JPS6113634A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6113634A JPS6113634A JP13315084A JP13315084A JPS6113634A JP S6113634 A JPS6113634 A JP S6113634A JP 13315084 A JP13315084 A JP 13315084A JP 13315084 A JP13315084 A JP 13315084A JP S6113634 A JPS6113634 A JP S6113634A
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- Japan
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- plasma
- magnetic field
- substrate
- charged particles
- specimen
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体、金属、絶縁体等の基板に対し、プラ
ズマを用いた表面処理及び薄膜形成を行なう際、プラズ
マ中の荷電粒子のみを試料基板から離すことのできる処
理装置に関するものである。
ズマを用いた表面処理及び薄膜形成を行なう際、プラズ
マ中の荷電粒子のみを試料基板から離すことのできる処
理装置に関するものである。
ＬＳＩプロセスに代表されるように、現在、プラズマを
用いたドライプロセスが広く普及してきている。プラズ
マ中には多数の中性活性種と、高尚数％の荷電粒子（イ
オン、電子）が存在し、これらと、基板物質あるいは反
応性ガスとの反応等によって基板の表面処理及び基板上
への薄膜形成を行っている。さらに、中性活性種は、そ
の化学的活性により、また、イオンは電界中で得た運動
エネルギーによりプロセスの低温化に寄与している。個
々のプロセスによって、中性活性種及びイオンのどちら
を主に利用しているかは異なるが、一般的に、放電ガス
圧力が高く、電離塵の低い条件で、かつ基板にバイアス
をかけずに動作させる方式においては、中性活性種が主
に反応に寄与しているものと考えられている。
用いたドライプロセスが広く普及してきている。プラズ
マ中には多数の中性活性種と、高尚数％の荷電粒子（イ
オン、電子）が存在し、これらと、基板物質あるいは反
応性ガスとの反応等によって基板の表面処理及び基板上
への薄膜形成を行っている。さらに、中性活性種は、そ
の化学的活性により、また、イオンは電界中で得た運動
エネルギーによりプロセスの低温化に寄与している。個
々のプロセスによって、中性活性種及びイオンのどちら
を主に利用しているかは異なるが、一般的に、放電ガス
圧力が高く、電離塵の低い条件で、かつ基板にバイアス
をかけずに動作させる方式においては、中性活性種が主
に反応に寄与しているものと考えられている。
しかし、ＭＯ８構造の能動絶縁膜の形成などのように、
荷電粒子による照射損傷が問題となる状況では、中性活
性種の寄与を高めるだけでなく、積極的に荷電粒子の基
板照射を抑制した方式が必要となる。
荷電粒子による照射損傷が問題となる状況では、中性活
性種の寄与を高めるだけでなく、積極的に荷電粒子の基
板照射を抑制した方式が必要となる。
従来、この荷電粒子の影響を軽減する方法としては、プ
ラズマ源と試料処理室とを幾何学的に分離することによ
りプラズマを基板から離す方式が、ケミカルドライエツ
チング装置（Ｙ、Ｈｏｒｊ、ｉｋｅ ａｔａｌ、：Ｊａ
ｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５ｕｐｐ１．１５ （１
９７６） １３） 、薄膜形成装置（Ｍ、Ｓｈｉｂａｇ
ａｋｉ ｅｌ ａｌ、：Ｊａｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ。
ラズマ源と試料処理室とを幾何学的に分離することによ
りプラズマを基板から離す方式が、ケミカルドライエツ
チング装置（Ｙ、Ｈｏｒｊ、ｉｋｅ ａｔａｌ、：Ｊａ
ｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５ｕｐｐ１．１５ （１
９７６） １３） 、薄膜形成装置（Ｍ、Ｓｈｉｂａｇ
ａｋｉ ｅｌ ａｌ、：Ｊａｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、５ｕｐｐ１．１７ （１９７８） ２１５）
等において用いられている。前者の装置はＣＦ４ 、
Ｏ，混合ガスの放電によって生じた長寿命活性種をエツ
チング室まで輸送し、処理を行なうものであり、後者の
装置は、Ｎ２ プラズマ源から輸送管を通して活性種を
反応室に導き、ＳｉＨ４と反応させ薄膜の堆積を行なう
ものである。これらの装置においては、荷重粒子の除去
は完全ではなく、また、試料がプラズマ源より遠くなる
ことによって、中性活性種の濃度も低下するという難点
があった。
等において用いられている。前者の装置はＣＦ４ 、
Ｏ，混合ガスの放電によって生じた長寿命活性種をエツ
チング室まで輸送し、処理を行なうものであり、後者の
装置は、Ｎ２ プラズマ源から輸送管を通して活性種を
反応室に導き、ＳｉＨ４と反応させ薄膜の堆積を行なう
ものである。これらの装置においては、荷重粒子の除去
は完全ではなく、また、試料がプラズマ源より遠くなる
ことによって、中性活性種の濃度も低下するという難点
があった。
本発明の目的は、プラズマを用いることで、処理温度を
下げながらも、プラズマ中の荷電粒子のみを試料位置か
ら離し、荷電粒子による照射損傷を低減して処理を行な
うことのできるプラズマ処理装置を提供することにある
。
下げながらも、プラズマ中の荷電粒子のみを試料位置か
ら離し、荷電粒子による照射損傷を低減して処理を行な
うことのできるプラズマ処理装置を提供することにある
。
舶来のプラズマ処理装置においては、プラズマ中に被処
理物を挿入していたために、プラズマ中に存在する電子
やイオンが被処理基板に照射され、これが基板内、膜内
、及び膜と基板との界面に欠陥を発生させる原因となっ
ている。
理物を挿入していたために、プラズマ中に存在する電子
やイオンが被処理基板に照射され、これが基板内、膜内
、及び膜と基板との界面に欠陥を発生させる原因となっ
ている。
ところで、一般に荷電粒子は、磁界中ではサイクロトロ
ン運動を行なうため、磁力線に巻きつくように輸送され
る傾向を持つ。従って、プラズマ源から試料に向う輸送
線とは直角の方向にひろがる形の磁界を用いることによ
り、荷電粒子を除去することが可能と予想される。この
ような磁界の一例として、半径方向に磁力線が発散する
カスプ型磁界を用いた場合、磁力線の曲がりが大きく、
一部の荷電粒子は磁力線を横切ってドリフトすることも
あるが、大部分の荷電粒子は特定の領域に閉じ込められ
る。
ン運動を行なうため、磁力線に巻きつくように輸送され
る傾向を持つ。従って、プラズマ源から試料に向う輸送
線とは直角の方向にひろがる形の磁界を用いることによ
り、荷電粒子を除去することが可能と予想される。この
ような磁界の一例として、半径方向に磁力線が発散する
カスプ型磁界を用いた場合、磁力線の曲がりが大きく、
一部の荷電粒子は磁力線を横切ってドリフトすることも
あるが、大部分の荷電粒子は特定の領域に閉じ込められ
る。
まず、カスプ型磁界による荷電粒子閉じ込めの有効性を
示すために、アルゴンプラズマを発生させたときの発光
の様子を第１図に示す。
示すために、アルゴンプラズマを発生させたときの発光
の様子を第１図に示す。
プラズマ発光は高速電子による中性原子の励起。
イオン化に基づくが、荷電粒子閉じ込めに伴い、発光部
形状は第１図装置内部写真のようなラッパ状を呈し、こ
の発光部を基板位置から完全に離すことが可能である。
形状は第１図装置内部写真のようなラッパ状を呈し、こ
の発光部を基板位置から完全に離すことが可能である。
この状況で測定した静電プローブの電流−電圧特性を第
２図に示す。プローブに正に電圧をかけた時の電流値か
ら電子密度が、負の電圧をかけた時の電流値からイオン
密度が評価できる。第２図よりプラズマ流発光部外（２
１）では発光部内（２２）の電子密度にして約１／１０
゜イオン密度にして約１７２となっていることがわかっ
た。また、フローティングポテンシャルが小さく、シー
ス電界は十分弱いと考えられる。
