JPH0950984A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JPH0950984A JPH0950984A JP7200656A JP20065695A JPH0950984A JP H0950984 A JPH0950984 A JP H0950984A JP 7200656 A JP7200656 A JP 7200656A JP 20065695 A JP20065695 A JP 20065695A JP H0950984 A JPH0950984 A JP H0950984A
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- conductive layer
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】酸化膜などの絶縁膜エッチング中に局所的な帯
電で生じる形状異常の発生を防止する。 【構成】エッチング中に、絶縁膜あるいはエッチングガ
スで生じるポリマ膜上に導電層を形成する。 【効果】導電層内を電子が移動して孔底の正電荷（イオ
ン）を中和し、イオンの方向を曲げる電界の発生を抑止
できる。
電で生じる形状異常の発生を防止する。 【構成】エッチング中に、絶縁膜あるいはエッチングガ
スで生じるポリマ膜上に導電層を形成する。 【効果】導電層内を電子が移動して孔底の正電荷（イオ
ン）を中和し、イオンの方向を曲げる電界の発生を抑止
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面処理方法にかかわ
り、特に絶縁膜エッチングの形状異常を防ぐ方法に関す
る。
り、特に絶縁膜エッチングの形状異常を防ぐ方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のエッチングとして現在広く
用いられているのは、プラズマを利用する方法である。
この方法では、真空容器中でマイクロ波あるいはＲＦ(r
adiofrequency)波によりエッチングガスのプラズマを発
生させる。酸化膜あるいは窒化膜などの絶縁膜のエッチ
ングには、ＣＦ4 ，Ｃ4Ｆ8などのＣとＦからなるガス、
あるいはＣＨＦ3 ，ＣＨ2Ｆ2などのＣとＨとＦからなる
ガス、あるいはこれらのガスに希ガス，Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｎ
2 ，ＣＯ，ＣＯ2 を添加したガスが用いられる。このプ
ラズマ中で発生したＦあるいはＣＦx のイオンと活性種
が試料に入射して絶縁膜がエッチングされる。
用いられているのは、プラズマを利用する方法である。
この方法では、真空容器中でマイクロ波あるいはＲＦ(r
adiofrequency)波によりエッチングガスのプラズマを発
生させる。酸化膜あるいは窒化膜などの絶縁膜のエッチ
ングには、ＣＦ4 ，Ｃ4Ｆ8などのＣとＦからなるガス、
あるいはＣＨＦ3 ，ＣＨ2Ｆ2などのＣとＨとＦからなる
ガス、あるいはこれらのガスに希ガス，Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｎ
2 ，ＣＯ，ＣＯ2 を添加したガスが用いられる。このプ
ラズマ中で発生したＦあるいはＣＦx のイオンと活性種
が試料に入射して絶縁膜がエッチングされる。
【０００３】この方法ではイオンが試料表面にできるプ
ラズマのシース中で加速されて、試料表面に垂直に入射
するために、絶縁膜の異方性エッチングができる。
ラズマのシース中で加速されて、試料表面に垂直に入射
するために、絶縁膜の異方性エッチングができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年半導体の微細化が
進む中、絶縁膜の加工寸法も０.４μｍ 以下が要求され
ている。このような微細形状の加工では以下に述べる局
所的な帯電により形状異常が発生する。プラズマ中で
は、電子は質量が軽いために熱運動によるランダムな方
向成分が大きく、かつプラズマシース内で減速されるた
めに、イオンより方向性が悪くなる。このため、例えば
微細孔の加工では、孔側面にイオンより多くの電子が入
射して、側面が負に帯電する。この帯電で形成される電
界により、イオンが孔側面に引き込まれ、側面のエッチ
ングが進行してしまう。
進む中、絶縁膜の加工寸法も０.４μｍ 以下が要求され
ている。このような微細形状の加工では以下に述べる局
所的な帯電により形状異常が発生する。プラズマ中で
は、電子は質量が軽いために熱運動によるランダムな方
向成分が大きく、かつプラズマシース内で減速されるた
めに、イオンより方向性が悪くなる。このため、例えば
微細孔の加工では、孔側面にイオンより多くの電子が入
射して、側面が負に帯電する。この帯電で形成される電
界により、イオンが孔側面に引き込まれ、側面のエッチ
ングが進行してしまう。
【０００５】本発明の目的は、局所帯電によるエッチン
グ形状の異常を防ぐことである。なお、本発明の類似技
術としては特開平5−326456 号に掲載されている方法が
ある。この方法では、試料にＸ線を照射しながらエッチ
ングを行い、Ｘ線により微細構造内で放出される光電子
によりイオンを中和して形状異常を防ぐ。つまり、気相
中でイオンの中和を行う。
グ形状の異常を防ぐことである。なお、本発明の類似技
術としては特開平5−326456 号に掲載されている方法が
ある。この方法では、試料にＸ線を照射しながらエッチ
ングを行い、Ｘ線により微細構造内で放出される光電子
によりイオンを中和して形状異常を防ぐ。つまり、気相
中でイオンの中和を行う。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、絶縁膜表面
に導電層を形成しながらエッチングすることで、形状異
常を防ぐ。
に導電層を形成しながらエッチングすることで、形状異
常を防ぐ。
【０００７】
【作用】本発明の作用を図を用いて説明する。図１は本
発明の原理図である。図１は半導体試料の断面図で、シ
リコン等の試料１上の酸化膜などの絶縁膜２がプラズマ
中でエッチングされている様子を表す。プラズマ中では
電子５とイオン６が試料に入射して、レジスト３で覆わ
れていない部分がエッチングされる。絶縁膜のエッチン
グにはＣ4Ｆ8のように炭素とフッ素を含むガスが用いら
れ、このプラズマ中では試料にＣＦ系のポリマ膜４が堆
積した状態でエッチングが進行する。エッチング中、イ
オン６はプラズマ中のシースにて加速されるために試料
に垂直方向に入射するが、電子５はシース中で減速され
るために方向性が悪く、図１（ａ）で示されるよう孔側
壁に入射する割合が多い。
発明の原理図である。図１は半導体試料の断面図で、シ
リコン等の試料１上の酸化膜などの絶縁膜２がプラズマ
中でエッチングされている様子を表す。プラズマ中では
電子５とイオン６が試料に入射して、レジスト３で覆わ
れていない部分がエッチングされる。絶縁膜のエッチン
グにはＣ4Ｆ8のように炭素とフッ素を含むガスが用いら
れ、このプラズマ中では試料にＣＦ系のポリマ膜４が堆
積した状態でエッチングが進行する。エッチング中、イ
オン６はプラズマ中のシースにて加速されるために試料
に垂直方向に入射するが、電子５はシース中で減速され
るために方向性が悪く、図１（ａ）で示されるよう孔側
壁に入射する割合が多い。
【０００８】本発明では絶縁物であるポリマ膜４上に導
電層７を形成しながらエッチングを行う。すると図１
（ｂ）に示すように電子５はこの導電層７中を移動して
イオン６と再結合できる。このため孔内に局所的な帯電
が生じず、イオンが垂直に試料に入射するため、エッチ
ングの形状異常が発生しない。
電層７を形成しながらエッチングを行う。すると図１
（ｂ）に示すように電子５はこの導電層７中を移動して
イオン６と再結合できる。このため孔内に局所的な帯電
が生じず、イオンが垂直に試料に入射するため、エッチ
ングの形状異常が発生しない。
【０００９】図２は、従来方法によるエッチングの模様
を示す。導電層がないと図２（ｂ）のように孔側壁が電
子５で帯電し、この電荷で発生する電界によりイオン６
が曲げられて、形状異常が発生する。
を示す。導電層がないと図２（ｂ）のように孔側壁が電
子５で帯電し、この電荷で発生する電界によりイオン６
が曲げられて、形状異常が発生する。
【００１０】本発明は、前記従来例の特開平5−326456
号とは異なり、固体中でイオンと電子の中和を行う。こ
のために光電子を放出する必要はなく、たとえば光を用
いる場合でもより低いエネルギーで局所帯電を防ぐこと
ができる。また、固体中での再結合を利用するので効率
もより高くできる。
号とは異なり、固体中でイオンと電子の中和を行う。こ
のために光電子を放出する必要はなく、たとえば光を用
いる場合でもより低いエネルギーで局所帯電を防ぐこと
ができる。また、固体中での再結合を利用するので効率
もより高くできる。
【００１１】
＜実施例１＞以下一実施例を図３により説明する。図３
はマイクロ波を用いたプラズマエッチング装置である。
マイクロ波電源８から導波管９と導入窓１０を介して真
空容器１１内にマイクロ波が導入される。真空容器１１
の材質はたとえばアルミニウムである。導入窓１０の材
質は石英，窒化シリコン，セラミックなどマイクロ波を
透過する物質である。電磁石１３の磁場によりプラズマ
１４の壁方向への拡散が抑えられて、高密度のプラズマ
が発生する。試料１５は試料台１６の上に設置される。
この試料１５の拡大断面図が図１である。試料に入射す
るイオンを加速するために、ＲＦ電源１７が試料台１６
に接続されている。プラズマとなるガス１８は導入管１
２により真空容器１１に導入される。
はマイクロ波を用いたプラズマエッチング装置である。
マイクロ波電源８から導波管９と導入窓１０を介して真
空容器１１内にマイクロ波が導入される。真空容器１１
の材質はたとえばアルミニウムである。導入窓１０の材
質は石英，窒化シリコン，セラミックなどマイクロ波を
透過する物質である。電磁石１３の磁場によりプラズマ
１４の壁方向への拡散が抑えられて、高密度のプラズマ
が発生する。試料１５は試料台１６の上に設置される。
この試料１５の拡大断面図が図１である。試料に入射す
るイオンを加速するために、ＲＦ電源１７が試料台１６
に接続されている。プラズマとなるガス１８は導入管１
２により真空容器１１に導入される。
【００１２】この実施例では、ガス１８に導電性物質を
混合することで、試料表面に導電層７を形成する。以下
その方法を述べる。エッチングガスには分圧５ｍTorrの
Ｃ4Ｆ8を用い、導電層を形成するために分圧１ｍTorrの
ＷＦ6 を用いた。マイクロ波の電力を８００Ｗ，ＲＦバ
イアスを３００Ｗとした。直径０.３５μｍ の酸化膜孔
をエッチングした結果、エッチ速度は６００ｎｍ／min
で、アスペクト比５の垂直な孔が加工できた。これは、
プラズマ中でＷＦ6 が分解して、金属状のＷがポリマ膜
（図１中ポリマ層７）に混合して、導電性が生じ、前述
したように、孔内での局所的な帯電が抑えられたことに
よるものである。
混合することで、試料表面に導電層７を形成する。以下
その方法を述べる。エッチングガスには分圧５ｍTorrの
Ｃ4Ｆ8を用い、導電層を形成するために分圧１ｍTorrの
ＷＦ6 を用いた。マイクロ波の電力を８００Ｗ，ＲＦバ
イアスを３００Ｗとした。直径０.３５μｍ の酸化膜孔
をエッチングした結果、エッチ速度は６００ｎｍ／min
で、アスペクト比５の垂直な孔が加工できた。これは、
プラズマ中でＷＦ6 が分解して、金属状のＷがポリマ膜
（図１中ポリマ層７）に混合して、導電性が生じ、前述
したように、孔内での局所的な帯電が抑えられたことに
よるものである。
【００１３】ＷＦ6 の混合無しではアスペクト３程度で
エッチング速度が急激に低下した、これは孔内の局所的
な帯電により、イオンが孔底に到達する量が減少したた
めである。導電層形成のために添加するガスは他に、Ｓ
ｉＨ4 ，ＳｉＦ4 ，ＣＨ4 などの半導体あるいは金属と
ハロゲンの化合物、もしくは半導体あるいは金属と水素
の化合物を用いることができる。
エッチング速度が急激に低下した、これは孔内の局所的
な帯電により、イオンが孔底に到達する量が減少したた
めである。導電層形成のために添加するガスは他に、Ｓ
ｉＨ4 ，ＳｉＦ4 ，ＣＨ4 などの半導体あるいは金属と
ハロゲンの化合物、もしくは半導体あるいは金属と水素
の化合物を用いることができる。
【００１４】＜実施例２＞次に、エッチングと導電層の
形成を交互に行う実施例を述べる。装置構成は図３と同
じである。まずＣ4Ｆ8プラズマによりエッチングを行
う。これを数百msecから数十sec 行った後に、ガスをＷ
Ｆ6 に切り換えて数百ｍsec から数十sec 放電して、導
電層の形成を行う。この方法では、エッチングガスに導
