JPH1074674A - エッチング均一性測定法及び装置 - Google Patents
エッチング均一性測定法及び装置Info
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- JPH1074674A JPH1074674A JP9181341A JP18134197A JPH1074674A JP H1074674 A JPH1074674 A JP H1074674A JP 9181341 A JP9181341 A JP 9181341A JP 18134197 A JP18134197 A JP 18134197A JP H1074674 A JPH1074674 A JP H1074674A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接且つインシチュウにエッチング均一性を
測定する。 【解決手段】 エッチレイトモニタシステムにより得ら
れた発光分光（ＯＥＳ）データを解析する。本発明で
は、ＯＥＳデータが取得されれば、このＯＥＳデータの
１次導関数を計算する。エッチング終点に到達したとき
や変曲点に至ったとき等、ＯＥＳデータが所定のトリガ
の基準に適合したときには、本発明では、この１次導関
数の値を特定の均一性の値に相関させる。この相関の操
作は、検索表や相関（補間）方程式によって行うことが
できる。
測定する。 【解決手段】 エッチレイトモニタシステムにより得ら
れた発光分光（ＯＥＳ）データを解析する。本発明で
は、ＯＥＳデータが取得されれば、このＯＥＳデータの
１次導関数を計算する。エッチング終点に到達したとき
や変曲点に至ったとき等、ＯＥＳデータが所定のトリガ
の基準に適合したときには、本発明では、この１次導関
数の値を特定の均一性の値に相関させる。この相関の操
作は、検索表や相関（補間）方程式によって行うことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの
「ドライ」エッチングを行う半導体ウエハ処理システム
に関する。更に具体的には、本発明は、半導体ウエハが
半導体処理システムによりエッチングされる際の半導体
ウエハのエッチング均一性をインシチュウ(in situ)で
測定するための方法及び装置に関する。
「ドライ」エッチングを行う半導体ウエハ処理システム
に関する。更に具体的には、本発明は、半導体ウエハが
半導体処理システムによりエッチングされる際の半導体
ウエハのエッチング均一性をインシチュウ(in situ)で
測定するための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの「ドライ」エッチングを
行うための半導体処理システムでは通常、エッチングプ
ロセスの均一性を決めるためには、後処理解析に頼って
いる。この後処理解析の技術を用いるためには、複数の
ウエハをエッチングした後、このエッチングにより除去
された材料の量を深さ測定装置を用いて測定するが、こ
の深さ測定装置は、透過性の膜に対してはインターフェ
ロメータ(interferometer)等があり、非透過性の膜に対
してはプロファイロメータ(profilometer)等がある。こ
のような測定装置いより、ウエハ表面上の様々な地点で
エッチングの結果を測定する。このとき、相対深さが各
地点におけるエッチング均一性の指示値である。このよ
うなウエハ後処理は高価であり、エッチングプロセスに
より得られる均一性が満足なものになる前に多数のウエ
ハを消費してしまう。
行うための半導体処理システムでは通常、エッチングプ
ロセスの均一性を決めるためには、後処理解析に頼って
いる。この後処理解析の技術を用いるためには、複数の
ウエハをエッチングした後、このエッチングにより除去
された材料の量を深さ測定装置を用いて測定するが、こ
の深さ測定装置は、透過性の膜に対してはインターフェ
ロメータ(interferometer)等があり、非透過性の膜に対
してはプロファイロメータ(profilometer)等がある。こ
のような測定装置いより、ウエハ表面上の様々な地点で
エッチングの結果を測定する。このとき、相対深さが各
地点におけるエッチング均一性の指示値である。このよ
うなウエハ後処理は高価であり、エッチングプロセスに
より得られる均一性が満足なものになる前に多数のウエ
ハを消費してしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術には、発光分
光を利用して、エッチングプロセスが進行するときのプ
ラズマからの発光をモニタする、インシチュウエッチン
グ均一性測定システムを開発することにより、よい結果
を得たこともあった。このようなシステムは、１９９４
年１１月８日発行の、米国特許第５，３６２，３５６号
に記載されている。この米国特許では、干渉現象に基づ
き、プラズマエッチング（又は堆積）中の膜の除去（又
は堆積）をモニタする受動的な方法を開示する。このシ
ステムでは、発光装置を付加することなく、選択された
波長におけるプラズマ発光の強度をモニタし、また、プ
ラズマ発光強度の変動を、残っている膜厚、エッチレイ
ト（エッチング速度）、エッチング均一性及びエッチン
グ選択比と相関させる。しかし、エッチングしようとす
るウエハに対する均一性を求めるためには、上記の米国
特許では、エッチングプロセス中の任意の地点における
均一性を予測するためには、エッチレイトとウエハ膜の
厚さに関してある仮定をおかなければならない。このよ
うな仮定をおくことは、誤差を生じさせる傾向がある。
光を利用して、エッチングプロセスが進行するときのプ
ラズマからの発光をモニタする、インシチュウエッチン
グ均一性測定システムを開発することにより、よい結果
を得たこともあった。このようなシステムは、１９９４
年１１月８日発行の、米国特許第５，３６２，３５６号
に記載されている。この米国特許では、干渉現象に基づ
き、プラズマエッチング（又は堆積）中の膜の除去（又
は堆積）をモニタする受動的な方法を開示する。このシ
ステムでは、発光装置を付加することなく、選択された
波長におけるプラズマ発光の強度をモニタし、また、プ
ラズマ発光強度の変動を、残っている膜厚、エッチレイ
ト（エッチング速度）、エッチング均一性及びエッチン
グ選択比と相関させる。しかし、エッチングしようとす
るウエハに対する均一性を求めるためには、上記の米国
特許では、エッチングプロセス中の任意の地点における
均一性を予測するためには、エッチレイトとウエハ膜の
厚さに関してある仮定をおかなければならない。このよ
うな仮定をおくことは、誤差を生じさせる傾向がある。
【０００４】従って、従来から、エッチング均一性をイ
ンシチュウで測定するための方法及び装置に対する要請
がある。
ンシチュウで測定するための方法及び装置に対する要請
がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この従来技術に係る不利
益は、本発明の、エッチング均一性を直接且つインシチ
ュウに測定する方法及び装置によって克服される。具体
