JP3020580B2 - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板のドライエッチング処理やプラ
ズマCVD処理などを行うプラズマ処理装置に係り、特に
低圧力で高密度且つ均一なプラズマを安定生成し、大口
径基板の均一処理に好適なプラズマ処理方法及びその装
置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体デバイスのプラズマ処理装置は、例えばドライ
エッチング処理においては真空雰囲気としたプラズマ処
理室（以下、単に処理室と略称する）に処理ガスを導入
してプラズマを生成し、処理ガスの電離や解離過程によ
って化学的に反応性の高いイオンやラジカル（中性活性
種）を生成する。そして、これらの活性粒子が物理的あ
るいは化学的に作用して半導体基板上の被処理膜の所望
部分をエッチング除去してデバイスパターンを形成する
ものである。このような装置で、マスクパターンに忠実
な、いわゆるサイドエッチングの少ないエッチング処理
を実現するためには、イオンやラジカルの指向性を増大
するために低圧力で処理する必要がある。しかし、低圧
力化によってイオンやラジカルの濃度が低下するので、
処理速度を確保するためには、低圧力下であっても高密
度のプラズマを生成する必要がある。
低圧力で高密度プラズマを生成し得る方法に、例えば
特開昭63−103088号公報に記載の方法が知られている。
これらは、マイクロ波を処理室に導入する直前で空洞共
振器によりその電磁界強度を強め、これを空洞共振器の
処理室側の端面に設けたスロットを介して処理室に導入
し、強い電界強度で電子にエネルギーを供給してプラズ
マ生成するプラズマ処理装置である。
〔発明が解決しようとする課題〕
プラズマ処理の対象物である半導体基板は、生産性向
上のためにφ150mmからφ200mmへと大口径化が進められ
ている。このように大口径の半導体基板をプラズマ処理
するには、大口径プラズマを均一に生成する必要があ
る。しかし、前述の従来技術においては、大口径プラズ
マを均一に生成するという点への配慮が不十分であり、
φ200mm以上の大口径半導体基板を±５％以下の均一性
でプラズマ処理することが難しいという課題があつた。
上記のような課題を生じている原因について、次に述
べる。
従来技術においては、プラズマの均一性を±15％以下
で達成しようとすると、空洞共振器に配設するスロット
のピッチ径をＤとし、半導体基板を載置する電極とスロ
ットとの距離（電極間隔）をＨとして、Ｄ≒（１〜３）
Ｈの範囲で処理室を構成する必要があった。しかし、プ
ラズマ中の電子やイオンの処理室内壁への損失が存在す
るため、処理室半径方向にプラズマ密度の勾配が生じ
る。そのため、半導体基板近傍のプラズマ密度の分布を
φ200mm以上の広い領域で均一性良く得ることが難しか
った。
本発明の目的は、上述の事情に鑑みて為されたもの
で、大口径のプラズマを均一に生成して、大口径半導体
基板を均一に処理し得るプラズマ処理方法及びその装置
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的は、プラズマ処理される基板を載置するた
めのステージを備えて真空排気手段とプラズマ処理用ガ
ス導入手段とを接続したプラズマ処理室と、このプラズ
マ処理室と真空封止し且つマイクロ波を透過するマイク
ロ波透過窓を介して結合し、プラズマ処理室にマイクロ
波を放射するスロットを備えた空洞共振器とを備え、プ
ラズマ処理室に電磁界強度を強めたマイクロ波を供給し
てプラズマを発生して基板を処理するプラズマ処理装置
において、プラズマ処理室の外部にプラズマ処理室内壁
近傍でのプラズマの拡散を抑制して損失を低減する領域
（以下、損失抑制領域と呼ぶ）を形成する手段を設けた
ことにより達成される。
また、上記目的は、プラズマ処理される基板を載置す
るためのステージを備えて真空排気手段とプラズマ処理
用ガス導入手段とを接続したプラズマ処理室と、このプ
ラズマ処理室と真空封止し且つマイクロ波を透過するマ
