JPH01120826A - 表面処理方法および表面処理装置 - Google Patents
表面処理方法および表面処理装置Info
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- JPH01120826A JPH01120826A JP62277412A JP27741287A JPH01120826A JP H01120826 A JPH01120826 A JP H01120826A JP 62277412 A JP62277412 A JP 62277412A JP 27741287 A JP27741287 A JP 27741287A JP H01120826 A JPH01120826 A JP H01120826A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング、デポジション、表面クリーニン
グなどの表面処理技術に係り、特に低損傷の表面処理を
行うのに好適な中性粒子ビームを用いる表面処理技術に
関する。
グなどの表面処理技術に係り、特に低損傷の表面処理を
行うのに好適な中性粒子ビームを用いる表面処理技術に
関する。
近年、半導体集積回路など電子デバイスの製造プロセス
において、プラズマを利用する表面処理技術が広範に用
いられている。ここで表面処理とは表面に物質を堆積（
デポジション、エピタキシー）させたり１表面から物質
を除去（エツチング）したり１表面の物理・化学的性質
を変化（酸化・窒化等）させたりすることをいう、プラ
ズマプロセスの利点は低温で表面処理が可能である。微
細加工性に優れている点などであるが、一方、粒子エネ
ルギが大きいことや荷電粒子が入射することなどによる
素子損傷の問題がある。このため、プラズマに代って低
エネルギの中性粒子ビームを利用する表面処理技術が開
発されつつある０例えば。
において、プラズマを利用する表面処理技術が広範に用
いられている。ここで表面処理とは表面に物質を堆積（
デポジション、エピタキシー）させたり１表面から物質
を除去（エツチング）したり１表面の物理・化学的性質
を変化（酸化・窒化等）させたりすることをいう、プラ
ズマプロセスの利点は低温で表面処理が可能である。微
細加工性に優れている点などであるが、一方、粒子エネ
ルギが大きいことや荷電粒子が入射することなどによる
素子損傷の問題がある。このため、プラズマに代って低
エネルギの中性粒子ビームを利用する表面処理技術が開
発されつつある０例えば。
公開特許公報昭６０−８８５５０号に開示されている中
性高速粒子ビーム装置では、イオン源から引出したＣＱ
÷、ＣＱｚ＋などの正イオンを電荷交換反応によって中
性化して、中性粒子ビームを形成し、これを試料に照射
する方法が記載されている。また。
性高速粒子ビーム装置では、イオン源から引出したＣＱ
÷、ＣＱｚ＋などの正イオンを電荷交換反応によって中
性化して、中性粒子ビームを形成し、これを試料に照射
する方法が記載されている。また。
つ′アキュアム３４ （１９８４年）第２５９頁から第
２６１頁（Ｖａｅｕｕｍ３４ （１９８４）Ｐ Ｐ
２ ５ ９ −２ ６ １ ）に論じられているように
、所謂アキレス型イオン源を中性粒子ビーム源として利
用することが検討されている。このイオン源で形成され
るイオンビームは、イオンが射出されるアパーチャ近傍
で大部分が中性化され、実質的に中性粒子ビームが得ら
れることを利用するものである。
２６１頁（Ｖａｅｕｕｍ３４ （１９８４）Ｐ Ｐ
２ ５ ９ −２ ６ １ ）に論じられているように
、所謂アキレス型イオン源を中性粒子ビーム源として利
用することが検討されている。このイオン源で形成され
るイオンビームは、イオンが射出されるアパーチャ近傍
で大部分が中性化され、実質的に中性粒子ビームが得ら
れることを利用するものである。
いずれの装置の場合にも、試料表面に電気的に中性な粒
子ビームを照射するので、特に絶縁膜の表面処理におい
て表面帯電の影響を受けることなく、すなわち、絶縁膜
