JPH0885885A - マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法Info
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- JPH0885885A JPH0885885A JP22297794A JP22297794A JPH0885885A JP H0885885 A JPH0885885 A JP H0885885A JP 22297794 A JP22297794 A JP 22297794A JP 22297794 A JP22297794 A JP 22297794A JP H0885885 A JPH0885885 A JP H0885885A
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- Japan
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- plasma
- cleaning
- microwave
- chamber
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズ
マクリーニング時間の短縮が図れ、再現生のよい、稼働
率の高い装置を提供することを目的とした。 【構成】処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持
されるプラズマ発生室（１０）と、該プラズマ発生室
（１０）に、マイクロ波を導入するマイクロ波発生源
（１８）を有する導波管（１７）と、プラズマ発生室を
減圧状態に保つ排気機構と（１６）を有したマイクロ波
プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズ
マを利用して試料を処理する毎に、プラズマ発生室をプ
ラズマクリーニングする。
マクリーニング時間の短縮が図れ、再現生のよい、稼働
率の高い装置を提供することを目的とした。 【構成】処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持
されるプラズマ発生室（１０）と、該プラズマ発生室
（１０）に、マイクロ波を導入するマイクロ波発生源
（１８）を有する導波管（１７）と、プラズマ発生室を
減圧状態に保つ排気機構と（１６）を有したマイクロ波
プラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズ
マを利用して試料を処理する毎に、プラズマ発生室をプ
ラズマクリーニングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及び半
導体製造装置の運営方法に係わり、特にＣＶＤ、スパッ
タリング装置、ドライエッチ装置のクリーニング方法に
関するものである。
導体製造装置の運営方法に係わり、特にＣＶＤ、スパッ
タリング装置、ドライエッチ装置のクリーニング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の各装置のクリーニング方法は、例
えば特開平４ー２２９８５号公報に記載のように、マイ
クロ波と磁場を利用したプラズマ反応装置において、磁
場条件を可変にすることにより、プラズマ反応室内をク
リーニングするものがある。
えば特開平４ー２２９８５号公報に記載のように、マイ
クロ波と磁場を利用したプラズマ反応装置において、磁
場条件を可変にすることにより、プラズマ反応室内をク
リーニングするものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、炭素
を主成分とした付着物のみしか対象としていない。
を主成分とした付着物のみしか対象としていない。
【０００４】ドライエッチング装置などに付着する反応
生成物は、炭素以外に、無機物も含まれ、最適なガスの
選択、組み合わせ、クリーニング条件等が必要である。
生成物は、炭素以外に、無機物も含まれ、最適なガスの
選択、組み合わせ、クリーニング条件等が必要である。
【０００５】また上記従来技術は、装置稼働効率にたい
しても配慮されておらず、クリーニング頻度、シーケン
スにたいして検討する必要がある。
しても配慮されておらず、クリーニング頻度、シーケン
スにたいして検討する必要がある。
【０００６】本発明の目的は、プラズマクリーニング時
間の短縮が図れ、再現性のよい、稼働率の高いマイクロ
波プラズマ装置のクリーニング方法を提供することにあ
る。
間の短縮が図れ、再現性のよい、稼働率の高いマイクロ
波プラズマ装置のクリーニング方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させる為
に、炭素以外の無機物を主とした生成物にたいしては、
たとえば、Ｃｌ、ＳＦ6、ＮＦ3ガスを添加、又は単独で
プラズマクリーニングすることにより、気相反応させ除
去するものである。
に、炭素以外の無機物を主とした生成物にたいしては、
たとえば、Ｃｌ、ＳＦ6、ＮＦ3ガスを添加、又は単独で
プラズマクリーニングすることにより、気相反応させ除
去するものである。
【０００８】又、炭素と無機物の混合した生成物にたい
しては、Ｏ2とＣｌ、ＳＦ6、ＮＦ3の混合比を変えるこ
とにより生成物を除去するものである。
しては、Ｏ2とＣｌ、ＳＦ6、ＮＦ3の混合比を変えるこ
とにより生成物を除去するものである。
【０００９】さらに、プラズマ発生条件、例えば マイ
クロ波出力、磁場条件、を変えることによりプラズマを
移動させ処理室内全面の生成物を除去するものである。
また、反応生成物の付着しやすい試料台は、高周波電
源、直流電源により負電位とすることで反応生成物をス
パッタ除去するものである。
クロ波出力、磁場条件、を変えることによりプラズマを
移動させ処理室内全面の生成物を除去するものである。
また、反応生成物の付着しやすい試料台は、高周波電
源、直流電源により負電位とすることで反応生成物をス
パッタ除去するものである。
【００１０】さらに、装置稼働率と付着物除去性を向上
させるため、ウェハ処理毎にプラズマクリーニングを行
うものである。
させるため、ウェハ処理毎にプラズマクリーニングを行
うものである。
【００１１】
【作用】Ｃｌ、ＳＦ6、ＮＦ3ガスを添加、又は単独でプ
ラズマクリーニングすることにより、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌな
どの無機物はＴｉＣｌ4、ＷＦ6、ＡｌＣｌ3等となり除
去できる。
ラズマクリーニングすることにより、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌな
どの無機物はＴｉＣｌ4、ＷＦ6、ＡｌＣｌ3等となり除
去できる。
【００１２】又、Ｃｌ、ＳＦ6、ＮＦ3ガスをＯ2ガスに
添加することにより、炭素と無機物の混合した生成物
は、炭素はＯと、無機物は前記反応により除去される。
添加することにより、炭素と無機物の混合した生成物
