JP2006120983A - プラズマエッチング方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 被エッチング物質としての金属膜をその物質の下層に存在する有機膜に対して選択的にエッチングできるようにしたプラズマエッチング方法を提供する
【解決手段】 被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、上記被エッチング物質は有機膜5に積層されたAu、Pt、Ag、Ti、TiN、TiO、Al、アルミニウム合金、あるいはこれらの膜の積層膜からなる金属膜3であって、上記エッチングガスはCl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスと、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスとした。
【選択図】 図2

Description

本発明はエッチングガスをプラズマ状態に励起して試料である被エッチング物質をエッチングするエッチング方法に関するものであり、特に被エッチング膜の下地物質が有機膜である試料を有機物質に対して選択的にエッチングするのに好適なエッチング方法に関するものである。
半導体デバイスのエッチング技術としては、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッチング等が知られている。これらのエッチング技術は、エッチングガスを、平行平板電極による高周波電界やサイクロトロン共鳴を使用しプラズマ状態に励起して被エッチング物質をエッチングするものである。また、これらのエッチング技術は、強誘電体メモリーで使用される不揮発性材料のエッチング技術としても使用されている。たとえば、被エッチング物質としてAl膜をエッチングする方法としては、エッチングガスとしてClを主体としBCl、を含む混合したガスのプラズマを用いることが一般的である。また、被エッチング物質としてAu膜をエッチングする方法としては、CFとOの混合ガスやCF以外のハロゲンガスの混合ガス、あるいはAr等の不活性ガスが用いられている(例えば、特許文献1,2参照)。
被エッチング物質のエッチングにおいては、エッチング性能として被エッチング物質を選択的にエッチングすることが要求される。つまり、フォトレジスト膜、酸化膜、あるいはナイトライド膜等の物質をマスク物質としエッチングする場合は、被エッチング物質をマスク物質に対して選択的にエッチングすることが要求される。言い換えれば、被エッチング物質のエッチング速度とマスク物質のエッチング速度の選択比を大きくすることが要求される。また、同様に被エッチング物質は下地物質に対しても選択的にエッチングすることが要求される。つまり、被エッチング物質のエッチング速度と下地酸化膜のエッチング速度の選択比を大きくすることが要求される。
従来使用されているエッチング技術では、被エッチング物質として、例えば図1に示すように、Si基板1上に酸化膜(SiO膜)2を形成しその上にAl膜3を生成した被エッチング材を、フォトレジスト膜4をマスクにしてAl膜3をエッチングする場合は、Clガス主体の混合ガスが使用されており、このガスをプラズマ化し、被エッチング物質であるAl膜3をエッチングする。このとき、下地物質である酸化膜2も同様なプラズマに晒されるためエッチングされる。
Al膜は、Cl主体の混合ガスから生成されるプラズマ中の塩素ラジカルおよび塩素イオンとの反応により塩化アルミニウムが主に生成されることでエッチングされる。また、下地の酸化膜もこのプラズマに触れることで、塩素ラジカルおよび塩素イオンとの反応により四塩化シリコンが主に生成されることでエッチングされる。
この時の分子の結合エネルギーを見ると、Al膜を構成するAl−Alの結合エネルギーは40kcal/molで、反応生成物である塩化アルミニウムを構成するAl−Clの結合エネルギーは118kcal/mol、下地物質である酸化膜を構成するSi−Oの結合エネルギーは192kcal/mol、反応生成物である四塩化シリコンを構成するSi−Clの結合エネルギーは77kcal/molとなっている。化学反応はこの結合エネルギー以上のエネルギーが加えられることにより、結合が切断されより別の結合形態となることで進行する。
この場合、下地物質の酸化膜のSi−Oの結合エネルギーがAl−Al、Al−Cl、Si−Clよりも大きいため、酸化膜よりAl膜の方のエッチングが進行し易い。つまり、Al膜のエッチング速度の方が酸化膜のエッチング速度より速くなり、Al膜を酸化膜に対して選択的エッチングすることが可能となる。