的には、本発明では、エッチレイトモニタシステムによ
り得られた発光分光（ＯＥＳ：optical emission spect
roscopy）データを解析する。本発明では、ＯＥＳデー
タが取得されれば、このＯＥＳデータの１次導関数(the
first derivative)を計算する。エッチング終点に到達
したときや変曲点に至ったとき等、ＯＥＳデータが所定
のトリガの基準値（例えば、トリガポイント）に適合し
たときには、本発明では、この１次導関数の値を特定の
均一性の値に相関させる。この相関の操作は、検索表や
相関方程式ないし補間方程式によって行うことができ
る。検索表や相関方程式は、実験データを用いて予測さ
れる。次いで、本発明では、均一性の値を表示し、且つ
／又は、この均一性の値に何らかの方法で応答する。本
発明は、この直接的なインシチュウの測定技術を用い
て、エッチングの均一性を実際に予測することが見出さ
れた。このように、大がかりな後処理の必要がなくな
り、エッチングプロセスの実施に関連するコストが実質
的に低減する。
益は、本発明の、エッチング均一性を直接且つインシチ
ュウに測定する方法及び装置によって克服される。具体
的には、本発明では、エッチレイトモニタシステムによ
り得られた発光分光（ＯＥＳ：optical emission spect
roscopy）データを解析する。本発明では、ＯＥＳデー
タが取得されれば、このＯＥＳデータの１次導関数(the
first derivative)を計算する。エッチング終点に到達
したときや変曲点に至ったとき等、ＯＥＳデータが所定
のトリガの基準値（例えば、トリガポイント）に適合し
たときには、本発明では、この１次導関数の値を特定の
均一性の値に相関させる。この相関の操作は、検索表や
相関方程式ないし補間方程式によって行うことができ
る。検索表や相関方程式は、実験データを用いて予測さ
れる。次いで、本発明では、均一性の値を表示し、且つ
／又は、この均一性の値に何らかの方法で応答する。本
発明は、この直接的なインシチュウの測定技術を用い
て、エッチングの均一性を実際に予測することが見出さ
れた。このように、大がかりな後処理の必要がなくな
り、エッチングプロセスの実施に関連するコストが実質
的に低減する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウエハ処理シス
テムにおける半導体ウエハのエッチング均一性を直接且
つインシチュウ(in situ)に測定するための方法と装置
である。本発明では、エッチングシステム（例えば、ア
プライドマテリアルズ社製Model PE5000）内で基板を処
理する際に収集した発光分光（ＯＥＳ)データを解析す
る。ＯＥＳデータの収集は、正確なＯＥＳデータを提供
するあらゆるタイプのインシチュウ測定機器で行うこと
ができる。このようなシステムには、例えば、アプライ
ドマテリアルズ社製のModel PE5000 のための統合型発
光終点モジュールとしての、ＯＥＳ終点システムが挙げ
られる。データ獲得用としてここではＯＥＳシステムを
例示しているが、本発明では、エッチングプロセスの進
行を示すものであれば、あらゆるシステムを用いること
ができ、例えば、干渉測定システムなどである。本発明
の開示の内容について簡単にするため、以下の説明を、
ＯＥＳシステムにおける操作に適用させることとする。
この開示内容から、当業者は、他のエッチングプロセス
モニタシステムの態様においても本発明を適用させるこ
とができるものである。
テムにおける半導体ウエハのエッチング均一性を直接且
つインシチュウ(in situ)に測定するための方法と装置
である。本発明では、エッチングシステム（例えば、ア
プライドマテリアルズ社製Model PE5000）内で基板を処
理する際に収集した発光分光（ＯＥＳ)データを解析す
る。ＯＥＳデータの収集は、正確なＯＥＳデータを提供
するあらゆるタイプのインシチュウ測定機器で行うこと
ができる。このようなシステムには、例えば、アプライ
ドマテリアルズ社製のModel PE5000 のための統合型発
光終点モジュールとしての、ＯＥＳ終点システムが挙げ
られる。データ獲得用としてここではＯＥＳシステムを
例示しているが、本発明では、エッチングプロセスの進
行を示すものであれば、あらゆるシステムを用いること
ができ、例えば、干渉測定システムなどである。本発明
の開示の内容について簡単にするため、以下の説明を、
ＯＥＳシステムにおける操作に適用させることとする。
この開示内容から、当業者は、他のエッチングプロセス
モニタシステムの態様においても本発明を適用させるこ
とができるものである。
【０００７】図１は、ＯＥＳシステム１００のブロック
線図であり、このＯＥＳシステムは、発光終点検出シス
テムとして知られるものである。このハードウェアシス
テムは、従来より終点検出に用いられているものであ
り、モノクロメータモジュール１１０は、プロセスチャ
ンバ１０２内のプラズマからの発光の特定の波長をモニ
タして、データを収集する。モニタ中の波長で発光強度
が大きく変化したときは、エッチングプロセスの終点で
あることを示している。典型的な終点検出システムは、
１９９４年１１月８日発行の米国特許第５，３６２，３
５６号に開示されている。特定の波長の発光（例えば、
４８３５オングストロームでの一酸化炭素の発光ライ
ン）を、エッチングプロセス中の発光強度として更に処
理し解析することにより、エッチングプロセスの均一性
が示される。本発明はコンピュータシステムのソフトウ
ェアで実行され、ＯＥＳデータを処理し解析して、ウエ
ハ表面全体に対するエッチング均一性を推測する。
線図であり、このＯＥＳシステムは、発光終点検出シス
テムとして知られるものである。このハードウェアシス
テムは、従来より終点検出に用いられているものであ
り、モノクロメータモジュール１１０は、プロセスチャ
ンバ１０２内のプラズマからの発光の特定の波長をモニ
タして、データを収集する。モニタ中の波長で発光強度
が大きく変化したときは、エッチングプロセスの終点で
あることを示している。典型的な終点検出システムは、
１９９４年１１月８日発行の米国特許第５，３６２，３
５６号に開示されている。特定の波長の発光（例えば、
４８３５オングストロームでの一酸化炭素の発光ライ
ン）を、エッチングプロセス中の発光強度として更に処
理し解析することにより、エッチングプロセスの均一性
が示される。本発明はコンピュータシステムのソフトウ
ェアで実行され、ＯＥＳデータを処理し解析して、ウエ
ハ表面全体に対するエッチング均一性を推測する。
【０００８】具体的には、例えば、光ファイバケーブル
１０３により統合型発光終点検出モジュール１０１に接
続されるPE5000エッチングシステム１００のプロセスチ
ャンバが図１に示される。この統合型発光終点モジュー
ルは、モノクロメータモジュール１１０と、コントロー
ラ電子回路１１８と、コンピュータシステム１２２とを
有している。モノクロメータモジュールは更に、モノク
ロメータ１０４と、モノクロメータの波長選択を制御す
