JP3357951B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP3357951B2 JP3357951B2 JP01846891A JP1846891A JP3357951B2 JP 3357951 B2 JP3357951 B2 JP 3357951B2 JP 01846891 A JP01846891 A JP 01846891A JP 1846891 A JP1846891 A JP 1846891A JP 3357951 B2 JP3357951 B2 JP 3357951B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン酸化膜のシリ
コンに対する選択エッチングを実現するドライエッチン
グの新規な方法に関する。
コンに対する選択エッチングを実現するドライエッチン
グの新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、高周波グロー放電を利用して被処
理基板（以下、単に基板ともいう）をプラズマ処理する
プラズマ処理装置が半導体集積回路の製造で盛んに使用
されている。中でも、高周波印加電極上に基板を置いて
エッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置
は、異方性エッチングが可能で、且つ量産性に優れてい
るため、半導体デバイス製造の各プロセス工程で多用さ
れるようになってきた。特にシリコン酸化膜のシリコン
に対する選択エッチングは、現在ほとんどこのＲＩＥに
頼っている。
理基板（以下、単に基板ともいう）をプラズマ処理する
プラズマ処理装置が半導体集積回路の製造で盛んに使用
されている。中でも、高周波印加電極上に基板を置いて
エッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置
は、異方性エッチングが可能で、且つ量産性に優れてい
るため、半導体デバイス製造の各プロセス工程で多用さ
れるようになってきた。特にシリコン酸化膜のシリコン
に対する選択エッチングは、現在ほとんどこのＲＩＥに
頼っている。
【０００３】シリコンに対する選択エッチングを実現す
るために、ガスとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 等
のフッ化炭化水素ガスにＨ2 やＯ2 等を混合することに
より行っている。この反応機構は、シリコン酸化膜のエ
ッチングがＣＦ3 + イオン衝撃により行われ、これに対
して、シリコンのエッチングはフッ素ラジカルによって
行われるからであると考えられている。従って、高選択
エッチングを行うためには、フッ素ラジカルの発生を極
力抑える必要があった。このため、例えば、ＣＦ4 にＨ
2 を混合したり、ＣＨＦ3に微量のＯ2 を混合する方法
がとられている。また、イオンの衝撃のエネルギ、即ち
ＲＩＥの自己バイアス電圧を高くしないと高速のエッチ
ングは難しかった。
るために、ガスとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 等
のフッ化炭化水素ガスにＨ2 やＯ2 等を混合することに
より行っている。この反応機構は、シリコン酸化膜のエ
ッチングがＣＦ3 + イオン衝撃により行われ、これに対
して、シリコンのエッチングはフッ素ラジカルによって
行われるからであると考えられている。従って、高選択
エッチングを行うためには、フッ素ラジカルの発生を極
力抑える必要があった。このため、例えば、ＣＦ4 にＨ
2 を混合したり、ＣＨＦ3に微量のＯ2 を混合する方法
がとられている。また、イオンの衝撃のエネルギ、即ち
ＲＩＥの自己バイアス電圧を高くしないと高速のエッチ
ングは難しかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の如く
の方法のエッチングでは、フルオロカーボンのポリマー
が発生し易く、特に酸化膜がエッチングされた後シリコ
ンの表面にシリコンの炭化層が残ったり、また、基板に
かかるバイアス電圧が高いため、イオン衝撃によってシ
リコンに格子欠陥が発生する場合があった。このため、
製造する半導体デバイスにダメージが生じることがしば
しば起こった。特に、パターンが高密度化され、且つ拡
散層の厚さが薄くなった超々ＬＳＩのデバイスの製造に
は限界が見えてきた。また、エッチングする真空容器
や、電極面へのフルオロカーボンのポリマーの付着もひ
どく、クリーニングに多大な時間が必要であった。
