JPS63174321A - イオン・エッチング及びケミカル・ベーパー・デポジション装置及び方法 - Google Patents

イオン・エッチング及びケミカル・ベーパー・デポジション装置及び方法

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JPS63174321A
JPS63174321A JP62313921A JP31392187A JPS63174321A JP S63174321 A JPS63174321 A JP S63174321A JP 62313921 A JP62313921 A JP 62313921A JP 31392187 A JP31392187 A JP 31392187A JP S63174321 A JPS63174321 A JP S63174321A
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chamber
chemical vapor
electric field
vapor deposition
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    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、広範囲て一様なイオン源としての誘導励起さ
れたプラズマの使用に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］ 反応性イオン・エッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｊｏｎ
　Ｅｔｃｈ−ｉｎｇ（ＲＩＥ））は、半導体ウェファ−
製造に３いて優勢て支配的に用いられているドライ・エ
ツチング技術である。この技術は励起されかつイオン化
された原子又は分子を含むプラズマを生成するために、
ガス又はガス混合物をイオン化する。そしてこの励起さ
れかつイオン化された原子又は分子は、エツチングされ
るべき材料と反応する。試料は、その一部分かエツチン
グされるものであるが、プラズマの近傍又はプラズマの
中に配置される。プラズマは、イオン化された原子又は
分子が、エツチングされるべき試料表面に衝突するよう
にバイアスされている。これは、基板を負の電位に接続
すること、すなわち一般にバイアスと呼ばれている方法
によって達成される。その時、イオンは、主として正に
帯電しているか、基板に引き寄せられる。しかし、高周
波電源と通常電気的に絶縁されている基板か一般に使用
されているので、イオン及び電子は、交互に基板に引き
寄せられる。そして、平衡状態において平均電圧が通常
確立されるけれども、高周波電源が印加されている限り
、試料表面にはイオン及び電子が衝突し続ける。
反応性イオン・エッチングは、該装置の残部又は接地さ
れている第２の電極とともに、基板を支持している電極
に供給する単一の高周波電源を用いることにより実施さ
れる。これは、単純ではあるが、試料表面への衝突に用
いることができるイオンの数か直接的にバイアス・パワ
ー及びプラズマ強度に関係しているので、バイアス・パ
ワー及びプラズマ強度を独立に変化できないという欠点
かある。
これらの制限を克服するために種々の技術が試みられて
きた。特に、プラズマを生成するために超音波を使用す
る技術がいくつかある。この技術は、より高いプラズマ
密度を可能とし、また約１ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒまで圧力
範囲を拡大する。しかし、これは複雑てあり、高価であ
り、かつ望ましくない放射に対する遮蔽が困難である。
対照的に、本発明は、基板が上記の如くバイアスされて
いる間、イオン源を供給するために訪導循合された高周
波プラズマ発生器を用いている。
［問題点を解決するための手段］ 一面から概略的に述べれば　、本発明は、半導体ウェハ
ーや他の加工部材を活性イオン技術によって、又はケミ
カル・ベーパー・デポジション（化学的蒸着法）によっ
て処理するのに用いる装置てあって、（１）真空ポンプ
及び選ばれたガス源と接続する手段を有する真空チェン
バーと、（２）該チェンバーの一部分を取囲み、かつイ
オン化されるべきガス混合物が入っている該チェンバー
内でプラズマを発生するための交流電流源と接続されて
いる誘導コイルと、（３）加工部材用の該チェンバー内
の支持具と、及び（４）プラズマが存在する、チェンバ
ーの一部分と該支持具の間に電場を生成する手段とを有
している。該装置が、該電場を調節又は調整する手段を
含むことが好ましい。
本発明はプラズマと電場の間の独立の関係を提供するも
のである。本装置が独立的に電場及び誘導コイルへの電
力供給を調整又は調節する手段を含むことが好ましい。
本発明は、ドライ・エツチング、ケミカル・ベーパー・
デポジション及びスパッター蒸着の３種の特別の応用分
野を有する。また、本発明は、半導体ウェハーや他の加
工部材を活性イオン技術によって、又はケミカル・ベー
パー・デポジションにより処理する方法であって、（１
）加工部材な低圧力に真空排気された真空チェンバー中
に配置し、（２）制御下で選択されたガスが導入され、
（３）ガス・プラズマが、外部の誘導コイルによって、
該チェンバー内に生成され、（４）プラズマ強度は、該
誘導コイルへの電力供給を制御することによって調節又
は調整され、（５）イオン化された粒子は、該チェンバ
ー内で、プラズマ領域と加工部材との間に電場を生成す
ることによって、該加工部材上に移動せしめることより
なる処理方法である。
誘導励起されたプラズマは、この応用において多数の有
利な特徴を有している。
１、プラズマを誘起するコイルは、もし望むならば、真
空雰囲気の外に配置することができるのでプラズマの汚
染を避けることができる。
２、プラズマ中のイオン濃度は、励起コイルの直径の大
部分にわたって均一である。
コ、インヘレント電子トラッピング機構（ｉｎｈｅ−ｒ
ｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｔｒａｐｐｉｎｇ　ｍｅｃ
ｈａｎｉｓ＋ｓ）のため誘導励起は電力効率が秀れてい
る。
４、また、該トラッピングのため、０．００１Ｐａ（１
０−’Ｔｏｒｒ）の低圧力におけるプラズマ励起が可能
である。
５、また、該トラッピングのため、１０”／ｍ３の範囲
の高いイオン密度は低圧力において可能である。
６、生成されたプラズマは、低エネルギーである。この
ことは、電子温度（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｔｅｍｐｅ−ｒ
ａｔｕｒｅ）が低いこと及び平均イオンエネルギーが低
いことによつて証明され、プラズマ・ポテンシャルは低
い。
７、イオン密度は印加される高周波励起電力に直接関係
し、イオン密度は広範囲にわたって、圧力から独立であ
る。これによって、イオン密度の精密制御及びそれ故引
き出されるイオン流束の精密制御が可能である。
８、この誘導励起は、本来的に実際の実施が簡単である
。その結果、信頼性が高く、比較的安価である。
［実施例］ 本発明は種々の態様で実施できるが、以下、２つの実施
例について、例示として添付図面を用いて記載する。
第１図は、いかにして活性化及びイオンの引き出しが行
われるかを概略的に示している。
コイルｌには０．１Ｐａ（１０−’Ｔｏｒｒ）オーダー
のガス圧の真空雰囲気中で、高周波電力が供給されてい
る。プラズマ３が発生し、負の電位に保たれている電極
２は、イオンの流束４を該電極の方へ引き出す。
第２図の実施例において、装置は、真空ポンプとの接続
１１と、四フッ化炭素、塩素又は四塩化ケイ素等のイオ
ン化されるべきガス源との他の接続１２とを有する真空
チェンバーｌＯを有している。チェンバー中の支持具１
３又はテーブルは、基板１４を載せており、支持具１３
又はテーブルは、チェンバー壁と電気的に絶縁された端
子導線１５を介して、外部電源１６と接続されている。
外部電源の他端はアースされている。チェンバーのこれ
に対向する端部では、対向電極１７が、チェンバー壁と
電気的に絶縁された導線１８によってアースされている
。それ故、電極１７と基板支持具１３との間に電場が形
成され、この電場は、電源１６を制御することによって
調整される。
誘導コイル２０はチェンバー壁１０を取り囲んでおり、
該コイルの軸は、電極１７と支持具１３の間の電場の方
向に伸びている。該コイルは外部高周波交流電流源２１
に接続されている。該コイル２０を構成する中空管２２
を通して冷却剤を供給するための手段が設けられている
。それ故、領域２３にガス・プラズマを発生させるため
に該コイルに高周波大電流を流すことができる。その結
果イオン化された原子又は分子粒子は加工部材に向って
移動し、そして、エツチングされるべきウェハーに高速
度で衝突する。
コイル２０への電力供給は、必要に応じて、電ｆｆ１２
１を調節することによって変化させることができ、そし
て、電源１６の影響の下で、電極１７と支持具１３との
間に形成される電場から独立で　９あることがわかるで
あろう。励起コイル２ｏに電力供給する効率的な手段は
、不可欠のものてはないが、高周波供給周波数で並列共
振回路を形成するような価値を有するキャパシタ（コン
デンサ）２４を該コイルに並列接続するものである。高
周波電源２１は、該コイルと該キャパシタの回路のイン
ピーダンスと供給インピーダンスとをマツチさせるため
の変圧器２５とともに、この回路に接続されている。こ
れによって、低メガヘルツ範囲の周波数に至るまて、効
率的な電力伝送を行うこと、かてきる。より高い周波数
では、通常のパイ回路かより適している。
