JPH05283328A - レジスト膜塗布装置 - Google Patents

レジスト膜塗布装置

Info

Publication number
JPH05283328A
JPH05283328A JP7973192A JP7973192A JPH05283328A JP H05283328 A JPH05283328 A JP H05283328A JP 7973192 A JP7973192 A JP 7973192A JP 7973192 A JP7973192 A JP 7973192A JP H05283328 A JPH05283328 A JP H05283328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
resist film
solvent vapor
film coating
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7973192A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2833917B2 (ja
Inventor
Yukihiro Yanabe
幸博 矢鍋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP7973192A priority Critical patent/JP2833917B2/ja
Publication of JPH05283328A publication Critical patent/JPH05283328A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2833917B2 publication Critical patent/JP2833917B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】レジスト膜塗布前に行なわれる溶剤蒸気処理を
行なうチャンバ内の蒸気濃度をモニタすることにより、
レジスト膜の密着性低下を防止する。 【構成】チャンバ3内のガスの一部を配管5b,5cに
より取出してガス検知器7に導入し、チャンバ3内の溶
剤蒸気の濃度を検出し、濃度異常時にアラームを出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト膜塗布装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来のレジスト膜塗布装置は、半導体ウ
ェーハを装着するチャンバと、このチャンバ内に溶剤蒸
気を導入する配管と、使用済の溶剤蒸気を排気する排管
とを有しており、チャンバ内に導入した溶剤蒸気により
レジスト膜塗布前の半導体ウェーハの表面を処理してレ
ジスト膜との密着性を強化していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジスト膜塗布
装置では溶剤蒸気を送っている配管がはずれたり、溶剤
が欠乏したりしてチャンバ内に溶剤蒸気が送られず、半
導体ウェーハの表面の処理が実行されない場合でも、リ
アルタイムで欠陥を発見することができずに被害を大き
なものにしていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト膜塗布
装置は、チャンバ内に半導体ウェーハを装着し、前記チ
ャンバ内に導入した溶剤蒸気によりレジスト膜塗布前の
半導体ウェーハの表面を処理するレジスト膜塗布装置に
おいて、前記チャンバ内のガスの一部を取出して前記溶
剤蒸気の濃度を検出するガス検知器を備えている。
【0005】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0006】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。
【0007】図1は示すように、半導体ウェーハ1を装
着するプレート2と、プレート2を内蔵し、配管5aよ
り溶剤蒸気を導入してレジスト膜塗布前の半導体ウェー
ハ1の表面にレジスト膜との密着性を強化するための表
面処理を行なうチャンバ3と、処理済の廃ガスを外部へ
導出する排気管6とチャンバ3内のガスの一部を配管5
b,5cにより取出して溶剤蒸気の濃度を検出して異常
時にアラームを出すガス検知器7とを備えて構成され
る。なお、バブリングタンク4は溶剤9の中にキャリア
ガス10を吹込んで溶剤9を気化した溶剤蒸気8を配管
5aによりチャンバ3内へ送るためのものである。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、溶剤蒸気
濃度をモニタリングするガス検知器を取り付けたことに
より、チャンバ内での溶剤蒸気の濃度異常を即座に発見
できるという効果をする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図。
【符号の説明】
1 半導体ウェーハ 2 プレート 3 チャンバ 4 バブリングタンク 5a,5b,5c 配管 6 排気管 7 ガス検知器 8 溶剤蒸気 9 溶剤 10 キャリアガス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバ内に半導体ウェーハを装着し、
    前記チャンバ内に導入した溶剤蒸気により前記半導体ウ
    ェーハの表面を処理するレジスト膜塗布装置において、
    前記チャンバ内のガスの一部を取出して前記溶剤蒸気の
    濃度を検出するガス検知器を備えたことを特徴とするレ
    ジスト膜塗布装置。
JP7973192A 1992-04-01 1992-04-01 溶剤蒸気処理装置 Expired - Fee Related JP2833917B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7973192A JP2833917B2 (ja) 1992-04-01 1992-04-01 溶剤蒸気処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7973192A JP2833917B2 (ja) 1992-04-01 1992-04-01 溶剤蒸気処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05283328A true JPH05283328A (ja) 1993-10-29
JP2833917B2 JP2833917B2 (ja) 1998-12-09

Family

ID=13698357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7973192A Expired - Fee Related JP2833917B2 (ja) 1992-04-01 1992-04-01 溶剤蒸気処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2833917B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142311A (ja) * 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
JP2005334810A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Alps Electric Co Ltd スプレーコート装置及びスプレーコート方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142311A (ja) * 1993-06-30 1995-06-02 Sony Corp シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
JP2005334810A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Alps Electric Co Ltd スプレーコート装置及びスプレーコート方法
JP4602699B2 (ja) * 2004-05-28 2010-12-22 アルプス電気株式会社 スプレーコート装置及びスプレーコート方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2833917B2 (ja) 1998-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5246526A (en) Surface treatment apparatus
JPS6056431B2 (ja) プラズマエツチング装置
KR20110025142A (ko) 챔버 내 클리닝 방법
KR940006184A (ko) 감압처리장치 및 감압처리방법
EP0636707B1 (en) Nitrogen trifluoride thermal cleaning apparatus and process
US20180166306A1 (en) Quartz crystal microbalance utilization for foreline solids formation quantification
JPH05283328A (ja) レジスト膜塗布装置
JP3278988B2 (ja) シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
JPS58190030A (ja) 平行平板電極を有するプラズマエッチング装置
JPH0653171A (ja) プラズマ装置
JPH0425117A (ja) 有機物除去装置
JP3944545B2 (ja) 蛍光x線分析用試料前処理装置
US6920891B2 (en) Exhaust adaptor and method for chamber de-gassing
JPH0327517A (ja) レジスト剥離終点検出装置
JP2003133290A (ja) レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法
JPH0278224A (ja) 有機物除去装置及び有機物除去方法
JPH0332022A (ja) 有機物除去装置
JPS63107026A (ja) プラズマエツチング装置
JPS62222630A (ja) 気相反応処理装置
WO2002023585A3 (en) Method and apparatus for detecting leaks in a plasma etch chamber
JPH053152A (ja) 有機物除去装置
JPS63272036A (ja) 付着臭素除去方法
JPH0237716A (ja) 半導体処理装置
JPH1070078A (ja) 半導体製造装置
JPH11244686A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980825

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees