JPH1112742A - Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法Info
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- JPH1112742A JPH1112742A JP18744397A JP18744397A JPH1112742A JP H1112742 A JPH1112742 A JP H1112742A JP 18744397 A JP18744397 A JP 18744397A JP 18744397 A JP18744397 A JP 18744397A JP H1112742 A JPH1112742 A JP H1112742A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホルダ周りの空間に接する面に固着した堆積
物だけでなく、ガス拡散板の孔内および背後空間に接す
る面に固着した堆積物をも効果的に除去する。 【解決手段】 このクリーニング方法は、第１および第
２の工程を備えている。第１の工程では、反応容器２２
を接地しかつガス拡散板２６を反応容器２２から電気的
に絶縁しておいて、クリーニングガス導入手段４４から
反応容器２２内にクリーニングガス４８を導入しなが
ら、高周波電源５４からガス拡散板２６と反応容器２２
との間に高周波電力を供給して両者間に高周波放電によ
ってクリーニングガス４８のプラズマ７０を生成する。
第２の工程では、ガス拡散板２６および反応容器２２を
接地しかつホルダ３２を反応容器２２から電気的に絶縁
しておいて、反応容器２２内にクリーニングガス４８を
導入しながら、高周波電源５４からホルダ３２と反応容
器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電力を供給
してこれらの間に高周波放電によってクリーニングガス
４８のプラズマ６０を生成する。
物だけでなく、ガス拡散板の孔内および背後空間に接す
る面に固着した堆積物をも効果的に除去する。 【解決手段】 このクリーニング方法は、第１および第
２の工程を備えている。第１の工程では、反応容器２２
を接地しかつガス拡散板２６を反応容器２２から電気的
に絶縁しておいて、クリーニングガス導入手段４４から
反応容器２２内にクリーニングガス４８を導入しなが
ら、高周波電源５４からガス拡散板２６と反応容器２２
との間に高周波電力を供給して両者間に高周波放電によ
ってクリーニングガス４８のプラズマ７０を生成する。
第２の工程では、ガス拡散板２６および反応容器２２を
接地しかつホルダ３２を反応容器２２から電気的に絶縁
しておいて、反応容器２２内にクリーニングガス４８を
導入しながら、高周波電源５４からホルダ３２と反応容
器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電力を供給
してこれらの間に高周波放電によってクリーニングガス
４８のプラズマ６０を生成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、反応容器内にお
いて熱、プラズマ、光またはこれらの併用によって基板
上に薄膜を形成する、ＭＯＣＶＤ（有機金属化合物を用
いるＣＶＤ）装置その他のＣＶＤ（化学気相成長）装置
およびそのクリーニング方法に関し、より具体的には、
反応容器内に設けられたガス拡散板の孔内および背後空
間に固着した堆積物の除去をも効果的に行う手段に関す
る。
いて熱、プラズマ、光またはこれらの併用によって基板
上に薄膜を形成する、ＭＯＣＶＤ（有機金属化合物を用
いるＣＶＤ）装置その他のＣＶＤ（化学気相成長）装置
およびそのクリーニング方法に関し、より具体的には、
反応容器内に設けられたガス拡散板の孔内および背後空
間に固着した堆積物の除去をも効果的に行う手段に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ装置の一例を図２に示す。
この装置は、弁４０を介して真空排気装置４２によって
所定の真空（例えば成膜時に１０-1〜１０Ｔｏｒｒ程
度）に排気される反応容器２２を有している。
この装置は、弁４０を介して真空排気装置４２によって
所定の真空（例えば成膜時に１０-1〜１０Ｔｏｒｒ程
度）に排気される反応容器２２を有している。
【０００３】反応容器２２内には、成膜しようとする基
板３０を保持するホルダ（サセプタとも呼ばれる）３２
が設けられている。ホルダ３２内またはその裏面側に
は、この例では、基板３０を加熱するヒータ３４が設け
られている。ホルダ３２は、絶縁物３６で電気的に絶縁
して、支持部材３８で支持されている。
板３０を保持するホルダ（サセプタとも呼ばれる）３２
が設けられている。ホルダ３２内またはその裏面側に
は、この例では、基板３０を加熱するヒータ３４が設け
られている。ホルダ３２は、絶縁物３６で電気的に絶縁
して、支持部材３８で支持されている。
【０００４】反応容器２２の天井部には、原料ガス供給
装置２からの原料ガス１６を導入する原料ガス配管１８
およびクリーニングガス導入手段４４からのクリーニン
グガス４８を導入するクリーニングガス導入管５２が接
続されている。反応容器２２内の天井部付近には、少な
くとも上記原料ガス配管１８の接続部を覆うように、か
つ支持部材２４によって支持して、ガス拡散板２６が設
けられている。このガス拡散板２６は、多数の孔２８を
有しており、原料ガス配管１８から導入された原料ガス
１６をほぼ均一に拡散して基板３０の近傍に供給する。
装置２からの原料ガス１６を導入する原料ガス配管１８
およびクリーニングガス導入手段４４からのクリーニン
グガス４８を導入するクリーニングガス導入管５２が接
続されている。反応容器２２内の天井部付近には、少な
くとも上記原料ガス配管１８の接続部を覆うように、か
つ支持部材２４によって支持して、ガス拡散板２６が設
けられている。このガス拡散板２６は、多数の孔２８を
有しており、原料ガス配管１８から導入された原料ガス
１６をほぼ均一に拡散して基板３０の近傍に供給する。
【０００５】原料ガス１６は、特定のものに限定されな
い。例えば、ＭＯＣＶＤの場合を例に挙げれば、Ｂａ
（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 等
の有機金属原料を（ＤＰＭは、ジピバロイルメタン）、
ＴＨＦ（テトラヒドラフラン）等のアダクト（溶剤の一
種）に溶解した液体原料６を気化したものである。
い。例えば、ＭＯＣＶＤの場合を例に挙げれば、Ｂａ
（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 等
の有機金属原料を（ＤＰＭは、ジピバロイルメタン）、
ＴＨＦ（テトラヒドラフラン）等のアダクト（溶剤の一
種）に溶解した液体原料６を気化したものである。
【０００６】原料ガス供給装置２は、この例ではいわゆ
るバブラーまたはバブリング装置と呼ばれるものであ
り、窒素ガスおよび希ガス（即ちＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ、Ｒｎ。以下同じ）の少なくとも一種から成る
不活性ガス１４を弁８を介して原料容器４内の上記液体
原料６内に吹き込んで液体原料６内に気泡を生じさせ、
これによって液体原料６の気化を促進し、これによって
得られた原料ガス１６を流量調節器１２を経由して送出
するものである。
るバブラーまたはバブリング装置と呼ばれるものであ
り、窒素ガスおよび希ガス（即ちＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ、Ｒｎ。以下同じ）の少なくとも一種から成る
不活性ガス１４を弁８を介して原料容器４内の上記液体
原料６内に吹き込んで液体原料６内に気泡を生じさせ、
これによって液体原料６の気化を促進し、これによって
得られた原料ガス１６を流量調節器１２を経由して送出
するものである。
【０００７】クリーニングガス導入手段４４は、成膜時
に反応容器２２内に生じる（具体的には反応容器２２の
内壁、ホルダ３２およびガス拡散板２６に固着する）堆
積物を溶かすクリーニングガス４８を供給するクリーニ
ングガス源４６、弁５０および上記クリーニングガス導
入管５２を有している。上記堆積物は、具体的には、原
料ガス１６中の成分が加熱等によって分解・析出したも
の等である。クリーニングガス４８は、この堆積物を溶
かして除去するものであり、例えばＨＮＯ3 （硝酸）、
ＨＮＯ2 （亜硝酸）、Ｈ2Ｏ2 （過酸化水素）、ＨＣｌ
（塩化水素）、ＨＦ（フッ化水素）等を気化したもので
ある。
に反応容器２２内に生じる（具体的には反応容器２２の
内壁、ホルダ３２およびガス拡散板２６に固着する）堆
積物を溶かすクリーニングガス４８を供給するクリーニ
ングガス源４６、弁５０および上記クリーニングガス導
入管５２を有している。上記堆積物は、具体的には、原
料ガス１６中の成分が加熱等によって分解・析出したも
の等である。クリーニングガス４８は、この堆積物を溶
かして除去するものであり、例えばＨＮＯ3 （硝酸）、
ＨＮＯ2 （亜硝酸）、Ｈ2Ｏ2 （過酸化水素）、ＨＣｌ
（塩化水素）、ＨＦ（フッ化水素）等を気化したもので
ある。
【０００８】反応容器２２およびそれに支持部材２４を
介して電気的に接続されたガス拡散板２６は接地されて
おり、これらとホルダ３２との間に、整合回路５６を介
して、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力を
出力する高周波電源５４が接続されている。５８は絶縁
物である。
介して電気的に接続されたガス拡散板２６は接地されて
おり、これらとホルダ３２との間に、整合回路５６を介
して、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力を
出力する高周波電源５４が接続されている。５８は絶縁
物である。
【０００９】成膜時は、弁８、９、１１、２０および４
０を開、弁１０および弁５０を閉にして、真空排気装置
４２によって反応容器２２内を排気しながら、原料ガス
供給装置２から原料ガス１６を送出して反応容器２２内
に導入する。導入された原料ガス１６は、ガス拡散板２
６によってほぼ均一に拡散されて、ヒータ３４によって
加熱された基板３０の表面近傍に達し、基板３０の表面
にＣＶＤ反応によって堆積して薄膜が形成される。この
とき、ヒータ３４による加熱と併せて、高周波電源５４
によってホルダ３２とガス拡散板２６および反応容器２
２との間に高周波放電を生じさせて原料ガス１６のプラ
ズマ６０を生成してプラズマＣＶＤによって薄膜を形成
しても良い。また、必要に応じて、反応容器２２内に原
料ガス１６と共にそれと反応する他の反応ガスを導入し
ても良い。膜形成に寄与しなかった原料ガス１６は、弁
４０を通って真空排気装置４２によって外部に排出され
る。
０を開、弁１０および弁５０を閉にして、真空排気装置
４２によって反応容器２２内を排気しながら、原料ガス
供給装置２から原料ガス１６を送出して反応容器２２内
に導入する。導入された原料ガス１６は、ガス拡散板２
６によってほぼ均一に拡散されて、ヒータ３４によって
加熱された基板３０の表面近傍に達し、基板３０の表面
にＣＶＤ反応によって堆積して薄膜が形成される。この
とき、ヒータ３４による加熱と併せて、高周波電源５４
によってホルダ３２とガス拡散板２６および反応容器２
２との間に高周波放電を生じさせて原料ガス１６のプラ
ズマ６０を生成してプラズマＣＶＤによって薄膜を形成
しても良い。また、必要に応じて、反応容器２２内に原
料ガス１６と共にそれと反応する他の反応ガスを導入し
ても良い。膜形成に寄与しなかった原料ガス１６は、弁
４０を通って真空排気装置４２によって外部に排出され
る。
【００１０】上記成膜工程では、ヒータ３４によって、
基板３０だけでなく、ガス拡散板２６、反応容器２２の
内壁およびホルダ３２も加熱されるため、またプラズマ
６０を生成した場合はこれらが当該プラズマ６０に曝さ
れるため、原料ガス１６が分解されてこれらの表面にも
膜が、即ち前述した堆積物が堆積する。
基板３０だけでなく、ガス拡散板２６、反応容器２２の
内壁およびホルダ３２も加熱されるため、またプラズマ
６０を生成した場合はこれらが当該プラズマ６０に曝さ
れるため、原料ガス１６が分解されてこれらの表面にも
膜が、即ち前述した堆積物が堆積する。
【００１１】そこで従来は、次のようなクリーニングを
行っていた。即ち、弁５０および４０を開、他の弁を閉
として、真空排気装置４２によって反応容器２２内を排
気しながら、クリーニングガス導入手段４４からの前述
したクリーニングガス４８を反応容器２２内に導入する
と共に、高周波電源５４からホルダ３２とガス拡散板２
６および反応容器２２との間に高周波電力を供給して、
ホルダ３２とガス拡散板２６および反応容器２２との間
に高周波放電を生じさせてクリーニングガス４８のプラ
ズマ６０を生成する。このプラズマ生成によって、クリ
ーニングガス４８が解離または電離してその活性種が生
成され、この活性種によるエッチング作用およびスパッ
タ作用によって、ガス拡散板２６、反応容器２２の内壁
およびホルダ３２に固着した堆積物を除去する。クリー
ニング後の排ガスは、真空排気装置４２によって、更に
必要に応じて当該排ガスを無害化するトラップ器を介し
て、外部に排出される。
行っていた。即ち、弁５０および４０を開、他の弁を閉
として、真空排気装置４２によって反応容器２２内を排
気しながら、クリーニングガス導入手段４４からの前述
したクリーニングガス４８を反応容器２２内に導入する
と共に、高周波電源５４からホルダ３２とガス拡散板２
６および反応容器２２との間に高周波電力を供給して、
ホルダ３２とガス拡散板２６および反応容器２２との間
に高周波放電を生じさせてクリーニングガス４８のプラ
ズマ６０を生成する。このプラズマ生成によって、クリ
ーニングガス４８が解離または電離してその活性種が生
成され、この活性種によるエッチング作用およびスパッ
タ作用によって、ガス拡散板２６、反応容器２２の内壁
およびホルダ３２に固着した堆積物を除去する。クリー
ニング後の排ガスは、真空排気装置４２によって、更に
必要に応じて当該排ガスを無害化するトラップ器を介し
て、外部に排出される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のク
リーニング方法においては、ホルダ３２と反応容器２２
の壁面およびガス拡散板２６との間の高周波放電を利用
するため、ホルダ３２周りの空間Ａにはプラズマ６０は
生成されるけれども、ガス拡散板２６の背後空間Ｂには
プラズマは生成されない。しかも、ガス拡散板２６に設
けられた孔２８は、ガス拡散作用を効果的に生じさせる
ために通常はアスペクト比（孔の深さ／孔の直径）が５
〜１０程度と大きいため、ホルダ３２周りの空間Ａで生
成されたプラズマ６０が孔２８の内部の奥まで十分な密
度で進入することは不可能である。このため、ガス拡散
板２６の背後空間Ｂに接する面や各孔２８の内部に固着
した堆積物を十分に除去することができない。その結
果、孔２８の目詰まりによって成膜時の膜質の均一性や
膜質の再現性を悪化させたり、孔２８や背後空間Ｂに接
する面の堆積物が剥離してパーティクル（ごみ）が発生
してそれが基板表面の膜に付着する等の問題が生じる。
リーニング方法においては、ホルダ３２と反応容器２２
の壁面およびガス拡散板２６との間の高周波放電を利用
するため、ホルダ３２周りの空間Ａにはプラズマ６０は
生成されるけれども、ガス拡散板２６の背後空間Ｂには
プラズマは生成されない。しかも、ガス拡散板２６に設
けられた孔２８は、ガス拡散作用を効果的に生じさせる
ために通常はアスペクト比（孔の深さ／孔の直径）が５
〜１０程度と大きいため、ホルダ３２周りの空間Ａで生
成されたプラズマ６０が孔２８の内部の奥まで十分な密
度で進入することは不可能である。このため、ガス拡散
板２６の背後空間Ｂに接する面や各孔２８の内部に固着
した堆積物を十分に除去することができない。その結
果、孔２８の目詰まりによって成膜時の膜質の均一性や
膜質の再現性を悪化させたり、孔２８や背後空間Ｂに接
する面の堆積物が剥離してパーティクル（ごみ）が発生
してそれが基板表面の膜に付着する等の問題が生じる。
【００１３】そこでこの発明は、ホルダ周りの空間に接
する面に固着した堆積物だけでなく、ガス拡散板の孔内
および背後空間に接する面に固着した堆積物をも効果的
に除去することができるクリーニング方法およびＣＶＤ
装置を提供することを主たる目的とする。
する面に固着した堆積物だけでなく、ガス拡散板の孔内
および背後空間に接する面に固着した堆積物をも効果的
に除去することができるクリーニング方法およびＣＶＤ
装置を提供することを主たる目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るクリーニ
ング方法の一つは、前記反応容器を接地しかつ前記ガス
拡散板を反応容器から電気的に絶縁しておいて、前記反
応容器内に生じる堆積物を溶かすクリーニングガスを反
応容器内に導入しながら、前記ガス拡散板と反応容器と
の間に高周波電力を供給して両者間に高周波放電によっ
て前記クリーニングガスのプラズマを生成する第１の工
程と、前記ガス拡散板および反応容器を接地しかつ前記
ホルダを反応容器から電気的に絶縁しておいて、前記ク
リーニングガスを反応容器内に導入しながら、前記ホル
ダと前記反応容器およびガス拡散板との間に高周波電力
を供給してホルダと反応容器およびガス拡散板との間に
高周波放電によって前記クリーニングガスのプラズマを
生成する第２の工程とを備えることを特徴としている
（請求項１）。
ング方法の一つは、前記反応容器を接地しかつ前記ガス
拡散板を反応容器から電気的に絶縁しておいて、前記反
応容器内に生じる堆積物を溶かすクリーニングガスを反
応容器内に導入しながら、前記ガス拡散板と反応容器と
の間に高周波電力を供給して両者間に高周波放電によっ
て前記クリーニングガスのプラズマを生成する第１の工
程と、前記ガス拡散板および反応容器を接地しかつ前記
ホルダを反応容器から電気的に絶縁しておいて、前記ク
リーニングガスを反応容器内に導入しながら、前記ホル
ダと前記反応容器およびガス拡散板との間に高周波電力
を供給してホルダと反応容器およびガス拡散板との間に
高周波放電によって前記クリーニングガスのプラズマを
生成する第２の工程とを備えることを特徴としている
（請求項１）。
【００１５】このクリーニング方法によれば、第１の工
程によって、ガス拡散板と反応容器との間に、即ち前述
したガス拡散板の背後空間に、クリーニングガスのプラ
ズマを生成するので、このプラズマによって、ガス拡散
板の背後空間に接する面に固着した堆積物を効果的に除
去することができる。しかも、上記プラズマは、ガス拡
散板の孔内に、背後空間側から、所定の奥行までは十分
な密度で進入することができるので、当該プラズマによ
って、ガス拡散板の孔内に固着した堆積物を、背後空間
側から所定の奥行まで効果的に除去することができる。
程によって、ガス拡散板と反応容器との間に、即ち前述
したガス拡散板の背後空間に、クリーニングガスのプラ
ズマを生成するので、このプラズマによって、ガス拡散
板の背後空間に接する面に固着した堆積物を効果的に除
去することができる。しかも、上記プラズマは、ガス拡
散板の孔内に、背後空間側から、所定の奥行までは十分
な密度で進入することができるので、当該プラズマによ
って、ガス拡散板の孔内に固着した堆積物を、背後空間
側から所定の奥行まで効果的に除去することができる。
【００１６】更に第２の工程によって、ホルダと反応容
器およびガス拡散板との間に、即ち前述したホルダ周り
の空間に、クリーニングガスのプラズマを生成するの
で、このプラズマによって、ホルダ周りの空間に接する
面に固着した堆積物を効果的に除去することができる。
しかも、上記プラズマは、ガス拡散板の孔内に、ホルダ
周りの空間側から、所定の奥行までは十分な密度で進入
することができるので、当該プラズマによって、ガス拡
散板の孔内に固着した堆積物を、ホルダ周りの空間側か
ら所定の奥行まで効果的に除去することができる。これ
と上記第１の工程とによって、ガス拡散板の孔の表裏両
側からプラズマによる堆積物除去を行うことになるの
で、当該孔内に固着した堆積物を効果的に除去すること
ができる。
器およびガス拡散板との間に、即ち前述したホルダ周り
の空間に、クリーニングガスのプラズマを生成するの
で、このプラズマによって、ホルダ周りの空間に接する
面に固着した堆積物を効果的に除去することができる。
しかも、上記プラズマは、ガス拡散板の孔内に、ホルダ
周りの空間側から、所定の奥行までは十分な密度で進入
することができるので、当該プラズマによって、ガス拡
散板の孔内に固着した堆積物を、ホルダ周りの空間側か
ら所定の奥行まで効果的に除去することができる。これ