反応性イオン・エッチングは１本装置を用いて、１０〜
１０−’Ｐａ（１０−′〜１０−’Ｔｏｒｒ）の範囲で
適切な圧力に維持するよう真空排気しながら反応性ガス
又は２以上のガスを導入することによって、実施てきる
。反応性ガスの例として、塩素四塩化ケイ素、三塩化ホ
ウ素、四フッ化メタン、三フッ化メタン及び酸素が挙げ
られる。ガスは、エツチングされるべき材料及び希望の
精度に依存して選択される。プラズマは、初めに希望の
レベルで励起され、次いてバイアスが調整され、再び希
望のレベルにされる。エツチングの完了は、既存の技術
、例えば、プラズマ・エミッション・スペクトロメトリ
ー、レーザー干渉計又はマス・スペクトロメトリーによ
って決定てきる。特別の場合には、不活性ガス、例えば
アルゴン、ヘリウム、キセノンを、またエツチング特性
を変更するために導入することができる。
スパッタ・エツチング（これもまた”イオン・エッチン
グと呼ばれているが）は同一の装置を用いて、そして不
活性ガスを用いること及びより低い圧力範囲を用いるこ
とを除いて同一の方法で行なうことができる。この応用
における本装置の特別の利点は、イオン・エネルギーを
低く、すなわち１００ｅＶ以下に保ち、かつイオン流束
を増加させることができ、その結果、ある試料に損傷を
与えることがある高いイオン・エネルギーに頼ることな
しに、実用的なエツチング・レート（エツチング速度）
を維持することかできるという点にある。
ケミカル・ベーパー・デポジション（化学的蒸着、すな
わちＣＶＤ）は、基板温度を高めるために、ヒーター２
６が一般に用いられていることをへ　　除き同一の装置
を使用して実施することができる。ケミカル・ベーパー
・デポジションは、被覆されるべき試料か入っているチ
ェンバー内に特定のガスを導入し、基板上に蒸着される
化合物を形成するため、該ガスを反応させる５ことより
なる。
実用上、最も有用な被覆においては、反応を促進するた
めに基板を加熱するか、又は反応を促進するためにプラ
ズマによってガスを励起する必要がある。しばしば、適
度の加熱とプラズマによる活性化の組合せが用いられる
。微細回路の製造においては、しばしば、プラズマによ
る活性化を伴う場合でさえ、膜の特性が劣化するレベル
以下に該処理温度を制限しなければならない。処理中に
該表面に低エネルギーのイオンを衝突させることによっ
て、膜の特性を大いに向上させる表面エネルギーを供給
することになる。イオン・エネルギーを低く保ち、一方
、イオンの流束な、希望の結果を得るために調整するこ
とは重要である。高エネルギーのイオン衝突によって、
大多数の膜は損傷を受ける。ここで提案する装置は、こ
の形式の処理に十分適している。
スパッタ蒸着のために、前記の装置を、第３図に示すよ
うに応用できる。接地された電極１７は、ターゲット２
７に取って替えられている。ターゲット２７は、スパッ
タされるべき材料の円板状のものであり、この円板は流
体冷却回路２８に接続されている。ターゲットが導電性
材料である場合、ターゲットは直流又は交流の電源２９
に接続され、絶縁性材料である場合、ターゲットは交流
電源に接続されている。基板１４は、前記と同様、電極
１３上に配置されている。基板電極１３は、処理上の必
要に応じて、接地されているか、又は電源に接続されて
いる。そして、ＣＶＤでの応用と同様に、基板ヒーター
２６を用いることもできる。
スパッター処理においては、不活性ガス、典型的にはア
ルゴンが装置内に導入され、励起コイルに電力が供給さ
れる。ターゲット２７は、必要に応じて、直流電源又は
高周波電源により、負の電位にバイアスされる。このバ
イアスによって、ターゲットにイオンが衝突し、イオン
・エネルギーは適度のレベルに増加する。典型的値は、
２００〜６００ｅＶのエネルギーで１００〜４００Ａ／
ｍ′！ｆｌｕｘである。これらのレベルで、ターゲット
材料はスパッタされ、基板１４を含み、鎖糸の内表面に
蒸着する。基板電極が接地されている場合、中性のター
ゲット原子によって膜は形成される。膜の特性を向上さ
せるために、ＣＶＤの場合と同様に、イオンの衝突が必
要である。イオンの衝突は、ＣＶＤの膜について行った
と全く同様に、基板電極に高周波電力を印加することに
より、達成される。二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チ
タニウム等の化合物は１反応性スパッタによって蒸着で
きる。この処理は、不活性ガスに揮発性成分を添加して
行い、このようにして、基板上の材料を改質する。
スパッタされる材料は、例えば二酸化ケイ素等の化合物
である場合も、またチタニウム等の純金属材料の場合も
ある。イオンの衝突を与えるため基板バイアスを用いる
ことにより、ある材料については膜の特性が向上する。
誘導励起のための周波数域は、好ましくは、１００ＫＨ
ｚ　−１３，６１）ｌｚのオーダーである。特に実用上
