JPH01236629A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH01236629A JPH01236629A JP27578688A JP27578688A JPH01236629A JP H01236629 A JPH01236629 A JP H01236629A JP 27578688 A JP27578688 A JP 27578688A JP 27578688 A JP27578688 A JP 27578688A JP H01236629 A JPH01236629 A JP H01236629A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造などに使用される、マイ
クロ波プラズマを利用したドライエツチングおよびＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉＬｉｏｎ）による薄ｊ漠形成が可能なマイクロ波プラ
ズマ処理装置に関し、特に、ＲＦバイアスを処理基板に
印加するものに関する。
クロ波プラズマを利用したドライエツチングおよびＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉＬｉｏｎ）による薄ｊ漠形成が可能なマイクロ波プラ
ズマ処理装置に関し、特に、ＲＦバイアスを処理基板に
印加するものに関する。
この種のマイクロ波プラズマ処理装置として、Ｅ ＣＲ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＣｙｃｒｏＬｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎ
ａｎｃｅ）プラズマを用いたプロセス技術が注目されて
いる。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波との共鳴
効果を用いて電子を加速し、この電子の運動エネルギー
を用いてガスを電離してプラズマ、を発生させる原理に
基づくものである。マイクロ波に励振された電子は磁力
線の周りを円運動し、その際、遠心力とローレンツ力と
がバランスする条件を、ＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心
力をｓｒω８．ローレンツ力を−ｑｒωＢで表わすと、
これらがバランスする条件は、ω／Ｂ＝ｑ／ｍである。
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＣｙｃｒｏＬｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎ
ａｎｃｅ）プラズマを用いたプロセス技術が注目されて
いる。ＥＣＲプラズマとは、磁場とマイクロ波との共鳴
効果を用いて電子を加速し、この電子の運動エネルギー
を用いてガスを電離してプラズマ、を発生させる原理に
基づくものである。マイクロ波に励振された電子は磁力
線の周りを円運動し、その際、遠心力とローレンツ力と
がバランスする条件を、ＥＣＲ条件と呼んでいる。遠心
力をｓｒω８．ローレンツ力を−ｑｒωＢで表わすと、
これらがバランスする条件は、ω／Ｂ＝ｑ／ｍである。
ここでωはマイクロ波の角周波数、Ｂは磁束密度、ｑ／
ｍは電子の比電荷である。マイクロ波周波数は工業的に
認められている（２）４５ＧＩｌｚが一般に用いられ、
その場合の共鳴磁束密度は８７５ガウスである。
ｍは電子の比電荷である。マイクロ波周波数は工業的に
認められている（２）４５ＧＩｌｚが一般に用いられ、
その場合の共鳴磁束密度は８７５ガウスである。
ＥＣＲ型のプラズマエツチング、ＣＶＤ装置においては
、プラズマの高密度化をはかり、効率のよいエツチング
もしくは薄膜形成を行うためには、プラズマを発生させ
るためにプラズマ生成室に導入するマイクロ波を、ピー
ク電力の大きいパルス状にして加える必要がある。さら
に、エツチングにおいて、異方性の高い加工を行うため
には被加工基板とプラズマとの間にＲＦバイアスを印加
することが行われる１、なおＲＦとはＲａｄｉｏ Ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙのことであり、この分野では高周波とも
