KR950010713A - 플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치 - Google Patents

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지시오 고시미즈
가즈오 에구치
기미히로 히구치
요이치 데구치
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이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
이노우에 쥰이치
도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼가이샤
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Abstract

개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다.
그 방법은 플라즈마 내의 C2에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수단에 의하여 검출하는 단게와 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과 한쌍의 전극과 광수집기구와 광검출기, 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원통형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.

Description

플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 제14는 본 발명에 따른 종점 검출장치를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 요부를 설명하기 위한 도면.

Claims (20)

  1. 피처리물상에 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법으로서;상기 플라즈마 내의 C2에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수단에 의하여 검출하는 단계; 및 상기 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가 에칭인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 탄소화합물을 포함하는 가스가 상기 플라즈마 처리에서 사용되는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스는 CF4가스, C2F6가스, C4F8가스 및 CHF3가스로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 방법.
  5. 제3항에 있어서, CO가스가 상기 가스가 추가되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, C2에 대하여 특정한 파장대역은 465 내지 474nm의 범위에 걸친 파장대역, 505 내지 517nm의 범위에 걸친 파장대역, 및 550 내지 564nm의 범위에 걸친 파장대역으로 구성되는 군중에서 선택된 하나인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 방출 스펙트럼은 상기 파장대역중의 하나를 넘는 범위인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 최대한 10-2Torr의 압력에서 행해지는 방법.
  9. 적어도 탄소 및 불소로 만들어진 화합물을 포함하는 가스의 플라즈마를 사용함으로써 적어도 실리콘을 포함하는 재료로 만들어진 피처리물에 수행된 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법으로서;광학적 검출수단에 의하여 C2에 특정한 파장대역을 넘는 방출스펙트럼 및 SI 또는 SiFx(X=1 내지 3)에 특정한 파장대역을 넘는 방출스펙트럼을 검출하는 단계와; 상기 방출 스펙트럼들의 방출강도를 측정하고 상기 방출강도의 방출강도들 사이의 차이 또는 비율을 얻는 단계 및;소정의 기준치와 상기 비율 또는 차이를 비교함으로써 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 피처리물은실리콘 산화막인 방법.
  11. 제10항에 있어서, C2에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출스텍트럼의 대신에, CFY(Y=1 또는 2)에 특정한 파장 대역을 넘는 방출스펙트럼이 검출되는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 CO가스가 상기 가스에 추가되는 방법.
  13. 제9항에 있어서, C2에 대하여 특정한 파장대역은 465 내지 474nm의 범위에 걸친 파장대역, 505 내지 517nm의 범위에 걸친 파장대역, 및 550 내지 564nm의 범위에 걸친파장대역으로 구성되는 군중에서 선택된 하나인 방법.
  14. 피처리물상에 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 장치로서;플라즈마처리시에 발생된 C2에 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 검출하기 위한 제1광학적 검출수단; 및 상기 제1광학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도로 부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 수단을 포함하여 구성되는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 플라즈마 처리동안에 발생된 활성종에 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 검출하기 위한 제2광학검출수단을 더욱 포함하여 구성되는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1광학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도와 상기 제2강학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도 사이의 비 또는 차이를 계산하기 위한 계산수단을 더욱 포함하는 장치.
  17. 감시창을 가지는 처리실과;상기 처리실내에 위치하며 그중 한개는 피처리물을 지지하도록 마련되며, 그들 사이에 고주파 전력이 인가되어 처리가스를 플라즈마로변환하도록 하는 한쌍의 전극과;상기 감시창을 통과한 플라즈마로부터 방출스펙트럼을 검출하는 제1광학 검출수단;및 상기 제1광학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 감시창은 상기 처리실로부터 돌출하는 원통형 부재의 먼쪽 끝단에 유지되며, 상기 원통형 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생되는 가스를 빼내는 좁은 가스 통로를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 원통형 부재는 온도 조정수단을 포함하여 구성되는 장치.
  19. 제17항에 있어서, 플라즈마 처리시에 발생된 활성종에 특정한 파장 대역을 넘는 방출 스펙트럼을 검출하기 위한 제2광학검출수단을 더욱 포함하여 구성되는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1광학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도와 상기 제2광학검출수단에 의하여 검출된 방출스펙트럼의 방출강도 사이의 비또는 차이를 계산하기 위한 계산수단을 더욱 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940025027A 1993-09-30 1994-09-30 플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치 KR100290750B1 (ko)

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