と上記第１の工程とによって、ガス拡散板の孔の表裏両
側からプラズマによる堆積物除去を行うことになるの
で、当該孔内に固着した堆積物を効果的に除去すること
ができる。
【００１７】この発明に係るＣＶＤ装置の一つは、前記
反応容器を接地しかつ前記ホルダおよび前記ガス拡散板
を当該反応容器から電気的に絶縁しており、かつ、前記
反応容器内に生じる堆積物を溶かすクリーニングガスを
当該反応容器内に導入するクリーニングガス導入手段
と、一方の出力端が接地された高周波電源と、前記ガス
拡散板を少なくとも接地電位部と前記高周波電源の他方
の出力端につながるラインとの間で切り換える第１のス
イッチと、前記ホルダを少なくとも前記高周波電源の他
方の出力端につながるラインと開放部との間で切り換え
る第２のスイッチとを備えることを特徴としている（請
求項４）。
反応容器を接地しかつ前記ホルダおよび前記ガス拡散板
を当該反応容器から電気的に絶縁しており、かつ、前記
反応容器内に生じる堆積物を溶かすクリーニングガスを
当該反応容器内に導入するクリーニングガス導入手段
と、一方の出力端が接地された高周波電源と、前記ガス
拡散板を少なくとも接地電位部と前記高周波電源の他方
の出力端につながるラインとの間で切り換える第１のス
イッチと、前記ホルダを少なくとも前記高周波電源の他
方の出力端につながるラインと開放部との間で切り換え
る第２のスイッチとを備えることを特徴としている（請
求項４）。
【００１８】このＣＶＤ装置によれば、第１のスイッチ
によってガス拡散板を高周波電源の他の出力端につなが
るライン側に切り換えておき、かつ第２のスイッチによ
ってホルダを開放部側に切り換えておき、更にクリーニ
ングガス導入手段から反応容器内にクリーニングガスを
導入することによって、ガス拡散板と反応容器との間に
高周波電源から高周波電力を供給して両者間に高周波放
電によってクリーニングガスのプラズマを生成すること
ができる。これによって、上記請求項１の第１の工程と
同様の作用を奏することができる。
によってガス拡散板を高周波電源の他の出力端につなが
るライン側に切り換えておき、かつ第２のスイッチによ
ってホルダを開放部側に切り換えておき、更にクリーニ
ングガス導入手段から反応容器内にクリーニングガスを
導入することによって、ガス拡散板と反応容器との間に
高周波電源から高周波電力を供給して両者間に高周波放
電によってクリーニングガスのプラズマを生成すること
ができる。これによって、上記請求項１の第１の工程と
同様の作用を奏することができる。
【００１９】また、第１のスイッチによってガス拡散板
を接地電位部側に切り換えておき、かつ第２のスイッチ
によってホルダを高周波電源の他の出力端につながるラ
イン側に切り換えておき、更にクリーニングガス導入手
段から反応容器内にクリーニングガスを導入することに
よって、ホルダと反応容器およびガス拡散板との間に高
周波電源から高周波電力を供給してホルダと反応容器お
よびガス拡散板との間に高周波放電によってクリーニン
グガスのプラズマを生成することができる。これによっ
て、上記請求項１の第２の工程と同様の作用を奏するこ
とができる。
を接地電位部側に切り換えておき、かつ第２のスイッチ
によってホルダを高周波電源の他の出力端につながるラ
イン側に切り換えておき、更にクリーニングガス導入手
段から反応容器内にクリーニングガスを導入することに
よって、ホルダと反応容器およびガス拡散板との間に高
周波電源から高周波電力を供給してホルダと反応容器お
よびガス拡散板との間に高周波放電によってクリーニン
グガスのプラズマを生成することができる。これによっ
て、上記請求項１の第２の工程と同様の作用を奏するこ
とができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るＣＶＤ装
置の一例を示す図である。図２の従来例と同一または相
当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従
来例との相違点を主に説明する。
置の一例を示す図である。図２の従来例と同一または相
当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従
来例との相違点を主に説明する。
【００２１】このＣＶＤ装置においては、前述した反応
容器２２は接地している。また、前述したホルダ３２と
支持部材３８との間は絶縁物３６で電気的に絶縁してい
る。更に、前述したガス拡散板２６とその支持部材２４
との間に絶縁物６２を設けて、ガス拡散板２６を反応容
器２２から電気的に絶縁している。反応容器２２には前
述したクリーニングガス導入手段４４が接続されてい
る。
容器２２は接地している。また、前述したホルダ３２と
支持部材３８との間は絶縁物３６で電気的に絶縁してい
る。更に、前述したガス拡散板２６とその支持部材２４
との間に絶縁物６２を設けて、ガス拡散板２６を反応容
器２２から電気的に絶縁している。反応容器２２には前
述したクリーニングガス導入手段４４が接続されてい
る。
【００２２】このＣＶＤ装置は、第１のスイッチ６６お
よび第２のスイッチ６８を備えている。
よび第２のスイッチ６８を備えている。
【００２３】第１のスイッチ６６は、この例では、共通
接点ｄを第１の接点ａと第２の接点ｂとに択一的に切り
換えて接続するものである。この共通接点ｄには前記ガ
ス拡散板２６が接続されている。６４は絶縁物である。
接点ａは接地されている。前述した高周波電源５４の一
方の出力端は接地されており、他方の出力端は整合回路
５６を経由してこのスイッチ６６の接点ｂに接続されて
いる。このスイッチ６６によって、ガス拡散板２６を接
地電位部（接点ａ側に切り換えた時）と高周波電源５４
につながるライン（接点ｂ側に切り換えた時）との間で
切り換えることができる。
接点ｄを第１の接点ａと第２の接点ｂとに択一的に切り
換えて接続するものである。この共通接点ｄには前記ガ
ス拡散板２６が接続されている。６４は絶縁物である。
接点ａは接地されている。前述した高周波電源５４の一
方の出力端は接地されており、他方の出力端は整合回路
５６を経由してこのスイッチ６６の接点ｂに接続されて
いる。このスイッチ６６によって、ガス拡散板２６を接
地電位部（接点ａ側に切り換えた時）と高周波電源５４
につながるライン（接点ｂ側に切り換えた時）との間で
切り換えることができる。
【００２４】第２のスイッチ６８は、この例では、共通
接点ｄを第１の接点ａ、第２の接点ｂおよび第３の接点
ｃとに択一的に切り換えて接続するものである。この共
通接点ｄには前記ホルダ３２が接続されている。接点ａ
は整合回路５６を経由して高周波電源５４の他方の出力
端に接続されている。接点ｂは開放されている。接点ｃ
は接地されている。このスイッチ６８によって、ホルダ
３２を高周波電源５４につながるライン（接点ａ側に切
り換えた時）、開放部（接点ｂ側に切り換えた時。これ
は浮動電位部とも言える。）および接地電位部（接点ｃ
側に切り換えた時）の三者間で切り換えることができ