の絶縁破壊や、表面帯電による入射ビームの減速、偏向
などの問題のない表面処理ができる。
子ビームを照射するので、特に絶縁膜の表面処理におい
て表面帯電の影響を受けることなく、すなわち、絶縁膜
の絶縁破壊や、表面帯電による入射ビームの減速、偏向
などの問題のない表面処理ができる。
上記従来技術では、上記のように電気的に中性な粒子ビ
ームを照射して、特に絶縁膜表面に対して損傷の少い表
面処理ができるが、得られる中性粒子ビームのフラック
スが充分大きくなく、特にエツチングなどの目的のため
には、充分な処理速度が得られない問題があった。また
、特にマキレス型イオン源による中性粒子ビームの場合
には、ビームの発散角が７〜１０°程度と大きく、大口
径の試料の表面処理においては、試料周辺で、ビームが
斜め入射するという問題もある。
ームを照射して、特に絶縁膜表面に対して損傷の少い表
面処理ができるが、得られる中性粒子ビームのフラック
スが充分大きくなく、特にエツチングなどの目的のため
には、充分な処理速度が得られない問題があった。また
、特にマキレス型イオン源による中性粒子ビームの場合
には、ビームの発散角が７〜１０°程度と大きく、大口
径の試料の表面処理においては、試料周辺で、ビームが
斜め入射するという問題もある。
本発明の目的は、より高フラツクスの中性粒子ビームを
形成する方法を提供し、中性粒子ビームによる表面処理
時間の短縮を図り、実用的な表面処理技術とすることに
ある。
形成する方法を提供し、中性粒子ビームによる表面処理
時間の短縮を図り、実用的な表面処理技術とすることに
ある。
さらに本発明の別の目的は、中性粒子ビーム中にイオン
ビームが混入あるいは残留していても、被処理試料に大
きな損傷を発生させないで表面処理ができる方法を提供
することである。
ビームが混入あるいは残留していても、被処理試料に大
きな損傷を発生させないで表面処理ができる方法を提供
することである。
上記目的を達成するため１本発明では、負イオンビーム
を形成し、この負イオンの中性化により。
を形成し、この負イオンの中性化により。
中性粒子ビームを得ることを特徴とする特に放電プラズ
マ中で電子付着などの反応により、負イオンを生成し易
い、ハロゲン化合物のガスプラズマを用いると高密度の
負イオンが生成できる。これから、所望のエネルギに加
速して引出した負イオンビームを低圧ガス中を通過させ
ることにより、電荷交換反応などの機構により負イオン
が電子を失って中性化され、高フラツクスの中性粒子ビ
ームを得ることができる。負イオンは、プラズマ中で生
成できるほか、熱フィラメントから放出される熱電子を
ハロゲン化合物ガス中に供給することにより、電子付着
反応を生じさせて生成することができる。
マ中で電子付着などの反応により、負イオンを生成し易
い、ハロゲン化合物のガスプラズマを用いると高密度の
負イオンが生成できる。これから、所望のエネルギに加
速して引出した負イオンビームを低圧ガス中を通過させ
ることにより、電荷交換反応などの機構により負イオン
が電子を失って中性化され、高フラツクスの中性粒子ビ
ームを得ることができる。負イオンは、プラズマ中で生
成できるほか、熱フィラメントから放出される熱電子を
ハロゲン化合物ガス中に供給することにより、電子付着
反応を生じさせて生成することができる。
（作用〕
本発明は、以上のように負イオンの中性化により、中性
粒子ビームを形成することを特徴としているが、負イオ
ンの中性化は容易で、高フラツクスの中性粒子ビームを
得ることができる１本発明者らの実験によれば１例えば
ＳＦｓガスのグロー放電プラズマから、運動エネルギ約
３００ｅＶの負イオンビームを引出すと、ビーム中に含
まれる負イオンにはＳ Ｆａ−、５Ｆａ−＊ Ｓ Ｆａ
−、Ｓ Ｆａ−などがあるが、１０−’ＴｏｒｒのＳＦ
ｅガス中を１０〜２０１通過すると７０〜８０％の負イ
オンが中性化され、運動エネルギ約３００ｅＶの中性粒
子ビームを得ることができた１通常、正イオンビームを
中性化する場合には、同程度のガス圧力とイオンビーム