呼ばれ、はぼ１００Ｋ）Ｉｚないし数十旧１ｚの範囲の
周波数である。
、プラズマの高密度化をはかり、効率のよいエツチング
もしくは薄膜形成を行うためには、プラズマを発生させ
るためにプラズマ生成室に導入するマイクロ波を、ピー
ク電力の大きいパルス状にして加える必要がある。さら
に、エツチングにおいて、異方性の高い加工を行うため
には被加工基板とプラズマとの間にＲＦバイアスを印加
することが行われる１、なおＲＦとはＲａｄｉｏ Ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙのことであり、この分野では高周波とも
呼ばれ、はぼ１００Ｋ）Ｉｚないし数十旧１ｚの範囲の
周波数である。
また薄膜形成においてもエツチングと同様にＲＦバイア
スを印加することにより、基板表面の溝。
スを印加することにより、基板表面の溝。
穴などをち密な膜で均一に埋めることができ、また基板
表面に段差がある場合にも段差をな（し平坦な表面にす
ることが可能となる。その理由は公知のように、ＲＦバ
イアスを印加した場合、基板に対して垂直方向の電界だ
けでなく横方向にも電界が生じ、これが膜形成に効果的
に作用すること、また電界の集中により基板表面のとが
った部分が削れ易くなるなどのためである。
表面に段差がある場合にも段差をな（し平坦な表面にす
ることが可能となる。その理由は公知のように、ＲＦバ
イアスを印加した場合、基板に対して垂直方向の電界だ
けでなく横方向にも電界が生じ、これが膜形成に効果的
に作用すること、また電界の集中により基板表面のとが
った部分が削れ易くなるなどのためである。
上記のようなＥＣＲプラズマエツチング、ＣＶＤ装置と
して、例えば第５図に示すものが知られている・この装
置の構成および動作の概要を以下に説明する。まず、プ
ラズマ生成室３．処理室９を図示しない排気手段により
真空排気しておき、ガス供給手段４から例えばＮ、ガス
をプラズマ生成室３に流したところへ、マイクロ波発生
器１７で発生したパルス状のマイクロ波を、その伝達手
段である導波管１を介してプラズマ生成室３へ導入する
。前記導波管１とプラズマ生成室３との間には、大気圧
下にある導波管１側と真空排気されたプラズマ生成室３
とを気密に隔離するための真空窓２を設けである。プラ
ズマ生成室３の下部には中心に大口径の開ロアを有する
金属板が取り付けられており、この金属板とプラズマ生
成室３とで半開放のマイクロ波共振器を構成している。
して、例えば第５図に示すものが知られている・この装
置の構成および動作の概要を以下に説明する。まず、プ
ラズマ生成室３．処理室９を図示しない排気手段により
真空排気しておき、ガス供給手段４から例えばＮ、ガス
をプラズマ生成室３に流したところへ、マイクロ波発生
器１７で発生したパルス状のマイクロ波を、その伝達手
段である導波管１を介してプラズマ生成室３へ導入する
。前記導波管１とプラズマ生成室３との間には、大気圧
下にある導波管１側と真空排気されたプラズマ生成室３
とを気密に隔離するための真空窓２を設けである。プラ
ズマ生成室３の下部には中心に大口径の開ロアを有する
金属板が取り付けられており、この金属板とプラズマ生
成室３とで半開放のマイクロ波共振器を構成している。
この共振器の外部には励磁用ソレノイド６が配置され、
共ｉ器内にＥＣＲ条件を満たす磁場を生じせしめて、共
振器内にプラズマを発生する。このプラズマが磁力線に
沿って処理室９内に押し出され、基板台１０に向う空間
内にガス供給手段１２から例えばモノシランガス（Ｓｉ
ｌ＋４）を供給して、このガスを前記プラズマにより活
性化すると、活性種が、ＲＦ発生器２０によりＲＦバイ
アスを印加された被加工試料である基板１１と反応して
基板表面にｆｌｌｌｌ！が形成される。なお基１ｉ１１
にＲＦバイアスを印加するための配線は接地電位のシー
ルドで覆われており、基板１１の周面ば接地電位のシー
ルドで囲まれている。
共ｉ器内にＥＣＲ条件を満たす磁場を生じせしめて、共
振器内にプラズマを発生する。このプラズマが磁力線に
沿って処理室９内に押し出され、基板台１０に向う空間
内にガス供給手段１２から例えばモノシランガス（Ｓｉ
ｌ＋４）を供給して、このガスを前記プラズマにより活
性化すると、活性種が、ＲＦ発生器２０によりＲＦバイ