２図に示す。プローブに正に電圧をかけた時の電流値か
ら電子密度が、負の電圧をかけた時の電流値からイオン
密度が評価できる。第２図よりプラズマ流発光部外（２
１）では発光部内（２２）の電子密度にして約１／１０
゜イオン密度にして約１７２となっていることがわかっ
た。また、フローティングポテンシャルが小さく、シー
ス電界は十分弱いと考えられる。
このように、カスプ型磁界を用いることにより、電子及
びイオンの基板照射量及び、シース電場により加速され
て得る運動エネルギーを減少させることができると考え
られ、基板の照射損傷の低減に有効である。
びイオンの基板照射量及び、シース電場により加速され
て得る運動エネルギーを減少させることができると考え
られ、基板の照射損傷の低減に有効である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明のプラズマ処理装置を用いて具体的に処理
を行った例について述べる。
を行った例について述べる。
〔実施例１〕
まず、有磁場マイクロ波プラズマによりシリコン表面を
酸化し５ｉＯｚ膜を形成した例について述べる。装置は
、第３図に示した構成である。マグネトロン３５より発
生した２、１５ ＧＨｚのマイクロ波はアイソレータ
３６．パワーモニタ３７゜導波管３８を通して放電管３
４に導かれ、電磁石３３により形成された磁界によって
サイクロトロン運動する電子により共鳴吸収される。マ
イクロ波からエネルギーを得た電子は真空容器３１中に
反応ガス３９として導入された酸素ガスを励起し、これ
を解離、イオン化し、プラズマをつくり出す。
酸化し５ｉＯｚ膜を形成した例について述べる。装置は
、第３図に示した構成である。マグネトロン３５より発
生した２、１５ ＧＨｚのマイクロ波はアイソレータ
３６．パワーモニタ３７゜導波管３８を通して放電管３
４に導かれ、電磁石３３により形成された磁界によって
サイクロトロン運動する電子により共鳴吸収される。マ
イクロ波からエネルギーを得た電子は真空容器３１中に
反応ガス３９として導入された酸素ガスを励起し、これ
を解離、イオン化し、プラズマをつくり出す。
プラズマ流は電磁石３３により形成される磁力線に沿っ
て輸送されるが、試料背後に置いた電磁石３３′を反対
方向に励起して形成される試料基板３２前面近くのカス
プ型磁界３０によって、プラズマ中の荷電粒子が除去さ
れ、中性活性種のみが基板に照射され酸化反応に寄与す
る。
て輸送されるが、試料背後に置いた電磁石３３′を反対
方向に励起して形成される試料基板３２前面近くのカス
プ型磁界３０によって、プラズマ中の荷電粒子が除去さ
れ、中性活性種のみが基板に照射され酸化反応に寄与す
る。
第１表に、基板温度５６０℃、酸化時間１時間で第４図
の試料位置にて形成した酸化膜について、膜厚の試料位
置依存性を示した。
の試料位置にて形成した酸化膜について、膜厚の試料位
置依存性を示した。
第 １ 表
酸素圧は２ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー
は１４０Ｗである。荷電粒子除去が有効なカスプ磁場発
光部４１外（Ａ）、（Ｂ）位置では、発光部内（Ｄ）位
置や、電磁石３３′を電磁石３３と同方向に励磁して得
られるミラー磁場４２を用いた場合（Ｅ）と比べて、プ
ラズマ流密度の差で膜厚値は小さくなるが、それでも２
膜３程度の膜厚となった。
は１４０Ｗである。荷電粒子除去が有効なカスプ磁場発
光部４１外（Ａ）、（Ｂ）位置では、発光部内（Ｄ）位
置や、電磁石３３′を電磁石３３と同方向に励磁して得
られるミラー磁場４２を用いた場合（Ｅ）と比べて、プ
ラズマ流密度の差で膜厚値は小さくなるが、それでも２
膜３程度の膜厚となった。
上記の条件で形成したプラズマ酸化膜を用いてＭＯＳキ
ャパシターを作成し、高周波及び準静的な容量−電圧特
性の測定を行ない、界面準位密度を求めた結果を第６図
に示す。これより、プラズマＳｉＯ２膜の特性６５は熱
酸化膜の特性６６に匹敵するような低い界面準位密度が
実現されていることがわかった。
ャパシターを作成し、高周波及び準静的な容量−電圧特
性の測定を行ない、界面準位密度を求めた結果を第６図
に示す。これより、プラズマＳｉＯ２膜の特性６５は熱