イクロ波透過窓を介して結合し、プラズマ処理室にマイ
クロ波を放射するスロットを備えた空洞共振器と、プラ
ズマ処理室内壁近傍でのプラズマの拡散を抑制して損失
を低減する領域を形成する手段とを備えたプラズマ処理
装置において、空洞共振器からスロットを介して放射さ
れたマイクロ波で発生させたプラズマによりステージに
載置した基板を10-3Ｔ以下の磁場中で処理することによ
り達成される。
更に、上記目的は、真空に排気した処理室の外部から
内壁面近傍が中央部に比べて強い磁場が形成されている
処理室の内部に高周波電力を供給し、この供給した高周
波電力により処理室の内部に無極放電によるプラズマを
発生させ、10-3Ｔ以下の磁場の領域に設置した基板をプ
ラズマで処理することにより達成される。
更に、上記目的は、真空に排気した処理室の外部から
内壁面近傍が中央部に比べて強い磁場が形成されている
処理室の内部に高周波電力を供給し、この供給した高周
波電力により処理室の内部に無極放電によるプラズマを
発生させ、この発生させたプラズマにより磁場の分布が
10-3Ｔ以下の領域で基板を処理することにより達成され
る。
〔作用〕
処理室とマイクロ波透過窓を介して結合する空洞共振
器の処理室側の端面に設けたスロットより、マイクロ波
を処理室に導入してプラズマ生成するマイクロ波プラズ
マ処理装置では、処理室に導入するマイクロ波の電磁界
強度が強く、低圧力でも高密度プラズマを生成すること
ができる。処理室内のスロット下近傍で発生したプラズ
マは、拡散によって処理室全体に広がり、プラズマ中の
電子やイオンは処理室壁面に到達して再結合により消滅
する。そして、処理室内のプラズマ密度は、スロット下
でのプラズマの発生量と処理室内壁での損失量のバラン
スによって決まる。
ここで、プラズマ中に磁場が存在すると、プラズマ中
の電子やイオン等の荷電粒子は、その運動方向と磁場の
方向に垂直な方向にローレンツ力を受けるので、磁力線
の回わりにサイクロトロン運動を行う。したがって、処
理室内壁に平行する磁場を形成することによって、プラ
ズマから処理室内壁に向かって運動する荷電粒子は、磁
束密度の大きさに反比例した半径でサイクロトロン運動
を行うので、処理室内壁への荷電粒子の拡散が抑制され
損失を低減できる。
この磁場によるプラズマの損失抑制領域を処理室内壁
近傍のみに形成することにより、処理室内の中央部領域
においてはプラズマ中の荷電粒子の拡散抑制効果が無い
ので、スロット近傍のスロット開口領域と非開口領域の
プラズマ密度疎密分布は、半導体基板近傍に至るまでに
拡散によって均等化される。また、処理室内壁近傍で
は、処理室内壁への荷電粒子の損失が抑制されるので、
処理室半径方向のプラズマ密度分布の勾配が緩和され
る。これにより、φ200mm以上の大口径プラズマを均一
に生成することができる。
上述の処理室内壁近傍のみに形成するプラズマの損失
抑制領域が、複数個の永久磁石あるいはコイル磁石を、
処理室内に向けられた磁極が隣接する磁極が逆磁極とな
るように配置して得られる多極カスプ磁場によって実現
できるのは、以下に述べるとうりである。すなわち、隣
接磁極の極性が逆極性となるように配置するので、処理
室内中央領域では各磁極からの磁場が互いに打ち消し合
うことにより、発生しても磁場は非常に小さい。また、
一つの磁場からでた磁力線は処理室内部に深く侵入する
ことなく、処理室内壁に沿って隣接磁極に流入する。こ
のため、処理室内壁近傍には、該内壁に平行する強い磁
場が形成され、この磁場によりプラズマ中の荷電粒子の
処理室内壁への拡散を抑制し損失を低減することができ
る。
〔実施例〕
次に、第１図乃至第７図を参照して第１の実施例を説
明する。
第１図は、本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置
の第１の実施例を示す縦断面図である。第２図、第３図
および第４図は、それぞれ第１図における空洞共振器１
のAA断面図、処理室のBB断面図およびCC断面図である。
第１図において、空洞共振器１には導波管２を介して2.