電層形成用ガスが混入することによるエッチング特性の
変化を防げるので、ＡｌＣｌ3 ，ＡｓＣｌ4 ，ＧａＣｌ
3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨ2Ｃｌ2など金属あるいは半導体
の塩化物も使用できる。
形成を交互に行う実施例を述べる。装置構成は図３と同
じである。まずＣ4Ｆ8プラズマによりエッチングを行
う。これを数百msecから数十sec 行った後に、ガスをＷ
Ｆ6 に切り換えて数百ｍsec から数十sec 放電して、導
電層の形成を行う。この方法では、エッチングガスに導
電層形成用ガスが混入することによるエッチング特性の
変化を防げるので、ＡｌＣｌ3 ，ＡｓＣｌ4 ，ＧａＣｌ
3 ，ＳｉＣｌ4 ，ＳｉＨ2Ｃｌ2など金属あるいは半導体
の塩化物も使用できる。
【００１５】＜実施例３＞次に、導電層を形成するガス
に水素を添加して、還元を行うことで導電層膜の形成効
率を上げる実施例を述べる。この方法では装置構成は図
３と同様である。実施例１で述べたエッチングガスと導
電層膜形成用ガスを混合したガスにさらに水素を添加し
ても効果がある。しかし、水素に導電層形成用ガスの還
元とエッチングガスとの反応という２つの効果を持たせ
るために、エッチング工程と導電層膜形成工程とを分け
て交互に繰り返すことによってより効果が得られる。導
電層膜形成に用いるガスの例としては、ＳｉＨ4 ，Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 ，ＳｉＦ4，ＣＨ4,ＷＦ6 とＨ2 の混合ガスで
ある。また実施例１と２のエッチングと導電層膜形成を
交互に行う場合は、試料台１６に印加バイアス電圧を導
電膜形成時に下げる、あるいは０にすると膜形成がより
速くなる。
に水素を添加して、還元を行うことで導電層膜の形成効
率を上げる実施例を述べる。この方法では装置構成は図
３と同様である。実施例１で述べたエッチングガスと導
電層膜形成用ガスを混合したガスにさらに水素を添加し
ても効果がある。しかし、水素に導電層形成用ガスの還
元とエッチングガスとの反応という２つの効果を持たせ
るために、エッチング工程と導電層膜形成工程とを分け
て交互に繰り返すことによってより効果が得られる。導
電層膜形成に用いるガスの例としては、ＳｉＨ4 ，Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 ，ＳｉＦ4，ＣＨ4,ＷＦ6 とＨ2 の混合ガスで
ある。また実施例１と２のエッチングと導電層膜形成を
交互に行う場合は、試料台１６に印加バイアス電圧を導
電膜形成時に下げる、あるいは０にすると膜形成がより
速くなる。
【００１６】＜実施例４＞次に、スパッタにより導電層
を形成する実施例を図４により説明する。図４はマイク
ロ波を用いたプラズマエッチング装置内にスパッタ基板
１９を設けた装置である。スパッタ基板１９の材質はＡ
ｌ，Ｗ，Ｃ，Ｓｉ等の導体あるいは半導体で、マイクロ
波が通過できるようにスリット状あるいは目の荒い網状
になっている。スパッタ基板１９にはイオンを引き込む
ためのＲＦ電源１７が接続されている。
を形成する実施例を図４により説明する。図４はマイク
ロ波を用いたプラズマエッチング装置内にスパッタ基板
１９を設けた装置である。スパッタ基板１９の材質はＡ
ｌ，Ｗ，Ｃ，Ｓｉ等の導体あるいは半導体で、マイクロ
波が通過できるようにスリット状あるいは目の荒い網状
になっている。スパッタ基板１９にはイオンを引き込む
ためのＲＦ電源１７が接続されている。
【００１７】本実施例では上記ＲＦ電源１７は、試料台
１６にＲＦ電圧を印加する電源と共有になっているが、
これは別電源としてもかまわない。
１６にＲＦ電圧を印加する電源と共有になっているが、
これは別電源としてもかまわない。
【００１８】この装置では、Ｃ4Ｆ8などで試料１５がエ
ッチングされると同時に、スパッタ基板１９がイオンで
削られて放出される金属が試料１５に堆積し、導電層が
形成される。これにより、エッチングの形状異常の発生
が抑えられる。またこの実施例でも、試料台１６とスパ
ッタ基板１９に交互にＲＦ電圧を印加してエッチングと
導電層の形成を交互に行う方法をとってもよい。
ッチングされると同時に、スパッタ基板１９がイオンで