酸化膜の特性６６に匹敵するような低い界面準位密度が
実現されていることがわかった。
〔実施例２〕
次に、反応ガスとして窒素とモノシランを用い化学気相
成長法（ＣＶＤ）によるＳＪ、ａｌ１４膜の形成を行な
った例について述べる。装置は、〔実施例１〕と同じく
、第３図に示した構成であるが、反応ガス３９として窒
素１反応ガス４０としてモノシランを供給した。
成長法（ＣＶＤ）によるＳＪ、ａｌ１４膜の形成を行な
った例について述べる。装置は、〔実施例１〕と同じく
、第３図に示した構成であるが、反応ガス３９として窒
素１反応ガス４０としてモノシランを供給した。
基板温度３００℃、ガス流量、Ｎｚ ： ９ｃｃ／ｗ
ｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４： ６ｃｃ／ｍｉｎで形成した
膜にライて赤外吸収特性を測定したところ、８４．０ａ
ｎ−’の強い５ｉ−Ｎ振動スペクトルに加え、２１５０
ａｎ−’の５ｉ−Ｈ１３３２５ｄｌｌ−１のＮ−Ｈ振動
スペクトルが見られた。しかし、通常のプラズマＣＶＤ
法で得られるものに比べ、５ｉ−Ｈ，Ｎ−Ｈビークは小
さく、これはカスプ型磁界によるＨ１イオンの除去によ
り膜中の水素含有量が低減されたためと考えられる。
ｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４： ６ｃｃ／ｍｉｎで形成した
膜にライて赤外吸収特性を測定したところ、８４．０ａ
ｎ−’の強い５ｉ−Ｎ振動スペクトルに加え、２１５０
ａｎ−’の５ｉ−Ｈ１３３２５ｄｌｌ−１のＮ−Ｈ振動
スペクトルが見られた。しかし、通常のプラズマＣＶＤ
法で得られるものに比べ、５ｉ−Ｈ，Ｎ−Ｈビークは小
さく、これはカスプ型磁界によるＨ１イオンの除去によ
り膜中の水素含有量が低減されたためと考えられる。
〔実施例３〕
次に、反応ガス３９としてＣＦ ４ と０２ を用いて
、ｐｏｌｙ −Ｓ ｉエツチング、ＣＦ４ 、 Ｏｘ
、 Ｎ２を用いて、Ｓｉａ Ｎ４エツチングを行なった
例を示す。
、ｐｏｌｙ −Ｓ ｉエツチング、ＣＦ４ 、 Ｏｘ
、 Ｎ２を用いて、Ｓｉａ Ｎ４エツチングを行なった
例を示す。
装置は〔実施例１〕と同じく第３図に示した構成である
。
。
ｐｏｌｙ −Ｓ ｉエツチングでは、ＣＦ４＝２００Ｓ
ＣＣＭ％０２ ＝ ３０ＳＣＣＭの流量、マイクロ波パ
ワー４００Ｗで２００ ｍａ／ｗｉｎのエツチング速度
、Ｓｉａ Ｎ４エツチングでは、ＣＦ４ ＝ ３００８
ＣＣＭ、０２ ＝ ２００ ＳＣＣＭ、Ｎ２ ＝ ９０
ＳＣＣＭ、マイクロ波パワー４００Ｗで３００ ｎ ｍ
／ｍｉｎのエツチング速度が得られた。
ＣＣＭ％０２ ＝ ３０ＳＣＣＭの流量、マイクロ波パ
ワー４００Ｗで２００ ｍａ／ｗｉｎのエツチング速度
、Ｓｉａ Ｎ４エツチングでは、ＣＦ４ ＝ ３００８
ＣＣＭ、０２ ＝ ２００ ＳＣＣＭ、Ｎ２ ＝ ９０
ＳＣＣＭ、マイクロ波パワー４００Ｗで３００ ｎ ｍ
／ｍｉｎのエツチング速度が得られた。
レジストを塗布したパターンのエツチングよりレジスト
損傷が軽微であること、アンダーカットは従来のケミカ
ルドライエツチング装置において等方性エツチングされ
たものに比べて小さいことがわかった。これは、エツチ
ングが中性活性種のみによって行なわれており、さらに
この活性種がある程度の方向性を持って基板に照射され
ていることによる効果と思われる。
損傷が軽微であること、アンダーカットは従来のケミカ
ルドライエツチング装置において等方性エツチングされ
たものに比べて小さいことがわかった。これは、エツチ
ングが中性活性種のみによって行なわれており、さらに
この活性種がある程度の方向性を持って基板に照射され
ていることによる効果と思われる。
〔実施例４〕
最後に、プラズマを利用した反応性蒸着による５ｉａＨ
４膜の形成について述べる。装置は、第５図に示した構
成であり、第３図の装置に加え、蒸着源６１．シャッタ
ー６２を設けである。試料基板はほぼ４５″傾いており
、シリコン蒸気６３と窒素プラズマ内の中性活性種６４
を同時に基板に照射し、基板上で反応させてＳｉａ Ｎ
４膜を堆積させる方式となっている。
４膜の形成について述べる。装置は、第５図に示した構
成であり、第３図の装置に加え、蒸着源６１．シャッタ