45GHzのマイクロ波発生器であるマグネトロン３が取り
付けられる。空洞共振器１はある特定の共振モードにな
るように設計されており、円形空洞共振器がTM01モード
の場合、スロット４は、第２図に示す様に電界を横切る
方向に同心円弧状に構成する。
第１図の空洞共振器１は、石英またはアルミナなどの
誘電体から成るマイクロ波透過窓５を介して、スロット
４を設けた面で処理室６に接続され、大気圧下の空洞共
振器１と真空雰囲気下の処理室６とがマイクロ波透過窓
５を隔てて文離される。
処理室６の側面には、大気側に永久磁石7,8,9が配設
され、これら永久磁石の外周側には透磁率の高い材料か
ら成るヨーク10,11が設置される。ここで、永久磁石7,
8,9の磁極は処理室内壁側でそれぞれN,S,Nと隣り合う極
性が逆極性となるように配置される。したがって、磁界
は磁力線12で示す様に形成される。
また、永久磁石７、および同8,9の処理室横断面にお
ける配置は、それぞれ第３図および第４図に示す様に偶
数個配置されており、互いに隣り合う磁石は極性が逆極
性となっている。したがって、処理室６の横断面図にお
いては、磁力線13および14で示す様な磁場が形成され
る。すなわち、処理室６の内壁側には多極カスプ磁場が
形成される。ここで、永久磁石7,8,9は、処理室内の各
磁極位置で磁束密度が0.0875TのECR（Electron Cycroto
ron Resonance ;電子サイクロトロン共鳴）条件となる
ような残留磁束密度の高い磁石で構成される。
第５図は、第１図における処理室６のDD断面において
処理室内壁に平行する磁束密度の実測値を処理室中心か
らの距離に対してプロットしたものである。第５図に示
す様に、処理室中心から80mm以内の領域における磁束密
度は１×10-3Ｔ以下となり、この領域でのプラズマ中の
荷電粒子は拡散が抑制されず等方拡散となる。一方、処
理室内壁近傍約20mmの領域にはプラズマ中の荷電粒子の
拡散を抑制するに十分な磁場が形成される。したがっ
て、第１図に示す磁石7,8,9で多極カスプ磁場を形成す
ることによって、処理室内壁近傍のみにプラズマの損失
抑制領域を形成することができる。
第１図の処理室６の内部には下部電極15が絶縁体16に
よりアース電位に対して電気的に絶縁されて設置され、
絶縁体16はアース電位の金属性カバー17で覆われてい
る。この下部電極15には高周波電源18が接続され、プラ
ズマ処理される半導体基板19は下部電極15上に載置され
る。また、処理室６には図示しないガス供給装置が接続
されており、ガス供給ノズル20より処理ガスが供給さ
れ、供給された処理ガスは反応したのち排気口21から図
示しない排気装置により排気される。この際、処理室６
の圧力は図示しない圧力調整装置により所定の圧力に制
御される。
上記の構成により、半導体基板19をドライエッチング
処理する場合の動作について説明する。
Al合金膜をドライエッチング処理する場合は、処理ガ
スとして例えばCl2＋BCl3が用いられ、ガス供給ノズル2
0から処理室６内に供給するとともに、該処理室６内を
所定の圧力100〜10-2Paに制御する。続いてマグネトロ
ン３から2.45GHzのマイクロ波を発生させ、導波管２を
経て空洞共振器１に導入する。空洞共振器１に導入され
たマイクロ波は、例えばTM01モードで共振してその電磁
界が強められ、スロット４から処理室６に放射され、こ
れにより処理室６内にプラズマが生成される。
プラズマ中の荷電粒子、特にイオンに比べて２桁高い
熱速度で運動する電子は、第１図および第３図、第４図
に示す磁力線12,13,14に捕捉されてサイクロトロン運動
を行うので、電子の処理室６内壁への損失が抑制され
る。
従って、大口径プラズマを得るためにマイクロ波透過
窓５から電極15までの距離Ｈを広くとっても、半導体基
板近傍のプラズマ密度は高密度に維持できるのみなら
ず、荷電粒子の処理室内壁への損失が抑制され、処理室
半径方向のプラズマ密度の低下が緩和されるので半導体
基板近傍のプラズマ密度の分布が均一となる。
また、処理室内の各磁極位置で電子サイクロトロン共
鳴現象を利用することにより、プラズマを安定した状態
で形成できる。
第６図は、前記の距離Ｈ（第１図参照）と電極流入イ
オン電流密度との関係を示す図表である。
黒丸を実線で繋いだカーブは本実施例における実測値
である。
また、本実施例の装置から永久磁石7,8,9を取り外し
て従来例と同様の状態とした場合の実測値は白丸を鎖線
で繋いだカーブとなる。
本例によれば、半導体基板近傍のプラズマ密度を高く
維持できるので、イオン電流密度が高く、特に距離Ｈが