アスを印加された被加工試料である基板１１と反応して
基板表面にｆｌｌｌｌ！が形成される。なお基１ｉ１１
にＲＦバイアスを印加するための配線は接地電位のシー
ルドで覆われており、基板１１の周面ば接地電位のシー
ルドで囲まれている。
なおガス供給手段４からＮ、ガスの代りにエツチング用
ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチン
グ加工用にも使用可能となる。
ガスを供給することにより、この装置は基板のエツチン
グ加工用にも使用可能となる。
従来のこの種のＥＣＲプラズマエツチング、ＣＶＤ装置
における問題点は次のとおりである。すなわち、プラズ
マが発生するのはマイクロ波がプラズマ生成室に導入さ
れている時のみである。従ってマイクロ波のパルス周期
のうちマイクロ波が発生していない時はプラズマも発生
しない、ＲＦバイアスを印加する際、プラズマが発生し
ている時はプラズマが負荷となるのでインピーダンスの
整合がとれ、基板上に適切な電圧を印加することが可能
である。しかしながらマイクロ波が発生しておらずプラ
ズマも発生していない時は無負荷状態となり、整合もと
れない、一方プラズマが発生している時に整合がとれる
ようにＲＦ ／＜イアスを調整しておくとプラズマの発
生して０なし１時番よ必然的に不整合となり、基板上に
高電圧が印加される。この高電圧は約ＩＫＶになる場合
もあり、基板表面で放電が起き、基板表面にクレータ−
が生じ破損する問題があった。
における問題点は次のとおりである。すなわち、プラズ
マが発生するのはマイクロ波がプラズマ生成室に導入さ
れている時のみである。従ってマイクロ波のパルス周期
のうちマイクロ波が発生していない時はプラズマも発生
しない、ＲＦバイアスを印加する際、プラズマが発生し
ている時はプラズマが負荷となるのでインピーダンスの
整合がとれ、基板上に適切な電圧を印加することが可能
である。しかしながらマイクロ波が発生しておらずプラ
ズマも発生していない時は無負荷状態となり、整合もと
れない、一方プラズマが発生している時に整合がとれる
ようにＲＦ ／＜イアスを調整しておくとプラズマの発
生して０なし１時番よ必然的に不整合となり、基板上に
高電圧が印加される。この高電圧は約ＩＫＶになる場合
もあり、基板表面で放電が起き、基板表面にクレータ−
が生じ破損する問題があった。
この発明の目的は、前記従来の問題点を除去し、エツチ
ングあるいは薄膜形成において最適のＲＦバイアスを基
板に印加してエツチングあるいは薄膜の加工が可能とな
るプラズマ処理装置を提供することである。
ングあるいは薄膜形成において最適のＲＦバイアスを基
板に印加してエツチングあるいは薄膜の加工が可能とな
るプラズマ処理装置を提供することである。
上記問題点を解決するために、この発明によれば、パル
ス状のマイクロ波発生手段であるマイクロ波発生器と、
該マイクロ波の伝達手段である導波管と、該導波管と結
合されて前記マイクロ波が導入されるとともに、ガス供
給手段を介して供給されたガスを前記マイクロ波との共
鳴効果によりプラズマ化して活性な原子１分子またはイ
オンを生ぜしめるための磁力線を発生する励磁用ヅレノ
イドを備え、かつ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束
の中心軸と一敗する開口を前記マイクロ波を伝達する導
波管と対向する側に有するプラズマ生成室と、該プラズ
マ生成室と前記開口を介して結合され該開口から前記磁
力線に沿って流出する前記活性な原子９分子またはイオ
ンにより表面にエツチングが施されまたは薄膜形成され
る基板が配される処理室と、該基板にＲＦバイアスを印
加するためのＲＦ発生手段であるＲＦ発生器と、前記プ
ラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排気系とを備え
たプラズマ処理装置において、前記パルス状のマイクロ
波とＲＦ波の発生時期を同期させるための、同期パルス
発生回路あるいはＲＦバイアス変調回路などから成るＲ
Ｆ発生同期手段を備えることとする。
ス状のマイクロ波発生手段であるマイクロ波発生器と、
該マイクロ波の伝達手段である導波管と、該導波管と結
合されて前記マイクロ波が導入されるとともに、ガス供