の方法のエッチングでは、フルオロカーボンのポリマー
が発生し易く、特に酸化膜がエッチングされた後シリコ
ンの表面にシリコンの炭化層が残ったり、また、基板に
かかるバイアス電圧が高いため、イオン衝撃によってシ
リコンに格子欠陥が発生する場合があった。このため、
製造する半導体デバイスにダメージが生じることがしば
しば起こった。特に、パターンが高密度化され、且つ拡
散層の厚さが薄くなった超々ＬＳＩのデバイスの製造に
は限界が見えてきた。また、エッチングする真空容器
や、電極面へのフルオロカーボンのポリマーの付着もひ
どく、クリーニングに多大な時間が必要であった。
【０００５】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであって、フルオロカーボンのポリマ
ーを全く発生させず、しかも基板に対するイオン衝撃を
ほとんど与えることなく、シリコン酸化膜のシリコンに
対する選択エッチングを実現するドライエッチング方法
を提供することを目的としている。
めになされたものであって、フルオロカーボンのポリマ
ーを全く発生させず、しかも基板に対するイオン衝撃を
ほとんど与えることなく、シリコン酸化膜のシリコンに
対する選択エッチングを実現するドライエッチング方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する、
本発明は、５×１０ -4 Ｔｏｒｒ以下の圧力に保たれた真
空容器内に設置されている被処理基板にフッ素ラジカル
を照射すると同時に、波長１５０ｎｍ以下の真空紫外光
を照射することにより、シリコン酸化膜のシリコンに対
する選択エッチングを行うことを特徴としている。前記
の真空紫外光の波長は、ＳｉとＯの結合エネルギ８．３
ｅＶに相当する光の波長である１４９．４ｎｍ以下とす
れば、より望ましい。また、フッ素ラジカルと真空紫外
光の発生手段は、マイクロ波と磁場を用いた電子サイク
ロトロン共鳴（以下、ＥＣＲという）プラズマで構成し
たり、真空紫外光発生ランプと、これとは別に設けたラ
ジカル源よりラジカルを輸送する手段とで構成する。フ
ッ素ラジカルの供給をＮＦ3、ＳＦ6、Ｆ2、ＣＦ4、Ｃｌ
Ｆ3等のフッ素原子を含むガスにより行い、さらには、
真空紫外光の発生をこれらのフッ素原子を含むガスに、
波長１５０ｎｍ以下の真空紫外光の発光が可能な希ガス
（Ｈｅ、Ｎｅ等）を混合するようにしても良い。
本発明は、５×１０ -4 Ｔｏｒｒ以下の圧力に保たれた真
空容器内に設置されている被処理基板にフッ素ラジカル
を照射すると同時に、波長１５０ｎｍ以下の真空紫外光
を照射することにより、シリコン酸化膜のシリコンに対
する選択エッチングを行うことを特徴としている。前記
の真空紫外光の波長は、ＳｉとＯの結合エネルギ８．３
ｅＶに相当する光の波長である１４９．４ｎｍ以下とす
れば、より望ましい。また、フッ素ラジカルと真空紫外
光の発生手段は、マイクロ波と磁場を用いた電子サイク
ロトロン共鳴（以下、ＥＣＲという）プラズマで構成し
たり、真空紫外光発生ランプと、これとは別に設けたラ
ジカル源よりラジカルを輸送する手段とで構成する。フ
ッ素ラジカルの供給をＮＦ3、ＳＦ6、Ｆ2、ＣＦ4、Ｃｌ
Ｆ3等のフッ素原子を含むガスにより行い、さらには、
真空紫外光の発生をこれらのフッ素原子を含むガスに、
波長１５０ｎｍ以下の真空紫外光の発光が可能な希ガス
（Ｈｅ、Ｎｅ等）を混合するようにしても良い。
【０００７】
【作用】本発明によれば、フルオロカーボンの発生が多
いフッ化炭化水素系のガスを使用する必要がなく、且
つ、基板にバイアス電圧をかけることなく基板のエッチ
ングができるため、ダメージの極めて少ないエッチング
が実現できるばかりでなく、フルオロカーボンのポリマ
ーが発生しないので、真空容器の汚れも少なく、クリー
ニングをほとんど不要とするシリコン酸化膜のシリコン
に対する選択エッチングを実現することが可能となる。
いフッ化炭化水素系のガスを使用する必要がなく、且
つ、基板にバイアス電圧をかけることなく基板のエッチ
ングができるため、ダメージの極めて少ないエッチング
が実現できるばかりでなく、フルオロカーボンのポリマ
ーが発生しないので、真空容器の汚れも少なく、クリー
ニングをほとんど不要とするシリコン酸化膜のシリコン
に対する選択エッチングを実現することが可能となる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明を実施したＥＣＲ装置を示した
もので、真空処理容器１の内部の基板支持台２に基板３
が接地電位から絶縁された状態で載置されている。真空
