JPH077003A - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
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- JPH077003A JPH077003A JP2901294A JP2901294A JPH077003A JP H077003 A JPH077003 A JP H077003A JP 2901294 A JP2901294 A JP 2901294A JP 2901294 A JP2901294 A JP 2901294A JP H077003 A JPH077003 A JP H077003A
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- plasma
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストのエッチングを高速で行な
う。 【構成】 ０．１〜１０ｔｏｒｒに保持された、磁場お
よび電場の共鳴相互作用により生じる共鳴領域に、酸化
物気体を導入することによって得られるプラズマ化した
酸化物気体を用いて、加熱された基板上の被エッチング
材料をアッシングする。
う。 【構成】 ０．１〜１０ｔｏｒｒに保持された、磁場お
よび電場の共鳴相互作用により生じる共鳴領域に、酸化
物気体を導入することによって得られるプラズマ化した
酸化物気体を用いて、加熱された基板上の被エッチング
材料をアッシングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の処理表面内を同
一装置内でプラズマエッチングおよび光化学反応を用い
た紫外光クリ−ニング（紫外光を用いるためUVクリ−ニ
ングまたはフォトクリ−ニングともいう）を行う装置お
よびその装置を用いた表面処理方法に関する。さらに本
発明は、半導体集積回路（以下LSI という) の工程の自
動化および簡略化を行わんとするものである。
一装置内でプラズマエッチングおよび光化学反応を用い
た紫外光クリ−ニング（紫外光を用いるためUVクリ−ニ
ングまたはフォトクリ−ニングともいう）を行う装置お
よびその装置を用いた表面処理方法に関する。さらに本
発明は、半導体集積回路（以下LSI という) の工程の自
動化および簡略化を行わんとするものである。
【０００２】
【従来技術】気相反応処理装置として、プラズマエッチ
ング方法、光エネルギにより反応性気体を活性にさせて
行う光エッチング法が知られている。前者は処理速度が
速いという特徴を有するが、基板表面に損傷を与える欠
点がある。他方、後者は処理速度は遅いが、表面に損傷
を与えないという特長を有する。これらはそれぞれが独
立した別々の装置であり、それぞれの特徴を用いて相乗
効果を有せしめる試みはなかった。さらに加えて、フォ
トレジストをマスクとして基板表面の異方性エッチをこ
れらの工程に先立ち同一装置内で予め行う試みはなかっ
た。
ング方法、光エネルギにより反応性気体を活性にさせて
行う光エッチング法が知られている。前者は処理速度が
速いという特徴を有するが、基板表面に損傷を与える欠
点がある。他方、後者は処理速度は遅いが、表面に損傷
を与えないという特長を有する。これらはそれぞれが独
立した別々の装置であり、それぞれの特徴を用いて相乗
効果を有せしめる試みはなかった。さらに加えて、フォ
トレジストをマスクとして基板表面の異方性エッチをこ
れらの工程に先立ち同一装置内で予め行う試みはなかっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さらにこれら光処理と
プラズマ処理とを一体化させんとする時、紫外光源のフ
ォトン数が余りに強く、紫外光源とプラズマ光とを同時
に発生させても、紫外光の効果はほとんど観察されにく
かった。このため強い紫外光を発生させる手段が求めら
れていた。
プラズマ処理とを一体化させんとする時、紫外光源のフ
ォトン数が余りに強く、紫外光源とプラズマ光とを同時
に発生させても、紫外光の効果はほとんど観察されにく
かった。このため強い紫外光を発生させる手段が求めら
れていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる要請に
答えるため、磁場および電場の相互作用を利用して、紫
外光を発生させる手段と、他の磁場および電場の相互作
用を用いてプラズマ化した反応性気体を生成せしめる手
段とを同一装置に有する。この装置を用いて本発明のこ