るステッパモータ１１２と、モノクロメータを校正ない
し検量する検量ランプ１１４と、フォトマルチプライヤ
チューブ（光電子倍増管）１０６と、高圧電源１０８
と、モノクロメータインターフェースボード１１６とを
有している。動作に際しては、プロセスチャンバ１０２
内のプラズマにより発せられた光は光ファイバ１０３を
介してモノクロメータに結合される。モノクロメータ
は、光ファイバ１０３により運ばれてきた光子を電子に
変換する。この電子は、高圧電源１０８で駆動されるフ
ォトマルチプライヤチューブ１０６によって倍増され
る。フォトマルチプライヤチューブ１０６の出力は、モ
ノクロメータインターフェースボード１１６に結合す
る。
１０３により統合型発光終点検出モジュール１０１に接
続されるPE5000エッチングシステム１００のプロセスチ
ャンバが図１に示される。この統合型発光終点モジュー
ルは、モノクロメータモジュール１１０と、コントロー
ラ電子回路１１８と、コンピュータシステム１２２とを
有している。モノクロメータモジュールは更に、モノク
ロメータ１０４と、モノクロメータの波長選択を制御す
るステッパモータ１１２と、モノクロメータを校正ない
し検量する検量ランプ１１４と、フォトマルチプライヤ
チューブ（光電子倍増管）１０６と、高圧電源１０８
と、モノクロメータインターフェースボード１１６とを
有している。動作に際しては、プロセスチャンバ１０２
内のプラズマにより発せられた光は光ファイバ１０３を
介してモノクロメータに結合される。モノクロメータ
は、光ファイバ１０３により運ばれてきた光子を電子に
変換する。この電子は、高圧電源１０８で駆動されるフ
ォトマルチプライヤチューブ１０６によって倍増され
る。フォトマルチプライヤチューブ１０６の出力は、モ
ノクロメータインターフェースボード１１６に結合す
る。
【０００９】更に、モノクロメータインターフェース１
１６は、処理のための特定の光波長を選択するステッパ
モータ１１２を制御する。特に、ステッパモータは、モ
ノクロメータ内部の干渉グリッド（図示せず）のポジシ
ョンを調節して、解析のための特定の光波長を選択す
る。検量ランプ１１４はモノクロメータに結合し、特定
の波長においてモノクロメータの検量ないし校正を行
う。
１６は、処理のための特定の光波長を選択するステッパ
モータ１１２を制御する。特に、ステッパモータは、モ
ノクロメータ内部の干渉グリッド（図示せず）のポジシ
ョンを調節して、解析のための特定の光波長を選択す
る。検量ランプ１１４はモノクロメータに結合し、特定
の波長においてモノクロメータの検量ないし校正を行
う。
【００１０】ＤＢ−２５電気ケーブルにより、モノクロ
メータインターフェースボード１１６をコントローラ電
子回路１１８の中のコントローラインターフェースボー
ド１２０に接続する。
メータインターフェースボード１１６をコントローラ電
子回路１１８の中のコントローラインターフェースボー
ド１２０に接続する。
【００１１】制御電子回路は、コンピュータバス（例え
ば、シリアルバス等）１２６を介してコンピュータシス
テム１２２に結合する。従来からの終点ソフトウェア１
２８は、本発明のエッチング均一性導出ソフトウェア１
２４及びコンピュータオペレーティングシステム１３０
と同じく、コンピュータシステム１２２の中に格納さ
れ、コンピュータシステム１２２によって実行される。
ば、シリアルバス等）１２６を介してコンピュータシス
テム１２２に結合する。従来からの終点ソフトウェア１
２８は、本発明のエッチング均一性導出ソフトウェア１
２４及びコンピュータオペレーティングシステム１３０
と同じく、コンピュータシステム１２２の中に格納さ
れ、コンピュータシステム１２２によって実行される。
【００１２】前述の統合型発光終点モジュール１０１を
実行するためのハードウェアは、アプライドマテリアル
ズ社より入手可能である。例えば、光ファイバはアプラ
イドマテリアルズ社より部品番号０１９０−０９１３４
番で、モノクロメータは部品番号００１０−０９９３５
番で、コントローラ電子回路は部品番号０２４０−１０
４７５で、コンピュータシステムは部品番号０２４０−
３２５８５番で、それぞれ入手可能である。
実行するためのハードウェアは、アプライドマテリアル
ズ社より入手可能である。例えば、光ファイバはアプラ
イドマテリアルズ社より部品番号０１９０−０９１３４
番で、モノクロメータは部品番号００１０−０９９３５
番で、コントローラ電子回路は部品番号０２４０−１０
４７５で、コンピュータシステムは部品番号０２４０−
３２５８５番で、それぞれ入手可能である。
【００１３】図２は、ＯＥＳデータ解析、処理及びディ
スプレイを行うためのコンピュータシステム１２２の詳
細なブロック線図を例示する。具体的には、コンピュー
タ２００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）２０４と、サ
ポート回路２０６と、ランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）２０８と、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）２１２
と、マスストレージデバイス２１４（例えばディスクデ
バイス）と、ディスプレイドライバ２１６とを有してい
る。更に、ユーザーは、１つ以上の入力デバイス（キー
ボード、マウス、トラックボール、タッチパッド等）２
２０を介してコンピュータシステムに関与することがで
きる。また、コンピュータシステムは、コンピュータモ
ニタ等のディスプレイデバイス２１８上に、データ、様
々なグラフィカルインターフェースディスプレイ及び均
一性の値を示す。あるいは、コンピュータシステムはプ
リンタ等の他の出力デバイスと関与して、コンピュータ
モニタ上に現れるあらゆるディスプレイのハードコピー
を与えてもよい。
スプレイを行うためのコンピュータシステム１２２の詳
細なブロック線図を例示する。具体的には、コンピュー
タ２００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）２０４と、サ
ポート回路２０６と、ランダムアクセスメモリ（ＲＡ
Ｍ）２０８と、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）２１２
と、マスストレージデバイス２１４（例えばディスクデ
バイス）と、ディスプレイドライバ２１６とを有してい
る。更に、ユーザーは、１つ以上の入力デバイス（キー
ボード、マウス、トラックボール、タッチパッド等）２
２０を介してコンピュータシステムに関与することがで
きる。また、コンピュータシステムは、コンピュータモ
ニタ等のディスプレイデバイス２１８上に、データ、様
々なグラフィカルインターフェースディスプレイ及び均
一性の値を示す。あるいは、コンピュータシステムはプ
リンタ等の他の出力デバイスと関与して、コンピュータ
モニタ上に現れるあらゆるディスプレイのハードコピー
を与えてもよい。
【００１４】コントローラインターフェースボード１２