通過距離では、正イオンが中性化される割合は１０％程
度であり、上記負イオンの中性化率は相当大きいことが
わかる。また、他のハロゲン化合物ガス、例えばＣＦａ
、ＮＦｓ。
粒子ビームを形成することを特徴としているが、負イオ
ンの中性化は容易で、高フラツクスの中性粒子ビームを
得ることができる１本発明者らの実験によれば１例えば
ＳＦｓガスのグロー放電プラズマから、運動エネルギ約
３００ｅＶの負イオンビームを引出すと、ビーム中に含
まれる負イオンにはＳ Ｆａ−、５Ｆａ−＊ Ｓ Ｆａ
−、Ｓ Ｆａ−などがあるが、１０−’ＴｏｒｒのＳＦ
ｅガス中を１０〜２０１通過すると７０〜８０％の負イ
オンが中性化され、運動エネルギ約３００ｅＶの中性粒
子ビームを得ることができた１通常、正イオンビームを
中性化する場合には、同程度のガス圧力とイオンビーム
通過距離では、正イオンが中性化される割合は１０％程
度であり、上記負イオンの中性化率は相当大きいことが
わかる。また、他のハロゲン化合物ガス、例えばＣＦａ
、ＮＦｓ。
ＣＣＱａ、ＣＣｆ１ｚＦａｔ ＣＣＱａＦ、ＣｚＦｅｔ
ＣａＦｓ＊ Ｂ ＣＱｓｇ Ｂ Ｆａｔ ＣＱｔｅ Ｆ
ｔ、などのプラズマから引出した負イオンビームについ
ても同様に高い中、化率が得られ、典型的には、０．１
〜０ 、５ ｍ Ａ ／ ａｌ”相当以上のフラックス
密度の中性粒子ビームを得ることができた。
ＣａＦｓ＊ Ｂ ＣＱｓｇ Ｂ Ｆａｔ ＣＱｔｅ Ｆ
ｔ、などのプラズマから引出した負イオンビームについ
ても同様に高い中、化率が得られ、典型的には、０．１
〜０ 、５ ｍ Ａ ／ ａｌ”相当以上のフラックス
密度の中性粒子ビームを得ることができた。
本発明のように負イオンビームを中性化したビームを試
料表面に照射して表面処理する方法によれば、ビーム中
に中性化されない負イオンが残留していて、これが絶縁
物表面に照射される場合でも、正イオンが照射される場
合に比べて、絶縁膜中に生成される損傷の程度は小さい
、何故なら。
料表面に照射して表面処理する方法によれば、ビーム中
に中性化されない負イオンが残留していて、これが絶縁
物表面に照射される場合でも、正イオンが照射される場
合に比べて、絶縁膜中に生成される損傷の程度は小さい
、何故なら。
一般に粒子ビームが固体表面に入射すると２次電子が放
出されるが、正イオン入射の場合は、正イオン入射、２
次電子放出のいずれも表面帯電を増大させるのに対し、
負イオン入射の場合には、負イオン入射と、２次電子放
出は表面帯電を相殺する方向に作用し、表面電位は比較
的小さな値に保たれるからである。負イオンビームには
以上のような特徴があるため、負イオンビームを中性化
した中性粒子ビームを用いる中性粒子ビーム表面処理方
法では、ビーム中に残留する負イオンを完全に除去しな
いで使うこともできる利点がある。
出されるが、正イオン入射の場合は、正イオン入射、２
次電子放出のいずれも表面帯電を増大させるのに対し、
負イオン入射の場合には、負イオン入射と、２次電子放
出は表面帯電を相殺する方向に作用し、表面電位は比較
的小さな値に保たれるからである。負イオンビームには
以上のような特徴があるため、負イオンビームを中性化
した中性粒子ビームを用いる中性粒子ビーム表面処理方
法では、ビーム中に残留する負イオンを完全に除去しな
いで使うこともできる利点がある。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
有磁場マイクロ波プラズマ源の放電管１にＳＦｅガスを
ガス供給口２を通じて３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの圧力にな
るよう供給し、マイクロ波発振器３から導波管４を通じ
て放電管１にマイクロ波を供給してプラズマを発生させ
た空心コイル１２に通電して放電空間に磁場を形成した
。プラズマ中には、ＳＦｅおよびＳ Ｆ ４ ｔ Ｓ
Ｆ ｚなどの解離生成物の正負イオンが発生するが、２
葉の多孔電極５にそれぞれ正負の電圧を印加して、負イ
オンを数１００ｅＶ程度の所望のエネルギに加速して引