効率の良い周波数は、２２０ＫＨｘ、４５０ＫＨｚ、２
ＭＨｚ。
１３．５６ＭＨｚである。
本発明で用いている励起機構は２円柱状の対称性を有す
る磁場が低圧力のガスに作用するとき、磁場の対称軸に
垂直な平面内で電子を円運動せしめるという事実に起因
するものであると考えられる。磁場の範囲より実質的に
小さな旋回半径を有する電子は、磁場（体積）中に閉じ
込められる。
実際には、端末におけるロスがあるが、適切な幾何学的
形状にすることにより、端末におけるロスを最小にする
ことができる。磁場の強さが変化する場合、磁場の強さ
が増加するに従い、電子は加速され、電子の旋回半径は
減少する。逆に、磁場の強さが減少する期間には電子は
減速される。実際には、交番する磁場が用いられ、その
ため、１周期につき２度、電子が閉じ込められていない
、磁場がゼロとなる期間がある。しかし、この期間はエ
ネルギーが最小である時間であり、そのため周波数及び
振幅を適切に選ぶことによって、この期間におけるロス
を最小とすることができる。さらに、磁場の強さを十分
高くする場合、電子エネルギーの最大値は、ガスのイオ
ン化エネルギーを超える。それゆえ、プラズマ密度は、
平衡状態に至るまでの各半周期の間、増加する。ロスは
小さいので、平衡状態において、プラズマ密度は高く、
励起は低圧力において効率的に行われる。
ロスは円柱状の磁場の端部で生じ、磁場の周囲における
ロスはより少ない。イオン化は、磁場の強さが最大とな
る位置で優先的に行われ、この位置は励起コイルの近傍
である。これら２つの効果は、組み合わされ、励磁領域
の直径の大部分にわたって半径方向に均一なプラズマを
生じさせる。
イオンは、このようなプラズマから、プラズマに対し負
の電位にバイアスされている電極上へ均一な流束として
引き出される。対称軸に沿ったイオンの引き出しは、通
常、この対称軸にわたった均一性を利用するために行わ
れる。引き出されたイオンの流束は、プラズマからの電
子によって中性化された空間電荷である。これは、本技
術の付加的な長所である。
［効果］ 本発明により得られる利点は、次のとおりである。
（１）　ｉ４導励起技術は、バイアス系と又はプラズマ
中て用いられる系と又はプラズマ自体を貫通する場合を
除く領域を取り囲んで用いられる系と相互に影響しない
、、その結果、イオンの流束のエネルギー及び密度がプ
ラズマ特性のみに依存し、独立して調整されて、イオン
の流束な引き出すことができる。
（２）例えば、約８ｋｌ／ｍ”の励起電力を用い、２５
ｅＶで約５ＯＡ／ａ＋”の低エネルギーで高いイオン電
流密度を得ることがてきる。
（３）イオン電流は、誘導コイルの直径の大半の部分に
わたって一様に引き出される。
（４）鎖糸は、少なくとも１０−”−４Ｐａ（１０−”
−３ｘ１０−２Ｔｏｒｒ）の広い作動圧力範囲を有し、
かつさらに広い作動圧力範囲となる可能性がある。
（５）高圧力においては、電子の平均自由行程か短く、
イオン化エネルギー以下ての散乱の故に、一方、低圧力
においては電子の平均自由行程が長く、トラッピング機
構の故に、それぞれ制限される広い圧力範囲にわたって
、イオン電流は圧力に依存しない。励起駆動条件を調整
することにより、これらの限界は、特別な応用のために
低圧力側へまたは高圧力側へ移動させることもできる。
（６）鎖糸は、他の従来の技術に比較して、本来的に実
施するのに簡便である。
（７）本発明を用いる場合、プラズマが励起された状態
で、該プロセスは開始し、バイアスはゼロから希望の値
へと徐々に増加する。同様にバイアスは徐々にゼロへと
減少させることができる。このような操作は、プラズマ
を維持する電源と同一の電源によって励起およびバイア
スを行う場合には不可能てあったものである。この操作
は、半導体回路を処理する場合に特に重要である。瞬間
的な電圧はバイアスを高レベルにスイッチ投入する場合
に生じる。この瞬間的な電圧は薄い絶縁層に損傷を与え
、絶縁層を使用てきないものとする。
（８）本技術は、極めて清浄な環境下で容易に実施でき
る。励起コイル及び電極を石英容器の外部に配置し、基
板支持具は基板によって完全に被うか、又は基板支持具
を石英容器の外部にさえ配置できる。１３メガヘルツの
高周波電源を用いて、バイアスを石英容器の壁を通って
誘導することがてきる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の基本原理を示す概略図である。 第２図は、本発明に係る反応性イオン・エッチング装置
を説明する部分的切断図を含む、概略図である。 第３図は本発明に係る装置の他の１つの態様を説明する
概略図である。 １・・・コイル　　　　　２．１７・・・電極３・・・
プラズマ　　　　４・・・イオンの流束１０・・・真空
チェンバー　１１．１２−７−接続１３・・・支持具　
　　　　１４・・・基板１５．１８・・・導線　　　１
６．２１．２９・・・電源２０・・・誘導コイル　　　