０は、モノクロメータモジュール１１０からのデータを
予め処理しており、モノクロメータモジュールとＣＰＵ
２０４の間のデータ転送を与える。
０は、モノクロメータモジュール１１０からのデータを
予め処理しており、モノクロメータモジュールとＣＰＵ
２０４の間のデータ転送を与える。
【００１５】ＣＰＵ２４０は、PowerPC 、Pentium 等そ
の他の広く入手可能な一般用途プロセッサである。Powe
rPC は、ＩＢＭ社の商品名であり、Pentium はインテル
社の商品名である。本発明のソフトウェアは特定のプロ
セッサでなければ実行できないということはないため、
本発明を実行するルーティンは、あらゆるタイプのプロ
セッサにより、あるいは、パラレルプロセッシングコン
ピュータの環境においてあらゆるタイプのプロセッサの
組み合わせにより、実行することが可能である。ここに
説明する本発明の本具体例では、インテル社の Pentium
によって実行する。
の他の広く入手可能な一般用途プロセッサである。Powe
rPC は、ＩＢＭ社の商品名であり、Pentium はインテル
社の商品名である。本発明のソフトウェアは特定のプロ
セッサでなければ実行できないということはないため、
本発明を実行するルーティンは、あらゆるタイプのプロ
セッサにより、あるいは、パラレルプロセッシングコン
ピュータの環境においてあらゆるタイプのプロセッサの
組み合わせにより、実行することが可能である。ここに
説明する本発明の本具体例では、インテル社の Pentium
によって実行する。
【００１６】ＣＰＵ２４０は、ＲＡＭ２０８、ＲＯＭ２
１２、保存デバイス２１４や、サポート回路（コプロセ
ッサ、クロック回路、キャッシュ、パワーサプライその
他の周知の回路）等の他の様々な回路と協働して動作す
る。一般用途コンピュータに含まれる種々のコンピュー
タ要素の動作とこれらの間の相互関係は、従来技術でよ
く知られており、更に説明を必要としないだろう。ディ
スプレイドライバ２１６は、出力デバイス２１８の要求
により、ビデオカード、プリンタドライバ、又はその他
の共通ドライバソフトウェア又はハードウェアであって
もよい。
１２、保存デバイス２１４や、サポート回路（コプロセ
ッサ、クロック回路、キャッシュ、パワーサプライその
他の周知の回路）等の他の様々な回路と協働して動作す
る。一般用途コンピュータに含まれる種々のコンピュー
タ要素の動作とこれらの間の相互関係は、従来技術でよ
く知られており、更に説明を必要としないだろう。ディ
スプレイドライバ２１６は、出力デバイス２１８の要求
により、ビデオカード、プリンタドライバ、又はその他
の共通ドライバソフトウェア又はハードウェアであって
もよい。
【００１７】ＲＡＭ２０８は、本発明の実行ソフトウェ
ア、即ちエッチング均一性導出ルーティン１２４を保管
する。代表的には、本発明のルーティンは、マスストレ
ージデバイス２１４に保管され、ＣＰＵ２０４で実行し
ようとするときは、ＲＡＭのテンポラリストレージに呼
び出される。
ア、即ちエッチング均一性導出ルーティン１２４を保管
する。代表的には、本発明のルーティンは、マスストレ
ージデバイス２１４に保管され、ＣＰＵ２０４で実行し
ようとするときは、ＲＡＭのテンポラリストレージに呼
び出される。
【００１８】図３は、本発明のエッチング均一性導出ル
ーティン１２４のフロー線図を示す。このルーティン
は、ステップ３００で開始し、ステップ３０１に進む。
ステップ３０１では、ユーザーはテストパラメータと、
ウエハ特性と、種々の相関パラメータを初期化する。こ
の初期化は、コンピュータシステムインプットデバイス
を介して情報を入力することにより行うことができ、あ
るいは、メモリから情報を呼び出すことにより行うこと
ができる。ステップ３０２では、ルーティンは、モノク
ロメータモジュールからＯＥＳデータを受信する。ステ
ップ３０４では、ルーティンはＯＥＳデータを処理す
る。この処理では、データポイントを平均化して、プロ
ットしたときにＯＥＳデータの大きさの経時変化を表す
スムーズなカーブとなる、スムーズなデータセットを作
成する。モノクロメータモジュールからデータが取得可
能である場合に、更にデータポイントが増えたとき、丸
め平均を用いてこれを平均に含める。更に処理を行うと
きは、これには、データスレショルド、スパイクフィル
タリングその他を含めてもよい。このシステム初期化と
データ取得ステップを組み合わせて、本発明のデータ取
得モジュールを成す。このモジュールによる例示的なＯ
ＥＳデータが、図４のカーブ４００に示される。このカ
ーブは、データ取得装置のフルスケール（右側の目盛
り）についてのパーセンテージとして規格化されたＯＥ
Ｓデータの大きさの経時変化（単位は秒）を表してい
る。
ーティン１２４のフロー線図を示す。このルーティン
は、ステップ３００で開始し、ステップ３０１に進む。
ステップ３０１では、ユーザーはテストパラメータと、
ウエハ特性と、種々の相関パラメータを初期化する。こ
の初期化は、コンピュータシステムインプットデバイス
を介して情報を入力することにより行うことができ、あ
るいは、メモリから情報を呼び出すことにより行うこと
ができる。ステップ３０２では、ルーティンは、モノク
ロメータモジュールからＯＥＳデータを受信する。ステ
ップ３０４では、ルーティンはＯＥＳデータを処理す
る。この処理では、データポイントを平均化して、プロ
ットしたときにＯＥＳデータの大きさの経時変化を表す
スムーズなカーブとなる、スムーズなデータセットを作
成する。モノクロメータモジュールからデータが取得可
能である場合に、更にデータポイントが増えたとき、丸
め平均を用いてこれを平均に含める。更に処理を行うと
きは、これには、データスレショルド、スパイクフィル
タリングその他を含めてもよい。このシステム初期化と
データ取得ステップを組み合わせて、本発明のデータ取
得モジュールを成す。このモジュールによる例示的なＯ
ＥＳデータが、図４のカーブ４００に示される。このカ
ーブは、データ取得装置のフルスケール（右側の目盛
り）についてのパーセンテージとして規格化されたＯＥ
Ｓデータの大きさの経時変化（単位は秒）を表してい
る。
【００１９】ステップ３０６では、ルーティン１２４
は、データの１次導関数を計算する。ルーティンにおけ
るこのステップは、連続したフィルタ化データポイント
１対をとりこれをこれら２つのフィルタ化データポイン
ト間の実行時間で除して１次導関数を得る、導関数発生
器を成している。ルーティンは、このモジュールでデー
タポイントが得られる毎に、この計算を繰り返す。これ
を式で表せば、
は、データの１次導関数を計算する。ルーティンにおけ
るこのステップは、連続したフィルタ化データポイント
１対をとりこれをこれら２つのフィルタ化データポイン
ト間の実行時間で除して１次導関数を得る、導関数発生
器を成している。ルーティンは、このモジュールでデー
タポイントが得られる毎に、この計算を繰り返す。これ
を式で表せば、
【数３】 ここでＸ1は１番目のフィルタ化データポイント、Ｘ
2は、２番目のフィルタ化データポイント、ΔＴはＸ1と