処理容器１の上部にはＥＣＲイオン源４が取付けられて
いる。ＥＣＲイオン源４は周囲を水冷ジャケット５で冷
却できる構造となっている。ＥＣＲイオン源４は石英窓
６を介し、導波管７より２．４５ＧＨｚのマイクロ波が
導入されるようになっている。ＥＣＲイオン源４の周囲
には、電磁コイル８が設置されており、ＥＣＲ条件の満
たされる、８７５ガウスの磁界がＥＣＲイオン源４に発
生するようになっている。基板支持台２の周囲にも電磁
コイル９が設置されており、得られたＥＣＲプラズマを
基板面に垂直に照射する作用をしている。
もので、真空処理容器１の内部の基板支持台２に基板３
が接地電位から絶縁された状態で載置されている。真空
処理容器１の上部にはＥＣＲイオン源４が取付けられて
いる。ＥＣＲイオン源４は周囲を水冷ジャケット５で冷
却できる構造となっている。ＥＣＲイオン源４は石英窓
６を介し、導波管７より２．４５ＧＨｚのマイクロ波が
導入されるようになっている。ＥＣＲイオン源４の周囲
には、電磁コイル８が設置されており、ＥＣＲ条件の満
たされる、８７５ガウスの磁界がＥＣＲイオン源４に発
生するようになっている。基板支持台２の周囲にも電磁
コイル９が設置されており、得られたＥＣＲプラズマを
基板面に垂直に照射する作用をしている。
【０００９】これを動作するには、基板支持台２にフォ
トレジストでパターンニングしたシリコン酸化膜が付着
されたシリコンウェーハを基板３として載置し、予め真
空処理容器１を高真空に排気した後、ガス導入管１０よ
りＮＦ3ガスをＥＣＲイオン源４に導入し、真空処理容
器１内の圧力を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つ。次に、
電磁コイル８および電磁コイル９に最適な直流電流を流
し、導波管７を通してＥＣＲイオン源４にマイクロ波を
導入する。これによって、ＮＦ3のＥＣＲプラズマによ
り、Ｆのラジカルが生成すると同時に、１４９．２ｎｍ
と１２０．１ｎｍの真空紫外光が発生し、Ｆラジカルお
よび真空紫外光が基板に照射される。この真空紫外光の
エネルギはＳｉとＯの結合エネルギ８．３ｅＶ（１４
９．４ｎｍの光の波長に相当する）より高いため、Ｓｉ
とＯの結合が弱くなり、Ｆラジカルの入射により、イオ
ン衝撃の作用がなくても、シリコン酸化膜が容易にエッ
チングされるようになる。Ｆラジカルにより同時にシリ
コンもエッチングされるが、エッチング圧力と共に、Ｓ
ｉのエッチング速度は急激に低下する傾向にあり、５×
１０-4Ｔｏｒｒ以下の圧力においては、シリコン酸化膜
のエッチング速度はシリコンのエッチング速度より早く
なり、シリコン酸化膜の選択エッチングが実現できる。
この時基板には、バイアス電圧が印加されず、浮遊電位
にあるため、基板がＥＣＲプラズマで生成したイオンに
より衝撃されることもない。
トレジストでパターンニングしたシリコン酸化膜が付着
されたシリコンウェーハを基板３として載置し、予め真
空処理容器１を高真空に排気した後、ガス導入管１０よ
りＮＦ3ガスをＥＣＲイオン源４に導入し、真空処理容
器１内の圧力を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つ。次に、
電磁コイル８および電磁コイル９に最適な直流電流を流
し、導波管７を通してＥＣＲイオン源４にマイクロ波を
導入する。これによって、ＮＦ3のＥＣＲプラズマによ
り、Ｆのラジカルが生成すると同時に、１４９．２ｎｍ
と１２０．１ｎｍの真空紫外光が発生し、Ｆラジカルお
よび真空紫外光が基板に照射される。この真空紫外光の
エネルギはＳｉとＯの結合エネルギ８．３ｅＶ（１４
９．４ｎｍの光の波長に相当する）より高いため、Ｓｉ
とＯの結合が弱くなり、Ｆラジカルの入射により、イオ
ン衝撃の作用がなくても、シリコン酸化膜が容易にエッ
チングされるようになる。Ｆラジカルにより同時にシリ
コンもエッチングされるが、エッチング圧力と共に、Ｓ
ｉのエッチング速度は急激に低下する傾向にあり、５×
１０-4Ｔｏｒｒ以下の圧力においては、シリコン酸化膜
のエッチング速度はシリコンのエッチング速度より早く
なり、シリコン酸化膜の選択エッチングが実現できる。
この時基板には、バイアス電圧が印加されず、浮遊電位
にあるため、基板がＥＣＲプラズマで生成したイオンに
より衝撃されることもない。
【００１０】さらには、ガスは炭素を含まないＮＦ3 ガ
スを用いており、炭素を含むガスであっても、フルオロ
カーボンのポリマーが発生しない条件で選択エッチング
が実現できるため、基板や、真空処理容器１がフルオロ
カーボンのポリマーで汚染されることもない。このた