しかし、下地物質が有機膜の場合は、被エッチング膜であるAl膜をこの有機膜に対して選択的にエッチングすることは困難となる。例えば、図2に示すように、Si基板1の上に有機膜5を形成しその上にAi膜3を形成した被エッチング材を、フォトレジスト膜4をマスクとして下地物質である有機膜5上に積層されたAl膜3をエッチングする場合、Al膜3は、Cl主体の混合ガスから生成されるプラズマ中の塩素ラジカルおよび塩素イオンとの反応により塩化アルミニウムが主に生成されることでエッチングされる。また、下地の有機膜5もこのプラズマに触れることで、塩素ラジカルおよび塩素イオンとの反応により四塩化炭素が主に生成されることでエッチングされる。この時の分子の結合エネルギーを見ると、下地物質である有機膜5を構成するC−C、C−H、あるいはC−Fの結合エネルギーはそれぞれ144kcal/mol、81kcal/mol、および107kcal/molであり、下地物質が酸化膜の場合のSi−Oの結合エネルギーの192kcal/molより小さい数値であるため、酸化膜よりエッチングされ易くなる。つまり、下地物質が酸化膜から有機膜に変わることでAl膜の下地物質に対する選択比は小さくなる。一般的に知られているAl膜と下地物質の有機膜に対する選択比は2以下の値である。
また、AuやPtなどの不揮発性材料のエッチングには一般にハロゲンガスが使用されるが、その反応生成物の飽和蒸気圧はマスク材であるフォトレジストや下地物質である酸化膜あるいは有機膜の反応性生成物の飽和蒸気圧に比較し低いため、不揮発性材料のエッチングではマスク材のフォトレジストや下地物質の酸化膜あるいは有機膜に対して選択的エッチングを実施することは困難である。一般的に知られている不揮発性材料のAuやPtの下地物質の酸化膜あるいは有機膜に対する選択比は0.2〜0.8と1以下の値である。
特開平6−84839号公報 特開平6−112169号公報
この発明は、被エッチング物質としての金属膜である金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、チタン(Ti)、チタンナイトライド(TiN)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、あるいはこれらの膜の積層膜をその物質の下層に存在する有機膜に対して選択的にエッチングできるようにしたプラズマエッチング方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするプラズマエッチング方法において、上記被エッチング物質は有機膜に積層された金属膜であって、上記エッチングガスとして、塩素(Cl)、三塩化ホウ素(BCl)、臭化水素(HBr)のうちから選ばれる少なくとも1種のガスにジクロルメタン(CHCl)、ジブロムメタン(CHBr)、クロルメタン(CHCl)、ブロムメタン(CHBr)、フッ化メチル(CHF)、メタン(CH)のうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを用いた。
また、本発明は、被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、上記被エッチング物質は有機膜に積層された金属膜であって、上記エッチングガスとして、Cl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスにC、C、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを用い、上記被エッチング物質である金属膜を下地有機膜に対して選択的にエッチングするようにした。
さらに、本発明は、被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、上記被エッチング物質は金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、チタン(Ti)、チタンナイトライド(TiN)、酸化チタン(TiO)、アルミニウムニウム(Al)、アルミニウム合金、あるいはこれらの膜の積層膜であって、上記エッチングガスとして、Cl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスにC、C、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを用いた。
本発明は、被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、上記被エッチング物質は金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、チタン(Ti)、チタンナイトライド(TiN)、酸化チタン(TiO)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、あるいはこれらの膜の積層膜であって、上記エッチングガスとして、Cl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスにCHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを用い、上記被エッチング物質である金属膜を下地有機膜に対して選択的にエッチングするようにした。