Ｘ2の間の時間である。ΔＴは、代表的には０．１秒で
ある。プロットすることにより、図４のカーブ４００で
表されるＯＥＳデータの１次導関数は、、カーブ４０２
になる。カーブ４０２は、ある時間ΔＴ（左側の目盛
り）にわたるフルスケールパーセンテージ（規格化デー
タ値）の経時変化として、１次導関数で与えられる。カ
ーブ４０２のピークは、ＯＥＳデータカーブ４００の変
曲点を示している。
2は、２番目のフィルタ化データポイント、ΔＴはＸ1と
Ｘ2の間の時間である。ΔＴは、代表的には０．１秒で
ある。プロットすることにより、図４のカーブ４００で
表されるＯＥＳデータの１次導関数は、、カーブ４０２
になる。カーブ４０２は、ある時間ΔＴ（左側の目盛
り）にわたるフルスケールパーセンテージ（規格化デー
タ値）の経時変化として、１次導関数で与えられる。カ
ーブ４０２のピークは、ＯＥＳデータカーブ４００の変
曲点を示している。
【００２０】ステップ３０８では、ルーティンほえ請求
項データカーブの「トリガポイント」を検出する。トリ
ガポイントは、ステップ３０２中のシステムの初期化の
間にユーザーが選択できる。このトリガポイントの選択
のステップは、トリガ基準値発生器を成している。トリ
ガポイントは、ＯＥＳデータカーブの何れの点であって
もよいが、通常は、ＯＥＳデータカーブの変曲点か、Ｏ
ＥＳデータカーブのエッチング終点の何れかより選択さ
れる。エッチング終点は、一般には、終点ソフトウェア
を制御するようにパラメータを選択して決められる。具
体的には、変曲点でのＯＥＳデータの１次導関数の値
は、ウエハ全体にわたるエッチング均一性と反復性をも
って相関する。更に、変曲点に至る迄にエッチングプロ
セスが停止した場合は、エッチングを中止した点（即ち
終点）における１次導関数の値が、その時点におけるウ
エハ全面に対するエッチング均一性を示している。
項データカーブの「トリガポイント」を検出する。トリ
ガポイントは、ステップ３０２中のシステムの初期化の
間にユーザーが選択できる。このトリガポイントの選択
のステップは、トリガ基準値発生器を成している。トリ
ガポイントは、ＯＥＳデータカーブの何れの点であって
もよいが、通常は、ＯＥＳデータカーブの変曲点か、Ｏ
ＥＳデータカーブのエッチング終点の何れかより選択さ
れる。エッチング終点は、一般には、終点ソフトウェア
を制御するようにパラメータを選択して決められる。具
体的には、変曲点でのＯＥＳデータの１次導関数の値
は、ウエハ全体にわたるエッチング均一性と反復性をも
って相関する。更に、変曲点に至る迄にエッチングプロ
セスが停止した場合は、エッチングを中止した点（即ち
終点）における１次導関数の値が、その時点におけるウ
エハ全面に対するエッチング均一性を示している。
【００２１】エッチング均一性と１次導関数の相関関係
は、ウエハ特性やウエハレシピだけでなく、テストパラ
メータにも依存する。従って、テストパラメータとウエ
ハ特性は、ステップ３０１でコンピュータシステムのメ
モリに予め導入されており、テスト初期化においてユー
ザーが選択できるようにしている。一般には、ユーザー
はここでのテストパラメータとウエハ特性をメニューか
ら選択し、また、これらのパラメータに関するルックア
ップテーブルはメモリに導入される。このルックアップ
テーブルとは、１次導関数及び均一性の値に対する相関
表である。ルーティンは、ステップ３１２において、均
一性対１次導関数の相関値を含むルックアップテーブル
にアクセスする。このテーブルは、１次導関数の値を相
関させるプロセスにアクセスし、均一性の値は、データ
アナライザを成す。このルックアップテーブルを用い、
また、１次導関数の値を与えることにより、ルーティン
は、そのテストにおけるウエハ特性とテストパラメータ
に対応した、ウエハの均一性の値を発生する。あるい
は、ルックアップテーブルの代わりに、相関方程式又は
補間方程式を用いてもよい。ここに例示する相関方程式
をグラフで表したものが、図５に示されている。
は、ウエハ特性やウエハレシピだけでなく、テストパラ
メータにも依存する。従って、テストパラメータとウエ
ハ特性は、ステップ３０１でコンピュータシステムのメ
モリに予め導入されており、テスト初期化においてユー
ザーが選択できるようにしている。一般には、ユーザー
はここでのテストパラメータとウエハ特性をメニューか
ら選択し、また、これらのパラメータに関するルックア
ップテーブルはメモリに導入される。このルックアップ
テーブルとは、１次導関数及び均一性の値に対する相関
表である。ルーティンは、ステップ３１２において、均
一性対１次導関数の相関値を含むルックアップテーブル
にアクセスする。このテーブルは、１次導関数の値を相
関させるプロセスにアクセスし、均一性の値は、データ
アナライザを成す。このルックアップテーブルを用い、
また、１次導関数の値を与えることにより、ルーティン
は、そのテストにおけるウエハ特性とテストパラメータ
に対応した、ウエハの均一性の値を発生する。あるい
は、ルックアップテーブルの代わりに、相関方程式又は
補間方程式を用いてもよい。ここに例示する相関方程式
をグラフで表したものが、図５に示されている。
【００２２】ステップ３１４では、ルーティンは均一性
の値をディスプレイする。あるいは、均一性の値をある
閾値と比較し、この閾値に関する均一性の値によって
は、ルーティンは均一性「良好」や均一性「不良」など
の主観的な均一性の語を発生させる。随意、ステップ３
１６では、ルーティンは均一性の値を複数の閾値と比較
し、そこで、均一性の値によって越えられる特定の閾値
の値に応じて、ルーティンは、均一性を改善するための
方策を示唆することができる。例えば、均一性が非常に
不良であった場合は、ルーティンは、ユーザに、チャン
バウィンドウをクリーニングする、モノクロメータの再
検量を行う等の防止的メンテナンスの手順を行うように
指示してもよい。
の値をディスプレイする。あるいは、均一性の値をある
閾値と比較し、この閾値に関する均一性の値によって
は、ルーティンは均一性「良好」や均一性「不良」など
の主観的な均一性の語を発生させる。随意、ステップ３
１６では、ルーティンは均一性の値を複数の閾値と比較
し、そこで、均一性の値によって越えられる特定の閾値
の値に応じて、ルーティンは、均一性を改善するための
方策を示唆することができる。例えば、均一性が非常に
不良であった場合は、ルーティンは、ユーザに、チャン
バウィンドウをクリーニングする、モノクロメータの再
検量を行う等の防止的メンテナンスの手順を行うように
指示してもよい。
【００２３】図５は、特定のテストパラメータ及びウエ
ハ特性の組み合わせに応じた、エッチング均一性（スケ
ール５０２）に対する規格化１次導関数の値（スケール
５０４）のグラフ５００を表している。１次導関数の値
は、変曲点で「ピーク」の値を示しており、これは、
「ミニマムスロープ」の値として知られているものでも
ある。この例示的なグラフでは、例えば、ミニマムスロ
ープが−２を得るエッチングプロセスは、２％の変動係
数（均一性の目安）を有していることになる。特定のテ