２２・・・中空管２３・・・領域

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １（１）真空排気ポンプおよび選択されたガス源と接続
    する手段を有する真空チェンバーと、 （２）該チェンバーの一部分を取り囲み、かつ上記ガス
    のイオン化された成分を含むプラズマをチェンバー中で
    発生させるための交流電源と接続された誘導コイルと、 （３）該チェンバー中の加工部材のための支持具と、 （４）該支持具と該チェンバーの一部との間のプラズマ
    が存在する場所に電場を生じさせるための手段と、 を有する活性化イオン技術又はケミカル・ベーパー・デ
    ポジションによって、半導体ウェハーその他の加工部材
    を処理するに用いるイオン・エッチング及びケミカル・
    ベーパー・デポジション装置。 ２　上記電場を調節又は調整するための手段を含む特許
    請求の範囲第１項に記載の装置。３　前記誘導コイルへ
    の電源を調節又は調整するための手段を含む特許請求の
    範囲第１項又は第２項に記載の装置。 ４　前記電場、及び前記誘導コイルへの電源を独立に調
    整又は調節する手段を含む特許請求の範囲第１項乃至第
    ３項のいずれか１つに記載の装置。 ５　低圧力に真空排気されている真空チェンバー中に加
    工部材を配置し、制御下で選択されたガスを導入し、外
    部の誘導コイルによって該チェンバー内にガス・プラズ
    マを発生させ、該コイルへの電源を制御することによっ
    てプラズマ強度を調節又は調整し、そして、該チェンバ
    ー内に、プラズマ領域と加工部材との間に電場を発生さ
    せることによって、イオン化された粒子を加工部材上へ
    移動させることよりなる、活性化イオン技術又はケミカ
    ル・ベーパー・デポジションによって半導体ウェハーそ
    の他加工部材を処理するイオン・エッチング及びケミカ
    ル・ベーパー・デポジション方法。 ６　上記電場が上記電源と独立に制御される特許請求の
    範囲第５項に記載の方法。
JP62313921A 1986-12-11 1987-12-11 イオン・エッチング及びケミカル・ベーパー・デポジション装置及び方法 Pending JPS63174321A (ja)

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GB868629634A GB8629634D0 (en) 1986-12-11 1986-12-11 Reactive ion & sputter etching
GB8629634 1986-12-11

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US (1) US4844775A (ja)
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DE (1) DE3750808T2 (ja)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02235332A (ja) * 1989-01-25 1990-09-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プラズマ処理装置

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4971667A (en) * 1988-02-05 1990-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
GB8815782D0 (en) * 1988-07-02 1988-08-10 Univ Liverpool Apparatus & method relating to plasma oxidiser
US4918031A (en) * 1988-12-28 1990-04-17 American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories Processes depending on plasma generation using a helical resonator
US5421891A (en) * 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5122251A (en) * 1989-06-13 1992-06-16 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
