗布したウェーハ２を１５０℃〜３００ ’
Ｃに加熱し、ガス導入１」５からオゾンを導入する。上
記オゾンはウェーハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて
処理室１内に導入される。上記隔壁板４の−に部に設置
された紫外線ランプ７により、上記オゾンは活性な酸素
原子（ラジカル酸素）となり、レジストを炭酸ガスや水
などに分解し、処理室１内に排出される。これら処理室
１内に排出されたガスは、−３０ｎｗｎＡｑ程度の圧力
で排気ダクトに導かれる。一方、隔壁板４に設けたガス
排出１コロからも同様に同じガスが排出される。
Ｃに加熱し、ガス導入１」５からオゾンを導入する。上
記オゾンはウェーハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて
処理室１内に導入される。上記隔壁板４の−に部に設置
された紫外線ランプ７により、上記オゾンは活性な酸素
原子（ラジカル酸素）となり、レジストを炭酸ガスや水
などに分解し、処理室１内に排出される。これら処理室
１内に排出されたガスは、−３０ｎｗｎＡｑ程度の圧力
で排気ダクトに導かれる。一方、隔壁板４に設けたガス
排出１コロからも同様に同じガスが排出される。
除去処理中の排出ガスには、前述のごとく二酸化炭素が
数１００〜数１． ＯＯＯＯｐ ｐ ｍ含まれている。
数１００〜数１． ＯＯＯＯｐ ｐ ｍ含まれている。
ガス排出口６から導かれる配管の途中に、二酸化炭素を
検出するためのセンサー８を設けることにより、除去処
理の終点を検知することができる。
検出するためのセンサー８を設けることにより、除去処
理の終点を検知することができる。
一方、第２図のようにガスＪＪＩ １１１ｉ口６をガス
導入「１５の外に置いた場合は、ステージ３の周辺より
、空気を巻き込み、排出ガス中の二酸化炭素濃度が低ド
して除去処理の終点を検知することは出来な１、）。
導入「１５の外に置いた場合は、ステージ３の周辺より
、空気を巻き込み、排出ガス中の二酸化炭素濃度が低ド
して除去処理の終点を検知することは出来な１、）。
上記のように本発明による有機物除去装置は、紫外線と
オゾンと熱によって有機物を灰化除去するときに生成す
るガスを、空気の巻き込みを伴わずに採集でき、かつ分
析できるため、信頼性の高い終点検出が可能である。
オゾンと熱によって有機物を灰化除去するときに生成す
るガスを、空気の巻き込みを伴わずに採集でき、かつ分
析できるため、信頼性の高い終点検出が可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の有機物除去装置の実施例を示す構成図
、第２図は本発明を実施しない例の有機物除去装置の構
成図である。 １・処理室、２・・被処理物、３・ステージ、４・・隔
壁板、５・・ガス導入口、６・・・ガス排出口、７・・
・紫外線ランプ、 ガス検知手段。
、第２図は本発明を実施しない例の有機物除去装置の構
成図である。 １・処理室、２・・被処理物、３・ステージ、４・・隔
壁板、５・・ガス導入口、６・・・ガス排出口、７・・
・紫外線ランプ、 ガス検知手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、大気圧下で、紫外線とオゾンと熱によって、有機物
を灰化し除去する有機物除去装置において、被処理物に
非接触で近接対向する透明隔壁板を設け、上記隔壁板の
被処理物に対向する面に、少なくとも２個以上のガス導
入口と、少なくとも１個以上のガス排出口を設けたこと
を特徴とする有機物除去装置。 ２、上記ガス排出口は上記ガス導入口の間に位置するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した有機物
除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907990A JPH0425117A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 有機物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907990A JPH0425117A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 有機物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425117A true JPH0425117A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=15000562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12907990A Pending JPH0425117A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 有機物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425117A (ja) |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP12907990A patent/JPH0425117A/ja active Pending
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