JPH11326218A - グロー放電発光分光分析装置 - Google Patents
グロー放電発光分光分析装置Info
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- JPH11326218A JPH11326218A JP10136565A JP13656598A JPH11326218A JP H11326218 A JPH11326218 A JP H11326218A JP 10136565 A JP10136565 A JP 10136565A JP 13656598 A JP13656598 A JP 13656598A JP H11326218 A JPH11326218 A JP H11326218A
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- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自己バイアス電圧を制御して直流電流を発生
させ、プラズマ中で活発な電子衝突を誘起させることに
より、高感度な分析ができるグロー放電発光分光分析装
置を提供する。 【解決手段】 陽極管3dと試料6 との間に高周波電圧を
印加してグロー放電を発生させ、試料6 をスパッタリン
グする給電手段12が、高周波電流が流れる給電回路中に
直流阻止手段19を有する。また、本発明の装置は、前記
陽極管3dと試料6との間に誘起される直流電圧成分を受
けて直流電流を発生させる負荷回路16を備える。
させ、プラズマ中で活発な電子衝突を誘起させることに
より、高感度な分析ができるグロー放電発光分光分析装
置を提供する。 【解決手段】 陽極管3dと試料6 との間に高周波電圧を
印加してグロー放電を発生させ、試料6 をスパッタリン
グする給電手段12が、高周波電流が流れる給電回路中に
直流阻止手段19を有する。また、本発明の装置は、前記
陽極管3dと試料6との間に誘起される直流電圧成分を受
けて直流電流を発生させる負荷回路16を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、試料をスパッタ
リングしながら、発生した光を分光器で分析するグロー
放電発光分光分析装置に関するものである。
リングしながら、発生した光を分光器で分析するグロー
放電発光分光分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】気体圧力が５００〜１３００Ｐａ程度の
アルゴン（Ａｒ）雰囲気中で、二つの電極間に直流また
は高周波の高電圧を印加すると、グロー放電が起こり、
Ａｒイオンが生成される。生成したＡｒイオンは高電界
で加速され、陰極表面に衝突し、そこに存在する物質を
たたき出す。この現象をスパッタリングと呼ぶが、スパ
ッタリングされた粒子（原子、分子、イオン）はプラズ
マ中で励起され、基底状態に戻る際にその元素に固有の
波長の光を放出する。この発光を分光器で分光して元素
を同定する分析法が、グロー放電発光分光分析方法と呼
ばれている。
アルゴン（Ａｒ）雰囲気中で、二つの電極間に直流また
は高周波の高電圧を印加すると、グロー放電が起こり、
Ａｒイオンが生成される。生成したＡｒイオンは高電界
で加速され、陰極表面に衝突し、そこに存在する物質を
たたき出す。この現象をスパッタリングと呼ぶが、スパ
ッタリングされた粒子（原子、分子、イオン）はプラズ
マ中で励起され、基底状態に戻る際にその元素に固有の
波長の光を放出する。この発光を分光器で分光して元素
を同定する分析法が、グロー放電発光分光分析方法と呼
ばれている。
【０００３】ここで、試料が絶縁物である場合に、試料
を陰極、グロー放電管の陽極管を陽極として、直流高電
圧を印加すると、Ａｒイオンによって試料表面がプラス
にチャージされて陽極管と同電位になるとそれ以降は放
電が起こらないため、分析ができない。そこで、試料が
絶縁物である場合には、試料と陽極管との間に高周波の
高電圧を印加する。このとき、試料表面は、Ａｒイオン
と電子によって交互にプラスとマイナスにチャージされ
るが、高周波に対するＡｒイオンと電子の移動しやすさ
の相違から、移動しにくいＡｒイオンと移動しやすい電
子によって平均的にはある程度マイナスに印加されるこ