本発明は、上記被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、上記被エッチング物質は比エッチング物質の温度が95℃以下に温度制御可能な電極の上に設置され、圧力範囲が0.06Paから1.2Paの領域でエッチングするようにした。
本発明は、上記被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、エッチングガスにアルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)のうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加する。
以上述べたように、本発明は、エッチングチャンバで有機膜上に積層された被エッチング物質である金属膜をエッチングする際、金属膜を下地物質の有機膜に対して選択的にエッチングすることが可能である。また、ロット内のウエハ処理間にクリーニングを実施することでチャンバー内の状態を良好に維持することができる。
(作用)
エッチングガスとしてCl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスにCHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CH、Arのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを用いれば、その混合割合を制御することで、被エッチング物質を下地物質である有機膜に対して所定のエッチング速度の選択比でエッチングできる。
以下、この発明の第1の実施例を、図3〜図8を参照して説明する。
エッチング装置としては、半導体基板上に形成された試料をエッチングする試料の処理装置において、プラズマ形成用のガスの供給を受け、ガスプラズマを発生し基板上に形成された金属材料をエッチングする処理装置を使用した。なお、本発明にかかるエッチング方法およびクリーニング方法が適用されるプラズマエッチング処理装置としては、マイクロ波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、へリコン波プラズマエッチング装置、2周波励起平行平板型プラズマエッチング装置等が採用される。
図3を用いて、本発明で用いるプラズマ処理装置の構成の概要を説明する。処理室内部は、プラズマ生成部を形成する石英もしくはセラミックの非導電性材料でなる放電部12と、被エッチング処理物である試料22を載置するための電極16が配置された処理部13とから成る。処理部13はアースに接地されており、電極16は、絶縁材を介して処理部13に取り付けられる。放電部12は、プラズマを生成するため、誘導結合アンテナ10a,10b、整合器14、第1の高周波電源20等が取り付けられている。本実施例は、典型的な例として、放電部12の外周にコイル状の誘導結合アンテナ10を配置したエッチング装置を使用した。処理室内部には、ガス供給装置15から処理ガスが供給される一方で、排気装置18によって所定の圧力に減圧排気される。ガス供給装置15より処理室内部に処理ガスを供給し、該処理ガスを誘導結合アンテナ10により発生する電界の作用によってプラズマ化する。また、プラズマ17中に存在するイオンを試料22に引き込むために、電極16に第2の高周波電源21によりバイアス電圧を印加する。発光モニタリング装置23で発光するエッチングガスの強度または反応生成物の発光強度の変化を捉えてエッチングの終点を定める。放電部12と誘導結合アンテナ10a、10bとの間にはファラデーシールド19が設けられており、電極16の周囲にはサセプタ24が、処理部13の内壁にはインナーカバー25がそれぞれ設けられる。
つぎに、上記プラズマ処理装置を用いて、図4に示す構造の被処理物22をエッチングする場合を説明する。図4に示す被処理物は、シリコン基板1に有機膜5が形成されており、この有機膜5上に被エッチング物質であるAu膜103が形成されている。このAu膜103を、Au膜103を被覆したフォトレジスト膜4をマスクとしてエッチングする場合、エッチングガスとしてCl(塩素)に、Ar(アルゴン)およびCHCl(ジクロルメタン)を混合したガスが用いられる。この混合ガスを励起してプラズマ状態にすると、塩素系のエッチング種とアルゴンイオン、およびCHClから生じる炭化水素系のイオン種を混合比に応じた割合で発生させることができる。