出した。
ガス供給口２を通じて３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの圧力にな
るよう供給し、マイクロ波発振器３から導波管４を通じ
て放電管１にマイクロ波を供給してプラズマを発生させ
た空心コイル１２に通電して放電空間に磁場を形成した
。プラズマ中には、ＳＦｅおよびＳ Ｆ ４ ｔ Ｓ
Ｆ ｚなどの解離生成物の正負イオンが発生するが、２
葉の多孔電極５にそれぞれ正負の電圧を印加して、負イ
オンを数１００ｅＶ程度の所望のエネルギに加速して引
出した。
この時同時に電子ビームも引出されるので、これを負イ
オンビームと分離して除外するため、ビーム引出し部属
後に磁石６を配置した。磁石６による磁場は数１００ｅ
Ｖの負イオンビームを引出す場合、通常５０ガウス程度
でよい０例えば、２００ｅＶの電子が５０ガウスの磁場
で偏向されるときの曲率半径は約１１であり、５Ｆｚ−
イオンの偏向の曲率半径は２４０１である。従って、１
〜２ａｍの磁場中をビームが通過する間に、電子は偏向
されて、ビームから除去され、負イオンビームは実質的
に直進すると考えてよい、ただしビーム中心軸を回転軸
として磁石を回転すると表面処理の均一性を改善できる
効果がある。真空槽７内のガス圧力は多孔電極５を通じ
て流入するＳＦｅガスのほか、ガス供給孔８からもＳＦ
＠ガスが供給されて、２×１０″″’Ｔｏｒｒとした。
オンビームと分離して除外するため、ビーム引出し部属
後に磁石６を配置した。磁石６による磁場は数１００ｅ
Ｖの負イオンビームを引出す場合、通常５０ガウス程度
でよい０例えば、２００ｅＶの電子が５０ガウスの磁場
で偏向されるときの曲率半径は約１１であり、５Ｆｚ−
イオンの偏向の曲率半径は２４０１である。従って、１
〜２ａｍの磁場中をビームが通過する間に、電子は偏向
されて、ビームから除去され、負イオンビームは実質的
に直進すると考えてよい、ただしビーム中心軸を回転軸
として磁石を回転すると表面処理の均一性を改善できる
効果がある。真空槽７内のガス圧力は多孔電極５を通じ
て流入するＳＦｅガスのほか、ガス供給孔８からもＳＦ
＠ガスが供給されて、２×１０″″’Ｔｏｒｒとした。
負イオンビームは真空槽７内を約１５ａｌ１通過する間
に、大部分のイオンが電荷を失い、運動エネルギを維持
したまま中性粒子ビームとなって直進する０表面処理す
べき試料９の前面には、複数個のグリッド電極１０が配
置されて各々に正負の電圧を印加して、ビーム中の残留
負イオンのほか、少量混入する正イオンや電子を阻止し
て、中性粒子ビームのみを試料９に照射した０通常、同
様な方法で、正イオンビームを形成し、これを中性化し
て得られる中性粒子ビームのフラックス密度は約１０１
番個／Ｉ２・ｓｅｅの程度であるのに対し、本方法で形
成した場合は、約ＩＱＩＢ個／ｒｙｅ”・ｓｅｃのフラ
ックス密度が得られた０本実施例で得られる中性粒子ビ
ームは、Ｓｉ、Ｗなど半導体素子材料のエツチングに利
用することができる０本実施例で用いたＳＦｅガスの代
りにハロゲンもしくは酸素を構成元素として含む他のガ
スを用いても同程度に高フラツクス密度の中性粒子ビー
ムを得ることができた、これらのガスとしては、ＣＦ４
゜Ｃ２Ｆ６１ ＣａＦｓ、ＣＨＦａ、ＣＣｎ＋、ＣＣＱ
ｚＦｚ＊ＣＣＱ ｓＦ 、 Ｓ ｉ Ｃ０番、ＮＦａ
、 ＢＣＱａｔ ＢＦｓｅＦｚ＋ ＣＱ ｘ、 Ｃ
Ｏ、Ｏｘがあげられる。これらのガスは単独で用いた場
合、複数種を混合して用いた場合、さらにはこれら以外
の他のガスが混合された場合のいずれの場合でも典型的
な中性粒子ビームフラックス密度として１Ｑ１５〜１０
工６個／■２・ｓａｃが得られた。
に、大部分のイオンが電荷を失い、運動エネルギを維持
したまま中性粒子ビームとなって直進する０表面処理す
べき試料９の前面には、複数個のグリッド電極１０が配
置されて各々に正負の電圧を印加して、ビーム中の残留
負イオンのほか、少量混入する正イオンや電子を阻止し
て、中性粒子ビームのみを試料９に照射した０通常、同