100〜150mmの広い時に２〜３倍と高密度プラズマの維持
に効果が大きい。
第７図は、電極中心からの距離と電極流入イオン電流
密度との関係を示した図表であり、黒丸を繋いだ実線は
本実施例、白丸を繋いだ鎖線は前記の永久磁石7,8,9を
取り外した従来例相当の装置における実測値である。本
実施例におけるイオン電流密度分布は、イオン電流密度
の絶対量が多いのみならず、電極周辺部におけるイオン
電流密度の低下が抑制されるので、φ200mmの大口径電
極においても高い均一性を達成することができる。
本実施例によれば、φ200mm以上の大口径半導体基板
の近傍のプラズマ密度を、高密度かつ均一に、しかも安
定した状態に維持することができるので、大口径半導体
基板を高速かつ均一に処理できる効果がある。また、プ
ラズマの処理室内壁への損失が抑制されるので、プラズ
マ中のイオン入射による内壁材料のスパッタ損傷が軽減
される。このため、内壁材料中の重金属による半導体基
板の汚染が軽減され、低ダメージで半導体基板を処理す
ることができる。
さらに、ドライエッチング処理においては、次のよう
な効果も得ることができる。ドライエッチングでは、プ
ラズマから半導体基板に入射するイオンのエネルギを制
御するために、下部電極15に高周波電源18より高周波バ
イアスを印加する。高周波バイアス電流はプラズマを通
って処理室内壁へと流れるが、プラズマ中の電子の運動
を規制する磁場が処理室内壁近傍のみに形成されるの
で、磁場によって抵抗は増大しても高周波バイアス電流
は半導体基板中央にも周辺にも均等に流れる。このた
め、半導体基板全面にわたって均一にイオンエネルギー
を制御することができる。また、磁場の形成が処理室内
壁近傍の狭い領域に限られるので、処理室全領域に強い
磁場を形成する場合に比べてプラズマと磁場との相互作
用によるイオンの加熱が小さい。したがって、プラズマ
と基板との間に形成されるシース間電圧に加速されて基
板に入射した際のイオンの速度角度分布が小さい。上述
のように、磁場を形成してもイオンエネルギを均一に制
御できかつイオンの指向性の乱れも小さいので、高段差
の微細パターンを異方性良く加工することができる。
本実施例では、空洞共振器内のマイクロ波の定在波モ
ードを円形TM01モードについて説明したが、本発明はこ
のモードに限定されるものではなく、空洞共振器は円
形、矩形、同軸いずれの形態、TM,TE,TEMいずれのモー
ドであってもよい。また、ヨークは本発明の必要構成用
件ではなく、ヨークがなくても第１の実施例と同様の効
果を得ることができる。
第８図は、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置
の第２の実施例を示す縦断面図である。第９図は、第８
図におけるマイクロ波透過窓５と永久磁石７との位置関
係を示す部分縦断面図である。第８図，第９図におい
て、第１図に示した第１の実施例と同一構成要素には同
一符号を記した。本実施例の場合には、マイクロ波透過
窓５の内面近傍にも平行な磁場を形成することにより、
マイクロ波透過窓５へのプラズマ損失を抑制した。この
平行な磁場は、第９図に示す様に、マイクロ波透過窓５
の下面位置と永久磁石７の高さ方向の中心とを略同一に
設定することにより、形成することができる。第９図の
構成によりマイクロ波透過窓５の下面近傍に形成される
磁束密度の計算値をベクトル表示22で示す。
本実施例によれば、前記第１の実施例におけると同様
の動作により同様の効果が得られるのみならず、次の様
な効果をも得ることができる。すなわち、マイクロ波を
放射するスロット４下のプラズマ発生領域の電子寿命を
延ばすことができるので、低い電力でプラズマを安定に
生成することができる。また、マイクロ波透過窓５のプ
ラズマによるスパッタ作用が軽減されるので、マイクロ
波透過窓５の消耗を軽減することができる。したがっ
て、マイクロ波の放射状況の経時変化が小さく、プラズ
マを長期にわたって安定に生成することができる。
第10図は、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置
の第３の実施例を示す縦断面図である。第１図に示した
第１の実施例と同一構成要件には同一符号を記した。
また、第10図の処理室６のCC縦断面は、第１の実施例
における第１図のCC断面図である第４図と同じなので省
略した。本実施例では、多極カスプ磁場を処理室６の外
周に偶数個設置した縦長の永久磁石７で構成し、かつ、
永久磁石７の上端がマイクロ波放射窓５の下面位置より
も空洞共振器１側に存在するように構成した。