は、炭素はＯと、無機物は前記反応により除去される。
【００１３】さらに、上記ガスの組み合わせと、プラズ
マ発生条件を変えプラズマを移動させることにより、処
理室内全面の生成物を除去する。
マ発生条件を変えプラズマを移動させることにより、処
理室内全面の生成物を除去する。
【００１４】さらに、上記ガスの組み合わせと、前記請
求項１のガスと、プラズマ発生条件を変えプラズマを移
動させることと、試料台を、高周波電源、直流電源によ
り負電位とすることで反応生成物をスパッタ除去するこ
とが出来る。
求項１のガスと、プラズマ発生条件を変えプラズマを移
動させることと、試料台を、高周波電源、直流電源によ
り負電位とすることで反応生成物をスパッタ除去するこ
とが出来る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【００１６】図１に、マイクロ波プラズマエッチング装
置構成を示す。
置構成を示す。
【００１７】図１において、処理室１０の上部には石英
製の放電管１４が設けてあり、真空処理室を形成してい
る。処理室１０には真空処理室内にエッチング、クリー
ニング用ガスを供給するガス供給源（図示省略）につな
がるガス供給口１５が設けてあり、また、真空排気装置
（図示省略）につながる排気口１６が設けてある。処理
室１０には被エッチング材であるウェハ１３を配置する
試料台１１が設けてある。試料台１１には、高周波電源
１２が接続してあり、試料台１１に高周波電力を印加出
来る。放電管１４の外側には放電管１４を囲んで導波管
１７が設けてあり、さらに、外側には放電管１４内に磁
界を発生させるソレノイドコイル１９が設けてある。導
波管１７の端部にはマイクロ波を発振するマグネトロン
１８が設けてある。
製の放電管１４が設けてあり、真空処理室を形成してい
る。処理室１０には真空処理室内にエッチング、クリー
ニング用ガスを供給するガス供給源（図示省略）につな
がるガス供給口１５が設けてあり、また、真空排気装置
（図示省略）につながる排気口１６が設けてある。処理
室１０には被エッチング材であるウェハ１３を配置する
試料台１１が設けてある。試料台１１には、高周波電源
１２が接続してあり、試料台１１に高周波電力を印加出
来る。放電管１４の外側には放電管１４を囲んで導波管
１７が設けてあり、さらに、外側には放電管１４内に磁
界を発生させるソレノイドコイル１９が設けてある。導
波管１７の端部にはマイクロ波を発振するマグネトロン
１８が設けてある。
【００１８】このような構成による装置では、ガス供給
口１５から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給
するとともに、真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気
される。そして、導波管１７によってマグネトロン１８
からのマイクロ波を放電管１０内々に導入するととも
に、ソレノイドコイル１９によって磁界を形成し、マイ
クロ波の電界とソレノイドコイル１９による磁界との作
用によって放電管１４内の処理ガスをプラズマ化する。
さらに、高周波電源１２によって試料台１１に高周波電
力を印加しバイアス電圧を生じさせ、プラスマ中のイオ
ンをウェハ１３側に引き込み異方性エッチングを行わせ
るようにしている。
口１５から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給
するとともに、真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気
される。そして、導波管１７によってマグネトロン１８
からのマイクロ波を放電管１０内々に導入するととも
に、ソレノイドコイル１９によって磁界を形成し、マイ
クロ波の電界とソレノイドコイル１９による磁界との作
用によって放電管１４内の処理ガスをプラズマ化する。
さらに、高周波電源１２によって試料台１１に高周波電
力を印加しバイアス電圧を生じさせ、プラスマ中のイオ
ンをウェハ１３側に引き込み異方性エッチングを行わせ
るようにしている。
【００１９】図１に示すような装置を用い、ウェハを連
続で複数枚処理した時、ウェハから脱離したマスク成
分、被エッチング材反応生成物により真空処理室内は汚
染される。
続で複数枚処理した時、ウェハから脱離したマスク成
分、被エッチング材反応生成物により真空処理室内は汚
染される。
【００２０】このとき、ガス供給口１５から前記クリー
ニングガスを導入しプラズマを発生させ真空処理室内を
クリーニングする。
ニングガスを導入しプラズマを発生させ真空処理室内を
クリーニングする。
【００２１】又、クリーニング手順として、ウェハを１
〜ｎ枚処理毎にクリーニングすることにより、ウェハ処
理ごとに汚れの無い状態でエッチング出来、再現生良く
処理できる。かつ複数枚ごとにクリーニングする方法に
比べ、クリーニング時間を短縮できる。
〜ｎ枚処理毎にクリーニングすることにより、ウェハ処
理ごとに汚れの無い状態でエッチング出来、再現生良く
処理できる。かつ複数枚ごとにクリーニングする方法に
比べ、クリーニング時間を短縮できる。
【００２２】さらに、プラズマクリーニング時、汚れの
ひどい処理室部品箇所に、プラズマを近づけることもよ
り効果的である。
ひどい処理室部品箇所に、プラズマを近づけることもよ
り効果的である。
【００２３】上記クリーニング時、試料台１３に高周波
電源１２により高周波電力を印加しバイアスを掛けるこ
とにより試料台１３のクリーニングを行うことも出来
る。特に、クリーニングガスとしてはＣｌ2単独、Ｏ2＋
Ｃｌ2が効果がある。また希ガスとしてＸｅ，Ｈｅ，Ａ
ｒを加えてもよい。
電源１２により高周波電力を印加しバイアスを掛けるこ
とにより試料台１３のクリーニングを行うことも出来
る。特に、クリーニングガスとしてはＣｌ2単独、Ｏ2＋
Ｃｌ2が効果がある。また希ガスとしてＸｅ，Ｈｅ，Ａ
ｒを加えてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマクリーニング
時間の短縮が図れ、再現生のよい、稼働率の高い装置を
提供できる。
時間の短縮が図れ、再現生のよい、稼働率の高い装置を
提供できる。
【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ処
理装置を示す縦断面図である。
理装置を示す縦断面図である。
１０…真空処理室、１１…電極、１２…高周波電源、１
３…ウェハ、１４…放電管、１５…ガス導入口、１６…
排気口、１７…導波管、１８…マグネトロン、１９…ソ
レノイドコイル。
３…ウェハ、１４…放電管、１５…ガス導入口、１６…
排気口、１７…導波管、１８…マグネトロン、１９…ソ
レノイドコイル。
フロントページの続き (72)発明者 藤本 幸太郎 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 金清 任光 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 吉田 剛 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内