とになり、放電が続く。試料が導体である場合にも、高
周波電圧を印加する給電手段にコンデンサ等の直流阻止
手段を備えることにより、同様に分析できる。
を陰極、グロー放電管の陽極管を陽極として、直流高電
圧を印加すると、Ａｒイオンによって試料表面がプラス
にチャージされて陽極管と同電位になるとそれ以降は放
電が起こらないため、分析ができない。そこで、試料が
絶縁物である場合には、試料と陽極管との間に高周波の
高電圧を印加する。このとき、試料表面は、Ａｒイオン
と電子によって交互にプラスとマイナスにチャージされ
るが、高周波に対するＡｒイオンと電子の移動しやすさ
の相違から、移動しにくいＡｒイオンと移動しやすい電
子によって平均的にはある程度マイナスに印加されるこ
とになり、放電が続く。試料が導体である場合にも、高
周波電圧を印加する給電手段にコンデンサ等の直流阻止
手段を備えることにより、同様に分析できる。
【０００４】このように、高周波グロー放電発光分光分
析において、試料と陽極管との間に誘起される直流電圧
成分を自己バイアス電圧と呼ぶ。従来、この自己バイア
ス電圧は、放電の自己安定条件によって決まり、全く制
御しておらず、また、自己バイアス電圧に起因する直流
電流がプラズマ中に発生することもなかった。
析において、試料と陽極管との間に誘起される直流電圧
成分を自己バイアス電圧と呼ぶ。従来、この自己バイア
ス電圧は、放電の自己安定条件によって決まり、全く制
御しておらず、また、自己バイアス電圧に起因する直流
電流がプラズマ中に発生することもなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば、グロ
ー放電発光分光分析方法を具現化した従来の分析装置を
用いて、試料の深さ方向における成分の含有率の変化等
のいわゆるデプスプロファイルについて精密に分析しよ
うとして、高周波の給電手段による放電電流値を下げて
ゆっくりスパッタリングすると、スパッタリングされた
粒子の励起、発光の程度もその高周波の放電電流値に依
存するので、発光強度も下がり、装置としての感度も悪
くなってしまう。したがって、デプスプロファイルにつ
いて精密な分析が困難である。
ー放電発光分光分析方法を具現化した従来の分析装置を
用いて、試料の深さ方向における成分の含有率の変化等
のいわゆるデプスプロファイルについて精密に分析しよ
うとして、高周波の給電手段による放電電流値を下げて
ゆっくりスパッタリングすると、スパッタリングされた
粒子の励起、発光の程度もその高周波の放電電流値に依
存するので、発光強度も下がり、装置としての感度も悪
くなってしまう。したがって、デプスプロファイルにつ
いて精密な分析が困難である。
【０００６】そこで本発明は、自己バイアス電圧を制御
して直流電流を発生させ、プラズマ中で活発な電子衝突
を誘起させることにより、高感度な分析ができるグロー
放電発光分光分析装置を提供することを目的とするもの
である。
して直流電流を発生させ、プラズマ中で活発な電子衝突
を誘起させることにより、高感度な分析ができるグロー
放電発光分光分析装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係るグロー放電発光分光分析装置は、ま
ず、陽極管を有するグロー放電管と、前記陽極管と試料
との間に高周波電圧を印加してグロー放電を発生させ、
試料をスパッタリングする給電手段と、スパッタリング
された試料から発生する光の強度を測定する検出手段と
を備えている。また、前記給電手段が、高周波電流が流
れる給電回路中に直流阻止手段を有している。さらに、
この装置は、前記陽極管と試料との間に誘起される直流
電圧成分を受けて直流電流を発生させる負荷回路を備え
ている。
に、請求項１に係るグロー放電発光分光分析装置は、ま
ず、陽極管を有するグロー放電管と、前記陽極管と試料
との間に高周波電圧を印加してグロー放電を発生させ、
試料をスパッタリングする給電手段と、スパッタリング
された試料から発生する光の強度を測定する検出手段と
を備えている。また、前記給電手段が、高周波電流が流
れる給電回路中に直流阻止手段を有している。さらに、
この装置は、前記陽極管と試料との間に誘起される直流
電圧成分を受けて直流電流を発生させる負荷回路を備え
ている。
【０００８】請求項１の装置によれば、負荷回路が、自