る。
接点ｄを第１の接点ａ、第２の接点ｂおよび第３の接点
ｃとに択一的に切り換えて接続するものである。この共
通接点ｄには前記ホルダ３２が接続されている。接点ａ
は整合回路５６を経由して高周波電源５４の他方の出力
端に接続されている。接点ｂは開放されている。接点ｃ
は接地されている。このスイッチ６８によって、ホルダ
３２を高周波電源５４につながるライン（接点ａ側に切
り換えた時）、開放部（接点ｂ側に切り換えた時。これ
は浮動電位部とも言える。）および接地電位部（接点ｃ
側に切り換えた時）の三者間で切り換えることができ
る。
【００２５】このスイッチ６６および６８を切り換える
状態の例を表１にまとめて示す。
状態の例を表１にまとめて示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】即ち、成膜工程時は、スイッチ６６を接点
ａ側に切り換え、かつスイッチ６８を接点ａ側に切り換
える。かつ、真空排気装置４２によって反応容器２２内
を真空排気しながら、反応容器２２内に原料ガス供給装
置２から原料ガス１６を導入する。これによって、従来
例の場合と同様に、ホルダ３２といずれも接地され
た反応容器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電
源５４から高周波電力を供給してホルダ３２と反応容器
２２およびガス拡散板２６との間に、即ち前述したホル
ダ３２周りの空間Ａに、高周波放電によって原料ガス１
６のプラズマ６０を生成して、プラズマによる活性化エ
ネルギーを利用したＣＶＤ反応によって基板３０の表面
に薄膜を形成することができる。この成膜方法は、プラ
ズマＣＶＤ法と呼ばれる。この場合、ヒータ３４による
基板３０の加熱を併用しても良い。
ａ側に切り換え、かつスイッチ６８を接点ａ側に切り換
える。かつ、真空排気装置４２によって反応容器２２内
を真空排気しながら、反応容器２２内に原料ガス供給装
置２から原料ガス１６を導入する。これによって、従来
例の場合と同様に、ホルダ３２といずれも接地され
た反応容器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電
源５４から高周波電力を供給してホルダ３２と反応容器
２２およびガス拡散板２６との間に、即ち前述したホル
ダ３２周りの空間Ａに、高周波放電によって原料ガス１
６のプラズマ６０を生成して、プラズマによる活性化エ
ネルギーを利用したＣＶＤ反応によって基板３０の表面
に薄膜を形成することができる。この成膜方法は、プラ
ズマＣＶＤ法と呼ばれる。この場合、ヒータ３４による
基板３０の加熱を併用しても良い。
【００２８】但し、プラズマ６０を生成せずに、ヒータ
３４による基板３０の加熱のみによって、熱による活性
化エネルギーを利用して基板３０上に薄膜を形成しても
良い。この成膜方法は、熱ＣＶＤ法と呼ばれる。また、
図示しない手段によって基板３０の表面近傍に光（例え
ば紫外光やレーザ光等）を照射して、光による活性化エ
ネルギーを利用して基板３０上に薄膜を形成しても良
い。この成膜方法は、光ＣＶＤ法と呼ばれる。これらの
成膜方法のようにプラズマ６０を生成しない場合は、高
周波電源５４を用いない（働かせない）ので、スイッチ
６６および６８をどの状態に切り換えておいても良い
が、通常は、スイッチ６６を接点ａ側に、かつスイッチ
６８を接点ｃ側に切り換えて、ガス拡散板２６およびホ
ルダ３２を接地しておけば良い。
３４による基板３０の加熱のみによって、熱による活性
化エネルギーを利用して基板３０上に薄膜を形成しても
良い。この成膜方法は、熱ＣＶＤ法と呼ばれる。また、
図示しない手段によって基板３０の表面近傍に光（例え
ば紫外光やレーザ光等）を照射して、光による活性化エ
ネルギーを利用して基板３０上に薄膜を形成しても良
い。この成膜方法は、光ＣＶＤ法と呼ばれる。これらの
成膜方法のようにプラズマ６０を生成しない場合は、高
周波電源５４を用いない（働かせない）ので、スイッチ
６６および６８をどの状態に切り換えておいても良い
が、通常は、スイッチ６６を接点ａ側に、かつスイッチ
６８を接点ｃ側に切り換えて、ガス拡散板２６およびホ
ルダ３２を接地しておけば良い。
【００２９】クリーニング工程時は、真空排気装置４２
によって反応容器２２内を真空排気しながら、反応容器
２２内にクリーニングガス導入手段４４からクリーニン
グガス４８を導入する。その場合、第１の工程として、
スイッチ６６を接点ｂ側に切り換え、かつスイッチ６８
を接点ｂ側に切り換えておく。これによって、ガス拡散
板２６と反応容器２２との間に高周波電源５４から高周
波電力を供給してガス拡散板２６と反応容器２２との間
に、即ち前述したガス拡散板の背後空間Ｂに、高周波放
電によってクリーニングガス４８のプラズマ７０を生成
することができる。この場合、スイッチ６８を接点ｂ側
に切り換えてホルダ３２を開放しておく（浮動電位にし
ておく）ので、ガス拡散板２６とホルダ３２との間で高
周波放電が生じるのを抑制することができる。その結
果、主としてガス拡散板２６の背後空間Ｂでプラズマ７
０を生成することができ、これによって背後空間Ｂに高
密度のプラズマ７０を生成することができる。
によって反応容器２２内を真空排気しながら、反応容器
２２内にクリーニングガス導入手段４４からクリーニン
グガス４８を導入する。その場合、第１の工程として、
スイッチ６６を接点ｂ側に切り換え、かつスイッチ６８
を接点ｂ側に切り換えておく。これによって、ガス拡散
板２６と反応容器２２との間に高周波電源５４から高周
波電力を供給してガス拡散板２６と反応容器２２との間
に、即ち前述したガス拡散板の背後空間Ｂに、高周波放
電によってクリーニングガス４８のプラズマ７０を生成
することができる。この場合、スイッチ６８を接点ｂ側
に切り換えてホルダ３２を開放しておく（浮動電位にし
ておく）ので、ガス拡散板２６とホルダ３２との間で高
周波放電が生じるのを抑制することができる。その結
果、主としてガス拡散板２６の背後空間Ｂでプラズマ７
０を生成することができ、これによって背後空間Ｂに高
密度のプラズマ７０を生成することができる。
【００３０】この背後空間Ｂでのプラズマ７０の生成に
よって、クリーニングガス４８の活性種が生成され、こ
の活性種によるエッチング作用およびスパッタ作用によ
って、背後空間Ｂに接する面に、即ちガス拡散板２６の
背面やそれに対向する反応容器２２の内壁面に固着した
堆積物を効果的に除去することができる。しかも、上記
プラズマは、ガス拡散板２６の各孔２８内に、背後空間
Ｂ側から、所定の奥行までは十分な密度で進入すること
ができるので、当該プラズマ７０によってガス拡散板２
６の各孔２８内に固着した堆積物を、背後空間Ｂ側から
所定の奥行まで効果的に除去することができる。
よって、クリーニングガス４８の活性種が生成され、こ
の活性種によるエッチング作用およびスパッタ作用によ
って、背後空間Ｂに接する面に、即ちガス拡散板２６の