本実施例によれば、第２の実施例と同様にマイクロ波
放射窓５の下面近傍にも下面に略平行な磁場を形成する
ことができるので、第１の実施例におけるのと同様の動
作により同様の効果が得られるのみならず、第２の実施
例と同様の効果をも得ることができる。
第11図は、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置
の第４の実施例を示す縦断面図である。本実施例では、
第１の実施例における永久磁石7,8,9の代わりにコイル
磁石23,24,25を使って、処理室内壁近傍にのみプラズマ
の損失抑制領域を形成した。コイル磁石23,24,25の処理
室横断面図における配置も、第１の実施例の第３図およ
び第４図に相当して、互いに隣り合う極性が逆極性とな
る様に構成されている。第11図におけるその他の符号
は、第１図に示した第１の実施例と同一構成要素には同
一符号を記して示した。
本実施例においても、前記第１の実施例におけると同
様の動作により同様の効果が得られる。
第12図は、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置
の第５の実施例を示す縦断面図である。第13図および第
14図は、それぞれ第12図の処理室６のEE断面およびFF断
面である。第12図および第13図、第14図において、第１
図に示した第１の実施例と同一構成要素には同一符号を
記した。本実施例の場合には、第12図に現われた永久磁
石7,8の処理室内壁側における極性は互いに逆極性であ
るが、第13図、第14図に示されているように処理室６の
横断面で見た極性配置は永久磁石７も８も処理室内壁側
において同極性の磁極が隣接している。
本例においては第12図に示されたように磁力線12′が
形成される。このような構成の第２の実施例において
も、前記第１の実施例におけると同様の動作により同様
の効果が得られる。
本実施例ではドライエッチング処理を例に説明した
が、本発明はプラズマを利用するプラズマCVD装置やア
ッシング装置の処理室にも適用し大口径基板の均一処理
に効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、処理室内壁近傍のみに磁力線が処理
室内壁に平行するような磁場を用いてプラズマ損失抑制
領域を形成するので、処理室中央領域では等方拡散によ
りプラズマの均等化を図るとともに、処理室内壁近傍で
はプラズマの損失が小さく抑制される。したがって、大
口径プラズマを得るために最外周のスロットピッチ径と
電極間隔を大きくとって荷電粒子の損失面積が増大して
も、大口径半導体基板近傍のプラズマを高密度かつ均一
性良く維持することができる。また、処理室内壁近傍の
各磁極位置には電子サイクロトロン共鳴条件の磁場を形
成すると、大口径プラズマを得るために最外周のスロッ
トピッチ径を大きくとってマイクロ波の電界強度が低下
しても、マイクロ波中のエネルギがプラズマ中の電子に
効率よく吸収されるので、大口径プラズマを安定に維持
することができる。
また、処理室内壁近傍にプラズマ損失抑制領域を形成
することにより、プラズマによる内壁材料のスパッタ損
傷が軽減されるので、半導体基板の処理室内壁からの重
金属汚染が軽減され、低ダメージで処理することができ
る。さらに、高周波バイアスの効果が半導体基板全面に
わたって均等に得られるので、イオンエネルギを基板全
面にわたって均一に制御することができる。
したがって、本発明によれば、大口径半導体基板を高
速で均一性良く、かつ低ダメージでプラズマ処理するこ
とができるので、半導体デバイス製造の生産性向上、歩
留り向上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の第
１の実施例を示す縦断面図、第２図は第１図のAA断面
図、第３図は第１図のBB断面図、第４図は第１図のCC断
面図、第５図は第１図のDD断面図における磁束密度の実
測図、第６図および第７図は上記第１の実施例の効果を
説明するための図、第８図は本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置の第２の実施例を示す縦断面図、第９図
は第２の実施例を実現するための磁石位置関係を示す部
分断面図、第10図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処
理装置の第３の実施例を示す縦断面図、第11図は、本発
明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の第４の実施例を
