KR950027918A - 플라즈마 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리장치가 내부를 관찰하기 위해 대향하는 적어도 1쌍의 창부를 가진 처리실과, 이 처리실내에서 플라즈마를 발생시키는 발생유니트와, 처리실의 외부에서 대향하는 1쌍의 창부의 한쪽을 통해서 플라즈마의 발광을 모니터하는 플라즈마 발광모니터 유니트와, 과 처리실의 외부에서 대향하는 1쌍의 창부의 플라즈마 발광 모니터 유니트와 반대쪽에 대향하는 1쌍의 창부를 통해서 플라즈마 발광모니터 유니트에 참조광을 조사하는 참조광조사유니트와, 플라즈마 발광모니터유니트로 모니터한 플라즈마의 발광과 참조광과의 데이터를 비교하여 상기 피처리기판의 플라즈마 처리상태를 제어하는 제어유니트를 구비한다.

Description

플라즈마 처리장치 및 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 전체구성을 도시하는 블록도,
제2도는 플라즈마 차폐수단을 채용한 본 발명의 전체구성을 도시하는 블록도,
제3도는 스펙트럼의 보정처리의 결과를 도시하는 도면.

Claims (15)

  1. 플라즈마 처리실내에서 발생하고 있는 플라즈마의 발광과, 상기 플라즈마 처리실의 외부 광원에서 발사하여 상기 플라즈마 처리실내부를 통과한 스펙트럼이 기지인 광과를 검출하는 스텝과, 상기 플라즈마의 발광과 상기 스펙트럼 기지의 광과의 스펙트럼의 차를 구하는 스텝과, 상기 스펙트럼의 차에서 상기 플라즈마 처리실의 내부상태를 판정하는 스텝과, 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 스텝과를 구비하는 웨이퍼의 플라즈마 처리방법.
  2. 웨이퍼 또는 막을 형성하는 원소의 스펙트럼 강도의 경시변화를 검출하고 이것을 평활처리하는 스텝과, 2계미분한때의 최대치를 에칭 전면 종료의 점으로 하고, 그 최대치에서 시간변화와 반대쪽으로 검색하여 절선근사를 한 절선의 경사가 특정치 이상의 절선의 구성점을 에칭종료개시의 점으로 하는 스텝과, 상기 전면종료의 점과 상기 종료개시의 점으로부터 상기 플라즈마 처리의 균일성을 검출하는 스텝을 구비하는 웨이퍼의 플라즈마 처리방법.
  3. 내부에 피처리기판을 배치하여 처리가스를 소정의 압력으로 유지하고, 상기 내부를 관찰하기 위해 대향하는 적어도 1쌍의 창을 가진 처리실과, 상기 처리가스를 소정의 압력으로 유지한 처리실내에서 플라즈마 발생시키는 플라즈마 발생수단과, 상기 처리실의 외부에서 상기 대향하는 1쌍의 창의 한쪽을 통해서 상기 플라즈마 발광을 모니터하는 플라즈마 발광모니터 수단과, 상기 처리실의 외부에서 상기 대향하는 1쌍의 창의 상기 플라즈마 발광모니터 수단과 반대의 쪽에서 상기 대향하는 1쌍의 창을 통해서 플라즈마 발광모니터 수단에 참조광을 조사하는 참조광조사수단과, 상기 플라즈마 발광모니터 수단으로 모니터한 상기 플라즈마의 발광과 상기 참조광과의 데이터에 의거하여 상기 피처리기판의 플라즈마 처리상태를 제어하는 제어수단과를 구비하는 플라즈마 처리장치.
  4. 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리장치는 기지스펙트럼 광원과 플라즈마 발광을 밖으로 꺼내기 위한 채광부와, 상기 채광부를 통하여 처리실을 관통하는 광학계와, 처리실을 통하지 않는 광학계와 스펙트럼 분석을 행하는 분광기를 구비하고, 상기 광원이 발생하는 광을 각 광학계를 거쳐 분광기에 의해 얻어진 스펙트럼의 차에서 상기 채광부의 내면상태를 검출하고, 또 검출한 내면상태로부터 상기 처리실의 내면상태를 검출하는 플라즈마 처리장치.
  5. 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 구비되어 플라즈마 발광을 밖으로 꺼내는 채광부와, 상기 채광부의 플라즈마측에 구비된 플라즈마를 차폐하는 수단을 가지며, 상기 플라즈마 차폐수단은, 플라즈마가 침입할 수 없는 직경에 대하여 축방향이 5배이상 긴 원통상의 구멍을 복수개 설치하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 플라즈마 차폐수단은 채광부측에서 플라즈마측으로 불활성가스를 흘리는 구조를 가지는 플라즈마 처리장치.
  7. 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리장치의 처리실은 플라즈마 발광을 밖으로 꺼내는 채광부를 가진 처리실과, 또 플라즈마 차폐수단을 플라즈마측에 설치한 채광부와, 각 채광부에서 채취한 플라즈마 발광스펙트럼을 비교함으로써 채광부의 내면상태를 검출하는 수단을 가지는 플라즈마 처리장치.
  8. 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리장치의 처리실은 플라즈마 발광을 밖으로 꺼내는 채광부를 가지며, 상기 채광부에서 채광한 플라즈마 발광 스펙트럼에서 상기 웨이퍼의 처리결과를 검출하는 기능을 가지는 플라즈마 처리장치.
  9. 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리장치의 처리실은 플라즈마 발광을 밖으로 꺼내는 채광부와, 상기 채광부에서 채광한 플라즈마 발광 스펙트럼이 일정하게 되도록 상기 처리장치의 처리조건을 제어하는 수단을 가지는 플라즈마 처리장치.
  10. 진공을 보지하는 구조를 가진 처리실과, 상기 처리실에 에칭가스를 도입하는 수단과, 상기 처리실내에 플라즈마를 발생유지하는 수단과, 플라즈마 상태를 관찰함으로써 웨이퍼의 에칭처리 특성을 감시하는 수단과를 가지는 플라즈마 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 플라즈마 상태의 감시수단은 플라즈마 발광스펙트럼을 사용하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제10항에 있어서, 플라즈마 상태의 감시 결과에 대하여 처리의 설정조건의 실효적인 값을 추정하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제10항에 있어서, 플라즈마 상태의 감시 결과에 상이한 플라즈마에칭 장치간의 처리특성의 차를 검출하는 플라즈마 처리장치.
  14. 플라즈마 처리장치의 운전상태를 측정하는 기구와, 상기 운전상태를 기억하는 기구와, 복수개의 상기 운전상태에서 통상의 운전상태와 그 범위를 구하는 기구와, 상기 통상의 운전상태와 현재의 운전상태를 비교, 평가하는 기구로 되는 플라즈마 처리상태의 상태 검출장치.
  15. 장치의 평균적인 상태를 다수의 상태를 측정하고, 측정한 데이터를 통계적으로 처리하여 구하며 상기 평균적인 상태와 현재의 장치상태를 비교하여 장치의 상태를 평가하는 플라즈마 처리장치의 장치상태 검출방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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