背面やそれに対向する反応容器２２の内壁面に固着した
堆積物を効果的に除去することができる。しかも、上記
プラズマは、ガス拡散板２６の各孔２８内に、背後空間
Ｂ側から、所定の奥行までは十分な密度で進入すること
ができるので、当該プラズマ７０によってガス拡散板２
６の各孔２８内に固着した堆積物を、背後空間Ｂ側から
所定の奥行まで効果的に除去することができる。
【００３１】次に、エッチングの第２の工程として、ス
イッチ６６および６８以外は第１の工程と同様の条件に
しておき、スイッチ６６を接点ａ側に切り換え、かつス
イッチ６８を接点ａ側に切り換える。これによって、成
膜の場合と同様に、ホルダ３２といずれも接地され
た反応容器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電
源５４から高周波電力を供給してホルダ３２と反応容器
２２およびガス拡散板２６との間に、即ち前述したホル
ダ３２周りの空間Ａに、高周波放電によってクリーニン
グガス４８のプラズマ６０を生成することができる。
イッチ６６および６８以外は第１の工程と同様の条件に
しておき、スイッチ６６を接点ａ側に切り換え、かつス
イッチ６８を接点ａ側に切り換える。これによって、成
膜の場合と同様に、ホルダ３２といずれも接地され
た反応容器２２およびガス拡散板２６との間に高周波電
源５４から高周波電力を供給してホルダ３２と反応容器
２２およびガス拡散板２６との間に、即ち前述したホル
ダ３２周りの空間Ａに、高周波放電によってクリーニン
グガス４８のプラズマ６０を生成することができる。
【００３２】この空間Ａでのプラズマ６０の生成によっ
て、クリーニングガス４８の活性種が生成され、この活
性種によるエッチング作用およびスパッタ作用によっ
て、ホルダ３２周りの空間Ａに接する面に、即ちホルダ
３２の周りの反応容器２２の内壁面、ガス拡散板２６の
ホルダ３２側の面およびホルダ３２の表面に固着した堆
積物を効果的に除去することができる。しかも、上記プ
ラズマ６０は、ガス拡散板２６の各孔２８内に、ホルダ
周りの空間Ａ側から、所定の奥行までは十分な密度で進
入することができるので、当該プラズマ６０によって、
ガス拡散板２６の各孔２８内に固着した堆積物を、ホル
ダ周りの空間Ａ側から所定の奥行まで効果的に除去する
ことができる。これと上記第１の工程とによって、従来
例と違って、ガス拡散板２６の各孔２８の表裏両側から
プラズマ６０および７０による堆積物除去を行うことに
なるので、各孔２８内に固着した堆積物を従来例に比べ
て遙かに効果的に除去することができる。
て、クリーニングガス４８の活性種が生成され、この活
性種によるエッチング作用およびスパッタ作用によっ
て、ホルダ３２周りの空間Ａに接する面に、即ちホルダ
３２の周りの反応容器２２の内壁面、ガス拡散板２６の
ホルダ３２側の面およびホルダ３２の表面に固着した堆
積物を効果的に除去することができる。しかも、上記プ
ラズマ６０は、ガス拡散板２６の各孔２８内に、ホルダ
周りの空間Ａ側から、所定の奥行までは十分な密度で進
入することができるので、当該プラズマ６０によって、
ガス拡散板２６の各孔２８内に固着した堆積物を、ホル
ダ周りの空間Ａ側から所定の奥行まで効果的に除去する
ことができる。これと上記第１の工程とによって、従来
例と違って、ガス拡散板２６の各孔２８の表裏両側から
プラズマ６０および７０による堆積物除去を行うことに
なるので、各孔２８内に固着した堆積物を従来例に比べ
て遙かに効果的に除去することができる。
【００３３】なお、クリーニングの上記第１の工程と第
２の工程とを上記とは逆の順序で行っても良く、その場
合でもホルダ３２周りの空間Ａにおけるプラズマ６０の
生成と、ガス拡散板２６の背後空間Ｂにおけるプラズマ
７０の生成とを行うことに変わりはないので、上記と同
様の効果が得られる。
２の工程とを上記とは逆の順序で行っても良く、その場
合でもホルダ３２周りの空間Ａにおけるプラズマ６０の
生成と、ガス拡散板２６の背後空間Ｂにおけるプラズマ
７０の生成とを行うことに変わりはないので、上記と同
様の効果が得られる。
【００３４】また、図１中に示すように、上記高周波電
源５４とアース間に高周波電源５４側を負極にして直流
バイアス電源７２を直列に挿入しても良い。そのように
すれば、この直流バイアス電源７２によって、クリーニ
ングの上記第１の工程ではガス拡散板２６に負のバイア
ス電圧を印加し、クリーニングの上記第２の工程ではホ
ルダ３２に負のバイアス電圧を印加することができる。
この負バイアス電圧によって、プラズマ６０または７０
中の正イオンを負バイアスしたガス拡散板２６またはホ
ルダ３２に引き込んで衝突させることができるので、前
述したエッチング作用およびスパッタ作用がより向上
し、ガス拡散板２６およびホルダ３２に固着した堆積物
をより効果的に除去することが可能になる。この負バイ
アス電圧の大きさは、例えば−１０Ｖ〜−２００Ｖ程度
の範囲内で良い。
源５４とアース間に高周波電源５４側を負極にして直流
バイアス電源７２を直列に挿入しても良い。そのように
すれば、この直流バイアス電源７２によって、クリーニ
ングの上記第１の工程ではガス拡散板２６に負のバイア
ス電圧を印加し、クリーニングの上記第２の工程ではホ
ルダ３２に負のバイアス電圧を印加することができる。
この負バイアス電圧によって、プラズマ６０または７０
中の正イオンを負バイアスしたガス拡散板２６またはホ
ルダ３２に引き込んで衝突させることができるので、前
述したエッチング作用およびスパッタ作用がより向上
し、ガス拡散板２６およびホルダ３２に固着した堆積物
をより効果的に除去することが可能になる。この負バイ
アス電圧の大きさは、例えば−１０Ｖ〜−２００Ｖ程度
の範囲内で良い。
【００３５】また、クリーニングの上記第１の工程と第
２の工程とではプラズマ条件が異なり、プラズマインピ
ーダンスも当然異なるので、反応容器２２内へのクリー
ニングガス４８の導入量を変えることによって、または
反応容器２２に窒素ガスおよび希ガスの少なくとも一種
から成る不活性ガスを更に導入することによって、また
は両者を併用することによって、反応容器２２内のガス
圧を制御するのが好ましく、そのようにすれば高周波放
電条件をより最適化してより高密度のプラズマを生成す
ることが容易になる。この不活性ガスは、例えば上記原
料ガス供給装置２の弁１０および１１を開いて上記不活
性ガス１４を原料ガス配管１８を経由して反応容器２２
内に導入しても良いし、クリーニングガス導入管５２か
らクリーニングガス４８と混合して導入しても良いし、
その他の経路で導入しても良い。
２の工程とではプラズマ条件が異なり、プラズマインピ
ーダンスも当然異なるので、反応容器２２内へのクリー
ニングガス４８の導入量を変えることによって、または
反応容器２２に窒素ガスおよび希ガスの少なくとも一種
から成る不活性ガスを更に導入することによって、また
は両者を併用することによって、反応容器２２内のガス
圧を制御するのが好ましく、そのようにすれば高周波放