の磁場および電場の相互作用を用いて処理用表面のプラ
ズマエッチング、特に処理用表面での異方性のプラズマ
エッチングおよびフォトレジストのプラズマアッシング
を行い、さらにこの工程と同時またはその後の工程とし
て、同じく磁場および電場の相互作用を利用して発生さ
せた紫外光を用いて紫外光クリ−ニング（紫外光を用い
たUVクリ−ニング）またはUVエッチングまたはUVアッシ
ング等の紫外光処理を同一反応装置内で行わんとするも
のである。
答えるため、磁場および電場の相互作用を利用して、紫
外光を発生させる手段と、他の磁場および電場の相互作
用を用いてプラズマ化した反応性気体を生成せしめる手
段とを同一装置に有する。この装置を用いて本発明のこ
の磁場および電場の相互作用を用いて処理用表面のプラ
ズマエッチング、特に処理用表面での異方性のプラズマ
エッチングおよびフォトレジストのプラズマアッシング
を行い、さらにこの工程と同時またはその後の工程とし
て、同じく磁場および電場の相互作用を利用して発生さ
せた紫外光を用いて紫外光クリ−ニング（紫外光を用い
たUVクリ−ニング）またはUVエッチングまたはUVアッシ
ング等の紫外光処理を同一反応装置内で行わんとするも
のである。
【０００５】さらに本発明においては、磁場および電極
の相互作用を電子サイクロトロン共鳴(ECRともいう) 条
件を発生させ、この共鳴領域を利用して強紫外光源を生
成する。そしてこの発生した紫外光を用いて光クリ−ニ
ング、光エッチングまたは光アッシング等の光処理を行
った。このためECR 条件下での紫外光の発生用にはこの
プラズマ空間内にアルゴン、重水素、クリプトンまたは
水銀の１つまたは複数種を導入し、これらの気体の共鳴
発光を用いて強い紫外光を生成せしめている。
の相互作用を電子サイクロトロン共鳴(ECRともいう) 条
件を発生させ、この共鳴領域を利用して強紫外光源を生
成する。そしてこの発生した紫外光を用いて光クリ−ニ
ング、光エッチングまたは光アッシング等の光処理を行
った。このためECR 条件下での紫外光の発生用にはこの
プラズマ空間内にアルゴン、重水素、クリプトンまたは
水銀の１つまたは複数種を導入し、これらの気体の共鳴
発光を用いて強い紫外光を生成せしめている。
【０００６】
【作用】するとこの電磁エネルギを利用した紫外光源の
強光のため、被形成面上に形成されてしまっているナチ
ュラル・オキサイドを除去し、さらに真空ポンプからの
オイル蒸気の逆流によるハイドロカ−ボンの被処理面へ
の吸着を防ぐこともできる。加えて、この紫外光クリ−
ニングの際、基板の被形成面が酸素を特に嫌う材料、例
えばGaAs等の３族−５族化合物にあっては、クリ−ニン
グ用反応性気体としてアンモニア、水素等還元雰囲気用
気体を用い、この気体に紫外光を照射して励起させ、ま
たはこれにECR エッチング用のマイクロ波励起を併用し
て行う。また処理用被形成面がフォトレジスト等の有機
物の場合は、酸素を導入し、これを活性化して処理表面
でエッチング（アッシング）を行う。
強光のため、被形成面上に形成されてしまっているナチ
ュラル・オキサイドを除去し、さらに真空ポンプからの
オイル蒸気の逆流によるハイドロカ−ボンの被処理面へ
の吸着を防ぐこともできる。加えて、この紫外光クリ−
ニングの際、基板の被形成面が酸素を特に嫌う材料、例
えばGaAs等の３族−５族化合物にあっては、クリ−ニン
グ用反応性気体としてアンモニア、水素等還元雰囲気用
気体を用い、この気体に紫外光を照射して励起させ、ま
たはこれにECR エッチング用のマイクロ波励起を併用し
て行う。また処理用被形成面がフォトレジスト等の有機
物の場合は、酸素を導入し、これを活性化して処理表面
でエッチング（アッシング）を行う。
【０００７】本発明においては紫外光源としてECR 条件
を利用した水銀の共鳴発光波長の185nm の光( 強度は好
ましくは10mW /cm2 以上) を放射せしめることにより励
起した反応性気体の励起状態を持続できる。紫外光の発
生領域と処理面を有する基板を配設する領域との間に
は、透光性の窓を設けることにより、気体の紫外光発生
と処理空間との交流がないように遮蔽した。その結果、
発生空間に水銀、重水素等が存在しても、処理空間では
任意の種類の気体雰囲気または任意の圧力とすることが
できる。
を利用した水銀の共鳴発光波長の185nm の光( 強度は好
ましくは10mW /cm2 以上) を放射せしめることにより励
起した反応性気体の励起状態を持続できる。紫外光の発
生領域と処理面を有する基板を配設する領域との間に
は、透光性の窓を設けることにより、気体の紫外光発生
と処理空間との交流がないように遮蔽した。その結果、
発生空間に水銀、重水素等が存在しても、処理空間では
任意の種類の気体雰囲気または任意の圧力とすることが
できる。
【０００８】プラズマエッチングに用いるサイクロトロ
ン共鳴下のプラズマ発生空間には、不活性気体または非
生成物気体( 分解または反応をしてもそれ自体は気体し
か生じない気体) を導入させる。不活性気体としてはア
ルゴンが代表的なものである。しかしヘリュ−ム、ネオ
ン、クリプトンを用いてもよい。非生成物気体として
は、酸化物気体の場合は酸素、酸化窒素 (N2O,NO, N
O2), 酸化炭素(CO,CO2), 水(H2O) 又窒化物気体として
窒素(N2), アンモニア(NH3),ヒドラジン(N2H4), 弗化炭
素(NF3, N2F6),塩化炭素(CCl4,H2CCl2) またはこれらに
キャリアガスを混合した気体が代表的なものである。
ン共鳴下のプラズマ発生空間には、不活性気体または非
生成物気体( 分解または反応をしてもそれ自体は気体し
か生じない気体) を導入させる。不活性気体としてはア
ルゴンが代表的なものである。しかしヘリュ−ム、ネオ
ン、クリプトンを用いてもよい。非生成物気体として
は、酸化物気体の場合は酸素、酸化窒素 (N2O,NO, N
O2), 酸化炭素(CO,CO2), 水(H2O) 又窒化物気体として
窒素(N2), アンモニア(NH3),ヒドラジン(N2H4), 弗化炭
素(NF3, N2F6),塩化炭素(CCl4,H2CCl2) またはこれらに
キャリアガスを混合した気体が代表的なものである。
【０００９】これらの非生成物気体をサイクロトロン共
鳴させて活性化せしめ、処理表面を有する基板上に磁場
に従って導く。かくして活性の非生成物気体により処理
面をプラズマエッチングさせることができる。処理面で
等方性エッチングを行わんとする場合には、このエッチ
ング室の上方より同時またはその後に波長185nm(300nm
以下の波長の紫外光) の紫外光を照射し、処理表面の全
面に均一な活性気体を広げる。さらに室温〜500 ℃の温
度で基板を加熱することにより、この基板の被形成面上
の不要物のエッチングを助長させることができる。
鳴させて活性化せしめ、処理表面を有する基板上に磁場
に従って導く。かくして活性の非生成物気体により処理
面をプラズマエッチングさせることができる。処理面で
等方性エッチングを行わんとする場合には、このエッチ
ング室の上方より同時またはその後に波長185nm(300nm
以下の波長の紫外光) の紫外光を照射し、処理表面の全
面に均一な活性気体を広げる。さらに室温〜500 ℃の温
度で基板を加熱することにより、この基板の被形成面上
の不要物のエッチングを助長させることができる。
【００１０】本発明はECR 条件下のみのプラズマエッチ
ングを行う場合は異方性エッチングとなり、ECR 条件下
のプラズマエッチングと紫外光照射による光エッチング
との併用を行う場合は等方性エッチングとなる特性を有
し、その使途は目的により使いわけ得る。さらに紫外光
のみを用いた光クリ−ニング、光エッチング、光アッシ
ング等の光処理工程においては、エッチング用活性気体
がエッチングされる処理用表面を泳動( 表面泳動) し、
等方性クリ−ニング、アッシングまたはエッチングを助
長する特性を利用している。
ングを行う場合は異方性エッチングとなり、ECR 条件下
のプラズマエッチングと紫外光照射による光エッチング
との併用を行う場合は等方性エッチングとなる特性を有
し、その使途は目的により使いわけ得る。さらに紫外光
のみを用いた光クリ−ニング、光エッチング、光アッシ
ング等の光処理工程においては、エッチング用活性気体
がエッチングされる処理用表面を泳動( 表面泳動) し、
等方性クリ−ニング、アッシングまたはエッチングを助
長する特性を利用している。
【００１１】このため、例えばその３種類の処理のー例
として、選択的に設けられたフォトレジストを用い、基
板の酸化珪素、半導体その他の被膜の異方性エッチング
をECR エッチング( シァワ−エッチングともいう）で実
施する。その後、反応性気体の種類を変え、紫外光を照
射しつつ活性化し、フォトレジストのみを除去する。さ
らにフォトレジストの残存物、その他の汚物を除去する
ため、紫外光のみを照射し紫外光クリ−ニングまたはア
ッシングを行う。かくして基板を選択的に異方性エッチ
を行い、それに伴うフォトレジストの除去および表面の
