JPS63107026A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS63107026A JPS63107026A JP25076386A JP25076386A JPS63107026A JP S63107026 A JPS63107026 A JP S63107026A JP 25076386 A JP25076386 A JP 25076386A JP 25076386 A JP25076386 A JP 25076386A JP S63107026 A JPS63107026 A JP S63107026A
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- Japan
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- end point
- etching
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明はプラズマエツチング装置に関し、特にＳ；及び
Ｓ１化合物のエツチング処理を目的としたプラズマエツ
チング装置に係わる。
Ｓ１化合物のエツチング処理を目的としたプラズマエツ
チング装置に係わる。
〈従来の技術）
周知の如く、プラズマ放電を利用したエツチング装置に
おいては、エツチング室の側壁にガラス板を介して取付
けられたフィルター、検出器、この検出器に接続された
アンプ回路及び制御回路からなるエツチング処理終点検
出器（エンドポイントモニター）が用いられ、これによ
りエツチングの終了時点が検出されている。
おいては、エツチング室の側壁にガラス板を介して取付
けられたフィルター、検出器、この検出器に接続された
アンプ回路及び制御回路からなるエツチング処理終点検
出器（エンドポイントモニター）が用いられ、これによ
りエツチングの終了時点が検出されている。
しかしながら、従来装置によれば、エツチング中のみに
存在するある特定波長を検出する為、半値幅が数ｎｍと
狭いフィルタを使用しなければ検出できない。また、前
記エンドポイントモニターは大体３００〜４００ｎｍの
光の波長をとらえてエンドポイントを検出しているため
、エツチング中に有機重合物が前記ガラス板に付着し、
上記範囲の光の波長が前記有ｉ重合膜で反射して透過量
が減少するという経時変化が存在する。以上より、従来
技術では、エンドボイドを正確に再現性よく検出できな
いという問題点を有する。
存在するある特定波長を検出する為、半値幅が数ｎｍと
狭いフィルタを使用しなければ検出できない。また、前
記エンドポイントモニターは大体３００〜４００ｎｍの
光の波長をとらえてエンドポイントを検出しているため
、エツチング中に有機重合物が前記ガラス板に付着し、
上記範囲の光の波長が前記有ｉ重合膜で反射して透過量
が減少するという経時変化が存在する。以上より、従来
技術では、エンドボイドを正確に再現性よく検出できな
いという問題点を有する。
また、従来使用されている３００〜４００ｎｍ間に存在
する特定波長スペクトルはそのＳ／Ｎ比が小さいため、
狭い半値幅の多数のフィルターを必要としたり、小さい
信号を増幅させるための高精度のアンプを必要とする等
技術的な困難を伴う。
する特定波長スペクトルはそのＳ／Ｎ比が小さいため、
狭い半値幅の多数のフィルターを必要としたり、小さい
信号を増幅させるための高精度のアンプを必要とする等
技術的な困難を伴う。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、エンドボイ
ドを正確に検出できるともに技術的にとする。
ドを正確に検出できるともに技術的にとする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、発光スペクトル強度の変化を検出ことにより
するＳｉ及びＳｉ化合物の被処理物のエンドポイントを
検出する機能を具備したエツチング装置において、発光
スペクトルを検出する透過スペクトル波長のピーク値が
５４０〜６００ｎｍの範囲にあるフィルタを用いたこと
を要旨とする。
するＳｉ及びＳｉ化合物の被処理物のエンドポイントを
検出する機能を具備したエツチング装置において、発光
スペクトルを検出する透過スペクトル波長のピーク値が
５４０〜６００ｎｍの範囲にあるフィルタを用いたこと
を要旨とする。
（作用）
本発明によれば、発光スペクトルを検出するのに透過ス
ペクトル波長のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲に
あるフィルタを用いることにより、半値幅を広くすると
ともに経時変化が減少してエンドボイドを正確にみつけ
ることができ、かつＳ／Ｎ比が大きい為技術的に容易で
かつ信頼性の＾い装置を提供できる。
ペクトル波長のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲に
あるフィルタを用いることにより、半値幅を広くすると
ともに経時変化が減少してエンドボイドを正確にみつけ
ることができ、かつＳ／Ｎ比が大きい為技術的に容易で
かつ信頼性の＾い装置を提供できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１は底部に被処理物２を載置した接地されたエツ
チング室であり、陽極を兼ねる。なお。
チング室であり、陽極を兼ねる。なお。
図中の１ａは反応ガスの排気口である。前記エツチング
室１の上部には陰極３がテフロン絶縁板４を介して取付
けられており、前記陰極３の内部には水冷パイプを兼ね
た配管５が挿入されている。
室１の上部には陰極３がテフロン絶縁板４を介して取付
けられており、前記陰極３の内部には水冷パイプを兼ね
た配管５が挿入されている。
