JPS6369228A - マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法Info
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- JPS6369228A JPS6369228A JP21163486A JP21163486A JPS6369228A JP S6369228 A JPS6369228 A JP S6369228A JP 21163486 A JP21163486 A JP 21163486A JP 21163486 A JP21163486 A JP 21163486A JP S6369228 A JPS6369228 A JP S6369228A
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- etching
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- microwave plasma
- etching process
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 8
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims 1
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波プラズマエツチング装置のエツチン
グ方法に係り、特に直接プラズマにさらされることによ
って絶縁破壊等のニス的特性を損い易い試料をエツチン
グするのに好適なマイクロ波プラズマエツチング装置の
エツチング方法に関するものである。
グ方法に係り、特に直接プラズマにさらされることによ
って絶縁破壊等のニス的特性を損い易い試料をエツチン
グするのに好適なマイクロ波プラズマエツチング装置の
エツチング方法に関するものである。
従来の方法は、特公昭５８−１３６２７号に記載されて
いるように磁場を用いて電子サイクロトロン共鳴でプラ
ズマを発生させ、かつ試料台にＲｐ−４たはＤＣバイア
スを印加することにより、寸法加工精度が良く、高速で
エツチングを行なうようにしたものがある。
いるように磁場を用いて電子サイクロトロン共鳴でプラ
ズマを発生させ、かつ試料台にＲｐ−４たはＤＣバイア
スを印加することにより、寸法加工精度が良く、高速で
エツチングを行なうようにしたものがある。
上記従来技術は、試料台に印加するＲＦまたはＤＣバイ
アスを可変する点について配慮がされておらず、試料台
に大きなバイアスを印加したままだと、ジャストエッチ
ジグ後のオーバーエツチングにおいて、プラズマ中のイ
オンの入射およびスパッタ現象によって試料がダメージ
を受けるという問題があった〇 本発明の目的は、ジャストエツチング後のオーバーエツ
チング時に試料の受けるダメージを低減することのでき
るマイクロ波プラズマエツチング装置のエッチジグ方法
を提供することにある。
アスを可変する点について配慮がされておらず、試料台
に大きなバイアスを印加したままだと、ジャストエッチ
ジグ後のオーバーエツチングにおいて、プラズマ中のイ
オンの入射およびスパッタ現象によって試料がダメージ
を受けるという問題があった〇 本発明の目的は、ジャストエツチング後のオーバーエツ
チング時に試料の受けるダメージを低減することのでき
るマイクロ波プラズマエツチング装置のエッチジグ方法
を提供することにある。
上記目的は、試料台に印加する電圧なジャストエツチン
グ（麦に減少させて、オーバーエツチングを行なうこと
によって達成される。
グ（麦に減少させて、オーバーエツチングを行なうこと
によって達成される。
エツチングが進行して下地が現れた時、すなわちジャス
トエツチング時に、試料台に印加する電圧を減少させる
ことにより、プラズマ中のイオンのもつエネルギのうち
、試料に対して垂直方向の運動エネルギが付与されなく
なるので、試料に大きなエネルギをもって入射するイオ
ンが減少し、試料上の素子が絶縁破壊を起こす等の電気
的損傷、すなわち、ダメージを減少できる。
トエツチング時に、試料台に印加する電圧を減少させる
ことにより、プラズマ中のイオンのもつエネルギのうち
、試料に対して垂直方向の運動エネルギが付与されなく
なるので、試料に大きなエネルギをもって入射するイオ
ンが減少し、試料上の素子が絶縁破壊を起こす等の電気
的損傷、すなわち、ダメージを減少できる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図蚤こより
説明する。
説明する。
第１図はマイクロ波プラズマエツチング装置を示す。真
空室ｌの上部には放電室２が設けられ、放電室２に対向
して試料台６が真空室ｌ内に内設しである。放電室２を
囲九で導波管３が取り付けられ、導波管３の端部にマイ
クロ波源であるマグネトロンが取り付けである。さらに
、導波管３の外側には放電室２を囲んでソレノイドコイ
ル５が設けである。試料台６１こは、電圧を印加する手
段として、この場合は高周波型＃７が接続してあり、高
周波型１７は制御装置８によって制御される。
空室ｌの上部には放電室２が設けられ、放電室２に対向
して試料台６が真空室ｌ内に内設しである。放電室２を
囲九で導波管３が取り付けられ、導波管３の端部にマイ