ストパラメータとウエハ特性を与えることにより、図５
のグラフの情報を包含するルックアップテーブルをフロ
ー線図のステップ３１２に用いて、１次導関数の特定の
値で与えられる均一性を決定することができる。あるい
は、これらデータポイント群にフィットするカーブ（例
えばカーブ５０６を）用いて、均一性のあらゆる値を所
定のミニマムスロープの値から導出することができる方
程式を導出する。ここに描いたカーブは、直線である
（例えば、Ｙ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｘの形）が、他の形の直線又は
非直線カーブでデータ群をフィッティングしてもよい。
ハ特性の組み合わせに応じた、エッチング均一性（スケ
ール５０２）に対する規格化１次導関数の値（スケール
５０４）のグラフ５００を表している。１次導関数の値
は、変曲点で「ピーク」の値を示しており、これは、
「ミニマムスロープ」の値として知られているものでも
ある。この例示的なグラフでは、例えば、ミニマムスロ
ープが−２を得るエッチングプロセスは、２％の変動係
数（均一性の目安）を有していることになる。特定のテ
ストパラメータとウエハ特性を与えることにより、図５
のグラフの情報を包含するルックアップテーブルをフロ
ー線図のステップ３１２に用いて、１次導関数の特定の
値で与えられる均一性を決定することができる。あるい
は、これらデータポイント群にフィットするカーブ（例
えばカーブ５０６を）用いて、均一性のあらゆる値を所
定のミニマムスロープの値から導出することができる方
程式を導出する。ここに描いたカーブは、直線である
（例えば、Ｙ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｘの形）が、他の形の直線又は
非直線カーブでデータ群をフィッティングしてもよい。
【００２４】カーブ５００の作成に用いる膜厚の測定
は、 Prometrix SM-300 を用いて実施され、エッチング
の前後で６ｍｍエッジを除いて４９点で測定を行った。
ウエハは１５０ｍｍの熱酸化物ウエハであった。テスト
は、圧力２００ミリトールのプロセスチャンバ内で行
い、カソード温度を２０℃に維持し、ウエハの裏面を冷
却するため８トールのヘリウムを流した。チャンバに
は、２５ｓｃｃｍのＣＨＦ3の流入、５ｓｃｃｍのＣＦ4
の流入及び７５ｓｃｃｍのＡｒの流入が与えられた。プ
ラズマは７５０ワットの電力が与えられ、３０Ｇの磁力
を有する磁界が用いられた。図５には、エッチング非均
一性が、変動係数と、周知の１σ均一性尺度を用いて表
される。変動係数（ＣＶ：coefficient of variation）
は、平均変動値のパーセントで変動の程度を表し、以下
の比で与えられる。
は、 Prometrix SM-300 を用いて実施され、エッチング
の前後で６ｍｍエッジを除いて４９点で測定を行った。
ウエハは１５０ｍｍの熱酸化物ウエハであった。テスト
は、圧力２００ミリトールのプロセスチャンバ内で行
い、カソード温度を２０℃に維持し、ウエハの裏面を冷
却するため８トールのヘリウムを流した。チャンバに
は、２５ｓｃｃｍのＣＨＦ3の流入、５ｓｃｃｍのＣＦ4
の流入及び７５ｓｃｃｍのＡｒの流入が与えられた。プ
ラズマは７５０ワットの電力が与えられ、３０Ｇの磁力
を有する磁界が用いられた。図５には、エッチング非均
一性が、変動係数と、周知の１σ均一性尺度を用いて表
される。変動係数（ＣＶ：coefficient of variation）
は、平均変動値のパーセントで変動の程度を表し、以下
の比で与えられる。
【００２５】
【数４】 ここで、σはウエハ表面変動の測定標準偏差、μはこれ
らの変動の平均(mean)である。ここで扱っている非均一
性はこの平均のパーセンテージで表される。
らの変動の平均(mean)である。ここで扱っている非均一
性はこの平均のパーセンテージで表される。
【００２６】均一性をディスプレイする（更に正確に
は、ディスプレイした値が非均一性を表す）だけでな
く、特定の均一性に到達し、また特定のエッチレイトを
越えたときに、ルーティンはエッチングプロセスを制御
して、ウエハのエッチングを終了させてもよく、ウエハ
エッチングプロセスの最適制御を与えることができる。
は、ディスプレイした値が非均一性を表す）だけでな
く、特定の均一性に到達し、また特定のエッチレイトを
越えたときに、ルーティンはエッチングプロセスを制御
して、ウエハのエッチングを終了させてもよく、ウエハ
エッチングプロセスの最適制御を与えることができる。
【００２７】上述の如く、本発明は、ＯＥＳデータをモ
ニタし処理し解析することにより、直接且つインシチュ
ウにエッチング均一性を測定する方法及び装置を提供す
る。本発明は、ＯＥＳデータの１次導関数を計算する。
この１次導関数の値はエッチング均一性を反復性をもっ
て示すものである。このように、本発明は、エッチング
均一性の値をディスプレイし、且つ／又は、何らかの方
法でこの値に応答する。
ニタし処理し解析することにより、直接且つインシチュ
ウにエッチング均一性を測定する方法及び装置を提供す
る。本発明は、ＯＥＳデータの１次導関数を計算する。
この１次導関数の値はエッチング均一性を反復性をもっ
て示すものである。このように、本発明は、エッチング
均一性の値をディスプレイし、且つ／又は、何らかの方
法でこの値に応答する。
【００２８】本発明の教示を含んでいる様々な具体例を
示しその詳細を説明してきたが、当業者には、本発明の
範囲の中でこれらを変形することが容易である。
示しその詳細を説明してきたが、当業者には、本発明の
範囲の中でこれらを変形することが容易である。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、エッチング均一性を、直接且つインシチュウで測
定するための方法及び装置が提供される。
れば、エッチング均一性を、直接且つインシチュウで測
定するための方法及び装置が提供される。
【図１】本発明に含まれる発光分光システムのブロック
線図である。
線図である。
【図２】本発明のソフトウェアの実行を行うコンピュー
タシステムのブロック線図である。
タシステムのブロック線図である。
【図３】図２のコンピュータシステムで実行するエッチ
ング均一性導出のルーティンのフロー線図である。
ング均一性導出のルーティンのフロー線図である。
【図４】ＯＥＳデータとその１次導関数のカーブを例示
するグラフである。
するグラフである。
【図５】エッチング均一性とＯＥＳカーブの１次導関数
の相関を示すグラフである。
の相関を示すグラフである。
１００…ＯＥＳシステム、１０１…統合型発光終点検出
モジュール、１０２…プロセスチャンバ、１０３…光フ
ァイバ、１０４…モノクロメータ、１０６…フォトマル
チプライヤーチューブ、１０８…高圧電源、１１０…モ
ノクロメータモジュール、１１２…ステッパモータ、１
１４…検量ランプ、１１６…モノクロメータインターフ
ェースボード、１１８…コントローラ電子回路、１２２
…コンピュータシステム。