様な方法で、正イオンビームを形成し、これを中性化し
て得られる中性粒子ビームのフラックス密度は約１０１
番個／Ｉ２・ｓｅｅの程度であるのに対し、本方法で形
成した場合は、約ＩＱＩＢ個／ｒｙｅ”・ｓｅｃのフラ
ックス密度が得られた０本実施例で得られる中性粒子ビ
ームは、Ｓｉ、Ｗなど半導体素子材料のエツチングに利
用することができる０本実施例で用いたＳＦｅガスの代
りにハロゲンもしくは酸素を構成元素として含む他のガ
スを用いても同程度に高フラツクス密度の中性粒子ビー
ムを得ることができた、これらのガスとしては、ＣＦ４
゜Ｃ２Ｆ６１ ＣａＦｓ、ＣＨＦａ、ＣＣｎ＋、ＣＣＱ
ｚＦｚ＊ＣＣＱ ｓＦ 、 Ｓ ｉ Ｃ０番、ＮＦａ
、 ＢＣＱａｔ ＢＦｓｅＦｚ＋ ＣＱ ｘ、 Ｃ
Ｏ、Ｏｘがあげられる。これらのガスは単独で用いた場
合、複数種を混合して用いた場合、さらにはこれら以外
の他のガスが混合された場合のいずれの場合でも典型的
な中性粒子ビームフラックス密度として１Ｑ１５〜１０
工６個／■２・ｓａｃが得られた。
なお、本実施例では、試料に中性粒子ビームを照射する
に先立って、複数個のグリッド電極により、ビーム中に
残存する負イオンビームを阻止しているが、このグリッ
ド電極がない場合には、中性粒子と負イオンが混在した
ビームが試料に照射される。このとき、試料表面に薄い
絶縁膜がある場合でも、絶縁膜の耐圧劣化は生じなかっ
た。負イオンが照射されても、２次電子が放出され、−
定の負電位になるとともに２次電子放出係数が１になっ
てバランスするためと考えられる。
に先立って、複数個のグリッド電極により、ビーム中に
残存する負イオンビームを阻止しているが、このグリッ
ド電極がない場合には、中性粒子と負イオンが混在した
ビームが試料に照射される。このとき、試料表面に薄い
絶縁膜がある場合でも、絶縁膜の耐圧劣化は生じなかっ
た。負イオンが照射されても、２次電子が放出され、−
定の負電位になるとともに２次電子放出係数が１になっ
てバランスするためと考えられる。
本発明によれば、高フラツクス密度の中性粒子ビームを
生成できるので、中性粒子ビーム照射によるエツチング
、デポジションなどの表面処理の速度向上を図ることが
できる０本発明の方法によれば典型的な中性粒子ビーム
のフラックス密度としてエネルギ数１００ｅＶで１０１
１Ｓ〜１０ｘａ個／ａｍ”ｓｅｅが得られ、かつ、直径
１５Ｃ！１以上の広い中性粒子ビームを生成できる。
生成できるので、中性粒子ビーム照射によるエツチング
、デポジションなどの表面処理の速度向上を図ることが
できる０本発明の方法によれば典型的な中性粒子ビーム
のフラックス密度としてエネルギ数１００ｅＶで１０１
１Ｓ〜１０ｘａ個／ａｍ”ｓｅｅが得られ、かつ、直径
１５Ｃ！１以上の広い中性粒子ビームを生成できる。
第１図は、本発明の一実施例の表面処理装置の構成図で
ある。 １・・・放電管、２・・・ガス供給口、３・・・マイク
ロ波発振器、４・・・導波管、５・・・多孔な極、６・
・・磁石、７・・・真空槽、８・・・ガス導入口、９・
・・試料、１ｏ・・・グリッド電極、１１・・・排気ポ
ンプ。
ある。 １・・・放電管、２・・・ガス供給口、３・・・マイク
ロ波発振器、４・・・導波管、５・・・多孔な極、６・
・・磁石、７・・・真空槽、８・・・ガス導入口、９・
・・試料、１ｏ・・・グリッド電極、１１・・・排気ポ
ンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、負イオンビームを中性化して得られる中性粒子ビー
ムを試料表面に照射することを含む表面処理方法。 ２、請求範囲第１項に記載の表面処理方法において、該
負イオンがハロゲンを構成原子として含むことを特徴と
する表面処理方法。 ３、請求範囲第１項乃至第２項に記載の表面処理方法に
おいて、該負イオンビームを放電プラズマから引出して
形成するか、もしくは電子付着反応によつて形成するこ
とを特徴とする表面処理方法。 ４、請求範囲第３項に記載の表面処理方法において、該
放電プラズマが有磁場マイクロ波放電プラズマであるこ