また、陰極３には、図示しないが反応ガスの導入口が設
けられている。前記エツチング室１の側壁には図示しな
いがガラス板を介してフィルタ６が組込まれ、該フィル
タ６に隣接して所定の範囲の波長を検出する検出器７が
設けられている。ここで、前記フィルタ６は、透過スペ
クトル波のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲の光の
波長を透過するようになっている。前記検出器７には、
アンプ回路８、制御回路９、ＲＦｌｉ３！１０及びマツ
チグ回路１１が順次電気的に接続し、前記マツチング回
路１１の他端は前記陰極３に接続されている。ここで、
前記フィルタ６、検出器７、アンプ回路８及び制御回路
９を総称してエンドポイントモニター１２と呼ぶ。
けられている。前記エツチング室１の側壁には図示しな
いがガラス板を介してフィルタ６が組込まれ、該フィル
タ６に隣接して所定の範囲の波長を検出する検出器７が
設けられている。ここで、前記フィルタ６は、透過スペ
クトル波のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲の光の
波長を透過するようになっている。前記検出器７には、
アンプ回路８、制御回路９、ＲＦｌｉ３！１０及びマツ
チグ回路１１が順次電気的に接続し、前記マツチング回
路１１の他端は前記陰極３に接続されている。ここで、
前記フィルタ６、検出器７、アンプ回路８及び制御回路
９を総称してエンドポイントモニター１２と呼ぶ。
こうした構造の装置においては、まずエツチング室１の
中にＣＣｆｆ１＋等の塩素系ガスを導入しＲＦ電源１０
をＯＮすることにより、被処理物２の上面にプラズマ放
電が発生し、被処理物２のエツチングが起こる。この時
、エツチング反応が継続するときに特徴的なプラズマ光
を発光する。そして、５４０〜６００ｎｍの波長の光だ
けがガラス板を透過してフィルタ６を通り、検出器７に
よって検出される。つづいて、アンプ回路８にかけられ
、その光量の変化をもってエツチング反応の終了時点を
検出する。
中にＣＣｆｆ１＋等の塩素系ガスを導入しＲＦ電源１０
をＯＮすることにより、被処理物２の上面にプラズマ放
電が発生し、被処理物２のエツチングが起こる。この時
、エツチング反応が継続するときに特徴的なプラズマ光
を発光する。そして、５４０〜６００ｎｍの波長の光だ
けがガラス板を透過してフィルタ６を通り、検出器７に
よって検出される。つづいて、アンプ回路８にかけられ
、その光量の変化をもってエツチング反応の終了時点を
検出する。
上記実浦例に係るエツチング装置は、透過スペクトル波
長のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲にあるフィル
タ６をエツチング室１の側壁に設け、前記フィルタ６と
検出器７．アンプ回路８及び制御回路９によりエンドモ
ニター１２を構成した構造となっているため、従来と比
べ半値幅が大きい。また、５４０〜６００ｎｍと長波長
の広い範囲の光の波長をガラス板に透過させるため、従
来のようにガラス板の表面に有ｉｌ１合膜が形成されて
もこれに反射されることなく、また半値幅が大きい為光
量が大きく、フィルタ６を通って検出器７によって検出
される信号はノイズ、バックグラウンドに比べ十分大き
い。したがって、従来と比ベエッチングのエンドボイド
を正確に検出できる。更に、第２図に示す様にＳ／Ｎ比
が大きいため、従来のように多数のフィルタを設けたり
、あるいは小さい信号を増幅させるための高精度のアン
プを必要とせず、技術的に簡単な装置を提供できる。
長のピーク値が５４０〜６００ｎｍの範囲にあるフィル
タ６をエツチング室１の側壁に設け、前記フィルタ６と
検出器７．アンプ回路８及び制御回路９によりエンドモ
ニター１２を構成した構造となっているため、従来と比
べ半値幅が大きい。また、５４０〜６００ｎｍと長波長
の広い範囲の光の波長をガラス板に透過させるため、従
来のようにガラス板の表面に有ｉｌ１合膜が形成されて
もこれに反射されることなく、また半値幅が大きい為光
量が大きく、フィルタ６を通って検出器７によって検出
される信号はノイズ、バックグラウンドに比べ十分大き
い。したがって、従来と比ベエッチングのエンドボイド
を正確に検出できる。更に、第２図に示す様にＳ／Ｎ比
が大きいため、従来のように多数のフィルタを設けたり
、あるいは小さい信号を増幅させるための高精度のアン
プを必要とせず、技術的に簡単な装置を提供できる。
事実、従来３７０ｎｍの波長を使用した時、検出される
光の発光強度が第３図に示す如く処理枚数に応じて除徐
に減少したが、本発明によれば処理枚数に影響を受ける
ことはなかった。具体的には、従来検出可能枚数が７０
枚であったものが、本発明の場合３０００枚以上検出可
能となった。
光の発光強度が第３図に示す如く処理枚数に応じて除徐
に減少したが、本発明によれば処理枚数に影響を受ける
ことはなかった。具体的には、従来検出可能枚数が７０
枚であったものが、本発明の場合３０００枚以上検出可
能となった。
また、第４図は時間と発光強度との関係を示す特性図で
ある。同図よりエツチング中とエツチング後のプラズマ
発光強度が大きくことなり、その差よりエツチングのエ
ンドボイドを容易に判別できることが明らかである。
ある。同図よりエツチング中とエツチング後のプラズマ
発光強度が大きくことなり、その差よりエツチングのエ
ンドボイドを容易に判別できることが明らかである。
以上詳述した如く本発明によれば、従来と比ベエンドボ
イトを正確に検出できるとともに、伎術的に簡単でかつ
信頼性の＾いエンドポイントモニターを具備するプラス
！［を提供できる。
イトを正確に検出できるとともに、伎術的に簡単でかつ
信頼性の＾いエンドポイントモニターを具備するプラス
！［を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るドライエツチング装置