己バイアス電圧を制御して直流電流を発生させ、その直
流電流によりプラズマ中に導入される低速電子がスパッ
タリングされた試料の原子の励起、発光に寄与するの
で、従来の装置よりも感度が向上する。
己バイアス電圧を制御して直流電流を発生させ、その直
流電流によりプラズマ中に導入される低速電子がスパッ
タリングされた試料の原子の励起、発光に寄与するの
で、従来の装置よりも感度が向上する。
【０００９】請求項２に係るグロー放電発光分光分析装
置は、請求項１の装置において、前記負荷回路の直流負
荷が定電流制御回路である。請求項２の装置によれば、
負荷回路の直流負荷が定電流制御回路であるので、いっ
そう高精度で自己バイアス電圧を制御でき、分析もより
正確にできる。
置は、請求項１の装置において、前記負荷回路の直流負
荷が定電流制御回路である。請求項２の装置によれば、
負荷回路の直流負荷が定電流制御回路であるので、いっ
そう高精度で自己バイアス電圧を制御でき、分析もより
正確にできる。
【００１０】請求項３に係るグロー放電発光分光分析装
置は、請求項１または２の装置において、前記直流阻止
手段がキャパシタンス素子であり、前記負荷回路が前記
給電回路に接続されて、給電手段からの交流電流の流入
を阻止する交流阻止手段を有している。請求項３の装置
によっても、請求項１または２の装置と同様の作用効果
が得られる。
置は、請求項１または２の装置において、前記直流阻止
手段がキャパシタンス素子であり、前記負荷回路が前記
給電回路に接続されて、給電手段からの交流電流の流入
を阻止する交流阻止手段を有している。請求項３の装置
によっても、請求項１または２の装置と同様の作用効果
が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態のグロ
ー放電発光分光分析装置を図面にしたがって説明する。
まず、この装置の構成について説明する。この装置は、
図１に示すように、グロー放電管として中空陽極型のグ
リムグロー放電管１を用いている。このグリムグロー放
電管１は、支持ブロック（試料６が当接される支持部で
あって、本実施形態では同時に絶縁部である）２と陽極
ブロック３とが、Ｏリングなどのシール部材１１を介し
て接合されている。陽極ブロック３には、中空陽極管３
ｄが一体形成されており、この陽極管３ｄは、支持ブロ
ック２に挿通され、試料６の分析面（表面）６ａに近接
している。この試料６は、その分析面６ａにおける分析
すべき部位を囲む環状形状となったＯリングなどのシー
ル部材１１を介して、主に陰極ブロック４により支持ブ
ロック２に気密状態で押し付けられる。
ー放電発光分光分析装置を図面にしたがって説明する。
まず、この装置の構成について説明する。この装置は、
図１に示すように、グロー放電管として中空陽極型のグ
リムグロー放電管１を用いている。このグリムグロー放
電管１は、支持ブロック（試料６が当接される支持部で
あって、本実施形態では同時に絶縁部である）２と陽極
ブロック３とが、Ｏリングなどのシール部材１１を介し
て接合されている。陽極ブロック３には、中空陽極管３
ｄが一体形成されており、この陽極管３ｄは、支持ブロ
ック２に挿通され、試料６の分析面（表面）６ａに近接
している。この試料６は、その分析面６ａにおける分析
すべき部位を囲む環状形状となったＯリングなどのシー
ル部材１１を介して、主に陰極ブロック４により支持ブ
ロック２に気密状態で押し付けられる。
【００１２】こうして、試料６により陽極管３ｄを収納
する支持ブロック２の内方空間（グロー放電空間）Ｖの
開口部を密閉し、この内方空間Ｖを、図示しない真空排
気装置（減圧手段）により、第１および第２真空排気孔
３ｂ，３ｃから真空引きするようになっている。さら
に、陽極ブロック３は、アルゴンガス供給孔３ａを有し
ており、管内Ｖがアルゴンの希ガス雰囲気（５００〜１
３００Ｐａ）とされている。なお、冷却液を、陰極ブロ
ック４の図示しない冷却液導入路からジャケット内に導
入して冷却液排出路まで送給することにより、陰極ブロ
ック４を介し試料６と陽極管３ｄを冷却している。
する支持ブロック２の内方空間（グロー放電空間）Ｖの
開口部を密閉し、この内方空間Ｖを、図示しない真空排
気装置（減圧手段）により、第１および第２真空排気孔
３ｂ，３ｃから真空引きするようになっている。さら