清浄化を連続的に行うことができるようになった。以下
に実施例に従い本発明を示す。
として、選択的に設けられたフォトレジストを用い、基
板の酸化珪素、半導体その他の被膜の異方性エッチング
をECR エッチング( シァワ−エッチングともいう）で実
施する。その後、反応性気体の種類を変え、紫外光を照
射しつつ活性化し、フォトレジストのみを除去する。さ
らにフォトレジストの残存物、その他の汚物を除去する
ため、紫外光のみを照射し紫外光クリ−ニングまたはア
ッシングを行う。かくして基板を選択的に異方性エッチ
を行い、それに伴うフォトレジストの除去および表面の
清浄化を連続的に行うことができるようになった。以下
に実施例に従い本発明を示す。
【００１２】『実施例１』図１は本発明の紫外光処理型
マイクロ波励起のエッチング装置の概要を示す。図面に
おいて、ステンレス容器(1')内に反応空間(1) を構成さ
せている。この容器は、基板(10)の取り出し口(1'') を
有し、下部に基板(10)を基板ホルダ(10') に設け、その
裏側にはハロゲンランプヒ−タ(7) を設け加熱してい
る。他方、容器(1')の上部には、紫外光源を発生させる
磁場(5),(5')および電場の相互作用を用いる第１空間
(2) ( 紫外光を発生させるためのプラズマ発生空間、即
ち紫外光発生空間) および反応性気体をプラズマ化する
磁場(5'),(5'')および電場の相互作用を用いる。第２空
間（プラズマエッチング用活性気体を得るための空間、
即ちプラズマ発生空間)(2') を有する。これら第１およ
び第２の空間にはマイクロ波電源(3) 、チュ−ニング装
置(4) 、石英窓(18)より電場エネルギを供給する。この
電場エネルギは窓(28)を経て第１の空間と同時に第２の
空間(2')にも供給される。そして第１の空間ではド−ピ
ング系(13)より水銀バブラ(11)をアルゴンでバブルさ
せ、水銀蒸気およびアルゴンガスを例えば(24)より導入
し紫外光を発生させる。また第２の空間では、ド−ピン
グ系(13)より(25)を経てアルゴンまたはソレト酸素( ア
ッシング用) またはNF3(エッチング用) 等を導入し、プ
ラズマ化した反応性気体を発生させる。このプラズマエ
ッチングにはド−ピング系(13)のエッチングまたはアッ
シング用反応性気体を(26)より導入し、(25)よりアルゴ
ンを導入し、プラズマ化したアルゴンにより反応性気体
を活性化する方式を用いてもよい。窓(28)は紫外光に対
し透光性を有する。
マイクロ波励起のエッチング装置の概要を示す。図面に
おいて、ステンレス容器(1')内に反応空間(1) を構成さ
せている。この容器は、基板(10)の取り出し口(1'') を
有し、下部に基板(10)を基板ホルダ(10') に設け、その
裏側にはハロゲンランプヒ−タ(7) を設け加熱してい
る。他方、容器(1')の上部には、紫外光源を発生させる
磁場(5),(5')および電場の相互作用を用いる第１空間
(2) ( 紫外光を発生させるためのプラズマ発生空間、即
ち紫外光発生空間) および反応性気体をプラズマ化する
磁場(5'),(5'')および電場の相互作用を用いる。第２空
間（プラズマエッチング用活性気体を得るための空間、
即ちプラズマ発生空間)(2') を有する。これら第１およ
び第２の空間にはマイクロ波電源(3) 、チュ−ニング装
置(4) 、石英窓(18)より電場エネルギを供給する。この
電場エネルギは窓(28)を経て第１の空間と同時に第２の
空間(2')にも供給される。そして第１の空間ではド−ピ
ング系(13)より水銀バブラ(11)をアルゴンでバブルさ
せ、水銀蒸気およびアルゴンガスを例えば(24)より導入
し紫外光を発生させる。また第２の空間では、ド−ピン
グ系(13)より(25)を経てアルゴンまたはソレト酸素( ア
ッシング用) またはNF3(エッチング用) 等を導入し、プ
ラズマ化した反応性気体を発生させる。このプラズマエ
ッチングにはド−ピング系(13)のエッチングまたはアッ
シング用反応性気体を(26)より導入し、(25)よりアルゴ
ンを導入し、プラズマ化したアルゴンにより反応性気体
を活性化する方式を用いてもよい。窓(28)は紫外光に対
し透光性を有する。
【００１３】かくして紫外光を第１の空間(2) で発生せ
しめて、同時またはその前後にECRプラズマを用いてエ
ッチング用気体の活性化を第２の空間(2')を用いて行
い、これらを用いて空間(1) に配設された基板の処理用
表面でプラズマエッチング、プラズマアッシング、光エ
ッチングまたはそれらを併用して使用することが可能と