給手段を介して供給されたガスを前記マイクロ波との共
鳴効果によりプラズマ化して活性な原子１分子またはイ
オンを生ぜしめるための磁力線を発生する励磁用ヅレノ
イドを備え、かつ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束
の中心軸と一敗する開口を前記マイクロ波を伝達する導
波管と対向する側に有するプラズマ生成室と、該プラズ
マ生成室と前記開口を介して結合され該開口から前記磁
力線に沿って流出する前記活性な原子９分子またはイオ
ンにより表面にエツチングが施されまたは薄膜形成され
る基板が配される処理室と、該基板にＲＦバイアスを印
加するためのＲＦ発生手段であるＲＦ発生器と、前記プ
ラズマ生成室と処理室の排気を行う真空排気系とを備え
たプラズマ処理装置において、前記パルス状のマイクロ
波とＲＦ波の発生時期を同期させるための、同期パルス
発生回路あるいはＲＦバイアス変調回路などから成るＲ
Ｆ発生同期手段を備えることとする。
このように、マイクロ波がプラズマ生成室に導入されて
いてプラズマが発生している時のみＲＦバイアスを印加
することにより、常に整合がとれ、基板表面に高電圧が
発生しないようにすることが可能となる。すなわち、マ
イクロ波のＸルスＯＮ時と同期するようＲＦ発生器にパ
ルス変調をかけ、マイクロ波がＯＮ時、すなわちプラズ
マが発生している時のみＲＦバイアスが基板に印加され
、マイクロ波のＯＦＦ時にはＲＦバイアスが基板に印加
されないようにする。これにより、ＲＦバイアスは常に
プラズマを負荷としてほぼ一定のインピーダンスに対し
印加されることになり不整合も生じない、これ数基板表
面に高電圧が発生して放電が起きることもなくなり、基
板表面を破損することなく常に最適のＲＦバイアスを印
加して、基板・のプラズマ処理を行うことが可能となる
。
いてプラズマが発生している時のみＲＦバイアスを印加
することにより、常に整合がとれ、基板表面に高電圧が
発生しないようにすることが可能となる。すなわち、マ
イクロ波のＸルスＯＮ時と同期するようＲＦ発生器にパ
ルス変調をかけ、マイクロ波がＯＮ時、すなわちプラズ
マが発生している時のみＲＦバイアスが基板に印加され
、マイクロ波のＯＦＦ時にはＲＦバイアスが基板に印加
されないようにする。これにより、ＲＦバイアスは常に
プラズマを負荷としてほぼ一定のインピーダンスに対し
印加されることになり不整合も生じない、これ数基板表
面に高電圧が発生して放電が起きることもなくなり、基
板表面を破損することなく常に最適のＲＦバイアスを印
加して、基板・のプラズマ処理を行うことが可能となる
。
本発明に基づいて構成されるプラズマ処理装置であるＥ
ＣＲ型プラズマエツチング、ｃＶＤ装置の一実施例を第
１図に示す、ここで従来の構成例７あ、第ｓ＋’晶よ同
一。部材、は同一。線番を付。
ＣＲ型プラズマエツチング、ｃＶＤ装置の一実施例を第
１図に示す、ここで従来の構成例７あ、第ｓ＋’晶よ同
一。部材、は同一。線番を付。
て説明を省略する０図において、パルス状のマイクロ波
とＲＦ波の発生時期を同期させるためのＲＦ発生同期手
段４１は、同期パルス発生回路２２とパルス信号伝達手
段３１とから成っている。第２図に同期パルス発生回路
２２のブロック図を示す０発振回路２２１で１００１１
ｚ程度の周波数で交流を発生させ、これをパルス化回路
２２２で矩形波にする。この矩形波を、電流増幅機能を
有しオペアンプやＩＣからなる出力バッファ２２３を通
してパルス信号伝達手段３１によりマイクロ波発生器１
７とＲＦ発生器２０とに伝達してパルス変調をかけ、マ
イクロ波とＦＦバイアスとを同時に出力させる。これに
より、マイクロ波のＯＮ、ＯＦＦとＲＦのＯＮ、ＯＦＦ
の同期がとれ、プラズマ発生に同期してＲＦバイアスを
印加することが可能となる。
とＲＦ波の発生時期を同期させるためのＲＦ発生同期手
段４１は、同期パルス発生回路２２とパルス信号伝達手
段３１とから成っている。第２図に同期パルス発生回路
２２のブロック図を示す０発振回路２２１で１００１１
ｚ程度の周波数で交流を発生させ、これをパルス化回路
２２２で矩形波にする。この矩形波を、電流増幅機能を
有しオペアンプやＩＣからなる出力バッファ２２３を通
してパルス信号伝達手段３１によりマイクロ波発生器１
７とＲＦ発生器２０とに伝達してパルス変調をかけ、マ
