JP3277476B2 - マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法

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JP3277476B2
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cleaning
plasma
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淳一 萱野
仁昭 佐藤
文男 清水
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波プラズマ装
置で、特に処理室内の試料台のクリーニングに好適なマ
イクロ波プラズマ装置のクリーニング方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング方法では、例え
ば、特開昭６３−２３８２８８号公報に記載のように、
電極を６０℃以下に保つことにより、形状の良いエッチ
ングが出来ることが記載されているが、それとともに電
極への反応生成物等の付着について言及していない。す
なわち、いくら良いエッチング形状が保られても、クリ
ーニング方法等の手段がないと、装置稼動率向上にはつ
ながらない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、装置
のクリーニング時の電極に対する配慮がなされていなか
った。すなわち、電極自身のクリーニングは、大気開放
することにより、人の手で処理されていた。
【０００４】本発明の目的は、装置の稼動時間を向上で
きるマイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、処理ガスが
供給されるとともに所定圧力が保持されるプラズマ発生
室と、該プラズマ発生室内に設らけれている試料台（電
極）に高周波電源を接続し、プラズマ発生で電極を負電
位とすることにより、達成される。
【０００６】
【作用】下部電極に高周波電源もしくは直流電源を接続
することにより、クリーニング効果を高めるものであ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
【０００８】図１において、装置構成を説明する。処理
室１０の上部には石英製の放電管１４が設けてあり、真
空処理室を形成している。処理室１０には真空処理室中
にエッチング用ガスを供給するガス供給源（図示省略）
につながるガス供給口１５が設けてあり、また真空排気
装置（図示省略）につながる排気口１６が設けてある。
処理室１０には被エッチング材であるウエハ１３を配置
する試料台１１が設けてある。試料台１１には高周波電
源１２が接続してあり、試料台１１に高周波電力を印加
可能になっている。放電管１４の外側には放電管１４を
囲んで導波管１７が設けてあり、さらに、その外側には
放電管１４内に磁界を発生させるソレノイドコイル１９
が設けてある。導波管１７の端部にはマイクロ波を発振
するマグネトロンが設けてある。
【０００９】このような構成による装置では、ガス供給
口１５から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給
するとともに、真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気
する。そして、導波管１７によってマグネトロン１８か
らのマイクロ波を放電管１０内に導入するとともに、ソ
レノイドコイル１９によって磁界を形成し、マイクロ波
の電界とソレノイドコイル１９による磁界との相互作用
によって放電管１４内の処理ガスをプラズマ化する。さ
らに、高周波電源１２によって試料台１１に高周波電力
を印加し、バイアスを生じさせ、プラズマ中のイオンを
ウエハ１３側に引き込み異方性エッチングを行わせるよ
うにしている。
【００１０】図１でプラズマクリーニングを実施する
際、クリーニングガスとしてＯ2ガス５０〜４００ｍｌ
／ｍｉｎ、圧力１〜５０ｍｍＴｏｒｒ、マイクロ波出力
２００〜１４００Ｗの範囲でプラズマを発生させる。こ
の時、電極に接続された高周波電源を３０〜２００Ｗ印
加し、電極に負の電位を発生させ電極をスパッタクリー
ニングする。
【００１１】本実施例では、電極を負電位とし、ウエハ
が載置されない箇所に付着した反応生成物をイオンスパ
ッタで除去できる効果がある。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマクリーニング
中に電極を負の電位にすることにより、プラズマからプ
ラスイオンが入射し、電極表面に付着した反応生成物
（汚れ）が反応、脱離する。
【００１３】これによりプラズマクリーニングの効果を
向上し、大気開放によるウェットクリーニング頻度が低
減でき、及び稼動時間が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ装
置を示す構成図である。
【符号の説明】
１０…処理室、１１…試料台、１２…高周波電源、１３
…ウエハ、１４…放電管、１５…ガス供給口、１６…排
気口、１７…導波管、１８…マグネトロン、１９…ソレ
ノイドコイル。
フロントページの続き (72)発明者 武居 秀則 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 平１−231322（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/3065

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理ガスが供給されるとともに所定圧力
    が保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室にマ
    イクロ波を導入するマイクロ波発生源を有する導波管
    と、プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構で、前記
    プラズマを利用して試料を処置する装置のクリーニング
    方法において、前記プラズマ発生室には、圧力１〜５０
    ｍｍＴｏｒｒで、クリーニングガスとしてＯ ２ ガスを５
    ０〜４００ｍｌ／ｍｉｎ、マイクロ波を２００〜１４０
    ０Ｗ供給し、前記試料台に負電位を発生させてクリーニ
    ングすることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のク
    リーニング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のマイクロ波プラズマ装置
    のクリーニング方法において、前記負電位値を制御する
    ことを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニン
    グ方法。
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