なった。
しめて、同時またはその前後にECRプラズマを用いてエ
ッチング用気体の活性化を第２の空間(2')を用いて行
い、これらを用いて空間(1) に配設された基板の処理用
表面でプラズマエッチング、プラズマアッシング、光エ
ッチングまたはそれらを併用して使用することが可能と
なった。
【００１４】『実験例１』この実験例は実施例１の装置
を用い、酸化珪素の異方性エッチおよびその上のフォト
レジストのエッチ、さらに表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。この処理工程の縦断面図群を図２に
示す。基板(10)のシリコン半導体上に酸化珪素(21)およ
びその上にフォトレジスト(22)が形成されたものを用い
た。このフォトレジストをマスクとして酸化珪素のECR
プラズマを用いて異方性エッチングを行い、図２(B) に
示す如く2500Å/ 分のエッチング速度で酸化珪素の異方
性エッチング(23)を行うことができた。即ち、マイクロ
波は2.45GHz の周波数を有し、30〜500Wの出力、例えば
200Wで調整した。磁石(5'),(5'')の共鳴磁場強度は875
ガウスとした。磁場(5) は零であり、第２の空間(2')お
よび反応空間(1) の圧力は0.002 torr、非生成物気体と
して(25)よりアルゴンを50cc/ 分で供給した。加えて弗
化窒素(NF3) を(26)より20cc/ 分で供給した。
を用い、酸化珪素の異方性エッチおよびその上のフォト
レジストのエッチ、さらに表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。この処理工程の縦断面図群を図２に
示す。基板(10)のシリコン半導体上に酸化珪素(21)およ
びその上にフォトレジスト(22)が形成されたものを用い
た。このフォトレジストをマスクとして酸化珪素のECR
プラズマを用いて異方性エッチングを行い、図２(B) に
示す如く2500Å/ 分のエッチング速度で酸化珪素の異方
性エッチング(23)を行うことができた。即ち、マイクロ
波は2.45GHz の周波数を有し、30〜500Wの出力、例えば
200Wで調整した。磁石(5'),(5'')の共鳴磁場強度は875
ガウスとした。磁場(5) は零であり、第２の空間(2')お
よび反応空間(1) の圧力は0.002 torr、非生成物気体と
して(25)よりアルゴンを50cc/ 分で供給した。加えて弗
化窒素(NF3) を(26)より20cc/ 分で供給した。
【００１５】このエッチングが完了した後、磁石(5),
(5'), (5'') により875 ガウスの磁場を加え、水銀およ
びアルゴンを(24)より第２の空間(2) に加え、185 nmの
強紫外光を発生させた。さらに、酸素を(25)より導入し
た。するとフォトレジスト(22)は第３図(C) に示す如
く、ECR プラズマエッチング、即ちのアッシングにより
(27)の部分のレジストが除去された。しかしフォトレジ
ストが形成されていない面にも炭化水素(28)が付着しや
すい。このため、このプラズマエッチングと第１の空間
(2) で生成した紫外光を同時にオンとし、この基板上の
全面に紫外光を照射した。
(5'), (5'') により875 ガウスの磁場を加え、水銀およ
びアルゴンを(24)より第２の空間(2) に加え、185 nmの
強紫外光を発生させた。さらに、酸素を(25)より導入し
た。するとフォトレジスト(22)は第３図(C) に示す如
く、ECR プラズマエッチング、即ちのアッシングにより
(27)の部分のレジストが除去された。しかしフォトレジ
ストが形成されていない面にも炭化水素(28)が付着しや
すい。このため、このプラズマエッチングと第１の空間
(2) で生成した紫外光を同時にオンとし、この基板上の
全面に紫外光を照射した。
【００１６】この後紫外光クリ−ニングのみを行うた
め、磁石(5'') を零とし、磁石(5),(5')のみを加え、紫
外光を(2) で発生せしめた。この時反応室(1) 内の圧力
は10〜100torr とし、オゾンまたは酸素ラジカルが残存
する有機物(27)との反応を助長させた。かくして図２
(D) に示す如く、フォトレジストを完全に除去し、かつ
選択エッチされた酸化珪素は異方性エッチを連続的に実
施することが可能となった。このエッチングされる対象
物は酸化珪素のみならず、窒化珪素、シリコン半導体、
金属珪化物、合金その他エレクトロニクス応用機器、例
えば半導体集積回路の製造プロセスを必要とするすべて