上記塩素系のエッチング種およびアルゴンイオンは、Au膜および有機膜の両方に対してエッチング作用を呈する。これに対して、CHClから生じる有機物はCHCl自身と同様に試料表面に堆積する作用を呈し、フォトレジスト4、Au膜103、および有機膜5上に付着しそれぞれの膜のエッチング速度を低下させるよう作用する。しかし、発明者は、ここで試料表面に堆積する堆積物の影響でAu膜103に対する有機膜5のエッチング速度の低下割合が大きくなる条件があることを見出した。つまり、本発明によれば、有機膜5のエッチング速度より堆積速度が大きくなり有機膜5のエッチングが進行しない状態が得られ、Au膜103を有機膜5に対して選択的にエッチングすることが可能となる。
本発明の特徴は、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加することで、下地物質である有機膜5上に有機物を堆積させ、被エッチング膜103を下地物質である有機膜5に対して選択的にエッチングできることにある。
図4に示す試料の各膜のそれぞれのエッチング速度を測定するため、図5に示す構造のシリコン基板1上にAu膜103を形成したAu膜エッチング速度測定用ウエハを用いてAu膜のエッチング速度を測定した。また、有機膜としては、代表的な膜としてフォトレジスト膜とポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度を測定した。図6にフォトレジスト膜のエッチング速度を測定するウエハ構造を示し、図7にポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度を測定するウエハ構造を示す。図6のフォトレジスト膜エッチング速度測定用ウエハは、シリコン基板1上にフォトレジスト膜4を形成した構造であり、ポリフッ化ビニリデン膜エッチング速度測定用ウエハは、シリコン基板1上にポリフッ化ビニリデン膜105を形成した構造である。エッチング速度は表1に示す条件で測定した。
Figure 2006120983
それぞれの膜のエッチング速度測定条件は、エッチングガスとして、Cl:10ml/min、Ar:60ml/min、CHCl:0〜30ml/minを用い、圧力0.3Pa、ソース高周波電力:800W、バイアス高周波電力:100W、ファラデーシールド電圧:900V、コイル電流比:0.8、電極温度:40℃であり、所定時間のエッチングを行った。
図8に、Cl/Ar/CHCl系のガス組成比と測定した各膜種のエッチング速度の実験結果を示す。図中の●でプロットされた曲線Aは、図5に示したAu膜エッチング速度測定用ウエハを用いて、Cl/Arの流量を10/60ml/minで一定とし、CHClを0〜30ml/minの範囲で変化させたときのAu膜のエッチング速度を示す。□でプロットされた曲線Bは、同上の条件で図6に示したフォトレジスト膜エッチング速度測定用ウエハを用いた有機膜であるフォトレジスト膜のエッチング速度を示し、■でプロットされた曲線Cは、同上の条件で図7に示したポリフッ化ビニリデン膜エッチング速度測定用ウエハを用いた有機膜であるポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度を示す。また、図9に、図8に示された各膜種のエッチング速度から計算される選択比を示す。図中の□でプロットされた曲線DはAu膜/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比を示し、■でプロットされた曲線EはAu膜/ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度の選択比を示す。
この実験結果から明らかなように、CHClの添加量に依存してAu膜のエッチング速度に対してフォトレジスト膜やポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度を大きく低下させる領域が存在する。これにより、Au膜/フォトレジスト膜、Au膜/ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度の選択比を大幅に増加でき、1以上の選択比が得られることが判明した。表2に示すように終点判定を実施するステップとオーバーエッチングのステップにCHClを添加し、ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度がゼロであるような条件で図4に示すウエハをエッチングし、20%のオーバーエッチングを実施したが下地物質であるポリフッ化ビニリデンはエッチングされていない結果が得られた。
Figure 2006120983