Claims (7)
- 【請求項１】処理ガスが供給されると共に、所定圧力が
保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室に、マ
イクロ波を導入するマイクロ波発生源を有する導波管
と、プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構とを具備
し、前記プラズマを利用して試料を処理する毎に、プラ
ズマ発生室をＯ2、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｃｌ、ＳＦ6、Ｎ
Ｆ3ガスでプラズマクリーニングすることを特徴とする
マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】請求項１記載のマイクロ波プラズマ装置の
クリーニング方法において、プラズマクリーニングを試
料処理１〜ｎ枚毎に実施、選択できることを特徴とする
マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】請求項１、２記載のマイクロ波プラズマ装
置のクリーニング方法において、プラズマクリーニング
時に試料台に試料の有無を選択し、実施することを特徴
とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】請求項１記載のマイクロ波プラズマ装置の
クリーニング方法において、前記プラズマクリーニング
を組み合わせて使用することを特徴とするマイクロ波プ
ラズマ装置のクリーニング方法。 - 【請求項５】請求項１記載のマイクロ波プラズマ装置の
クリーニング方法において、プラズマクリーニング時汚
れのひどい処理室部品箇所に、プラズマをちかずけるこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニング
方法。 - 【請求項６】請求項１記載のマイクロ波プラズマ装置の
クリーニング方法において、プラズマクリーニング時被
処理物載置台に高周波電源または直流電源により、バイ
アスをかけプラズマクリーニングすることを特徴とする
マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】処理用ガスを所定圧力に保持するプラズマ
発生室、該プラズマ発生室にマイクロ波を導入するマイ
クロ波発生源を有する導波管とを具備し、前記プラズマ
を利用して試料を処理する毎に、塩素を含むガスでプラ
ズマクリーニングすることを特徴とするマイクロ波プラ
ズマ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22297794A JP3404434B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22297794A JP3404434B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0885885A true JPH0885885A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3404434B2 JP3404434B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=16790865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22297794A Expired - Lifetime JP3404434B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3404434B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0791669A1 (en) * | 1996-02-21 | 1997-08-27 | Nec Corporation | Method for etching inside of cvd reaction chamber |
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
| US6939435B1 (en) | 2004-02-27 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and processing method |
| CN113351579A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-09-07 | 中南大学 | 一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒薄膜表面的方法 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22297794A patent/JP3404434B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0791669A1 (en) * | 1996-02-21 | 1997-08-27 | Nec Corporation | Method for etching inside of cvd reaction chamber |
| US5855689A (en) * | 1996-02-21 | 1999-01-05 | Nec Corporation | Method for etching inside of tungsten CVD reaction room |
| US6125859A (en) * | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
| US6939435B1 (en) | 2004-02-27 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and processing method |
| CN113351579A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-09-07 | 中南大学 | 一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒薄膜表面的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3404434B2 (ja) | 2003-05-06 |
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Legal Events
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