イクロ波とＦＦバイアスとを同時に出力させる。これに
より、マイクロ波のＯＮ、ＯＦＦとＲＦのＯＮ、ＯＦＦ
の同期がとれ、プラズマ発生に同期してＲＦバイアスを
印加することが可能となる。
第３図に本発明の他の実施例を示す、この例では、ＲＦ
バイアスを印加した時、マイクロ波ＯＦＦ時に負荷のイ
ンピーダンスが増加することにより負荷の電位が上昇す
ることを利用し、マイクロ波ＯＦＦ時に基板上の電位が
あらかじめ設定したしきい値電圧を超えた時にＲＦをＯ
ＦＦするようＲＦバイアス変調回路２３を設け、パルス
変調をかける。すなわち、この場合パルス状のマイクロ
波とＲＦ波の発生時期を同期させるためのＲＦ発発生同
年手段４１、基板電位検出手段３２とＲＦバイアス変調
回路２３とＲＦＯＮ／ＯＦＦＦ達手段３３とから成って
いる。第４図にＲＦバイアス変調回路２３のブロック図
を示す、基板上に発生する電圧を、基板電位検出手段３
２により検出し、検波回路２３１で直流信号にした後、
比較回路２３２で基準値設定回路２３３であらかじめ設
定した値と比較する。ピーク値が基準値より小さい場合
、比較回路２３２からＯＮ信号が出力され、出カバソフ
ァ２３５により電流増幅されてＲ’Ｆ変調信号が出力さ
れる。一方ピーク値が基準値より大きい場合、比較回路
２３２からＯＦＦ信号が出力されるが、チャタリングを
防ぐために、ホールド回路２３４により、マイクロ波の
パルスの周期より短いある一定の時間ＲＦＦ調信号を出
力しないよう、比較回路２３２からの出力信号はＯＦＦ
のまま保持される。よって、あらかじめ設定した値より
基板上の電圧が低い場合だけＲＦＦ調信号がＲＦバイア
ス変調回路２３より出力され、ＲＦＯＮ／ＯＦＦＦ達手
段３３を介し゛てＲＦＦ生器２０に入力され、ＲＦバイ
アスが出力される。これによりプラズマが発生している
時およびプラズマが消滅した直後のＲＦバイアスによる
電圧がしきい値以下の時のみＲＦバイアスが印加さるた
め、基板表面での放電は起きず、マイクロ波発生器１７
に何ら信号を与えることなく任意のＲＦバイアスを印加
して基板のプラズマ処理を行うことができる。
バイアスを印加した時、マイクロ波ＯＦＦ時に負荷のイ
ンピーダンスが増加することにより負荷の電位が上昇す
ることを利用し、マイクロ波ＯＦＦ時に基板上の電位が
あらかじめ設定したしきい値電圧を超えた時にＲＦをＯ
ＦＦするようＲＦバイアス変調回路２３を設け、パルス
変調をかける。すなわち、この場合パルス状のマイクロ
波とＲＦ波の発生時期を同期させるためのＲＦ発発生同
年手段４１、基板電位検出手段３２とＲＦバイアス変調
回路２３とＲＦＯＮ／ＯＦＦＦ達手段３３とから成って
いる。第４図にＲＦバイアス変調回路２３のブロック図
を示す、基板上に発生する電圧を、基板電位検出手段３
２により検出し、検波回路２３１で直流信号にした後、
比較回路２３２で基準値設定回路２３３であらかじめ設
定した値と比較する。ピーク値が基準値より小さい場合
、比較回路２３２からＯＮ信号が出力され、出カバソフ
ァ２３５により電流増幅されてＲ’Ｆ変調信号が出力さ
れる。一方ピーク値が基準値より大きい場合、比較回路
２３２からＯＦＦ信号が出力されるが、チャタリングを
防ぐために、ホールド回路２３４により、マイクロ波の
パルスの周期より短いある一定の時間ＲＦＦ調信号を出
力しないよう、比較回路２３２からの出力信号はＯＦＦ
のまま保持される。よって、あらかじめ設定した値より
基板上の電圧が低い場合だけＲＦＦ調信号がＲＦバイア
ス変調回路２３より出力され、ＲＦＯＮ／ＯＦＦＦ達手
段３３を介し゛てＲＦＦ生器２０に入力され、ＲＦバイ
アスが出力される。これによりプラズマが発生している
時およびプラズマが消滅した直後のＲＦバイアスによる
電圧がしきい値以下の時のみＲＦバイアスが印加さるた
め、基板表面での放電は起きず、マイクロ波発生器１７
に何ら信号を与えることなく任意のＲＦバイアスを印加
して基板のプラズマ処理を行うことができる。
以上に述べたように、本発明によれば、エツチングもし
くは薄膜形成において基板にＲＦバイアスを印加するの
は、マイクロ波がプラズマ生成室に導入されていてプラ
ズマが発生している時のみとしたので、パルス状のマイ
クロ波を用いて基板のプラズマ処理を行う場合、基板を
破損することな（最適のＲＦバイアスを印加してエツチ
