JPS62122220A - エツチング終点検出方法 - Google Patents
エツチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPS62122220A JPS62122220A JP26123685A JP26123685A JPS62122220A JP S62122220 A JPS62122220 A JP S62122220A JP 26123685 A JP26123685 A JP 26123685A JP 26123685 A JP26123685 A JP 26123685A JP S62122220 A JPS62122220 A JP S62122220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- end point
- wavelength
- aluminum
- emission intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
合金をエツチングする場合に好適なエツチング終点検出
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来のアルミエツチングの終点検出方法は、ＣＣｌ４を
処理ガスとして用いた場合、波長３９６゜１ ｎｍ の
Ｍ’Ａ光強度を用いていた。また１例えば、１９８２年
６月発行のソリッド・ステート・テクノロジー（８ｏ１
ｉｄ ５ｔａｔｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）日本版に
は、処理ガスとしてＣＣ１！４を用いてＭのエツチング
をした場合に２６１．４ｎｍＯｋｌ Ｃ１の発光強度を
用いて行なえることが記載されているが、処理ガスとし
て５ｉＣＩ！４を用いた場合についての記載はない。
処理ガスとして用いた場合、波長３９６゜１ ｎｍ の
Ｍ’Ａ光強度を用いていた。また１例えば、１９８２年
６月発行のソリッド・ステート・テクノロジー（８ｏ１
ｉｄ ５ｔａｔｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）日本版に
は、処理ガスとしてＣＣ１！４を用いてＭのエツチング
をした場合に２６１．４ｎｍＯｋｌ Ｃ１の発光強度を
用いて行なえることが記載されているが、処理ガスとし
て５ｉＣＩ！４を用いた場合についての記載はない。
本発明の目的は、アルミ又はアルミ合金を５ＩＣＩ！４
ガスを用いてドライエツチングする場合において、確実
にエツチングの終点を検出することのできるエツチング
終点検出方法を提供することにある。
ガスを用いてドライエツチングする場合において、確実
にエツチングの終点を検出することのできるエツチング
終点検出方法を提供することにある。
従来、アルミ又はアルミ合金のエツチングは、ＣＣ１！
４ ガスを処理ガスとして用いて、波長３９６゜１ ｎ
ｍのＭの発光強度の変化を利用して終点検出を行ってい
た。しかし、５ｔｃｚ４ガスを用いてエツチングを行っ
た場合、波長３９６．１ ｎｍのＭの発光強度の変化が
顕著に得られず、終点検出が困難であった。そこで、５
ｉ（４’４を用いた場合に適した波長を調査した結果、
２６１．４ｎｍのｋｌ Ｃ１の発光強度の変化を利用す
るのが効果的であることがわかった０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図により説明す
る。第１図はドライエツチング装置を示し、この装置に
おいて、ｌはエツチング室、２はモノクロメータ、３は
ホトマル、４はアンプ、５はレコーダである。この装置
において、モノクロメータ２の波長を２６１．４ ｎｍ
のＡｌＣｌ！の発光波長にセットし、５ｔｃｌ！４ガス
をエツチング室１内に導人し、高周波を源６により、電
極８． ｆ間に高周波電圧を印加し５ｉＣＩ！４ガスを
プラズマ化して、試料のアルミ又はアルミ合金をエツチ
ング処理する。
４ ガスを処理ガスとして用いて、波長３９６゜１ ｎ
ｍのＭの発光強度の変化を利用して終点検出を行ってい
た。しかし、５ｔｃｚ４ガスを用いてエツチングを行っ
た場合、波長３９６．１ ｎｍのＭの発光強度の変化が
顕著に得られず、終点検出が困難であった。そこで、５
ｉ（４’４を用いた場合に適した波長を調査した結果、
２６１．４ｎｍのｋｌ Ｃ１の発光強度の変化を利用す
るのが効果的であることがわかった０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図により説明す
る。第１図はドライエツチング装置を示し、この装置に
おいて、ｌはエツチング室、２はモノクロメータ、３は
ホトマル、４はアンプ、５はレコーダである。この装置
において、モノクロメータ２の波長を２６１．４ ｎｍ
のＡｌＣｌ！の発光波長にセットし、５ｔｃｌ！４ガス
をエツチング室１内に導人し、高周波を源６により、電
極８． ｆ間に高周波電圧を印加し５ｉＣＩ！４ガスを
プラズマ化して、試料のアルミ又はアルミ合金をエツチ
ング処理する。
ヘ
アルミ又はアルミ合金をエツチングしている場合の発光
強度と波長の関係を男２因１こ示し、エツチングが終了
した場合の発光強度と波長の関係を第３図に示す。第２
図および第３図から、５ｔｃｌ！４を用いてアルミ又は
アルミ合金をエツチングした場合には、従来の波長３９
６．１ ｎｍのＭの発光強度はほとんど変化がなく、終
点を検出するのが困難であるが、波長２６１．４ ｎｍ
のＡｌＣｌの発光強度変化を利用するのが効果的である
ことがわかる。
強度と波長の関係を男２因１こ示し、エツチングが終了
した場合の発光強度と波長の関係を第３図に示す。第２
図および第３図から、５ｔｃｌ！４を用いてアルミ又は
アルミ合金をエツチングした場合には、従来の波長３９
６．１ ｎｍのＭの発光強度はほとんど変化がなく、終
点を検出するのが困難であるが、波長２６１．４ ｎｍ
のＡｌＣｌの発光強度変化を利用するのが効果的である
ことがわかる。
実際に波長２６１．４ ｎｍの発光強度変化を測定した
結果を第４図に示す。高周波電圧を印加し始めた点Ａか
らは、急激に発光強度が強まり、エツチング中は高く、
エツチングが終了する点Ｂの手前で急激に発光強度が弱
まって、横ばいになる。Ｃ点は高周波電圧の印加を止め
た点である。このように、＠４図からはエツチングの終
点検出を確実に行うのに十分な強度変化が得られろこと
がわかる。
結果を第４図に示す。高周波電圧を印加し始めた点Ａか
らは、急激に発光強度が強まり、エツチング中は高く、
エツチングが終了する点Ｂの手前で急激に発光強度が弱