ー６２を設けである。試料基板はほぼ４５″傾いており
、シリコン蒸気６３と窒素プラズマ内の中性活性種６４
を同時に基板に照射し、基板上で反応させてＳｉａ Ｎ
４膜を堆積させる方式となっている。
第７図は、窒素分圧２ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ、基板温
度３００℃、マイクロ波パワー１４０Ｗの条件で形成し
たＳｉ３Ｎ４膜の赤外吸収特性である。８４０ｄｌｌ
−”に５ｉ−Ｔ（振動に基づく吸収が観察され、５Ｌａ
Ｎ４膜が形成されているのがわかる。また、２１５０ａ
ｎ−１に５ｉ−Ｈ振動に基づく吸収は見られず、膜中に
水素は含まれていないことを示している。
度３００℃、マイクロ波パワー１４０Ｗの条件で形成し
たＳｉ３Ｎ４膜の赤外吸収特性である。８４０ｄｌｌ
−”に５ｉ−Ｔ（振動に基づく吸収が観察され、５Ｌａ
Ｎ４膜が形成されているのがわかる。また、２１５０ａ
ｎ−１に５ｉ−Ｈ振動に基づく吸収は見られず、膜中に
水素は含まれていないことを示している。
本発明のプラズマ処理装置を用いれば、３００℃程度の
低温でも、絶＃膜形成、方向性エツチングなどの処理が
可能である。さらに、カスプ型磁界によって荷電粒子は
有効に除去され、同時にその結果として基板のフローテ
ィングポテンシャルを低下させるため、荷電粒子による
基板の照射損傷を抑制することができ、良好なプラズマ
処理が可能である。
低温でも、絶＃膜形成、方向性エツチングなどの処理が
可能である。さらに、カスプ型磁界によって荷電粒子は
有効に除去され、同時にその結果として基板のフローテ
ィングポテンシャルを低下させるため、荷電粒子による
基板の照射損傷を抑制することができ、良好なプラズマ
処理が可能である。
また、特に有磁場マイクロ波プラズマ装置に適用する場
合、１つの電磁石の励磁方向を反転するだけでよく、何
ら装置の改造を要しないで、簡単に実現できる。
合、１つの電磁石の励磁方向を反転するだけでよく、何
ら装置の改造を要しないで、簡単に実現できる。
第１図は、プラズマ流発光部の形状を示す写真、第２図
は静電プローブの電流−電圧特性を示す図、第３図は有
磁場マイクロ波プラズマ酸化、ＣＶ、、Ｄ。 エツチング装置の構成を示す図、第４図は酸化膜厚の試
料位置依存性を示すための図、第５図は、有磁場マイク
ロ波プラズマ反応性蒸着装置の構成を示す図、第６図は
プラズマＳ ｉ、 ０２膜の界面準位密度を示す図、第
７図はプラズマＳｉａ Ｎ４膜の赤外吸収特性を示す図
である。 ３０・・・カスプ型磁界、３１，５］・・・真空容器、
３２．５２・・・試料基板、３３．３３’ 、５３゜５
３′・・・電磁石、３４．５４・・・放電管、３５゜５
５・・・マグネトロン、３６，５６・・・アイソレータ
、３７．５７・・・パワーモニタ、３８．５８・・・導
波管、３９．４０，５９・・・反応ガス、４１．６０・
・・プラズマ流発光部、６１・・・蒸着源、６２・・・
シャッター。 第 Ｚ 口 第 ３ 図 第 ４ 圓 〆ｌ− 〜〜〜〜−一一一一一一一 ［Ａ３／−ヅ＋］７暮１１哩會 毎
は静電プローブの電流−電圧特性を示す図、第３図は有
磁場マイクロ波プラズマ酸化、ＣＶ、、Ｄ。 エツチング装置の構成を示す図、第４図は酸化膜厚の試
料位置依存性を示すための図、第５図は、有磁場マイク
ロ波プラズマ反応性蒸着装置の構成を示す図、第６図は
プラズマＳ ｉ、 ０２膜の界面準位密度を示す図、第
７図はプラズマＳｉａ Ｎ４膜の赤外吸収特性を示す図
である。 ３０・・・カスプ型磁界、３１，５］・・・真空容器、
３２．５２・・・試料基板、３３．３３’ 、５３゜５
３′・・・電磁石、３４．５４・・・放電管、３５゜５
５・・・マグネトロン、３６，５６・・・アイソレータ
、３７．５７・・・パワーモニタ、３８．５８・・・導
波管、３９．４０，５９・・・反応ガス、４１．６０・
・・プラズマ流発光部、６１・・・蒸着源、６２・・・
シャッター。 第 Ｚ 口 第 ３ 図 第 ４ 圓 〆ｌ− 〜〜〜〜−一一一一一一一 ［Ａ３／−ヅ＋］７暮１１哩會 毎
Claims (3)
- １．真空容器及び、該真空容器内にプラズマ発生源及び
被処理物を保持する支持台を有するプラズマ処理装置に
於いて、上記プラズマ発生源と被処理物との間に少くと