に、陽極ブロック３は、アルゴンガス供給孔３ａを有し
ており、管内Ｖがアルゴンの希ガス雰囲気（５００〜１
３００Ｐａ）とされている。なお、冷却液を、陰極ブロ
ック４の図示しない冷却液導入路からジャケット内に導
入して冷却液排出路まで送給することにより、陰極ブロ
ック４を介し試料６と陽極管３ｄを冷却している。
【００１３】この装置は、陽極ブロック３と陰極ブロッ
ク４をそれぞれ介し、陽極管３ｄと試料６との間に高周
波電圧を印加してグロー放電を発生させ、試料６をスパ
ッタリングする給電手段１２を備えている。給電手段１
２は、１３．５６MHz の高周波電源１８と、高周波電流
が流れる給電回路中に直流電流の流入を阻止する直流阻
止手段であるキャパシタンス素子（コンデンサ）１９と
を有している。高周波電源１８の周波数は、約３〜３０
MHz であればよいが、使用が許可されている工業用周波
数においては、１３．５６MHz の他、６．７８MHz 、２
７．１２MHz が該当する。
ク４をそれぞれ介し、陽極管３ｄと試料６との間に高周
波電圧を印加してグロー放電を発生させ、試料６をスパ
ッタリングする給電手段１２を備えている。給電手段１
２は、１３．５６MHz の高周波電源１８と、高周波電流
が流れる給電回路中に直流電流の流入を阻止する直流阻
止手段であるキャパシタンス素子（コンデンサ）１９と
を有している。高周波電源１８の周波数は、約３〜３０
MHz であればよいが、使用が許可されている工業用周波
数においては、１３．５６MHz の他、６．７８MHz 、２
７．１２MHz が該当する。
【００１４】また、この装置は、スパッタリングされた
試料６から発生する光Ｓの強度を測定する検出手段１４
を備えている。検出手段１４は、試料６から発生する光
Ｓを分光する分光器２０と、その分光された光の強度を
測定する光電子増倍管２１とからなる。さらに、この装
置は、陽極管３ｄと試料６との間に誘起される直流電圧
成分を受けて直流電流を発生させる負荷回路１６を備え
ている。
試料６から発生する光Ｓの強度を測定する検出手段１４
を備えている。検出手段１４は、試料６から発生する光
Ｓを分光する分光器２０と、その分光された光の強度を
測定する光電子増倍管２１とからなる。さらに、この装
置は、陽極管３ｄと試料６との間に誘起される直流電圧
成分を受けて直流電流を発生させる負荷回路１６を備え
ている。
【００１５】負荷回路１６は、直流負荷となる抵抗体２
７と、コイルからなるインダクタンス素子２５と、コン
デンサからなるキャパシタンス素子２６とを有してお
り、給電手段１２のキャパシタンス素子１９と陰極ブロ
ック４間の接続点２８との間に接続されている。抵抗体
２７は、一端がアースされて、他端と前記接続点２８と
の間にコイルからなるインダクタンス素子２５が接続さ
れ、インダクタンス素子２５と抵抗体２７間の接続点
と、アースとの間にキャパシタンス素子２６が接続され
ている。ここで、インダクタンス素子２５とキャパシタ
ンス素子２６とのＬＣ直列回路１７は、給電手段１２に
よる高周波電流の流入を阻止する交流阻止手段となって
いる。
７と、コイルからなるインダクタンス素子２５と、コン
デンサからなるキャパシタンス素子２６とを有してお
り、給電手段１２のキャパシタンス素子１９と陰極ブロ
ック４間の接続点２８との間に接続されている。抵抗体
２７は、一端がアースされて、他端と前記接続点２８と
の間にコイルからなるインダクタンス素子２５が接続さ
れ、インダクタンス素子２５と抵抗体２７間の接続点
と、アースとの間にキャパシタンス素子２６が接続され
ている。ここで、インダクタンス素子２５とキャパシタ
ンス素子２６とのＬＣ直列回路１７は、給電手段１２に
よる高周波電流の流入を阻止する交流阻止手段となって
いる。
【００１６】次に、この装置の動作について説明する。
まず、試料６の分析面６ａを支持ブロック２に当接さ
せ、下方から試料の背面６ｅに図示しないロボットハン
ド等により陰極ブロック４を押しつけ導通接触させると
ともに、試料６を保持する。また、図示しない減圧手段
により支持ブロック２の内方空間Ｖが真空引きされ、ア
ルゴンの希ガス雰囲気（５００〜１３００Ｐａ）にされ
ると、試料の分析面６ａは、背面６ｅにかかる大気圧に
よっても、シール部材１１を介して支持ブロック２に押
し付けられ、密着する。