まって、横ばいになる。Ｃ点は高周波電圧の印加を止め
た点である。このように、＠４図からはエツチングの終
点検出を確実に行うのに十分な強度変化が得られろこと
がわかる。
以上、本−実施例によれば、Ｓ ｉＣＩ！４ガスを用い
てアルミ又はアルミ合金をエツチングする場合の終点検
出を、波長２６１．４ｎｍのＡＪ Ｃｌ！の発光強度変
化を調べることによって、エツチング中の発光強度とエ
ツチング終了点での発光強度の差が明確に表われている
ので、確実なエツチング終点検出を行うことができると
いう効果がある。
てアルミ又はアルミ合金をエツチングする場合の終点検
出を、波長２６１．４ｎｍのＡＪ Ｃｌ！の発光強度変
化を調べることによって、エツチング中の発光強度とエ
ツチング終了点での発光強度の差が明確に表われている
ので、確実なエツチング終点検出を行うことができると
いう効果がある。
本発明によれば、Ｓ ｔ Ｃ７：４を用いてアルミ又は
アルミ合金をエツチングする場合のエツチングの終点検
出に、波長２６１．４ ｎｍのｋｌｃｌ：の発光強度を
用いることによって、確実にエツチングの終点を検出す
ることができるという効果がある。
アルミ合金をエツチングする場合のエツチングの終点検
出に、波長２６１．４ ｎｍのｋｌｃｌ：の発光強度を
用いることによって、確実にエツチングの終点を検出す
ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるエツチング終点検出方
法を実施するための装αの概略図、第２図は＠１図の装
置によりエツチングしている場合の発光強度と波長の関
係を示すグラフ、第３図はエツチングが終了した時の発
光強度と波長の関係を示すグラフ、第４図は第２図から
ｆ！Ｓ３図に至るまでの特定波長の発光強度の経時変化
を示すグラフである。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・モノクロ
メータ、３・・・・・・ホトマル、４・・・・・・アン
プ、５・・・・・・レコーダ、才１図 波 玉 （ｎｗ）
法を実施するための装αの概略図、第２図は＠１図の装
置によりエツチングしている場合の発光強度と波長の関
係を示すグラフ、第３図はエツチングが終了した時の発
光強度と波長の関係を示すグラフ、第４図は第２図から
ｆ！Ｓ３図に至るまでの特定波長の発光強度の経時変化
を示すグラフである。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・モノクロ
メータ、３・・・・・・ホトマル、４・・・・・・アン
プ、５・・・・・・レコーダ、才１図 波 玉 （ｎｗ）
Claims (1)
- １、所定圧力に減圧排気される処理室に処理ガスを供給
し、前記処理ガスをプラズマ化して試料をエッチングす
るエッチング処理において、前記試料がアルミ又はアル
ミ合金で、前記処理ガスにＳｉＣｌ＿４を用いプラズマ
化させる工程と、該プラズマによるエッチング中の波長
２６１．４ｎｍのＡｌＣｌの発光強度を選択する工程と
を有することを特徴とするエッチング終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26123685A JPS62122220A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | エツチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26123685A JPS62122220A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | エツチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122220A true JPS62122220A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17359028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26123685A Pending JPS62122220A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | エツチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997015074A1 (fr) * | 1995-10-20 | 1997-04-24 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif pour detecter la fin d'un traitement par plasma, procede et dispositif pour fabriquer un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur |
| US5958258A (en) * | 1997-08-04 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Plasma processing method in semiconductor processing system |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26123685A patent/JPS62122220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997015074A1 (fr) * | 1995-10-20 | 1997-04-24 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif pour detecter la fin d'un traitement par plasma, procede et dispositif pour fabriquer un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur |
| US5958258A (en) * | 1997-08-04 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Plasma processing method in semiconductor processing system |
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