JPS6393115A - 終点判定方法 - Google Patents
終点判定方法Info
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- JPS6393115A JPS6393115A JP23793186A JP23793186A JPS6393115A JP S6393115 A JPS6393115 A JP S6393115A JP 23793186 A JP23793186 A JP 23793186A JP 23793186 A JP23793186 A JP 23793186A JP S6393115 A JPS6393115 A JP S6393115A
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- JP
- Japan
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- end point
- intensity
- data
- accumulated
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は終点判定方法に係り、特に半導体製造装置にお
けるエツチングの終了を判定するのに好適な終点判定方
法に関するものである。
けるエツチングの終了を判定するのに好適な終点判定方
法に関するものである。
従来の終点判定方法としては、例えば特開昭６０−６２
１２７号公報に記載のように１反応開始後にプラズマ光
量が一定量若しくは単調な変化量となった時点で、（プ
ラズマ光量／反応時間）函数の２次微分値を算出しての
検出操作を開始し、プラズマ光量の反応の終了と共に減
少若しくは増加し始める傾向を検出した後に、引続いて
エツチング終点を検出するものがある。
１２７号公報に記載のように１反応開始後にプラズマ光
量が一定量若しくは単調な変化量となった時点で、（プ
ラズマ光量／反応時間）函数の２次微分値を算出しての
検出操作を開始し、プラズマ光量の反応の終了と共に減
少若しくは増加し始める傾向を検出した後に、引続いて
エツチング終点を検出するものがある。
上記従来技術はエッチ〉グのばらつきの点について配慮
がされておらず、エツチング中のプラズマ光による強度
波形そのものによりエツチング終点を検出しているため
、２次微分を行なうことによる計算の時間遅れまたは光
学的、電気的なノイズおよび発光強度のばらつき等によ
り、時間的な微調整を行なったりまたは発光強度波形が
一定せず安定した終点判定が行なえないという問題があ
った０ 本発明の目的は、検出のばらつきを無くし安定した終点
判定を行なう二とのできる終点判定方法を提供すること
にある。
がされておらず、エツチング中のプラズマ光による強度
波形そのものによりエツチング終点を検出しているため
、２次微分を行なうことによる計算の時間遅れまたは光
学的、電気的なノイズおよび発光強度のばらつき等によ
り、時間的な微調整を行なったりまたは発光強度波形が
一定せず安定した終点判定が行なえないという問題があ
った０ 本発明の目的は、検出のばらつきを無くし安定した終点
判定を行なう二とのできる終点判定方法を提供すること
にある。
上記目的は、プラズマ中の特定波長の発光を採光する工
程と、該採光した特定波長の発光の強度を測定する工程
と、該測定した発光強度を記憶する工程と、該記憶した
発光強度のデータの新しいものから複数回分までを演算
し前記発光強度パターンの近似式を求める工程と、該求
めた近似式の発光強度のパターンを用いて終点を判定す
る工程とを行なうことにより、達成される。
程と、該採光した特定波長の発光の強度を測定する工程
と、該測定した発光強度を記憶する工程と、該記憶した
発光強度のデータの新しいものから複数回分までを演算
し前記発光強度パターンの近似式を求める工程と、該求
めた近似式の発光強度のパターンを用いて終点を判定す
る工程とを行なうことにより、達成される。
プラズマ処理したものの発光強度を新しいものから複数
回分までを記憶させておき、記憶したデータにより発光
強度パターンの近似式を求め、近似式による発光強度バ
ター〉によって終点判定を行なうので、安定した終点判
定を行なえる。
回分までを記憶させておき、記憶したデータにより発光
強度パターンの近似式を求め、近似式による発光強度バ
ター〉によって終点判定を行なうので、安定した終点判
定を行なえる。
以下、本発明の一実施例を第１図から第３図により説明
する。
する。
第１図は、プラズマによるエツチングの終点検出を行な
う装置の構成を示したもので、処理室１０には、対向電
極１１と試料電極じとが対向して略平行に内設されてい
る。対向電極１１はアースされ、試料電極１２は、例え
ば、高周波電源１３に接続され、高周波電源１３はアー
スされている。
う装置の構成を示したもので、処理室１０には、対向電
極１１と試料電極じとが対向して略平行に内設されてい
る。対向電極１１はアースされ、試料電極１２は、例え
ば、高周波電源１３に接続され、高周波電源１３はアー
スされている。
処理室１０の側壁には、対向電極１１と試料電極１２と
の間の空間に対応して採光窓が設けられ、採光窓に対応
して分光器美が設けられている。分光器美の夏採光側に
は光電変換器２１が設けられ、光電変換器Δには増幅器
ｎが接続され、さらにＡ／Ｄ変換器おを介して制御装置
冴が接続されている。
の間の空間に対応して採光窓が設けられ、採光窓に対応
して分光器美が設けられている。分光器美の夏採光側に