電条件をより最適化してより高密度のプラズマを生成す
ることが容易になる。この不活性ガスは、例えば上記原
料ガス供給装置２の弁１０および１１を開いて上記不活
性ガス１４を原料ガス配管１８を経由して反応容器２２
内に導入しても良いし、クリーニングガス導入管５２か
らクリーニングガス４８と混合して導入しても良いし、
その他の経路で導入しても良い。
【００３６】また、ホルダ周りの空間Ａにプラズマを生
成するクリーニングの第２の工程では、スイッチ６６を
接点ｂ側に切り換え、かつスイッチ６８を接点ｃ側に切
り換えて、ガス拡散板２６といずれも接地された反
応容器２２およびホルダ３２との間に高周波電源５４か
ら高周波電力を供給してそれらの間で高周波放電を生じ
させてホルダ３２周りの空間Ａにクリーニングガス４８
のプラズマ６０を生成するようにしても良い。
成するクリーニングの第２の工程では、スイッチ６６を
接点ｂ側に切り換え、かつスイッチ６８を接点ｃ側に切
り換えて、ガス拡散板２６といずれも接地された反
応容器２２およびホルダ３２との間に高周波電源５４か
ら高周波電力を供給してそれらの間で高周波放電を生じ
させてホルダ３２周りの空間Ａにクリーニングガス４８
のプラズマ６０を生成するようにしても良い。
【００３７】また、上記表１に示したスイッチの使い方
では、第２のスイッチ６８の接点ｃは使用しないので、
この場合は、第２のスイッチ６８を、このような接点ｃ
を有しないものにしても良い。
では、第２のスイッチ６８の接点ｃは使用しないので、
この場合は、第２のスイッチ６８を、このような接点ｃ
を有しないものにしても良い。
【００３８】
【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
るので、次のような効果を奏する。
【００３９】請求項１記載のクリーニング方法によれ
ば、第１の工程によって生成するプラズマによって、ガ
ス拡散板の背後空間に接する面に固着した堆積物を効果
的に除去することができ、かつ第２の工程によって生成
するプラズマによって、ホルダ周りの空間に接する面に
固着した堆積物を効果的に除去することができる。しか
も、第１の工程によるプラズマと第２の工程によるプラ
ズマとによって、ガス拡散板の孔の表裏両側からプラズ
マによる堆積物除去を行うことができるので、当該孔内
に固着した堆積物をも効果的に除去することができる。
ば、第１の工程によって生成するプラズマによって、ガ
ス拡散板の背後空間に接する面に固着した堆積物を効果
的に除去することができ、かつ第２の工程によって生成
するプラズマによって、ホルダ周りの空間に接する面に
固着した堆積物を効果的に除去することができる。しか
も、第１の工程によるプラズマと第２の工程によるプラ
ズマとによって、ガス拡散板の孔の表裏両側からプラズ
マによる堆積物除去を行うことができるので、当該孔内
に固着した堆積物をも効果的に除去することができる。
【００４０】請求項２記載のクリーニング方法によれ
ば、請求項１の場合と同様に、第１の工程によって生成
するプラズマによって、ガス拡散板の背後空間に接する
面に固着した堆積物を効果的に除去することができ、か
つ第２の工程によって生成するプラズマによって、ホル
ダ周りの空間に接する面に固着した堆積物を効果的に除
去することができる。しかも、第１の工程によるプラズ
マと第２の工程によるプラズマとによって、ガス拡散板
の孔の表裏両側からプラズマによる堆積物除去を行うこ
とができるので、当該孔内に固着した堆積物をも効果的
に除去することができる。
ば、請求項１の場合と同様に、第１の工程によって生成
するプラズマによって、ガス拡散板の背後空間に接する
面に固着した堆積物を効果的に除去することができ、か
つ第２の工程によって生成するプラズマによって、ホル
ダ周りの空間に接する面に固着した堆積物を効果的に除
去することができる。しかも、第１の工程によるプラズ
マと第２の工程によるプラズマとによって、ガス拡散板
の孔の表裏両側からプラズマによる堆積物除去を行うこ
とができるので、当該孔内に固着した堆積物をも効果的
に除去することができる。
【００４１】請求項３記載のクリーニング方法によれ
ば、反応容器内に窒素ガスおよび希ガスの少なくとも一
種から成る不活性ガスを更に導入して当該反応容器内の
ガス圧を制御することによって、上記第１の工程および
第２の工程における高周波放電条件をより最適化してよ
り高密度のプラズマを生成することが容易になる。
ば、反応容器内に窒素ガスおよび希ガスの少なくとも一
種から成る不活性ガスを更に導入して当該反応容器内の
ガス圧を制御することによって、上記第１の工程および
第２の工程における高周波放電条件をより最適化してよ
り高密度のプラズマを生成することが容易になる。
【００４２】請求項４記載のＣＶＤ装置によれば、第１
のスイッチおよび第２のスイッチを切り換えることによ
って、一つの高周波電源を用いて、ガス拡散板の背後空
間とホルダ周りの空間とにクリーニングガスのプラズマ
を切り換えて生成することができる。その結果、ホルダ
周りの空間に接する面に固着した堆積物だけでなく、ガ
ス拡散板の孔内および背後空間に接する面に固着した堆
積物をも効果的に除去することができる。
のスイッチおよび第２のスイッチを切り換えることによ
って、一つの高周波電源を用いて、ガス拡散板の背後空
間とホルダ周りの空間とにクリーニングガスのプラズマ
を切り換えて生成することができる。その結果、ホルダ
周りの空間に接する面に固着した堆積物だけでなく、ガ
ス拡散板の孔内および背後空間に接する面に固着した堆
積物をも効果的に除去することができる。
【００４３】請求項５記載のＣＶＤ装置によれば、高周
波電源と接地電位部との間に前者を負極側にして直列に
挿入された直流のバイアス電源を更に備えているので、
ガス拡散板またはホルダに負のバイアス電圧を印加する
ことができ、この負バイアス電圧を印加した物に対する
プラズマのエッチング作用およびスパッタ作用がより向
上するので、これらに固着した堆積物をより効果的に除
去することが可能になる。
波電源と接地電位部との間に前者を負極側にして直列に
挿入された直流のバイアス電源を更に備えているので、
ガス拡散板またはホルダに負のバイアス電圧を印加する
ことができ、この負バイアス電圧を印加した物に対する
プラズマのエッチング作用およびスパッタ作用がより向
上するので、これらに固着した堆積物をより効果的に除
去することが可能になる。
【図１】この発明に係るＣＶＤ装置の一例を示す図であ
る。
る。
【図２】従来のＣＶＤ装置の一例を示す図である。
２ 原料ガス供給装置 １６ 原料ガス ２２ 反応容器 ２６ ガス拡散板 ２８ 孔 ３０ 基板 ３２ ホルダ ３６ 絶縁物 ４４ クリーニングガス導入手段 ４８ クリーニングガス ５４ 高周波電源 ６０ プラズマ ６２ 絶縁物 ６６ 第１のスイッチ ６８ 第２のスイッチ ７０ プラズマ ７２ 直流バイアス電源
Claims (5)
- 【請求項１】 原料ガスを反応容器内に設けられた多数