の説明図、第２図は同装置に係る波長と発光強度差との
関係を示す特性図、第３図は被処理物の処理枚数と発光
強度との関係を示す特性図、第４図は時間と発光強度と
の関係を示す特性図である。 １・・・エツチング室、１ａ・・・−排気口、２・・・
被処理物、３・・・陰極、４・・・テフロン絶縁板、５
・・・配管、６・・・フィルタ、７・・・検出器、８・
・・アンプ回路、９・・・制御回路、１ｏ・・・ＲＦ電
源、・・・マツチング回路、１２・・・エンドモニター
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 区 第２図 処理秩佼 第３図 第４図
の説明図、第２図は同装置に係る波長と発光強度差との
関係を示す特性図、第３図は被処理物の処理枚数と発光
強度との関係を示す特性図、第４図は時間と発光強度と
の関係を示す特性図である。 １・・・エツチング室、１ａ・・・−排気口、２・・・
被処理物、３・・・陰極、４・・・テフロン絶縁板、５
・・・配管、６・・・フィルタ、７・・・検出器、８・
・・アンプ回路、９・・・制御回路、１ｏ・・・ＲＦ電
源、・・・マツチング回路、１２・・・エンドモニター
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 区 第２図 処理秩佼 第３図 第４図
Claims (1)
- 発光スペクトル強度の変化を検出することによってＳｉ
系の被処理物のエッチング処理終点を検出する機能を具
備したプラズマエッチング装置において、発光スペクト
ルを検出するのに透過スペクトル波長のピーク値が５４
０〜６００ｎｍの範囲にあるフィルタを用いたことを特
徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25076386A JPS63107026A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25076386A JPS63107026A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107026A true JPS63107026A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17212676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25076386A Pending JPS63107026A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| EP0494745A2 (en) * | 1991-01-09 | 1992-07-15 | Nec Corporation | Method of etching and/or leveling the surface of a laminated semiconductor substrate |
| US5308414A (en) * | 1992-12-23 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching processes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747874A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Detection of end point of dry etching reaction |
| JPS61148120A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-05 | Kuraray Co Ltd | 鎮痛剤 |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP25076386A patent/JPS63107026A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747874A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Detection of end point of dry etching reaction |
| JPS61148120A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-05 | Kuraray Co Ltd | 鎮痛剤 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| EP0494745A2 (en) * | 1991-01-09 | 1992-07-15 | Nec Corporation | Method of etching and/or leveling the surface of a laminated semiconductor substrate |
| EP0494745B1 (en) * | 1991-01-09 | 1999-11-03 | Nec Corporation | Method of etching and/or leveling the surface of a laminated semiconductor substrate |
| US5308414A (en) * | 1992-12-23 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching processes |
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