とを特徴とする表面処理方法。 ５、請求範囲第１項乃至第４項に記載の表面処理方法に
おいて、該粒子ビーム中の残留イオンを電磁具の作用に
より偏向もしくは阻止して、中性粒子ビームのみを試料
表面に照射することを特徴とする表面処理方法。 ６、請求範囲第１項乃至第５項に記載の表面処理方法に
おいて、該負イオンビームをハロゲンもしくは酸素を構
成原子として含む原子ガス分子ガス中を通過させて負イ
オンの中性化することを特徴とする表面処理方法。 ７、請求範囲第６項に記載の表面処理方法において、該
分子ガスがＳＦ＿６、ＣＦ＿４、Ｃ＿２Ｆ＿６、Ｃ＿３
Ｆ＿３、ＣＨＦ＿３、ＣＣｌ＿４、ＣＣｌ＿２Ｆ＿２、
ＣＣｌ＿３Ｆ、ＳｉＣｌ＿４、ＮＦ＿３、ＢＣｌ＿３、
ＢＦ＿３、Ｆ＿２、Ｃｌ＿２、ＣＯ、Ｏ＿２のうちの少
くとも１つからなることを特徴とする表面処理方法。 ８、負イオンビームを形成する手段と負イオンを中性化
して中性粒子ビームを得る手段と該中性粒子ビームを試
料表面に照射する手段とで構成される表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277412A JPH01120826A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 表面処理方法および表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277412A JPH01120826A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 表面処理方法および表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120826A true JPH01120826A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17583187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277412A Pending JPH01120826A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 表面処理方法および表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5462629A (en) * | 1992-08-28 | 1995-10-31 | Kawasaki Steel Corp. | Surface processing apparatus using neutral beam |
| US5762814A (en) * | 1990-09-28 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method and apparatus using plasma produced by microwaves |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62277412A patent/JPH01120826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762814A (en) * | 1990-09-28 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method and apparatus using plasma produced by microwaves |
| US5462629A (en) * | 1992-08-28 | 1995-10-31 | Kawasaki Steel Corp. | Surface processing apparatus using neutral beam |
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