すなわち、エッチングガスとしてCl、ArにCHClを混合したガスを用いることで、Au膜と有機膜のエッチング速度の選択比を従来に比べて十分大きくすることができる。一般的にはAu/有機膜の選択比は1.0以下であるが、本発明では1.0以上の選択比が得られる。上記実施例ではてフォトレジストとポリフッ化ビニリデンの場合を示しているが、その他の有機膜についても十分な効果が得られる。
以下、この発明の第2の実施例を、図10〜図14を参照して説明する。図10は、この発明のプラズマエッチングを行うためのマイクロ波プラズマエッチング装置である。この装置ではエッチング処理室50にエッチングガス62を導入し、マイクロ波発信器51で発信されたマイクロ波を整合器52および導波管53を通しマイクロ波導入窓55よりエッチング処理室50に輸送してガスをプラズマ化する。高効率放電のため磁場発生用のソレノイドコイル54をエッチング処理室周辺に配置し、0.0875テスラの磁場をつくり電子サイクロトロン共鳴を用いて高密度プラズマを発生させる。エッチング処理室50には電極60があり、この上に被処理物22を設置して、ガスプラズマによりエッチングする。エッチング処理室50に導入されたエッチングガス62は、排気ポンプ57および排気配管58によりエッチング処理室50の外に排気される。被処理物を設置する電極60には高周波電源59が接続され、400kHzから13.56MHzの高周波バイアスを印加できる構造となっている。
つぎに、上記マイクロ波プラズマエッチング装置を用いて、図11に示す構造の試料61をエッチングする場合を示す。図11に示す被処理物61は、シリコン基板1にポリフッ化ビリニデン膜からなる有機膜105が形成されており、この有機膜105に被エッチング物質であるTiN膜7、Al膜3、TiN膜6が形成された積層膜となっている。この積層膜を被覆したフォトレジスト膜4をマスクとしてエッチングする場合、エッチングガスとして塩素(Cl)と三塩化ホウ素(BCl)に、ジクロルメタン(CHCl)を混合したガスを用いる。この混合ガスを励起してプラズマ状態にすると、塩素系のエッチング種、およびフォトレジスト膜やCHClから生成される堆積性がある炭化水素系の生成物を、混合比に応じた割合で発生させることができる。
上記塩素系のエッチング種は、積層膜の各膜であるTiN膜6、Al膜3および下地物質の有機膜105に対してエッチング作用を呈する。このとき、下地物質である有機膜105上に積層されたTiN膜7の下地物質である有機膜105に対する選択比は、有機膜を構成するC−C、C−H、あるいはC−Fの結合エネルギーが酸化膜を構成するSi−Oの結合エネルギーより小さいことから、下地物質が酸化膜である場合よりも小さくなる。一般にTiN膜7の有機膜105に対する選択比は2以下である。しかし、CHClの添加量を増加させると有機膜105のエッチング速度の低下量がTiN膜7のエッチング速度の低下量よりも大きくなる領域があり、この領域でエッチングを実施することで、TiN膜7を下地物質である有機膜5に対して選択的にエッチングできる。
図11に示す試料の各膜のエッチング速度を測定するため、図12に示す構造を有するTiN膜エッチング速度測定用ウエハによりTiN膜7のエッチング速度を測定した。TiN膜エッチング速度測定用ウエハは、シリコン基板1の表面にTiN膜7を生成して構成され、TiN膜7上にエッチングマスク用フォトレジスト膜4が設けられている。また、有機膜としては、フォトレジスト膜4とポリフッ化ビニリデン膜105のエッチング速度を測定した。フォトレジスト膜のエッチング速度を測定するフォトレジスト膜エッチング速度測定用ウエハとして図6に示す構造のものを、ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度を測定するポリフッ化ビニリデン膜エッチング速度測定用ウエハとして図7に示す構造のものを用いた。エッチング速度は表3に示す条件で測定した。
Figure 2006120983
すなわち、それぞれの膜のエッチング速度測定条件は、エッチングガスとして、Cl:10ml/min、BCl:60ml/min、CHCl:0〜40ml/minを用い、圧力0.6Pa、マイクロ波電力:600W、バイアス高周波電力:50W、電極温度:40℃であり、所定時間のエッチングを行った。
図13に、Cl/BCl/CHCl系のガス組成比と各膜種のエッチング速度の実験結果を示す。図中の●でプロットした曲線FはCl/BClの流量を60/60ml/minで一定とし、CHClを0〜40ml/minの範囲で変化させたときのTiN膜のエッチング速度を示す。■でプロットした曲線Gは有機膜であるフォトレジスト膜4のエッチング速度を示し、□でプロットした曲線Hは同じく有機膜であるポリフッ化ビニリデン膜105のエッチング速度を示す。また、図14に、図13に示された各膜種のエッチング速度から計算される選択比を示す。図中の□でプロットされた曲線JはTiN膜/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比を示し、■でプロットされた曲線KはTiN膜/ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度の選択比を示す。