まず、試料６の分析面６ａを支持ブロック２に当接さ
せ、下方から試料の背面６ｅに図示しないロボットハン
ド等により陰極ブロック４を押しつけ導通接触させると
ともに、試料６を保持する。また、図示しない減圧手段
により支持ブロック２の内方空間Ｖが真空引きされ、ア
ルゴンの希ガス雰囲気（５００〜１３００Ｐａ）にされ
ると、試料の分析面６ａは、背面６ｅにかかる大気圧に
よっても、シール部材１１を介して支持ブロック２に押
し付けられ、密着する。
【００１７】そして、陽極管３ｄと試料６との間に、給
電手段１２により高周波電圧を印加する。すると、グロ
ー放電が生じ、アルゴンの陽イオンが生成され、このＡ
ｒイオンにより試料６がスパッタリングされ、そのスパ
ッタリングされた試料６の粒子が、グロー放電により励
起され、光Ｓを発生する。このとき、前述した自己バイ
アス電圧が、試料６を正極として陽極管３ｄとの間に誘
起されるが、給電回路中には、キャパシタンス素子１９
があるので、自己バイアス電圧によって直流電流が流れ
ることはない。
電手段１２により高周波電圧を印加する。すると、グロ
ー放電が生じ、アルゴンの陽イオンが生成され、このＡ
ｒイオンにより試料６がスパッタリングされ、そのスパ
ッタリングされた試料６の粒子が、グロー放電により励
起され、光Ｓを発生する。このとき、前述した自己バイ
アス電圧が、試料６を正極として陽極管３ｄとの間に誘
起されるが、給電回路中には、キャパシタンス素子１９
があるので、自己バイアス電圧によって直流電流が流れ
ることはない。
【００１８】しかし、本実施形態では、自己バイアス電
圧により、適切な抵抗値を有する負荷回路１６に、抵抗
体２７のアース側からインダクタンス素子２５側へ向け
て、適切な電流値の直流電流（自己バイアス電流）が流
れる。これは、陽極管３ｄから試料６へ向けて、その自
己バイアス電流の電流値に応じた電子がグロー放電プラ
ズマ中を移動することを意味し、この電子が、特に、励
起エネルギーの低い原子線の励起、発光に寄与する。
圧により、適切な抵抗値を有する負荷回路１６に、抵抗
体２７のアース側からインダクタンス素子２５側へ向け
て、適切な電流値の直流電流（自己バイアス電流）が流
れる。これは、陽極管３ｄから試料６へ向けて、その自
己バイアス電流の電流値に応じた電子がグロー放電プラ
ズマ中を移動することを意味し、この電子が、特に、励
起エネルギーの低い原子線の励起、発光に寄与する。
【００１９】このようにして試料６から発生した光Ｓ
は、窓板１３を透過し、検出手段１４の分光器２０に入
射して分光され、その強度が光電子増倍管２１により測
定される。ここで、試料６から発生する光Ｓとは、一般
にスパッタリングされた試料の粒子（原子、分子、イオ
ン）が励起され、基底状態に戻る際に放出するその元素
に固有の波長の光をいう。
は、窓板１３を透過し、検出手段１４の分光器２０に入
射して分光され、その強度が光電子増倍管２１により測
定される。ここで、試料６から発生する光Ｓとは、一般
にスパッタリングされた試料の粒子（原子、分子、イオ
ン）が励起され、基底状態に戻る際に放出するその元素
に固有の波長の光をいう。
【００２０】例えば、図２に、自己バイアス電流値と、
波長３５２．４５nmと３４６．１７nmのＮi の原子線
（図中Ｎi ＩはＮi の原子線であることを意味する）の
発光強度との関係を示す。これによれば、両原子線の発
光強度は、自己バイアス電流値が０のとき、すなわち従
来技術に比べ、電流値が大きくなるにつれて大きくな
り、２０mAでは、６〜８倍にもなっている。一方、分析
において妨害線となることが多く励起エネルギーの高い
イオン線については、図３に示すように、例えば、４種
のＮi のイオン線（図中ＮiII はＮi のイオン線である
ことを意味する）の発光強度は、自己バイアス電流値が
２５mAまで大きくなっても、減少するか、増加してもた
かだか１．６倍程度である。さらに、図４に示すよう
に、スペクトル線が存在しない波長４３０．９nmにおけ
る発光強度、すなわちバックグラウンドについても、自
己バイアス電流値が２５mAまで大きくなっても、たかだ
か２倍程度に増加するだけである。
波長３５２．４５nmと３４６．１７nmのＮi の原子線
（図中Ｎi ＩはＮi の原子線であることを意味する）の
発光強度との関係を示す。これによれば、両原子線の発
