KR900014636A - 시료처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

시료처리 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일시예의 플라즈마 에칭장치의 장치 구성도.
제2도는 제1도의 플라즈마 에칭장치를 사용하여 처리되는 시료의 일예의 요부 단면도.
제3도는 제2도에 나타난 시료의 에칭처리후의 요부 단면도이다.

Claims (19)

  1. 에칭용 가스를 플라즈마화하는 공정과, 상기 에칭용 가스의 플라즈마를 이용하여 시료를 에칭처리하는 공정과, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 부착물을 상기 시료로부터 제거가능한 방식용 가스를 플라즈마화하는 공정과, 상기 에칭 처리 완료의 시료를 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 방식처리하는 공정을 가지는 시료처리방법.
  2. 제1항에 있어서, AI막, Al합금막 또는 이들의 막과 베리어 메틸과의 다층구조막을 가지는 시료를, 할로겐 가스의 플라즈마를 이용하여 에칭처리하고, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 할로겐을 포함하는 부착물을 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 상기 시료로 부터 제거하는 시료처리방법.
  3. 제2항에 있어서, AI막, Al합금막 또는 이들의 막과 베리어 메틸과의 다층구조막을 가지는 시료를, 염소를 함유하는 가스의 플라즈마를 이용하여 에칭처리하고, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 염소를 함유하는 부착물을, 염소가스의 플라즈마를 이용하여 상기 시료로 부터 제거하는 시료처리방법.
  4. 제2항에 있어서, AI막, Al합금막 또는 이들의 막과 베리어 메틸과의 다층구조막을 가지는 시료를, 염소를 함유하는 가스의 플라즈마를 이용하여 에칭처리하고, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 염소를 함유하는 부착물을, 불활성가스의 플라즈마를 이용하여 상기 시료로 부터 제거하는 시료처리방법.
  5. 제2항에 있어서, AI막, Al합금막 또는 이들의 막과 베리어 메틸과의 다층구조막을 가지는 시료를, 염소를 함유하는 가스의 플라즈마를 이용하여 에칭처리하고, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 염소를 함유하는 부착물을, 염소가스와 불활성가스 이외의 가스로 퇴적성이 없는 가스와의 혼합을 가스로서, 상기 염소가스를 적어도 90% 함유하는 혼합가스의 플라즈마를 이용하여 상기 시료로 부터 제거하는 시료처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 마이크로파 전계와 자계와의 상승작용에 의하여 상기 방식용 가스를 플라즈마화하고, 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용한 상기 시료의 방식 처리 공정중에 상기 시료에 바이어스를 인가하는 시료처리방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 시료의 에칭처리와 방식처리를, 동일 또는 별개의 처리 공간에서 실시하는 시료처리방법.
  8. 할로겐 가스의 플라즈마를 이용하여 Al막, Al합금막 또는 이들의 막과 베리어 메틸과의 다층구조막을 가지는 시료를 에칭처리하는 공정과, 상기 시료의 에칭처리에서 생기는 할로겐을 함유하는 부착물을 제거가능한 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 상기 에칭처리완료를 방식처리하는 공정과, 상기 방식처리 완료 시료를 패시 베이션 처리하는 공정을 가지는 시료처리방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 방식 처리 완료 시스템을, 산소가스 또는 산소를 함유하는 가스의 플라즈마를 이용하여 패시베시션 처리하는 시료처리방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 방식 처리 완료 시료를 오존을 이용하여 패시베이션 처리하는 시료처리방법.
  11. 에칭용 가스를 플라즈마화하는 수단과, 상기 에칭용 가스의 플라즈마를 이용한 시료의 에칭처리에서 생기는 부착물을 제거 가능한 방식용 가스를 플라즈마화하는 수단과, 상기 에칭용 가스의 플라즈마 및 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 처리되는 시료를 유지하는 수단을 구비한 시료처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 에칭용 가스를 플라즈마화하는 수단이, 감압배기되는 처리실 내에 도입된 상기 에칭용 가스를 마이크로파 전계와 자계와의 상승작용에 의하여 플라즈마화하는 수단이고, 상기 방식용 가스를 플라즈마화하는 수단이, 감압배기되는 처리실내에 도입된 상기 방식용 가스를 마이크로파 전계와 자계와의 상승작용에 의하여 플라즈마화하는 수단이고, 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 처리되는 시료를 유지하는 수단이, 바이어스 이나되는 수단인 시료처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 처리되는 시료를 유지하는 수단에는, 고주파 전원이 접속되는 시료처리장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 에칭용 가스 및 방식용 가스가 도입되는 상기 처리실이, 동일한 처리실인 시료처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 에칭용 가스 및 방식용 가스를 상기 처리실내에 도입하는 수단이, 상기 에칭용 가스와 방식용 가스와의 상기 처리실 내에의 도입을 절환하는 수단을 가지는 시료처리장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 에칭용 가스가 도입되는 상기 처리실과, 상기 방식용 가스가 도입되는 상기 처리실과는 다른 시료처리장치.
  17. 에칭가스를 플라즈마화 하는 수단과, 상기 에칭용 갓의 플라즈마를 이용하여 시료가 에칭처리되는 처리실과, 상기 시료의 에칭 처리에서 생기는 부착물을 제거 가능한 방식용 가스를 플라즈마화하는 수단과, 상기 에칭처리 완료 시료가 상기 방식용 가스의 플라즈마를 이용하여 방기 처리되는 처리실과, 상기 방식 완료 시료가 패시베이션 처리되는 처리실을 구비한 시료처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 패시베이션 처리용의 처리실이, 산소가스 또는 산소를 함유하는 가스의 플라즈마를 이용하여 상기 방식 처리 완료 시료가 처리되는 처리실인 시료처리장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 패시베이션 처리용의 처리실이, 오존을 이용하여 상기 방식 처리 완료 시료가 처리되는 처리실인 시료처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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