め、ダメージが生じず、なおかつ真空処理容器１やＥＣ
Ｒイオン源４のクリーニングを必要としないシリコン酸
化膜のシリコンに対する選択エッチングを実現すること
が可能である。
スを用いており、炭素を含むガスであっても、フルオロ
カーボンのポリマーが発生しない条件で選択エッチング
が実現できるため、基板や、真空処理容器１がフルオロ
カーボンのポリマーで汚染されることもない。このた
め、ダメージが生じず、なおかつ真空処理容器１やＥＣ
Ｒイオン源４のクリーニングを必要としないシリコン酸
化膜のシリコンに対する選択エッチングを実現すること
が可能である。
【００１１】図２は図１の実施例で、ＮＦ3 ガスに希ガ
スを加えたときのシリコン酸化膜に対するシリコンの選
択比の変化の様子を示す。図で曲線２１は、Ｈｅガスを
添加した場合、曲線２２はＮｅガスを添加した場合につ
いて示す。いずれも選択比は希ガスの濃度が上がるにつ
れ、上昇する傾向にある。特にＨｅガスを添加すると
き、選択比の向上が著しい。これはＥＣＲプラズマから
発光するＨｅの真空紫外光の波長が５８．４nmと、その
エネルギが高いためによる。Ｎｅも７３．６nmに真空紫
外光の発光があるため、Ｎｅを添加するに従い、選択比
が向上する。本実施例のように、エネルギの高い真空紫
外光を発生させるガスを添加することにより、さらに選
択比を向上させることができる。この場合も、この添加
ガスにより、フルオロカーボンのポリマーが発生するこ
ともないし，また、基板へのイオンの衝撃もないため、
ダメージが生ぜず、なおかつ、クリーニングの必要ない
シリコン酸化膜のシリコンに対する高選択エッチングが
実現できる。
スを加えたときのシリコン酸化膜に対するシリコンの選
択比の変化の様子を示す。図で曲線２１は、Ｈｅガスを
添加した場合、曲線２２はＮｅガスを添加した場合につ
いて示す。いずれも選択比は希ガスの濃度が上がるにつ
れ、上昇する傾向にある。特にＨｅガスを添加すると
き、選択比の向上が著しい。これはＥＣＲプラズマから
発光するＨｅの真空紫外光の波長が５８．４nmと、その
エネルギが高いためによる。Ｎｅも７３．６nmに真空紫
外光の発光があるため、Ｎｅを添加するに従い、選択比
が向上する。本実施例のように、エネルギの高い真空紫
外光を発生させるガスを添加することにより、さらに選
択比を向上させることができる。この場合も、この添加
ガスにより、フルオロカーボンのポリマーが発生するこ
ともないし，また、基板へのイオンの衝撃もないため、
ダメージが生ぜず、なおかつ、クリーニングの必要ない
シリコン酸化膜のシリコンに対する高選択エッチングが
実現できる。
【００１２】図３は本発明を実施した別の装置を示すも
ので、真空紫外光発生源として水素放電管やＨｅ等の希
ガス放電管ランプを用い、Ｆラジカル源として、真空処
理容器から離れて置かれた他のラジカル源を用いた例で
ある。図で、１１は真空紫外光発生用の水素放電管であ
り、真空紫外光は、フッ化リチウムの窓１２から真空処
理容器１に導入され、基板３に照射される。ＮＦ3 等の
フッ素ラジカルを発生させるための原料ガスは、ガス導
入管１０を介しラジカル源１３に導入する。ラジカル源
１３は導波管７とカップリングされており、マグネトロ
ン１４で発生したマイクロ波を吸収してＮＦ3 のプラズ
マをラジカル源１３の内部に生じさせるようになってい
る。
ので、真空紫外光発生源として水素放電管やＨｅ等の希
ガス放電管ランプを用い、Ｆラジカル源として、真空処
理容器から離れて置かれた他のラジカル源を用いた例で
ある。図で、１１は真空紫外光発生用の水素放電管であ
り、真空紫外光は、フッ化リチウムの窓１２から真空処
理容器１に導入され、基板３に照射される。ＮＦ3 等の
フッ素ラジカルを発生させるための原料ガスは、ガス導
入管１０を介しラジカル源１３に導入する。ラジカル源
１３は導波管７とカップリングされており、マグネトロ
ン１４で発生したマイクロ波を吸収してＮＦ3 のプラズ
マをラジカル源１３の内部に生じさせるようになってい
る。
【００１３】ラジカル源１３で発生したＦラジカルを輸
送管１５により真空処理容器１に輸送し、基板３に照射
すると共に、水素放電管１１で発生する真空紫外光を窓
１２を通して基板３に照射する。この結果、真空紫外光
と、Ｆラジカルの相互作用により基板３はシリコンに対
してシリコン酸化膜の選択エッチングがクリーンな雰囲
気で、なおかつ、基板３にダメージを与えずに行うこと
が可能である。
送管１５により真空処理容器１に輸送し、基板３に照射
すると共に、水素放電管１１で発生する真空紫外光を窓