US6068784A (en) * 1989-10-03 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Process used in an RF coupled plasma reactor
WO1991010341A1 (en) * 1990-01-04 1991-07-11 Savas Stephen E A low frequency inductive rf plasma reactor
US5155547A (en) * 1990-02-26 1992-10-13 Leco Corporation Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy
DE4042417C2 (de) * 1990-07-17 1993-11-25 Balzers Hochvakuum Ätz- oder Beschichtungsanlage sowie Verfahren zu ihrem Zünden oder intermittierenden Betreiben
DE4022708A1 (de) * 1990-07-17 1992-04-02 Balzers Hochvakuum Aetz- oder beschichtungsanlagen
US6251792B1 (en) 1990-07-31 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma etch processes
US6444137B1 (en) 1990-07-31 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger
US20020004309A1 (en) * 1990-07-31 2002-01-10 Kenneth S. Collins Processes used in an inductively coupled plasma reactor
US6545420B1 (en) * 1990-07-31 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
JPH04362091A (ja) * 1991-06-05 1992-12-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学気相成長装置
US6518195B1 (en) 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US6077384A (en) 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5888414A (en) * 1991-06-27 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
US6063233A (en) 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6165311A (en) 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6488807B1 (en) 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US6036877A (en) 1991-06-27 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5480686A (en) * 1991-11-05 1996-01-02 Research Triangle Institute Process and apparatus for chemical vapor deposition of diamond films using water-based plasma discharges
US5201995A (en) * 1992-03-16 1993-04-13 Mcnc Alternating cyclic pressure modulation process for selective area deposition
US5226967A (en) * 1992-05-14 1993-07-13 Lam Research Corporation Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber
CH686254A5 (de) * 1992-07-27 1996-02-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Einstellung der Bearbeitungsratenverteilung sowie Aetz- oder Plasma-CVD-Anlage zu dessen Ausfuehrung.