光強度は、自己バイアス電流値が０のとき、すなわち従
来技術に比べ、電流値が大きくなるにつれて大きくな
り、２０mAでは、６〜８倍にもなっている。一方、分析
において妨害線となることが多く励起エネルギーの高い
イオン線については、図３に示すように、例えば、４種
のＮi のイオン線（図中ＮiII はＮi のイオン線である
ことを意味する）の発光強度は、自己バイアス電流値が
２５mAまで大きくなっても、減少するか、増加してもた
かだか１．６倍程度である。さらに、図４に示すよう
に、スペクトル線が存在しない波長４３０．９nmにおけ
る発光強度、すなわちバックグラウンドについても、自
己バイアス電流値が２５mAまで大きくなっても、たかだ
か２倍程度に増加するだけである。
【００２１】このように、本実施形態の装置によれば、
図１の負荷回路１６が、自己バイアス電圧を制御して直
流の自己バイアス電流を発生させ、その自己バイアス電
流がスパッタリングされた試料６の原子の励起、発光に
寄与するので、特に、励起エネルギーの低い原子線にお
いて、従来の装置よりも発光強度が数倍に増大し、感度
が向上する。また、この自己バイアス電流による発光強
度の増大は、試料６のスパッタリング量とは特に相関関
係がみられないので、給電手段１２による高周波の放電
電流値を下げてゆっくりスパッタリングしつつ、スパッ
タリングされた試料６の原子を十分に励起、発光させる
ことができ、デプスプロファイルについて精密に分析す
ることも可能となる。また、本実施形態の装置は、従来
の高周波電源を給電手段とする装置をもとに、容易に構
成できる。
図１の負荷回路１６が、自己バイアス電圧を制御して直
流の自己バイアス電流を発生させ、その自己バイアス電
流がスパッタリングされた試料６の原子の励起、発光に
寄与するので、特に、励起エネルギーの低い原子線にお
いて、従来の装置よりも発光強度が数倍に増大し、感度
が向上する。また、この自己バイアス電流による発光強
度の増大は、試料６のスパッタリング量とは特に相関関
係がみられないので、給電手段１２による高周波の放電
電流値を下げてゆっくりスパッタリングしつつ、スパッ
タリングされた試料６の原子を十分に励起、発光させる
ことができ、デプスプロファイルについて精密に分析す
ることも可能となる。また、本実施形態の装置は、従来
の高周波電源を給電手段とする装置をもとに、容易に構
成できる。
【００２２】なお、負荷回路１６の直流負荷を、抵抗体
２７に代えて、定電流制御回路で構成してもよい。この
場合には、いっそう高精度で自己バイアス電圧を制御で
き、分析もより正確にできる。
２７に代えて、定電流制御回路で構成してもよい。この
場合には、いっそう高精度で自己バイアス電圧を制御で
き、分析もより正確にできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のグロー放
電発光分光分析装置によれば、負荷回路が、自己バイア
ス電圧を制御して直流電流を発生させ、その直流電流に
よりプラズマ中に導入される低速電子がスパッタリング
された試料の原子の励起、発光に寄与するので、従来の
装置よりも感度が向上する。特に、デプスプロファイル
についての精密な分析に有効である。
電発光分光分析装置によれば、負荷回路が、自己バイア
ス電圧を制御して直流電流を発生させ、その直流電流に
よりプラズマ中に導入される低速電子がスパッタリング
された試料の原子の励起、発光に寄与するので、従来の
装置よりも感度が向上する。特に、デプスプロファイル
についての精密な分析に有効である。
【図１】本発明の一実施形態のグロー放電発光分光分析
装置を示す概略図である。
装置を示す概略図である。
【図２】自己バイアス電流値とＮi の原子線の発光強度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図３】自己バイアス電流値とＮi のイオン線の発光強
度との関係を示す図である。
度との関係を示す図である。
【図４】自己バイアス電流値とバックグラウンドとの関
係を示す図である。
係を示す図である。
１…グロー放電管、３ｄ…陽極管、６…試料、１２…給
電手段、１４…検出手段、１６…負荷回路、１９…直流
阻止手段（キャパシタンス素子）、２５…インダクタン
ス素子、２７…直流負荷（抵抗体）、Ｓ…試料から発生