削られて放出される金属が試料１５に堆積し、導電層が
形成される。これにより、エッチングの形状異常の発生
が抑えられる。またこの実施例でも、試料台１６とスパ
ッタ基板１９に交互にＲＦ電圧を印加してエッチングと
導電層の形成を交互に行う方法をとってもよい。
【００１９】＜実施例５＞次に、光照射により絶縁膜表
面に導電層を形成する実施例を述べる。図５はマイクロ
波を用いたプラズマエッチング装置内に紫外線ランプ２
０を設けた装置である。ランプの中には重水素あるいは
Ｈｅ等の真空紫外線を発生するガスが封入されている。
ランプから放出された紫外線が試料表面に入射すること
により、図１の絶縁膜２あるいはポリマ膜４の表面に電
子と正孔対が形成される。これらの電荷により導電層が
生じて、局所的な帯電を抑えることができる。
面に導電層を形成する実施例を述べる。図５はマイクロ
波を用いたプラズマエッチング装置内に紫外線ランプ２
０を設けた装置である。ランプの中には重水素あるいは
Ｈｅ等の真空紫外線を発生するガスが封入されている。
ランプから放出された紫外線が試料表面に入射すること
により、図１の絶縁膜２あるいはポリマ膜４の表面に電
子と正孔対が形成される。これらの電荷により導電層が
生じて、局所的な帯電を抑えることができる。
【００２０】なお、以上の実施例はマイクロ波を用いた
エッチング装置を例にとり説明したが、ＲＦ放電を用い
た誘導結合型，容量結合型の装置など他のプラズマエッ
チング装置でも全く同じ効果がある。
エッチング装置を例にとり説明したが、ＲＦ放電を用い
た誘導結合型，容量結合型の装置など他のプラズマエッ
チング装置でも全く同じ効果がある。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁膜表面に導電層を
形成しながら、あるいは導電層の形成とエッチングとを
交互に行いながら絶縁膜を除去することで、微小構造内
の局所的な帯電を抑えることができ、エッチングの形状
異常の発生を解消できる。
形成しながら、あるいは導電層の形成とエッチングとを
交互に行いながら絶縁膜を除去することで、微小構造内
の局所的な帯電を抑えることができ、エッチングの形状
異常の発生を解消できる。
【図１】本発明の原理を示す試料断面の拡大図。
【図２】従来のエッチング方法の欠点を示す試料断面の
拡大図。
拡大図。
【図３】マイクロ波を用いたエッチング装置による実施
例の構成図。
例の構成図。
【図４】マイクロ波を用いたエッチング装置による実施
例の構成図。
例の構成図。
【図５】マイクロ波を用いたエッチング装置による実施
例の構成図。
例の構成図。
１…試料、２…絶縁膜、３…レジスト、４…ポリマ膜、
５…電子、６…イオン、７…導電層、８…マイクロ波電
源、９…導波管、１０…導入窓、１１…真空容器、１２
…導入管、１３…電磁石、１４…プラズマ、１５…試
料、１６…試料台、１７…ＲＦ電源、１８…ガス、１９
…スパッタ基板、２０…ランプ、２１…真空紫外線。
５…電子、６…イオン、７…導電層、８…マイクロ波電
源、９…導波管、１０…導入窓、１１…真空容器、１２
…導入管、１３…電磁石、１４…プラズマ、１５…試
料、１６…試料台、１７…ＲＦ電源、１８…ガス、１９
…スパッタ基板、２０…ランプ、２１…真空紫外線。
Claims (9)
- 【請求項１】真空容器内にプラズマを発生させ、容器内
に設置した試料台上の絶縁膜をエッチングする方法にお
いて、エッチング中に上記絶縁膜表面に導電層を形成し
ながらエッチングすることを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマはＣとＦからなる
ガス，ＣとＨとＦからなるガス、あるいはこれらのガス
に希ガス，水素，酸素，窒素，一酸化炭素，二酸化炭素
の少なくとも一者を添加したガスのプラズマであり、か
つ、導電層はこれらのプラズマでエッチング中に被エッ
チング面に形成されるポリマ膜上に形成されることを特
徴とする表面処理方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載の導電層はエッチン
グガス中に半導体あるいは金属とハロゲンの化合物、も
しくは半導体あるいは金属と水素の化合物を添加して形