モジュール、１０２…プロセスチャンバ、１０３…光フ
ァイバ、１０４…モノクロメータ、１０６…フォトマル
チプライヤーチューブ、１０８…高圧電源、１１０…モ
ノクロメータモジュール、１１２…ステッパモータ、１
１４…検量ランプ、１１６…モノクロメータインターフ
ェースボード、１１８…コントローラ電子回路、１２２
…コンピュータシステム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオニド ポスラヴスキー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ベルモント， コンチネンタル ウェイ 1016， ナンバー306 (72)発明者 ジェニファー ルイス アメリカ合衆国， コロラド州， リトル トン， ウェスト フロスト プレイス 8098
Claims (16)
- 【請求項１】 エッチング均一性を測定するための方法
であって、 （ａ）エッチングの進行を示すデータを取得するステッ
プと、 （ｂ）前記データの特定の値に対応するトリガ基準値を
決めてトリガポイントを成すステップと、 （ｃ）前記データを取得した際に、前記データの１次導
関数を１次導関数値として与えるステップと、 （ｄ）前記データが前記トリガ基準値に至ったときに、
前記１次導関数値に関する均一性の値を発生させるステ
ップとを有する方法。 - 【請求項２】 前記データが、発光分光（ＯＥＳ:optic
al emission spectroscopy）データである請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】 前記トリガ基準値が、エッチングプロセ
スが終点に至ったことを表す前記データの値である請求
項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記トリガ基準値が、前記データを表す
カーブにおける変曲点である請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記１次導関数値が、 【数１】 Ｘ1は１番目のフィルタ化データポイント、Ｘ2は、２番
目のフィルタ化データポイント、ΔＴはＸ1とＸ2の間の
時間である、前記式によって発生する請求項１に記載の
方法。 - 【請求項６】 前記ステップ（ｄ）が、 前記１次導関数値に対応する均一性の値を含むルックア
ップテーブルに、前記１次導関数値を用いてアドレスす
る工程と、 前記トリガポイントで前記１次導関数値に応じた特定の
均一性の値を発生させる工程とを有する請求項１に記載
の方法。 - 【請求項７】 前記ステップ（ｄ）が、前記トリガポイ
ントにおいて前記１次導関数に応じた特定の均一性の値
を計算する工程を有し、前記特定の均一性の値は、１次
導関数値に対応する均一性の値を与える相関方程式を用
いて計算される請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記均一性の値に応答するステップを更
に有する請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 エッチング均一性を測定するための装置
であって、 エッチングの進行を示すデータを取得するための、デー
タ取得モジュールと、 前記データの特定の値に応じたトリガポイントを与える
トリガ規準値発生器と、 前記データを取得した際に、前記データの１次導関数を
１次導関数値として与える導関数発生器と、 前記データが前記トリガ基準値に至ったときに、前記ト
リガポイントにおいて前記１次導関数値に応じた均一性
の値を発生させる、データアナライザとを備える装置。 - 【請求項１０】 前記データ取得モジュールが、発光分
光（ＯＥＳ:opticalemission spectroscopy）データ取
得モジュールであり、前記データが発光分光データであ
る請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記トリガポイントが、エッチングプ
ロセスの終点に至ったことを示す前記データの値である
請求項９に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記トリガポイントが、前記データを
表すカーブの変曲点である請求項９に記載の装置。 - 【請求項１３】 前記１次導関数値が、 【数２】 Ｘ1は１番目のフィルタ化データポイント、Ｘ2は、２番
目のフィルタ化データポイント、ΔＴはＸ1とＸ2の間の
時間である、前記式によって発生する請求項９に記載の
装置。 - 【請求項１４】 前記データアナライザが更に、 前記トリガポイントにおける前記１次導関数値を用いて
アドレスされるルックアップテーブルであって、前記ル
ックアップテーブルは、前記１次導関数値に対応する均
一性の値を含む、前記ルックアップテーブルと、 前記トリガポイントで前記１次導関数値に応じた特定の
均一性の値を、前記ルックアップテーブルから発生させ
るための、テーブルアドレス発生器とを備える請求項９
に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記データアナライザが更に、前記ト
リガポイントにおける前記１次導関数値に応じた特定の
均一性の値をを計算するためのプロセッサを備え、前記
特定の均一性の値は、所定の１次導関数値で与えられる
均一性の値を与える相関方程式を用いて計算される請求
項９に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記均一性の値に応答する手段を更に
備える請求項９に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/686,229 US6649075B1 (en) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Method and apparatus for measuring etch uniformity of a semiconductor wafer |
| US08/686229 | 1996-07-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074674A true JPH1074674A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=24755463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9181341A Withdrawn JPH1074674A (ja) | 1996-07-23 | 1997-07-07 | エッチング均一性測定法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6649075B1 (ja) |
| EP (1) | EP0821396A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1074674A (ja) |