をエッチング用の反応性機械を変えることにより実施す
ることができる。
め、磁石(5'') を零とし、磁石(5),(5')のみを加え、紫
外光を(2) で発生せしめた。この時反応室(1) 内の圧力
は10〜100torr とし、オゾンまたは酸素ラジカルが残存
する有機物(27)との反応を助長させた。かくして図２
(D) に示す如く、フォトレジストを完全に除去し、かつ
選択エッチされた酸化珪素は異方性エッチを連続的に実
施することが可能となった。このエッチングされる対象
物は酸化珪素のみならず、窒化珪素、シリコン半導体、
金属珪化物、合金その他エレクトロニクス応用機器、例
えば半導体集積回路の製造プロセスを必要とするすべて
をエッチング用の反応性機械を変えることにより実施す
ることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上の説明より明らかなごと
く、基板の処理表面の有機物のプラズマエッチング( ア
ッシング) およびその後の表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。さらにフォトレジストをマスクとし
て行う基板の選択的異方性エッチングとこの異方性エッ
チングの手段に加えて紫外光を照射することにより等方
性プラズマエッチングを行うことを可とし、同じプラズ
マエッチング手段により異方性エッチングおよび等方性
エッチングを使い分けることが可能となった。
く、基板の処理表面の有機物のプラズマエッチング( ア
ッシング) およびその後の表面の紫外光クリ−ニングを
行ったものである。さらにフォトレジストをマスクとし
て行う基板の選択的異方性エッチングとこの異方性エッ
チングの手段に加えて紫外光を照射することにより等方
性プラズマエッチングを行うことを可とし、同じプラズ
マエッチング手段により異方性エッチングおよび等方性
エッチングを使い分けることが可能となった。
【００１８】本発明は紫外光発生用空間とプラズマ発生
用空間とを連続して有し、ともに磁場と電場の相互作用
を用いて行った。このため、紫外光源が長期使用により
劣化することがなく、またその紫外光の強度も磁場の強
度を変えることにより調整できるようになった。
用空間とを連続して有し、ともに磁場と電場の相互作用
を用いて行った。このため、紫外光源が長期使用により
劣化することがなく、またその紫外光の強度も磁場の強
度を変えることにより調整できるようになった。
【００１９】更に本発明は、予め付着または形成された
汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新たに吸着
する汚物を紫外光クリ−ニングで除去させた。本発明の
図１は基板の上表面側にエッチング処理を行った。しか
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横（垂直方
向）とし、光源、共鳴装置を上側または横側に配設して
もよいことはいうまでもない。
汚物、または被膜形成直後または反応炉内で新たに吸着
する汚物を紫外光クリ−ニングで除去させた。本発明の
図１は基板の上表面側にエッチング処理を行った。しか
しこの図面を上下逆とし、基板を下側または横（垂直方
向）とし、光源、共鳴装置を上側または横側に配設して
もよいことはいうまでもない。
【００２０】本発明は紫外光およびECR のエッチング、
アッシングおよびクリ−ニングを例として示した。しか
し逆に紫外光を用いた被膜形成またはこれと同時または
その前またはその後にECR 条件を用いた被膜形成を行っ
た。紫外光処理、プラズマ処理も有効である。また本発
明において反応空間と紫外光発生空間とが同一圧力であ
る場合、さらに紫外光発生用手段に用いる気体が高価ま
たは有毒である場合、または磁場のピンチングにより紫
外光発生用気体が反応空間に放出しにくい場合は窓( 図
１(28)) を除去してもよい。
アッシングおよびクリ−ニングを例として示した。しか
し逆に紫外光を用いた被膜形成またはこれと同時または
その前またはその後にECR 条件を用いた被膜形成を行っ
た。紫外光処理、プラズマ処理も有効である。また本発
明において反応空間と紫外光発生空間とが同一圧力であ
る場合、さらに紫外光発生用手段に用いる気体が高価ま
たは有毒である場合、または磁場のピンチングにより紫
外光発生用気体が反応空間に放出しにくい場合は窓( 図
１(28)) を除去してもよい。
【図１】本発明の紫外光処理式サイクロトロン共鳴型処
理装置を示す。
理装置を示す。
【図２】本発明の工程を示す縦断面図である。
