JPH02297929A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH02297929A JPH02297929A JP11823789A JP11823789A JPH02297929A JP H02297929 A JPH02297929 A JP H02297929A JP 11823789 A JP11823789 A JP 11823789A JP 11823789 A JP11823789 A JP 11823789A JP H02297929 A JPH02297929 A JP H02297929A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子サイクロトロン共鳴現象を利用して生成し
たプラズマを用い、基板表面のエツチング、基板への薄
膜形成等の表面処理を行う製造プロセスに使用されるマ
イクロ波プラズマ処理装置に関する。
たプラズマを用い、基板表面のエツチング、基板への薄
膜形成等の表面処理を行う製造プロセスに使用されるマ
イクロ波プラズマ処理装置に関する。
従来、この種の装置として２つの例が知られている。以
下、本発明を説明する図面を用いて説明する。
下、本発明を説明する図面を用いて説明する。
第５図に示すマイクロ波プラズマ処理装置は所定の強さ
の磁場がコイル２により印加されたプラズマ発生室３内
に導波管１からマイクロ波を導入して、電子サイクロト
ロン共鳴現象を起し、これにより発生したエネルギーで
プラズマ発生室３内のガスをプラズマ化し、プラズマ流
を発散磁界により基板処理室６内に引き出し、そのイオ
ン衝撃効果によって、基板ホルダー７上に載置した基板
８をエツチングするものである。
の磁場がコイル２により印加されたプラズマ発生室３内
に導波管１からマイクロ波を導入して、電子サイクロト
ロン共鳴現象を起し、これにより発生したエネルギーで
プラズマ発生室３内のガスをプラズマ化し、プラズマ流
を発散磁界により基板処理室６内に引き出し、そのイオ
ン衝撃効果によって、基板ホルダー７上に載置した基板
８をエツチングするものである。
第６図に示すマイクロ波プラズマ処理装置は、石英ペル
ジャー１１を通して導波管１よりマイクロ波を導入する
方式である。このチャンバはマイクロ波空洞共振器の条
件に構成されておらず、基板ホルダーをプラズマ発生室
内に設置という特徴をもつ。
ジャー１１を通して導波管１よりマイクロ波を導入する
方式である。このチャンバはマイクロ波空洞共振器の条
件に構成されておらず、基板ホルダーをプラズマ発生室
内に設置という特徴をもつ。
しかし、上述した従来の装置において、第４図に示すよ
うに高周波バイアスとマイクロ波を同時に停止させてい
るため、エツチング或いはデポジション後に下地のデバ
イスを破壊する、或いはデバイス特性を劣化させるとい
う欠点がある。
うに高周波バイアスとマイクロ波を同時に停止させてい
るため、エツチング或いはデポジション後に下地のデバ
イスを破壊する、或いはデバイス特性を劣化させるとい
う欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決したマイクロ波プラズマ
処理装置を提供することにある。
処理装置を提供することにある。
上述した従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装
置に対し、本発明は高周波バイアスを切った後マイクロ
波の導入を停止することで、プラズマ中の荷電粒子のチ
ャージアップの影響を受けず、デバイス特性の劣化、破
壊が起こらないという相違点を有する。
置に対し、本発明は高周波バイアスを切った後マイクロ
波の導入を停止することで、プラズマ中の荷電粒子のチ
ャージアップの影響を受けず、デバイス特性の劣化、破
壊が起こらないという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明はプラズマ発生室内で
マイクロ波により発生する電場と、該電場に直交する磁
場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用
して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを設置された
基板に照射して基板を処理するマイクロ波プラズマ処理
装置において、該基板に高周波バイアスを印加して処理
した場合に放電を停止する際、高周波バイアスを停止し
た後、マイクロ波の導入を停止する機能を有するもので
ある。
マイクロ波により発生する電場と、該電場に直交する磁
場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用
して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを設置された
基板に照射して基板を処理するマイクロ波プラズマ処理
装置において、該基板に高周波バイアスを印加して処理
した場合に放電を停止する際、高周波バイアスを停止し
た後、マイクロ波の導入を停止する機能を有するもので
ある。
以下１本発明の実施例を図により説明する。
第１図、第２図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置を示す図である。第１図に示す装置はイオン衝撃効
果により基板をエツチングする方式のものであり、第２
図に示す装置は石英ペルジャーを通してマイクロ波を導
入する方式のものである。
装置を示す図である。第１図に示す装置はイオン衝撃効
果により基板をエツチングする方式のものであり、第２
図に示す装置は石英ペルジャーを通してマイクロ波を導
入する方式のものである。
図において、１は導波管、２はコイル、３はプラズマ発
生室、４はプラズマ流、５は排気、６は基板処理室を示
す。また、７は基板設置電極、８はウェハー、９は水冷
、ＩＯは高周波バイアス、 １１は石英ペルジャーを示
す。
生室、４はプラズマ流、５は排気、６は基板処理室を示
す。また、７は基板設置電極、８はウェハー、９は水冷
、ＩＯは高周波バイアス、 １１は石英ペルジャーを示
す。
本発明は高周波バイアス１０を印加した場合に、放電停
止の際、高周波バイアスを停止した後に１ｓｅｃ以上の
タイムラグをもって導波管１からプラズマ発生室３への
マイクロ波の導入を停止する制御機構１７を有している
。この放電停止方法により、自己バイアスでチャージし
ていた荷電粒子が、プラズマを通して中和されるため、
デバイス特性に対して影響を与えることがない。
止の際、高周波バイアスを停止した後に１ｓｅｃ以上の
タイムラグをもって導波管１からプラズマ発生室３への
マイクロ波の導入を停止する制御機構１７を有している
。この放電停止方法により、自己バイアスでチャージし
ていた荷電粒子が、プラズマを通して中和されるため、
デバイス特性に対して影響を与えることがない。
第３図は本発明を実施するシーケンスのフローチャート
である。プラズマ停止時において、高周波バイアス（１
３，５６ＭＨｚ）を初めに停止した後、１秒後にマイク
ロ波を停止するシーケンスになっている。
である。プラズマ停止時において、高周波バイアス（１
３，５６ＭＨｚ）を初めに停止した後、１秒後にマイク
ロ波を停止するシーケンスになっている。
これらのシーケンスを用いることによる効果を第５図と
第６図を用いて説明する。第５図は本発明のデバイスへ
の影響を測定するために用いたＣＭＯＳインバータ回路
である。１２は電源入力、１３はＰチャネル、１４はＮ
チャネル、１５は信号アウト、１６はリーク電流を示す
。このインバータに第１図。
第６図を用いて説明する。第５図は本発明のデバイスへ
の影響を測定するために用いたＣＭＯＳインバータ回路
である。１２は電源入力、１３はＰチャネル、１４はＮ
チャネル、１５は信号アウト、１６はリーク電流を示す
。このインバータに第１図。