DE4235064A1 (de) * 1992-10-17 1994-04-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
US6225744B1 (en) 1992-11-04 2001-05-01 Novellus Systems, Inc. Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US5309063A (en) * 1993-03-04 1994-05-03 David Sarnoff Research Center, Inc. Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus
US5391281A (en) * 1993-04-09 1995-02-21 Materials Research Corp. Plasma shaping plug for control of sputter etching
US5531834A (en) * 1993-07-13 1996-07-02 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma film forming method and apparatus and plasma processing apparatus
US5614055A (en) * 1993-08-27 1997-03-25 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD and etching reactor
US5865896A (en) * 1993-08-27 1999-02-02 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
TW273067B (ja) * 1993-10-04 1996-03-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5449432A (en) * 1993-10-25 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication
JPH07161493A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Fujitsu Ltd プラズマ発生装置及び方法
EP0680072B1 (en) 1994-04-28 2003-10-08 Applied Materials, Inc. A method of operating a high density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
EP0685873B1 (en) * 1994-06-02 1998-12-16 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an electrode for enhancing plasma ignition
US5540800A (en) * 1994-06-23 1996-07-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing
US5540824A (en) * 1994-07-18 1996-07-30 Applied Materials Plasma reactor with multi-section RF coil and isolated conducting lid
US5777289A (en) 1995-02-15 1998-07-07 Applied Materials, Inc. RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling
US5783101A (en) * 1994-09-16 1998-07-21 Applied Materials, Inc. High etch rate residue free metal etch process with low frequency high power inductive coupled plasma
US5753044A (en) * 1995-02-15 1998-05-19 Applied Materials, Inc. RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling
ATE181637T1 (de) 1994-10-31 1999-07-15 Applied Materials Inc Plasmareaktoren zur halbleiterscheibenbehandlung
US5607542A (en) * 1994-11-01 1997-03-04 Applied Materials Inc. Inductively enhanced reactive ion etching
US6291343B1 (en) * 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
US6155198A (en) * 1994-11-14 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for constructing an oxidized film on a semiconductor wafer
US6699530B2 (en) * 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP3424867B2 (ja) * 1994-12-06 2003-07-07 富士通株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3426382B2 (ja) * 1995-01-24 2003-07-14 アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US5688357A (en) * 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US6270617B1 (en) 1995-02-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc. RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling
US6224724B1 (en) 1995-02-23 2001-05-01 Tokyo Electron Limited Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation
US6132564A (en) * 1997-11-17 2000-10-17 Tokyo Electron Limited In-situ pre-metallization clean and metallization of semiconductor wafers
US5688358A (en) * 1995-03-08 1997-11-18 Applied Materials, Inc. R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor
US5759360A (en) * 1995-03-13 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Wafer clean sputtering process
US5725740A (en) * 1995-06-07 1998-03-10 Applied Materials, Inc. Adhesion layer for tungsten deposition
US5962923A (en) 1995-08-07 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches
US6238533B1 (en) * 1995-08-07 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
US5597438A (en) * 1995-09-14 1997-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Etch chamber having three independently controlled electrodes
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
EP0799903A3 (en) 1996-04-05 1999-11-17 Applied Materials, Inc. Methods of sputtering a metal onto a substrate and semiconductor processing apparatus
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
US6368469B1 (en) 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6514390B1 (en) 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
JPH10172792A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US5800688A (en) * 1997-04-21 1998-09-01 Tokyo Electron Limited Apparatus for ionized sputtering
US5948215A (en) * 1997-04-21 1999-09-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized sputtering
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6369349B2 (en) 1997-06-30 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with coil antenna of interleaved conductors
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
EP1034566A1 (en) * 1997-11-26 2000-09-13 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US20050272254A1 (en) * 1997-11-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
EP1073779A4 (en) * 1998-04-13 2007-05-30 Tokyo Electron Ltd IMPEDANCE CHAMBER REDUCED
US6146508A (en) * 1998-04-22 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil
US6287435B1 (en) 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6080287A (en) * 1998-05-06 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6197165B1 (en) 1998-05-06 2001-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6132566A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6217718B1 (en) 1999-02-17 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma
US6474258B2 (en) 1999-03-26 2002-11-05 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