１ 反応空間 ２ 紫外光発生用の第１の空間 ２’エッチングプラズマ発生用の第２の空間 ３ マイクロ波電源 ４ チュ−ニング装置 5,5',5'' 磁石 ９ 排気ポンプ 10 基板 11 銀バブラ 13 ド−ピング系
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｚ Ｈ
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧状態に保持されるプラズマ発生室、
該発生室を囲んで設けられた磁場発生手段、前記プラズ
マ発生室にマイクロ波を供給する手段を有する処理装置
内の、０．１〜１０ｔｏｒｒに保持された、磁場および
電場の共鳴相互作用により生じる共鳴領域に、酸化物気
体を導入することによって得られるプラズマ化した酸化
物気体を用いて、加熱された基板上の被エッチング材料
をアッシングすることを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 減圧状態に保持されるプラズマ発生室、
該発生室を囲んで設けられた磁場発生手段、前記プラズ
マ発生室にマイクロ波を供給する手段を有する処理装置
内の等方性エッチング（アッシング）を行う圧力に保持
された、磁場および電場の共鳴相互作用により生じる共
鳴領域に、酸化物気体を導入することによって得られる
プラズマ化した酸化物気体を用いて、加熱された基板上
の被エッチング材料をアッシングすることを特徴とする
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6029012A JP2700297B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6029012A JP2700297B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61264214A Division JPH07118475B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 基板表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077003A true JPH077003A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2700297B2 JP2700297B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=12264504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6029012A Expired - Fee Related JP2700297B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700297B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329787B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-03-25 | 박종섭 | 반도체 소자의 감광막 제거방법 |
| SG106588A1 (en) * | 2000-10-10 | 2004-10-29 | Inst Data Storage | Method for producing thin film magnetic devices having increased orientation ratio |
| JP2005148313A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Hoya Corp | マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法 |
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-
1994
- 1994-01-31 JP JP6029012A patent/JP2700297B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2700297B2 (ja) | 1998-01-19 |
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