第２図に示したマイクロ波プラズマ処理装置により０２
プラズマを照射したときの停止方法の違いによってイン
バータ内のリーク電流の増加を測定したものが第６図で
ある。ここに示すように、高周波バイアスを停止した後
、マイクロ波を停止することで、リーク電流が極端に小
さくなることにより、本発明の効果が大きいことがわか
る。
プラズマを照射したときの停止方法の違いによってイン
バータ内のリーク電流の増加を測定したものが第６図で
ある。ここに示すように、高周波バイアスを停止した後
、マイクロ波を停止することで、リーク電流が極端に小
さくなることにより、本発明の効果が大きいことがわか
る。
以上説明したように本発明はマイクロ波プラズマ処理装
置において、高周波バイアスを印加する場合に、放電停
止の際、高周波バイアスを停止した後マイクロ波を停止
することで、デバイス特性の劣化を小さくできる効果が
ある。
置において、高周波バイアスを印加する場合に、放電停
止の際、高周波バイアスを停止した後マイクロ波を停止
することで、デバイス特性の劣化を小さくできる効果が
ある。
第１図、第２図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置を示す図、第３図は本発明を実施するためのシーケ
ンスフローチャート、第４図は従来例のシーケンスフロ
ーチャート、第５図はプラズマ放電停止方法によるデバ
イスへの影響を測定するために用いたＣＭＯＳインバー
タの回路図、第６図はＣＭＯＳインバータにおける放電
停止方法によるリーク電流の違いを示す図である。 １・・・導波管 ２・・・コイル３・・・プ
ラズマ発生室 ４・・プラズマ流５・・・排気
６・・・基板処理室７・・・基板設置電極
８・・・ウェハー９・・・水冷 ｌＯ・
・・高周波バイアス１１・・・石英ペルジャー １２
・・・電力入力１３・・・Ｐチャネル １４・・
・Ｎチャネル１５・・・信号アウト １６・・・
リーク電流１７・・・制御機構
装置を示す図、第３図は本発明を実施するためのシーケ
ンスフローチャート、第４図は従来例のシーケンスフロ
ーチャート、第５図はプラズマ放電停止方法によるデバ
イスへの影響を測定するために用いたＣＭＯＳインバー
タの回路図、第６図はＣＭＯＳインバータにおける放電
停止方法によるリーク電流の違いを示す図である。 １・・・導波管 ２・・・コイル３・・・プ
ラズマ発生室 ４・・プラズマ流５・・・排気
６・・・基板処理室７・・・基板設置電極
８・・・ウェハー９・・・水冷 ｌＯ・
・・高周波バイアス１１・・・石英ペルジャー １２
・・・電力入力１３・・・Ｐチャネル １４・・
・Ｎチャネル１５・・・信号アウト １６・・・
リーク電流１７・・・制御機構
Claims (1)
- （１）プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電
場と、該電場に直交する磁場とによって起こる電子サイ
クロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し
、該プラズマを設置された基板に照射して基板を処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、該基板に高周
波バイアスを印加して処理した場合に放電を停止する際
、高周波バイアスを停止した後、マイクロ波の導入を停
止する機能を有することを特徴とするマイクロ波プラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118237A JP2623827B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118237A JP2623827B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297929A true JPH02297929A (ja) | 1990-12-10 |
| JP2623827B2 JP2623827B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=14731630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118237A Expired - Fee Related JP2623827B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623827B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310452A (en) * | 1989-04-27 | 1994-05-10 | Fujitsu Limited | Plasma process apparatus and plasma processing method |
| KR100325404B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2002-07-04 | 이데이 노부유끼 | 플라스마 처리 장치 |
| US6426477B1 (en) | 1999-09-13 | 2002-07-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus for eliminating damages in a plasma process of a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105413A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング処理方法 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP1118237A patent/JP2623827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105413A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング処理方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310452A (en) * | 1989-04-27 | 1994-05-10 | Fujitsu Limited | Plasma process apparatus and plasma processing method |
| KR100325404B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2002-07-04 | 이데이 노부유끼 | 플라스마 처리 장치 |
| US6426477B1 (en) | 1999-09-13 | 2002-07-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus for eliminating damages in a plasma process of a substrate |
| US6576860B2 (en) | 1999-09-13 | 2003-06-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus for eliminating damages in a plasma process of a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623827B2 (ja) | 1997-06-25 |
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Legal Events
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