は光電変換器２１が設けられ、光電変換器Δには増幅器
ｎが接続され、さらにＡ／Ｄ変換器おを介して制御装置
冴が接続されている。
制御装置のには出力ｔＪ１都、例えばＣＲＴおよび、人
力袋ｆｔ２６、例えばキーボードが接続されている。
力袋ｆｔ２６、例えばキーボードが接続されている。
上記構成により、第２図のフローチャートに示すように
、まず、処理室１０内で生じるプラズマ光を採光し、分
光器（イ）で特定波長を選択して光電変換器２１に入射
させる（これをステップ３０に示す。）。
、まず、処理室１０内で生じるプラズマ光を採光し、分
光器（イ）で特定波長を選択して光電変換器２１に入射
させる（これをステップ３０に示す。）。
次に、光ｉ４笈換器力で光強度を電気量に変換し、増幅
器ｎで増幅してＡ／Ｄ変換器るによってアナログ量から
ディジタル是に変換して、制御装置ス内に取り込みプラ
ズマの発光強度を記憶、蓄積させる（これをステップ３
１に示す。）。
器ｎで増幅してＡ／Ｄ変換器るによってアナログ量から
ディジタル是に変換して、制御装置ス内に取り込みプラ
ズマの発光強度を記憶、蓄積させる（これをステップ３
１に示す。）。
この蓄積したデータ数が所要数、例えば１０回分に達し
ていない場合（これをステップ３２に示す。）は、制御
装置Ｕから出力装置１ｌｊ２５に出力される発光強度を
見ながら、オペレータによるエツチング終点判定を行な
い、エツチング終点位置を人力手段５から人力しくこれ
をステップ３３に示す。）、エツチングを終って次のエ
ツチングに入る。（これをステップ３８に示す。） 二の操作を所要回数性ない、蓄積データ数が１０回分溜
ったら、次に、蓄積データ数がさらに所要数、例えば３
０回分に達したかどうか判断しくこれをステップ３４に
示す。）、もし達していなければ、これまでに蓄積され
たデータを基に、発光性ｉ”！： ＋ＩＩｌ線の近似式
を、最少２乗法を用いて近似しくこれをステップ３６に
示す。）、この近似式を用いて、あらかじめオペレータ
操作によるエツチング終点判定時に設定した終点とする
値Ｚと比較してエツチング終点判定を行なう（これをス
テップ３７に示す。）。
ていない場合（これをステップ３２に示す。）は、制御
装置Ｕから出力装置１ｌｊ２５に出力される発光強度を
見ながら、オペレータによるエツチング終点判定を行な
い、エツチング終点位置を人力手段５から人力しくこれ
をステップ３３に示す。）、エツチングを終って次のエ
ツチングに入る。（これをステップ３８に示す。） 二の操作を所要回数性ない、蓄積データ数が１０回分溜
ったら、次に、蓄積データ数がさらに所要数、例えば３
０回分に達したかどうか判断しくこれをステップ３４に
示す。）、もし達していなければ、これまでに蓄積され
たデータを基に、発光性ｉ”！： ＋ＩＩｌ線の近似式
を、最少２乗法を用いて近似しくこれをステップ３６に
示す。）、この近似式を用いて、あらかじめオペレータ
操作によるエツチング終点判定時に設定した終点とする
値Ｚと比較してエツチング終点判定を行なう（これをス
テップ３７に示す。）。
ここで、エツチング終了判定は、最少２乗法により求め
る発光強度曲線の近似式を、例えば、３次式で収り立つ
ものとして、Ｙ＝Ａ−ｔ３−）−Ｂ・ｚ２−４−Ｃ・・
・・・・・・・（１）を仮定し、係数Ａ、Ｂ、Ｃを決定
して近似式を求め、この求められた近似式の値Ｙが、Ｙ
≦Ｚとなる時間を求めてエツチング終了時点を判定する
。
る発光強度曲線の近似式を、例えば、３次式で収り立つ
ものとして、Ｙ＝Ａ−ｔ３−）−Ｂ・ｚ２−４−Ｃ・・
・・・・・・・（１）を仮定し、係数Ａ、Ｂ、Ｃを決定
して近似式を求め、この求められた近似式の値Ｙが、Ｙ
≦Ｚとなる時間を求めてエツチング終了時点を判定する
。
また、前記ステップ３４でデータ数が３０回分溜ってい
たら、次からのデータは、新しいデータが蓄積され、一
番古いデータが消去されて入れ換えられ（これをステッ
プ３５に示す。）で、次々と新しい近似式になって、前
記ステップ３６，３７を実行する。ステップ３８では、
次のエツチング処理を続行するかどうかの判断であり、
処理を行なわなければ終了する。
たら、次からのデータは、新しいデータが蓄積され、一
番古いデータが消去されて入れ換えられ（これをステッ
プ３５に示す。）で、次々と新しい近似式になって、前
記ステップ３６，３７を実行する。ステップ３８では、
次のエツチング処理を続行するかどうかの判断であり、
処理を行なわなければ終了する。
以上、本発明によれば、例えば、３０回分のデータを蓄
積して、発光強度の近似式を求め、これを用いて終点判
定を行なっているので、検出のばらつき力≦な曵なり、
安定した終点判定を行なうことができる。
積して、発光強度の近似式を求め、これを用いて終点判
定を行なっているので、検出のばらつき力≦な曵なり、
安定した終点判定を行なうことができる。
なお、本実施例では、データの蓄積を行ない近似式を求
めてからエツチング終点判定を行なっているが、前回ま
での蓄積データから求めた近似式を用いてエツチング終
点判定を行なった後、新しいデータを蓄積して新しい近
似式を求め、次のエツチング処理の終点判定に用いるよ
うにすれば、エツチング処理中の計算もな（、すく゛に
終点判定が行なえ、時間の遅れ等の心配がなくなる。
めてからエツチング終点判定を行なっているが、前回ま
での蓄積データから求めた近似式を用いてエツチング終
点判定を行なった後、新しいデータを蓄積して新しい近
似式を求め、次のエツチング処理の終点判定に用いるよ
うにすれば、エツチング処理中の計算もな（、すく゛に
終点判定が行なえ、時間の遅れ等の心配がなくなる。