も一つのカスプ型反転磁界を有し、かつ、上記支持台は
上記プラズマ源とは反対極性の磁界内に配置されてなる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - ２．プラズマは、酸素、窒素、水素、ハロゲン、希ガス
、のうちいずれかまたはこれらの混合気体により生成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマ処理装置。 - ３．プラズマは、炭素、ケイ素、またはイオウのいずれ
かを構成要素として含む気体、もしくは、これらと酸素
、窒素、水素、ハロゲン、希ガスのうちのいずれかまた
はこれらの混合気体との混合気体により生成されること
を特徴とする、特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13315084A JPS6113634A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13315084A JPS6113634A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113634A true JPS6113634A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15097879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13315084A Pending JPS6113634A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113634A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205627A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS62271431A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| EP0285668A1 (en) * | 1986-10-11 | 1988-10-12 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Thin film formation apparatus |
| JPH025523A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Anelva Corp | プラズマ成膜装置 |
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| FR2701797A1 (fr) * | 1993-02-18 | 1994-08-26 | Commissariat Energie Atomique | Coupleur de transfert d'une puissance micro-onde vers une nappe de plasma et source micro-onde linéaire pour le traitement de surfaces par plasma . |
| JPH077003A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 処理方法 |
| US7153123B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-12-26 | 3M Innovative Properties Company | Devices for conveying, stretching, and taking-away polymer films |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP13315084A patent/JPS6113634A/ja active Pending
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