ングもしくは薄膜形成を行うことが可能となり、エツチ
ングにおいては異方性の高いエツチングが、ｇｊＰＡ形
成においても溝、穴などをち密な膜で均一に埋めること
、また基板表面の段差の平坦化が可能となる。
くは薄膜形成において基板にＲＦバイアスを印加するの
は、マイクロ波がプラズマ生成室に導入されていてプラ
ズマが発生している時のみとしたので、パルス状のマイ
クロ波を用いて基板のプラズマ処理を行う場合、基板を
破損することな（最適のＲＦバイアスを印加してエツチ
ングもしくは薄膜形成を行うことが可能となり、エツチ
ングにおいては異方性の高いエツチングが、ｇｊＰＡ形
成においても溝、穴などをち密な膜で均一に埋めること
、また基板表面の段差の平坦化が可能となる。
第１図は本発明の一実施例になる同期パルス発生回路等
により成るＲＦＦ生同期手段を備えたプラズマ処理装置
の構成図、第２図は同期パルス発生回路の構成を示すブ
ロック図、第３図は本発明の異なる実施例になるＲＦバ
イアス変調回路等により成るＲＦＦ生同期手段を備えた
プラズマ処理装置の構成図、第４図はＲＦバイアス変調
回路の構成を示すブロック図、第５図は従来のＲＦバイ
アス印加型プラズマ処理装置の構成図である。 ３：プラズマ生成室、９：処理室、１１：基板、１７：
マイクロ波発生器、２０：ＲＦＦ生器、２２：同期パル
ス発生回路、２３：ＲＦバイアス変調回路、３１：パル
ス信号伝達手段、３２：基板電位検出手段、３３：ＲＦ
ＯＮ／ＯＦＦＦ達手段、４１：ＲＦ発生同窩Ｚ喝 り一一一で− Ｊ ノ３ ＲＦバイアス−１容ｒ旧猜
により成るＲＦＦ生同期手段を備えたプラズマ処理装置
の構成図、第２図は同期パルス発生回路の構成を示すブ
ロック図、第３図は本発明の異なる実施例になるＲＦバ
イアス変調回路等により成るＲＦＦ生同期手段を備えた
プラズマ処理装置の構成図、第４図はＲＦバイアス変調
回路の構成を示すブロック図、第５図は従来のＲＦバイ
アス印加型プラズマ処理装置の構成図である。 ３：プラズマ生成室、９：処理室、１１：基板、１７：
マイクロ波発生器、２０：ＲＦＦ生器、２２：同期パル
ス発生回路、２３：ＲＦバイアス変調回路、３１：パル
ス信号伝達手段、３２：基板電位検出手段、３３：ＲＦ
ＯＮ／ＯＦＦＦ達手段、４１：ＲＦ発生同窩Ｚ喝 り一一一で− Ｊ ノ３ ＲＦバイアス−１容ｒ旧猜
Claims (3)
- （１）パルス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波
の伝達手段と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記
マイクロ波が導入されるとともに、ガス供給手段を介し
て供給されたガスを前記マイクロ波との共鳴効果により
プラズマ化して活性な原子、分子またはイオンを生ぜし
めるための磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、
かつ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一
致する開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有
するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を
介して結合され該開口から前記磁力線に沿って流出する
前記活性な原子、分子またはイオンにより表面にエッチ
ングが施されまたは薄膜が形成される基板が配される処
理室と、該基板にＲＦバイアスを印加するためのＲＦ発
生手段と、前記プラズマ生成室と処理室の排気を行う真
空排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記
パルス状のマイクロ波とＲＦ波の発生時期を同期させる
ための、ＲＦ発生同期手段を備えることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置に
おいて、前記ＲＦ発生同期手段は、同期パルス発生回路
と、パルス信号伝達手段とから成ることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - （３）特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置に
おいて、前記ＲＦ発生同期手段は、ＲＦバイアス変調回
路と、基板電位検出手段と、ＲＦＯＮ／ＯＦＦ伝達手段
とから成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8826641A GB2212974B (en) | 1987-11-25 | 1988-11-15 | Plasma processing apparatus |
| US07/275,352 US4891118A (en) | 1987-11-25 | 1988-11-23 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29631287 | 1987-11-25 | ||
| JP62-296312 | 1987-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236629A true JPH01236629A (ja) | 1989-09-21 |
| JPH0766918B2 JPH0766918B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17831918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27578688A Expired - Fee Related JPH0766918B2 (ja) | 1987-11-25 | 1988-10-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766918B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH04100233A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5181986A (en) * | 1990-04-02 | 1993-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0661182A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置 |
| JPH06267900A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-09-22 | Nec Corp | プラズマエッチング方法とその装置 |
| JPH08181125A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | プラズマ処理方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27578688A patent/JPH0766918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US5181986A (en) * | 1990-04-02 | 1993-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH04100233A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0661182A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置 |
| JPH06267900A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-09-22 | Nec Corp | プラズマエッチング方法とその装置 |
| JPH08181125A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | プラズマ処理方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766918B2 (ja) | 1995-07-19 |
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