この実験結果から明らかなように、CHClの添加量に依存してTiN膜7のエッチング速度に対してフォトレジスト膜4やポリフッ化ビニリデン膜105のエッチング速度を大きく低下させる領域が存在する。これにより、TiN膜/フォトレジスト膜、TiN膜/ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度の選択比を大幅に増加でき、2以上の選択比が得られることが判明した。表4に示すように終点判定を実施するステップとオーバーエッチングのステップにCHClを添加し、ポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度がゼロであるような条件で図11に示すTiN膜エッチング速度測定用ウエハをエッチングし、オーバーエッチングを実施しても下地物質であるポリフッ化ビニリデンのエッチング量が5nm以下である結果が得られた。
Figure 2006120983
以下、この発明の第3の実施例を、図15を参照して説明する。図10に示すマイクロ波プラズマエッチング装置を用いて、図11に示す構造の試料61を、エッチングガスとして塩素(Cl)と三塩化ホウ素(BCl)に、フッ化メタン(CHF)を混合したガス用いた場合の例を示す。エッチング速度は、表5に示す条件で測定する。図12に示すTiN膜エッチング速度測定用ウエハによりTiN膜のエッチング速度を測定し、図6に示すフォトレジスト膜のエッチング速度測定用ウエハによりフォトレジスト膜のエッチング速度を測定する。
Figure 2006120983
図15に、Cl/BCl/CHF系のガス組成比と各膜種のエッチング速度の実験結果を示す。図中の●でプロットした曲線LはCl/Arの流量を60/60ml/minで一定とし、CHClを0〜30ml/minの範囲で変化させたときのTiN膜のエッチング速度を示す。□でプロットした曲線Mは有機膜であるフォトレジスト膜のエッチング速度を示す。
この実験結果から明らかなように、CHFの添加量に依存してTiN膜のエッチング速度に対してフォトレジスト膜のエッチング速度を大きく低下させる領域が存在する。これにより、TiN膜/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比を大幅に増加でき、2以上の選択比が得られることが判明した。
以下、この発明の第4の実施例を、図16、図17を参照して説明する。図3に示すプラズマ処理装置を用いて、図5に示すAu膜エッチング速度測定用ウエハによりAu膜のエッチング速度を測定し、図6に示すフォトレジスト膜のエッチング速度測定用ウエハによりフォトレジスト膜のエッチング速度を測定する。各膜のエッチング速度は、下記表6に示す条件で測定した。
Figure 2006120983
それぞれの膜のエッチング速度測定条件は、エッチングガスとしてCl:8ml/min、Ar:52ml/min、CHCl:15ml/minを用い、圧力0.06〜2.0Pa、ソース高周波電力:600W、バイアス高周波電力:100W、ファラデーシールド電圧:500V、コイル電流比:0.8、電極温度:40℃であり、所定時間のエッチングを行った。
図16に、Cl/BCl/CHCl系のガスの組成比と各膜種のエッチング速度の実験結果を示す。図中で●でプロットした曲線Pは圧力を0.06〜2.0Paで変化させたときのAu膜エッチング速度を示す。○でプロットした曲線RはAu膜エッチング速度の均一性を示す。▲でプロットした曲線Qはフォトレジスト膜のエッチング速度を示す。また、図17に図16に示された各膜種のエッチング速度から計算される選択比を示す。図中■でプロットした曲線SはAu膜・フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比を示す。
この実験から明らかなように、圧力が低い領域でAu/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比が高いことが判明した。また、Au膜の均一性は圧力が1.2Paを超えた時点から急激に悪化し、±15%以上の値となる結果が得られた。したがって、2以上のAu膜/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比が得られ、エッチング速度の均一性が悪化しない領域としては、圧力が1.2Pa以下の領域となる。また、圧力が0.06Pa以下でも高いAu膜/フォトレジスト膜のエッチング速度の選択比が得られるが、Au膜エッチング速度が低下する結果が得られた。