１２を通して基板３に照射する。この結果、真空紫外光
と、Ｆラジカルの相互作用により基板３はシリコンに対
してシリコン酸化膜の選択エッチングがクリーンな雰囲
気で、なおかつ、基板３にダメージを与えずに行うこと
が可能である。
【００１４】本実施例は、Ｆラジカルの供給源としてＮ
Ｆ3 ガスを用いたが、ガスはこれに限定されることがな
く、例えば、Ｆ2 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 、ＨＦ等のフッ素
を供給できるガスであれば何でも良いことはいうまでも
ない。勿論ＣＦ4 等のフルオロカーボン系のガスを使用
することも可能であるが、この場合は、フルオロカーボ
ンポリマーの発生が生じないような酸化性の雰囲気、例
えば酸素ガスを混合した雰囲気等で行うのが望ましい。
Ｆ3 ガスを用いたが、ガスはこれに限定されることがな
く、例えば、Ｆ2 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 、ＨＦ等のフッ素
を供給できるガスであれば何でも良いことはいうまでも
ない。勿論ＣＦ4 等のフルオロカーボン系のガスを使用
することも可能であるが、この場合は、フルオロカーボ
ンポリマーの発生が生じないような酸化性の雰囲気、例
えば酸素ガスを混合した雰囲気等で行うのが望ましい。
【００１５】尚、真空紫外光とＦラジカルの発生源とし
てＥＣＲプラズマや水素放電管、マイクロ波プラズマ発
生装置等を用いたが、これらの発生方法はこれらに限定
されることはなく、例えば、ＥＣＲプラズマ源の構造を
多極磁石を用いた方式にするとか、磁場の強度を８７５
ガウスの２倍の強度とするとか、さらには、ＥＣＲ放電
を用いずに、マグネトロン放電とか通常の並行平板電極
による放電でも良いことはいうまでもない。要は、真空
紫外光とＦラジカルが効率よく発生でき、基板に照射で
きる構造であれば良い。
てＥＣＲプラズマや水素放電管、マイクロ波プラズマ発
生装置等を用いたが、これらの発生方法はこれらに限定
されることはなく、例えば、ＥＣＲプラズマ源の構造を
多極磁石を用いた方式にするとか、磁場の強度を８７５
ガウスの２倍の強度とするとか、さらには、ＥＣＲ放電
を用いずに、マグネトロン放電とか通常の並行平板電極
による放電でも良いことはいうまでもない。要は、真空
紫外光とＦラジカルが効率よく発生でき、基板に照射で
きる構造であれば良い。
【００１６】本実施例では、真空紫外光の波長を、ＮＦ
3 や、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈ2 等のプラズマより発生する特定
波長を選んだが、この波長は、１５０nm以下、できれば
ＳｉとＯの結合エネルギ（波長で１４９．４nm）以上の
エネルギを持つ波長であれば、どの波長の光を用いても
良いことはいうまでもない。
3 や、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈ2 等のプラズマより発生する特定
波長を選んだが、この波長は、１５０nm以下、できれば
ＳｉとＯの結合エネルギ（波長で１４９．４nm）以上の
エネルギを持つ波長であれば、どの波長の光を用いても
良いことはいうまでもない。
【００１７】また、本実施例では、特別、基板にバイア
ス電圧を印加しイオンを引き込むことを行わなかった
が、基板に与えるダメージが問題にならない程度であれ
ば、基板を積極的にバイアスし、更にシリコン酸化膜の
エッチング速度を向上させても良いことはいうまでもな
い。
ス電圧を印加しイオンを引き込むことを行わなかった
が、基板に与えるダメージが問題にならない程度であれ
ば、基板を積極的にバイアスし、更にシリコン酸化膜の
エッチング速度を向上させても良いことはいうまでもな
い。
【００１８】また、本実施例では、基板を特に積極的に
加熱したり、冷却したりしなかったが、基板を冷却した
り、加熱しながらエッチングすることも可能であること
はいうまでもない。
加熱したり、冷却したりしなかったが、基板を冷却した
り、加熱しながらエッチングすることも可能であること
はいうまでもない。
【００１９】特に基板を冷却しながらエッチングを行う
ことで、シリコンとＦラジカルの反応性を抑制すること
により、シリコンに対する酸化シシコン膜のより高い選
択エッチングを実現することが可能となる。
ことで、シリコンとＦラジカルの反応性を抑制すること
により、シリコンに対する酸化シシコン膜のより高い選
択エッチングを実現することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