成することを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項４】請求項３記載の表面処理方法は、絶縁膜の
エッチング工程と導電層形成の工程を交互に繰り返すこ
とを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項５】請求項１または２記載の導電層はエッチン
グガス中に半導体あるいは金属とハロゲンの化合物もし
くは半導体あるいは金属と水素の化合物と、さらに水素
分子を添加して形成することを特徴とする表面処理方
法。 - 【請求項６】請求項５記載の表面処理方法は、絶縁膜の
エッチング工程と導電層形成の工程を交互に繰り返すこ
とを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項７】請求項５記載の導電層は真空容器内に設け
られた金属基板をスパッタすることにより形成すること
を特徴とする表面処理方法。 - 【請求項８】請求項５記載の導電層をスパッタにより形
成する工程は絶縁膜をエッチングする工程と交互に繰り
返されることを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項９】請求項１または２記載の導電層は、真空紫
外線を試料に照射して絶縁膜表面に電子と正孔を発生さ
せることにより形成されることを特徴とする表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200656A JPH0950984A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200656A JPH0950984A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950984A true JPH0950984A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16428043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7200656A Pending JPH0950984A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950984A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017163032A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017168645A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20220058433A (ko) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| KR20230006394A (ko) | 2021-07-02 | 2023-01-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| WO2023008025A1 (ja) * | 2021-07-27 | 2023-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、半導体装置の製造方法、エッチングプログラムおよびプラズマ処理装置 |
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| KR20240031070A (ko) | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| KR20240047315A (ko) | 2022-10-04 | 2024-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| WO2024090252A1 (ja) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP7200656A patent/JPH0950984A/ja active Pending
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