| KR (1) | KR980012213A (ja) |
| TW (1) | TW355825B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19730644C1 (de) * | 1997-07-17 | 1998-11-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Erkennen des Übergangs unterschiedlicher Materialien in Halbleiterstrukturen bei einer anisotropen Tiefenätzung |
| FR2801422B1 (fr) | 1999-11-23 | 2002-02-22 | Mhs | Procede et dispositif de controle en temps reel de l'epaisseur d'une couche d'un circuit integre |
| US6723574B1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-20 | Lam Research Corporation | Method for quantifying uniformity patterns and including expert knowledge for tool development and control |
| DE602004017983D1 (de) * | 2003-05-09 | 2009-01-08 | Unaxis Usa Inc | Endpunkt-Erkennung in einem zeitlich gemultiplexten Verfahren unter Verwendung eines Hüllkurvenalgorithmus |
| US20060006139A1 (en) * | 2003-05-09 | 2006-01-12 | David Johnson | Selection of wavelengths for end point in a time division multiplexed process |
| US7531469B2 (en) * | 2004-10-23 | 2009-05-12 | Applied Materials, Inc. | Dosimetry using optical emission spectroscopy/residual gas analyzer in conjunction with ion current |
| US7801713B1 (en) | 2006-11-17 | 2010-09-21 | Kla-Tencor Corporation | Generating a model using global node optimization |
| US7871828B2 (en) * | 2007-02-06 | 2011-01-18 | Applied Materials, Inc. | In-situ dose monitoring using optical emission spectroscopy |
| US7713757B2 (en) * | 2008-03-14 | 2010-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring dopant concentration during plasma ion implantation |
| KR20100078097A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | 막의 두께 산출 방법 및 이를 이용한 막 형성 방법 |
| JP5808592B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-11-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 基準電圧決定方法及び推奨動作電圧決定方法 |
| US8900469B2 (en) * | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
| US20220336294A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interferometer systems and methods for real time etch process compensation control |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4394237A (en) | 1981-07-17 | 1983-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Spectroscopic monitoring of gas-solid processes |
| US4493745A (en) | 1984-01-31 | 1985-01-15 | International Business Machines Corporation | Optical emission spectroscopy end point detection in plasma etching |
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1996
- 1996-07-23 US US08/686,229 patent/US6649075B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-26 TW TW086108922A patent/TW355825B/zh active
- 1997-07-04 EP EP97304913A patent/EP0821396A3/en not_active Withdrawn
- 1997-07-07 JP JP9181341A patent/JPH1074674A/ja not_active Withdrawn
- 1997-07-21 KR KR1019970034055A patent/KR980012213A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6649075B1 (en) | 2003-11-18 |
| EP0821396A2 (en) | 1998-01-28 |
| EP0821396A3 (en) | 2000-09-20 |
| KR980012213A (ko) | 1998-04-30 |
| TW355825B (en) | 1999-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070813 |