する光。
電手段、１４…検出手段、１６…負荷回路、１９…直流
阻止手段（キャパシタンス素子）、２５…インダクタン
ス素子、２７…直流負荷（抵抗体）、Ｓ…試料から発生
する光。
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極管を有するグロー放電管と、 前記陽極管と試料との間に高周波電圧を印加してグロー
放電を発生させ、試料をスパッタリングする給電手段
と、 スパッタリングされた試料から発生する光の強度を測定
する検出手段とを備えたグロー放電発光分光分析装置に
おいて、 前記給電手段が、高周波電流が流れる給電回路中に直流
阻止手段を有し、 前記陽極管と試料との間に誘起される直流電圧成分を受
けて直流電流を発生させる負荷回路を備えたことを特徴
とするグロー放電発光分光分析装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記負荷回路の直流負荷が定電流制御回路であるグロー
放電発光分光分析装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 前記直流阻止手段がキャパシタンス素子であり、 前記負荷回路が前記給電回路に接続されて、給電回路か
らの交流電流の流入を阻止する交流阻止手段を有してい
るグロー放電発光分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13656598A JP3842437B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | グロー放電発光分光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13656598A JP3842437B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | グロー放電発光分光分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326218A true JPH11326218A (ja) | 1999-11-26 |
| JP3842437B2 JP3842437B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=15178230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13656598A Expired - Fee Related JP3842437B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | グロー放電発光分光分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3842437B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10019257C2 (de) * | 2000-04-15 | 2003-11-06 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Glimmentladungsquelle für die Elementanalytik |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP13656598A patent/JP3842437B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10019257C2 (de) * | 2000-04-15 | 2003-11-06 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Glimmentladungsquelle für die Elementanalytik |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3842437B2 (ja) | 2006-11-08 |
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