US6237526B1 (en) 1999-03-26 2001-05-29 Tokyo Electron Limited Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
GB9930603D0 (en) * 1999-12-24 2000-02-16 Surface Tech Sys Ltd Plasma process and apparatus
US6463873B1 (en) * 2000-04-04 2002-10-15 Plasma Quest Limited High density plasmas
GB2361587B (en) * 2000-04-19 2003-11-26 Trikon Holdings Ltd Method of cooling an induction coil
US6401652B1 (en) 2000-05-04 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6462481B1 (en) 2000-07-06 2002-10-08 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6414648B1 (en) 2000-07-06 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6409933B1 (en) 2000-07-06 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6694915B1 (en) 2000-07-06 2004-02-24 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6494998B1 (en) 2000-08-30 2002-12-17 Tokyo Electron Limited Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element
US6537421B2 (en) 2001-07-24 2003-03-25 Tokyo Electron Limited RF bias control in plasma deposition and etch systems with multiple RF power sources
US6770521B2 (en) * 2001-11-30 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives
US7169440B2 (en) * 2002-04-16 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method for removing photoresist and etch residues
US20030203123A1 (en) * 2002-04-26 2003-10-30 Applied Materials, Inc. System and method for metal induced crystallization of polycrystalline thin film transistors
US8158016B2 (en) * 2004-02-04 2012-04-17 Veeco Instruments, Inc. Methods of operating an electromagnet of an ion source
US7557362B2 (en) * 2004-02-04 2009-07-07 Veeco Instruments Inc. Ion sources and methods for generating an ion beam with a controllable ion current density distribution
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
US7556699B2 (en) * 2004-06-17 2009-07-07 Cooper Clark Vantine Method of plasma nitriding of metals via nitrogen charging
US7700494B2 (en) * 2004-12-30 2010-04-20 Tokyo Electron Limited, Inc. Low-pressure removal of photoresist and etch residue
CN101678455B (zh) * 2007-05-15 2012-09-26 阿卡姆股份公司 用于生成三维产品的方法和设备
US8396704B2 (en) * 2007-10-24 2013-03-12 Red Shift Company, Llc Producing time uniform feature vectors
US20090238985A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Chau Hugh D Systems and methods for deposition
JP5164107B2 (ja) * 2008-07-01 2013-03-13 株式会社ユーテック プラズマｃｖｄ装置、薄膜の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法
US8703001B1 (en) 2008-10-02 2014-04-22 Sarpangala Hari Harakeshava Hegde Grid assemblies for use in ion beam etching systems and methods of utilizing the grid assemblies
US20100096254A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Hari Hegde Deposition systems and methods
US8426763B2 (en) 2009-04-23 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Rapid thermal processing systems and methods for treating microelectronic substrates
US10475626B2 (en) 2015-03-17 2019-11-12 Applied Materials, Inc. Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor
US10544505B2 (en) 2017-03-24 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Deposition or treatment of diamond-like carbon in a plasma reactor
US20180277340A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Yang Yang Plasma reactor with electron beam of secondary electrons
US20190259559A1 (en) * 2018-02-20 2019-08-22 Veeco Instruments, Inc. Plasma bridge neutralizer for ion beam etching

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5298475A (en) * 1976-02-16 1977-08-18 Hitachi Ltd Plasma treating apparatus
JPS5789224A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Fujitsu Ltd Plasma etching
JPS5845736A (ja) * 1981-09-01 1983-03-17 ラム・リサーチ・コーポレイション プラズマエツチング装置
JPS59232420A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS61177428A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Olympus Optical Co Ltd 液晶眼鏡

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362632A (en) * 1974-08-02 1982-12-07 Lfe Corporation Gas discharge apparatus
US4233109A (en) * 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
US4380488A (en) * 1980-10-14 1983-04-19 Branson International Plasma Corporation Process and gas mixture for etching aluminum
JPH06105597B2 (ja) * 1982-08-30 1994-12-21 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ源
US4690744A (en) * 1983-07-20 1987-09-01 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method of ion beam generation and an apparatus based on such method
FR2555362B1 (fr) * 1983-11-17 1990-04-20 France Etat Procede et dispositif de traitement d'un materiau semi-conducteur, par plasma
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
US4668338A (en) * 1985-12-30 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Magnetron-enhanced plasma etching process

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5298475A (en) * 1976-02-16 1977-08-18 Hitachi Ltd Plasma treating apparatus
JPS5789224A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Fujitsu Ltd Plasma etching
JPS5845736A (ja) * 1981-09-01 1983-03-17 ラム・リサーチ・コーポレイション プラズマエツチング装置
JPS59232420A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS61177428A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Olympus Optical Co Ltd 液晶眼鏡

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02235332A (ja) * 1989-01-25 1990-09-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0271341A2 (en) 1988-06-15
US4844775A (en) 1989-07-04
EP0271341A3 (en) 1989-04-19
GB8629634D0 (en) 1987-01-21
EP0271341B1 (en) 1994-11-30
DE3750808T2 (de) 1995-06-08
DE3750808D1 (de) 1995-01-12

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