KR950006998A - 플라즈마처리의 종점검지 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마처리의 종점검지 방법 및 장치 Download PDF

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이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤
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도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명은 피처리물에 대하여 플라즈마를 사용한 처리가 수행될 때, 광검출기 수단에 의하여 플라즈마내의 활성종의 특정 파장대역에 있어서의 방출 스펙트럼을 연속적으로 검지하는 단계와, 방출 스펙트럼의 방출강도의 합계 평균치를 계산하는 단계와, 계산치를 얻기 위하여 합계평균치들 사이의 편차 또는 비율을 계산하는 단계 및 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 종점 검지방법을 제공하는 것이다.

Description

플라즈마처리의 종점검지 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 종전검지장치를 포함하는 플라즈마처리 시스템의 요부를 각각 설명하기 위한 도면.
제2도는 제1도의 종점 검지장치를 나타내는 블록도.
제4도는 제1도내의 종점 검지장치에 의하여 구현되는 본 발명의 실시예에 따른 종점 검지방법을 나타내는 플로우 챠트.

Claims (14)

  1. 피처리물에 대하여 플라즈마를 사용한 처리가 수행될 때, 광검출기 수단에 의하여 플라즈마내의 활성종의 특정 파장대역에 있어서의 방출 스펙트럼을 연속적으로 검지하는 단계와; 방출 스펙트럼의 방출 강도의 합계평균치를 계산하는 단계와; 계산치를 얻기 위하여 합계 평균치들 사이의 편차 또는 비율을 계산하는 단계 및; 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 종점 검지방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성종의 특정 파장대역은 상기 활성종의 방출강도가 다른 활성종의 방출강도의 피이크치보다 강하게 나타나는 영역으로 설정되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 활성종은 플라즈마 처리에 의하여 형성된 반응생성물 및 처리가스의 성분으로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 활성종의 특정 파장대역은 실리콘의 방출강도의 피이크치를 포함하지 않는 영역으로 설정되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리가 에칭인 방법.
  6. 피처리물에 대하여 플라즈마를 사용한 처리가 수행될 때, 광검출기 수단에 의하여 플라즈마내의 적어도 한 개의 제1활성종의 특정 파장대역에 있어서의 방출 스펙트럼과 적어도 한 개의 제2활성종의 방출강도의 피이크치를 연속적으로 검지하는 단계와; 방출 스펙트럼의 방출 강도의 합계평균치를 계산하는 단계와; 계산치를 얻기 위하여 방출강도의 피이크치와 합계 평균치 사이의 편차 또는 비율을 계산하는 단계 및; 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 종점 검지방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1활성종의 특정 파장대역 또는 상기 제2활성종의 방출강도의 피이크치는 상기 제1 또는 제2활성종의 방출강도가 다른 활성종의 방출강도들의 피이크치들보다 강하게 나타나는 영역에 설정되는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 또는 제2활성종은 플라즈마 처리에 의하여 형성되는 반응생성물 및 처리가스의 성분으로부터 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1활성종의 특정 파장대역 및 상기 제2활성종의 방출강도의 피이크치는 실리콘의 방출강도의 피이크치를 포함하지 않는 영역에 설정되는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 일산화탄소의 방출강도의 피이크치가 상기 제2활성종의 피이크치로서 사용되는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리가 에칭인 방법.
  12. 플라즈마를 사용한 처리가 피처리물에 대하여 수행될 때의 특정 파장대역에서 발생한 방출 스펙트럼을 광검출수단을 사용하여 검지함으로써, 얻어지는 방출스펙트럼의 방출강도의 합계 평균치를 계산하기 위한 합계 평균치 계산수단과; 계산치를 얻기 위하여 합계 평균치들 사이의 편차 또는 비를 계산하기 위한 계산수단 및; 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 종점으로 결정하기 위한 결정수단을 포함하여 구성되는 종점 검지장치.
  13. 처리실내에 배치되며, 이들 중의 한 개에 피처리물이 놓여지며, 그들 사이에 RF전원을 인가함으로써 처리가스를 플라즈마로 변화하는 한쌍의 전극과; 상기 처리실내의 플라즈마로부터 방출된 광을 집속하기 위한 광집속수단과; 상기 광집속수단에 의하여 집속된 광으로부터의 방출 스펙트럼을 검지하기 위한 광검출수단과; 상기 광검출수단으로부터의 정보의 근거하에 방출강도의 합계평균치를 계산하기 위한 합계평균치 계산수단과; 계산치를 얻기 위하여 합계 평균치들 사이의 편차 또는 비를 계산하기 위한 수단 및; 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 결정수단을 포함하여 구성되는 플라즈마 처리시스템.
  14. 제13항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리가 에칭인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020787A 1993-08-23 1994-08-23 플라즈마처리의종점검지방법및장치 KR100263406B1 (ko)

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