の孔を有するガス拡散板を通して反応容器内に導入し
て、同反応容器内に設けられたホルダ上の基板にＣＶＤ
法によって薄膜を形成するＣＶＤ装置において、前記反
応容器を接地しかつ前記ガス拡散板を反応容器から電気
的に絶縁しておいて、前記反応容器内に生じる堆積物を
溶かすクリーニングガスを反応容器内に導入しながら、
前記ガス拡散板と反応容器との間に高周波電力を供給し
て両者間に高周波放電によって前記クリーニングガスの
プラズマを生成する第１の工程と、前記ガス拡散板およ
び反応容器を接地しかつ前記ホルダを反応容器から電気
的に絶縁しておいて、前記クリーニングガスを反応容器
内に導入しながら、前記ホルダと前記反応容器およびガ
ス拡散板との間に高周波電力を供給してホルダと反応容
器およびガス拡散板との間に高周波放電によって前記ク
リーニングガスのプラズマを生成する第２の工程とを備
えることを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 原料ガスを反応容器内に設けられた多数
の孔を有するガス拡散板を通して反応容器内に導入し
て、同反応容器内に設けられたホルダ上の基板にＣＶＤ
法によって薄膜を形成するＣＶＤ装置において、前記反
応容器を接地しかつ前記ガス拡散板を反応容器から電気
的に絶縁しておいて、前記反応容器内に生じる堆積物を
溶かすクリーニングガスを反応容器内に導入しながら、
前記ガス拡散板と反応容器との間に高周波電力を供給し
て両者間に高周波放電によって前記クリーニングガスの
プラズマを生成する第１の工程と、前記反応容器および
ホルダを接地しかつ前記ガス拡散板を反応容器から電気
的に絶縁しておいて、前記クリーニングガスを反応容器
内に導入しながら、前記ガス拡散板と前記反応容器およ
びホルダとの間に高周波電力を供給してガス拡散板と反
応容器およびホルダとの間に高周波放電によって前記ク
リーニングガスのプラズマを生成する第２の工程とを備
えることを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記反応容器内に窒素ガスおよび希ガス
の少なくとも一種から成る不活性ガスを更に導入して当
該反応容器内のガス圧を制御する請求項１または２記載
のＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 原料ガスを反応容器内に設けられた多数
の孔を有するガス拡散板を通して反応容器内に導入し
て、同反応容器内に設けられたホルダ上の基板にＣＶＤ
法によって薄膜を形成するＣＶＤ装置において、前記反
応容器を接地しかつ前記ホルダおよび前記ガス拡散板を
当該反応容器から電気的に絶縁しており、かつ、前記反
応容器内に生じる堆積物を溶かすクリーニングガスを当
該反応容器内に導入するクリーニングガス導入手段と、
一方の出力端が接地された高周波電源と、前記ガス拡散
板を少なくとも接地電位部と前記高周波電源の他方の出
力端につながるラインとの間で切り換える第１のスイッ
チと、前記ホルダを少なくとも前記高周波電源の他方の
出力端につながるラインと開放部との間で切り換える第
２のスイッチとを備えることを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記高周波電源と接地電位部との間に前
者を負極側にして直列に挿入された直流バイアス電源を
更に備える請求項４記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744397A JPH1112742A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744397A JPH1112742A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112742A true JPH1112742A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=16206165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18744397A Pending JPH1112742A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1112742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193509A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Watanabe Shoko:Kk | シャワーノズル及び成膜装置 |
| JP2008153314A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構 |
| JP2008283217A (ja) * | 2008-08-11 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置およびそのクリーニング方法 |
| US8336488B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-12-25 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Multi-station plasma reactor with multiple plasma regions |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP18744397A patent/JPH1112742A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193509A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Watanabe Shoko:Kk | シャワーノズル及び成膜装置 |
| JP2008153314A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構 |
| US8336488B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-12-25 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Multi-station plasma reactor with multiple plasma regions |
| JP2008283217A (ja) * | 2008-08-11 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置およびそのクリーニング方法 |
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