シリコン酸化膜のシリコンに対する選択エッチングが、
ダメージなく、しかも真空処理容器を汚すことなく実現
できる効果がある。
シリコン酸化膜のシリコンに対する選択エッチングが、
ダメージなく、しかも真空処理容器を汚すことなく実現
できる効果がある。
【図１】本発明を実施したＥＣＲエッチング装置の要部
の概略断面図。
の概略断面図。
【図２】ＮＦ3 に対する希ガスの混合比を変化した時の
シリコン酸化膜のシリコンに対する選択比の変化のグラ
フ。
シリコン酸化膜のシリコンに対する選択比の変化のグラ
フ。
【図３】本発明を実施した別の装置の断面概略図。
１ 真空処理容器 ２ 基板支持台 ３ 基板 ４ ＥＣＲイオン源 ５ 水冷ジャケット ６ 石英窓 ７ 導波管 ８、９ 電磁コイル １０ ガス導入管 １１ 水素放電管 １２ フッ化リチウム窓 １３ ラジカル源 １４ マグネトロン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−239811（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−117424（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−141141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−105480（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−28390（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/302
Claims (5)
- 【請求項１】 ５×１０ -4 Ｔｏｒｒ以下の圧力に保たれ
た真空容器内に設置されている被処理基板にフッ素ラジ
カルを照射すると同時に、波長１５０ｎｍ以下の真空紫
外光を照射することにより、シリコン酸化膜のシリコン
に対する選択エッチングを行うことを特徴とするドライ
エッチング方法。 - 【請求項２】 フッ素ラジカルと真空紫外光の発生手段
が、マイクロ波と磁場を用いた電子サイクロトロン共鳴
プラズマとしたことを特徴とする請求項１記載のドライ
エッチング方法。 - 【請求項３】 真空紫外光の発生手段が真空紫外光発生
ランプであり、基板を設置した真空容器以外のラジカル
発生源より真空容器にフッ素ラジカルを供給することを
特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 フッ素ラジカルの供給をフッ素原子を含
むガスにより行うことを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項５】 真空紫外光の発生をフッ素原子を含むガ
スに、波長１５０ｎｍ以下の真空紫外光の発光が可能な
希ガスを混合することにより行うことを特徴とする請求
項１記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01846891A JP3357951B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01846891A JP3357951B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04308095A JPH04308095A (ja) | 1992-10-30 |
| JP3357951B2 true JP3357951B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=11972473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01846891A Expired - Fee Related JP3357951B2 (ja) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357951B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-18 JP JP01846891A patent/JP3357951B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04308095A (ja) | 1992-10-30 |
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