JPS6159834A - エツチング終点検出方法 - Google Patents

エツチング終点検出方法

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Publication number
JPS6159834A
JPS6159834A JP59180608A JP18060884A JPS6159834A JP S6159834 A JPS6159834 A JP S6159834A JP 59180608 A JP59180608 A JP 59180608A JP 18060884 A JP18060884 A JP 18060884A JP S6159834 A JPS6159834 A JP S6159834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
end point
wafer
reaction product
gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP59180608A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuyoshi Takahashi
強 高橋
Takeo Okada
岡田　建夫
Tadaaki Nakano
中野　宰誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Plant Technologies Ltd
Original Assignee
Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Techno Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Techno Engineering Co Ltd
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Priority to KR1019850006310A priority patent/KR890000389B1/ko
Publication of JPS6159834A publication Critical patent/JPS6159834A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching

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  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、エツチング終点検出方法に係り、特にガスプ
ラズマを利用してエツチングされるポリイミド樹脂（以
下、ＰＩＱと略）のエツチングの終点を検知するのに好
適なエツチング終点検出方法に関するものである。
〔発明の背景〕
ガスプラズマを利用してＰＩＱをエツチングする技術と
しては５例えば、真空、　Ｖｏｌ、２５．　　ＩＦｙ、
９ＰＰ６０５〜６１２　　（１９８２）１ｍ記載さｎて
いるような技術が知られている。
しかしながら、ガスプラズマを利用してエツチングされ
るＰＩＱのエツチング終点を検出する方法について論じ
らｎていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ガスプラズマを利用してエツチングさ
れるＰＩＱのエツチングの′終点を再現性良く検出でき
るエツチング終点検出方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ＰＩＱのエツチング時の反応生成物の発光強
度の経時変化をモニターすることを特徴とするもので、
ガスプラズマを利用してエツチングされるＰＩＱのエツ
チングの終点を再現性良く検出しようとするものである
。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第１図〜第３図１こより説明する。
第】図で、処理室１０には、この場合、電極１】。
１２が上下方向に対抗して平行に内設されている。
処理室１０には採光窓（図示省略）に対応して、例えば
、モノクロメータ２０が設けられ、モノクロメータ２０
にはフォトマル２１が設けられている。フォトマル２１
はアンプηに接続され、アンプηはレコーダ２３に接続
されている。
第１図で、電極１２士に試料であるウェハＩが載置さｎ
処理室１０は所定圧力に減圧排気さｎる。その後、処理
室１０にはエツチングガスが所定流量で導入さｎると共
に処理室１０は所定のエツチング圧力に調節される。そ
の後１例えば、電［！戎に、例えば、高周波電力を印加
することで、電極１１．１２間１こはグロー放電が生じ
、これによ１〕エツチングガスはプラズマ化される。こ
のガスプラズマを利用してウェハ３０はエツチングされ
、この際１反応生成物が生じる。この反応生成物からの
発光は、モノクロメ−４２０により特定波長のものだけ
が選別される。この特定波長の発光は、フォトマル２１
で電気信号に変換されアンプｎで増幅されてレコーダ２
３に入力される。例えば、第２図に示すような構造のウ
ェハ３０をエツチングガスに例えば、０．。
０、＋−ＣＦ、等を用いてエツチングし・た場合１手３
図に示すような発光強度の経１１？ｒｆ化がモニタリン
グされる。尚、＠２図で、３１はＳｉ基根、３２はＰ工
Ｑ膜、３３はレジストである。
！３図は、−例とし・て波長５１９．８ｎｍノＣＯ（７
）発光強度の経時変化をモニタリングしたものであるが
、この他に波長３３７．ＯｎｍのＮ、の発光強度の経時
変化をモニタリングしても第３図と同様の傾向を有する
関５線図を得ることができる。更に、Ｎ、ＮＨ等の発光
強度の経時変化なモニタリングしても同様な関係線図を
得ることができる。第３図に示すように発光強度はエツ
チングの開始と共に大きく増加し、その掛、エツチング
の終了と共に急激に減少しその変化分は極めて大きい。
従っ゛　　　　　　τ で、このような反応生成物の発光強度の経時変化をモニ
タリングすること１こよりウェハＩの被エツチング面積
が小さい場合でもウェハ３０のＰＩＱＰｔＡ３２のエツ
チング終点を再現性良（検出することができる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、ガスプラズマを利用し
たＰ　Ｉ　Ｑ、のエツチング時の反応生成物の発光強度
の経時変化をモニターすることで、ガスプラズマを利用
してエツチングされるＰＩＱのエツチングの終点を再現
性良く検出できるエツチング終点検出方法を提供できる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、発光分光法エツチング終点検出装置を適用し
たプラズマエツチング装置の構成図、第２図は、ｉＪ１
図のウェハの断面図、第３図に実験で得たＰＩＱエツチ
ング時の反応生成物である波長５１９．８ｎｍＣＯの発
光強度経時変化関係線図である。 １０・・・・・・処理室、頒・・・・・・モノクロメー
タ、２１・・・・・・フォトマル、ｎ・・・・・・アン
プ、２３・・・・・・レコーダ、３２才２０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １．ガスプラズマを利用してエッチングされるポリイミ
    ド樹脂のエッチングの終点を検出する方法において、前
    記ポリイミド樹脂のエッチング時の反応生成物の発光強
    度の経時変化をモニターすることを特徴とするエッチン
    グ終点検出方法。
JP59180608A 1984-08-31 1984-08-31 エツチング終点検出方法 Pending JPS6159834A (ja)

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JPS6159834A true JPS6159834A (ja) 1986-03-27

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ID=16086219

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KR890000389B1 (ko) 1989-03-16
KR860002015A (ko) 1986-03-24

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