本発明は、エッチングガスにアルゴン(Ar)またはクリプトン(Kr)もしくはキセノン(Xe)のうちから選ばれる少なくとも、1種のガスを添加しても同様の効果を得ることができる。
以上の説明では、本発明は、有機膜上に形成した金属膜のエッチング方法について説明したが、本発明によるエッチング方法をプラズマ処理装置のクリーニングに用いることができる。すなわち、プラズマ処理装置において、in−situで本発明のエッチング方法を適用することにより、プラズマ処理装置のクリーニングを目的とした処理を行うことができる。すなわち、ロット内またはロット内の任意のウエハ毎に、被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にCl、BCl、Arのうちから選ばれる少なくとも1種のガスと、O、CFのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスからなるクリーニングガスを導入し、このクリーニングガスをプラズマ状態に励起してプラズマ処理装置内をクリーニングすることができる。
上記のクリーニングにおいては、クリーニングガスに、Clに、O、CFから選ばれる少なくとも1種のガスを混合して使用する工程と、Clに、Ar、BClから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを使用してプラズマ処理する工程とを有してクリーニングする。また、クリーニングガスとして、少なくともClと、O、CF、Arから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを使用することができる。なお、上記前後の工程は逆であっても本発明は達成可能であり、工程の前後によってその効果が左右されるものではない。
すなわち、本発明は、ウエハ処理間にin−situでクリーニングを目的としたプラズマクリーニングを、ロット内およびロット内の任意のウエハ毎で行うことを特徴としたクリーニング方法であり、クリーニングガスがO、CFから選ばれる少なくとも1種のガスとArの混合ガスを使用する工程と、Clに、Ar、BCl、から選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスを使用する工程とを有し、クリーニングガスが少なくともClと、O、CF、Arから選ばれる少なくとも1種のガスを含む混合ガスを使用する工程を有するものである。なお、上記前後の工程は逆であっても本発明は達成可能であり、工程の前後によってその効果が左右されるものではない。
本発明の特徴は、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHF、CHのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加することで下地物質である有機膜上に炭化水素系有機物を堆積させることで、被エッチング膜を下地物質である有機膜に対して選択的にエッチングできることにある。
なお、この発明は上記実施例に限定されず、種々変形可能である。例えば、被エッチング物質としてのAu膜やTiN膜は、Pt膜やTi膜あるいはTiO膜であっても良い。これらの場合は、Pt膜、Ti膜あるいはTiO膜が下地物質となる有機膜に対して選択的にエッチングすることができる。
アルミニウム膜構造ウエハの構造を説明する図。 下地物質が有機膜構造ウエハの構造を説明する図。 本発明の第1の実施例が適用されるプラズマ処理装置の構造を説明する断面図。 本発明の第1の実施例に用いるAu膜の試料の構造を説明する図。 本発明の実証に用いるAu膜のエッチング速度測定用試料の構造を説明する図。 本発明の実証に用いるフォトレジスト膜のエッチング速度測定用試料の構造を説明する図。 本発明の実証に用いるポリフッ化ビニリデン膜のエッチング速度測定試料の構造を説明する図。 本発明の第1の実施例における各膜のエッチング速度の測定結果を示す図。 本発明の第1の実施例における各膜のエッチング速度から算出される選択比を示す図。 本発明の第2、第3の実施例が適用されるプラズマ処理装置の構造を説明する断面図。 本発明の第2の実施例に用いるTiN/Al/TiN積層膜の試料の構造を説明する図。 本発明の第2、第3の実施例を実証するTiN膜のエッチング速度測定用試料の構造を説明する図。 本発明の第2の実施例における各膜のエッチング速度の測定結果を示す図。 本発明の第2の実施例における各膜のエッチング速度から算出される選択比を示す図。 本発明の第3の実施例における各膜のエッチング速度の測定結果と選択比を示す図。 本発明の第4の実施例における各膜のエッチング速度の測定結果を示す図。 本発明の第4の実施例における各膜のエッチング速度から算出される選択比を示す図。