示す縦断面図、第12図は本発明に係るマイクロ波プラズ
マ処理装置の第５の実施例を示す縦断面図、第13図は第
12図のEE断面図、第14図は第12図のFF断面図である。 １…空洞共振器、２…導波管 ４…スロット、５…マイクロ波透過窓 ６…処理室、7,8,9…永久磁石 10,11…ヨーク、12,13,14…磁力線 15…下部電極、18…高周波電源 19…半導体基板 23,24,25…コイル磁石

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プラズマ処理される基板を載置するための
    ステージを備えて真空排気手段とプラズマ処理用ガス導
    入手段とを接続したプラズマ処理室と、該プラズマ処理
    室と真空封止し且つマイクロ波を透過するマイクロ波透
    過窓を介して結合し、前記プラズマ処理室にマイクロ波
    を放射するスロットを備えた空洞共振器とを備え、プラ
    ズマ処理室に電磁界強度を強めたマイクロ波を供給して
    プラズマを発生して基板を処理するプラズマ処理装置で
    あって、プラズマ処理室の外部にプラズマ処理室内壁近
    傍でのプラズマの拡散を抑制して損失を低減する領域を
    形成する手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装
    置。
  2. 【請求項２】プラズマ処理される基板を載置するための
    ステージを備えて真空排気手段とプラズマ処理用ガス導
    入手段とを接続したプラズマ処理室と、該プラズマ処理
    室と真空封止し且つマイクロ波を透過するマイクロ波透
    過窓を介して結合し、前記プラズマ処理室にマイクロ波
    を放射するスロットを備えた空洞共振器と、プラズマ処
    理室内壁近傍でのプラズマの拡散を抑制して損失を低減
    する領域を形成する手段とを備えたプラズマ処理装置で
    あって、前記空洞共振器から前記スロットを介して放射
    されたマイクロ波で発生させたプラズマにより前記ステ
    ージに載置した基板を10-3T以下の磁場中で処理するこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】前記損失を低減する領域を形成する手段
    を、複数個の永久磁石による多極カスプ磁場により構成
    したことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処
    理装置。
  4. 【請求項４】マイクロ波透過窓のプラズマに接する面に
    平行する磁場を形成して、マイクロ波透過窓へのプラズ
    マ損失を抑制したことを特徴とする請求項３記載のプラ
    ズマ処理装置。
  5. 【請求項５】前記損失を低減する領域を形成する手段
    を、複数個のコイル磁石による多極カスプ磁場で構成し
    たことを特徴とする請求項１又は３記載のプラズマ処理
    装置。
  6. 【請求項６】前記多極カスプ磁場の各磁極位置における
    磁束密度が電子サイクロトロン共鳴となるように設定さ
    れていることを特徴とする請求項３又は５記載のプラズ
    マ処理装置。
  7. 【請求項７】真空に排気した処理室の外部から内壁面近
    傍が中央部に比べて強い磁場が形成されている前記処理
    室の内部に高周波電力を供給し、該供給した高周波電力
    により前記処理室の内部に無極放電によるプラズマを発
    生させ、10-3T以下の磁場の領域に設置した基板を前記
    プラズマで処理することを特徴とするプラズマ処理方
    法。
  8. 【請求項８】真空に排気した処理室の外部から内壁面近
    傍が中央部に比べて強い磁場が形成されている前記処理
    室の内部に高周波電力を供給し、該供給した高周波電力
    により前記処理室の内部に無極放電によるプラズマを発
    生させ、該発生させたプラズマにより磁場の分布が10-3
    T以下の領域で基板を処理することを特徴とするプラズ
    マ処理方法。
  9. 【請求項９】前記処理室の内部に供給する高周波電力
    が、マイクロ波であることを特徴とする請求項７又は８
    に記載のプラズマ処理方法。
  10. 【請求項１０】前記処理室の内部に供給する高周波電力
    が、空洞共振器で共振させたマイクロ波であることを特
    徴とする請求項７又は８に記載のプラズマ処理方法。
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