クロ波源であるマグネトロンが取り付けである。さらに
、導波管３の外側には放電室２を囲んでソレノイドコイ
ル５が設けである。試料台６１こは、電圧を印加する手
段として、この場合は高周波型＃７が接続してあり、高
周波型１７は制御装置８によって制御される。
放電室２には処理ガス供給装置９が継なげられ、真空室
ｌには排気装置１０が継なげられている。
ｌには排気装置１０が継なげられている。
上記構成の装置により、放電室２に処理ガスを供給し、
所定の処理圧に減圧排気するとともに、ソレノイドコイ
ル５に磁界を発生させ、マイクロ波を放電室２内に尋人
すること畢こよって、処理ガスがプラズマ化される。試
料台昏こは試料、例えばウェハを戦へし、高周波電源を
目ｊ加することによって、ウェハがプラズマによりエッ
チジグされる。
所定の処理圧に減圧排気するとともに、ソレノイドコイ
ル５に磁界を発生させ、マイクロ波を放電室２内に尋人
すること畢こよって、処理ガスがプラズマ化される。試
料台昏こは試料、例えばウェハを戦へし、高周波電源を
目ｊ加することによって、ウェハがプラズマによりエッ
チジグされる。
この際に％第２図に示すように、ウェハがジャストエツ
チングされた時点で、試料台６に印加する高周波電圧を
下げ、オーバーエツチングを行なう。
チングされた時点で、試料台６に印加する高周波電圧を
下げ、オーバーエツチングを行なう。
以上、本−実施例によれば、ウェハの下地がプラス゛マ
にさらされるようになるジャストエツチングの直後から
、ウェハに入射する高エネルギのイオンを減少させるこ
とができるので、ウェハが受ける絶縁破壊等のダメージ
を低減することができる。
にさらされるようになるジャストエツチングの直後から
、ウェハに入射する高エネルギのイオンを減少させるこ
とができるので、ウェハが受ける絶縁破壊等のダメージ
を低減することができる。
なお、本−実施例では試料台に印加する電圧源として高
周波電源を用いているが、直流電源を用いる場合も同様
に行なうことができる。
周波電源を用いているが、直流電源を用いる場合も同様
に行なうことができる。
本発明によれば、ジャストエツチング後のオーバーエツ
チング時に受ける試料のダメージを低減することができ
るという効果がある。
チング時に受ける試料のダメージを低減することができ
るという効果がある。
第１図は本発明のマイクロ波プラズマエツチング装置の
エツチング方法を実施するための装置の構成図、第２図
は第１図の装置費こよるエツチング時の試料台に印加す
る電圧の変化を示す図である。 ！・・・・・・真空室、２・・・・・・放電室、３・・
・・・・導波管、４・・・・・・マグネトロン、５・・
・・・・ソレノイドコイル、６・・・・・・試料台、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・制御装置、９
・・・・・・処理ガス供給装置、１０・・・・・・排気
装置才Ｉ圀 ４−一−７ブ）トロン ニブチン２゛−げ■
エツチング方法を実施するための装置の構成図、第２図
は第１図の装置費こよるエツチング時の試料台に印加す
る電圧の変化を示す図である。 ！・・・・・・真空室、２・・・・・・放電室、３・・
・・・・導波管、４・・・・・・マグネトロン、５・・
・・・・ソレノイドコイル、６・・・・・・試料台、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・制御装置、９
・・・・・・処理ガス供給装置、１０・・・・・・排気
装置才Ｉ圀 ４−一−７ブ）トロン ニブチン２゛−げ■
Claims (1)
- １、マイクロ波と直交電磁界とを利用して電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを発生させ、電圧を印加した試料台
上の試料をエッチングするマイクロ波プラズマエッチン
グ装置のエッチング方法において、ジャストエッチング
後のオーバーエッチング時に前記試料台に印加する電圧
を減少させることを特徴とするマイクロ波プラズマエッ
チング装置のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163486A JPS6369228A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163486A JPS6369228A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369228A true JPS6369228A (ja) | 1988-03-29 |
Family
ID=16609026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21163486A Pending JPS6369228A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6369228A (ja) |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP21163486A patent/JPS6369228A/ja active Pending
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