符号の説明
1…Si基板、2…酸化膜、3…Al膜、4…フォトレジスト膜、5…有機膜、6…TiN膜(ARC膜)、7…TiN膜(バリア膜)、10a/10b…誘導結合アンテナ、12…放電部、13…処理部、14…整合器、15…ガス供給装置、16…電極、17…プラズマ、18…排気装置、19…ファラデーシールド、20…第1の高周波電源、21…第2の高周波電源、22…試料(被処理物質)、23…発光モニタリング装置、24…サセプタ、25…インナーカバー、103…Au膜、105…ポリフッ化ビニリデン膜、50…処理室、51…マイクロ波発信器、52…整合器、53…導波管、54…ソレノイドコイル、55…マイクロ波導入窓、56…アース、57…排気ポンプ、58…排気配管、59…高周波電源、60…電極、61…試料、62…エッチングガス

Claims (8)

  1. 被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、
    上記被エッチング物質は有機膜に積層された金属膜であって、
    上記エッチングガスは塩素(Cl)、三塩化ホウ素(BCl)、臭化水素(HBr)、のうちから選ばれる少なくとも1種のガスと、ジクロルメタン(CHCl)、ジブロムメタン(CHBr)、クロルメタン(CHCl)、ブロムメタン(CHBr)、フッ化メチル(CHF)、メタン(CH)のうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスであることを特徴とするエッチング方法。
  2. 請求項1記載のエッチング方法において、上記被エッチング物質は金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、チタン(Ti)、チタンナイトライド(TiN)、酸化チタン(TiO)、アルミニウムニウム(Al)、アルミニウム合金、或いはこれらの膜の積層膜であることを特徴とするエッチング方法。
  3. 被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、
    上記被エッチング物質は有機膜に積層された金属膜であって、
    上記エッチングガスはCl、BCl、HBrのうちから選ばれる少なくとも1種のガスにCH、CHCl、CHBr、CHCl、CHBr、CHFのうちから選ばれる少なくとも1種のガスを添加した混合ガスで上記被エッチング物質である金属膜を下地有機膜に対して選択的にエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
  4. 請求項3記載のエッチング方法において、上記被エッチング物質は金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、チタン(Ti)、チタンナイトライド(TiN)、酸化チタン(TiO)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、あるいはこれらの膜の積層膜であることを特徴とするエッチング方法。
  5. 請求項1乃至請求項4に記載のエッチング方法において、上記被エッチング物質は、比エッチング物質の温度が95℃以下に温度制御可能な電極の上に設置され、圧力範囲が0.06Paから1.2Paの領域でエッチングすることを特徴としたエッチング方法。
  6. 請求項1乃至請求項5に記載のエッチング方法において、エッチングガスにアルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)のうちから選ばれる少なくとも、1種のガスを添加することを特徴としたエッチング方法。
  7. 被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするエッチング方法において、
    上記被エッチング物質は有機膜に積層された金属膜であって、
    上記エッチングガスは塩素(Cl)、三塩化ホウ素(BCl)、臭化水素(HBr)、のうちから選ばれる少なくとも1種のガスと、プラズマ処理により堆積性を有する化合物を生成するガスを添加した混合ガスであることを特徴とするエッチング方法。
  8. 請求項7記載のエッチング方法において、前記堆積性を有する化合物は、有機物(CHx)であり、プラズマ処理により堆積性を有する化合物を生成するガスがジクロルメタン(CHCl)、ジブロムメタン(CHBr)、クロルメタン(CHCl)、ブロムメタン(CHBr)、フッ化メチル(CHF)、メタン(CH)のうちから選ばれる少なくとも1種のガスであることを特徴とするエッチング方法。
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