本発明によれば、検出のばらつきがな（なり、安定した
終点判定を行なうことができるという効果がある。
終点判定を行なうことができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例である終点判定方法を行なう
ための装置の構成図、第２図は本発明の一例を示すフロ
ーチャート図である。
ための装置の構成図、第２図は本発明の一例を示すフロ
ーチャート図である。
Claims (1)
- １、プラズマ中の特定波長の発生を採光する工程と、該
採光した特定波長の発光の強度を測定する工程と、該測
定した発光強度を記憶する工程と、該記憶した発光強度
のデータの新しいものから複数回分までを演算し前記発
光強度のパターンの近似式を求める工程と、該求めた近
似式の発光強度のパターンを用いて終点を判定する工程
とを有することを特徴とする終点判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23793186A JPS6393115A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 終点判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23793186A JPS6393115A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 終点判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393115A true JPS6393115A (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=17022575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23793186A Pending JPS6393115A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 終点判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393115A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244847A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Anelva Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
| WO2002077589A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| KR100426988B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법 |
| US8083960B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-12-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Etching endpoint determination method |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP23793186A patent/JPS6393115A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244847A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Anelva Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
| JPH0533818B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1993-05-20 | Anelva Corp | |
| WO2002077589A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| WO2002077589A3 (en) * | 2001-03-23 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| US7297287B2 (en) | 2001-03-23 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
| CN100381799C (zh) * | 2001-03-23 | 2008-04-16 | 东京电子株式会社 | 利用偏最小二乘法探测终点的方法和设备 |
| KR100426988B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법 |
| US8083960B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-12-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Etching endpoint determination method |
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