JPH06252098A

JPH06252098A - 表面処理装置

Info

Publication number: JPH06252098A
Application number: JP5037151A
Authority: JP
Inventors: Naoki Kubota; 尚樹久保田
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1993-02-26
Filing date: 1993-02-26
Publication date: 1994-09-09

Abstract

(57)【要約】【目的】プラズマ室からイオンビームを引き出すため
の多孔電極を用いることなく、高密度のイオンビームか
ら高密度の中性粒子ビームを生成させる。【構成】プラズマ室１０でガスを放電させてプラズマ
Ｐを発生させ、プラズマＰ中の荷電粒子を中性化して中
性粒子として該中性粒子で処理室１４に設置されている
被処理体Ｓをエッチングする装置において、開口部２４
を通してプラズマＰをアフターグロー輸送室１２にアフ
ターグローＰa として引き出し、電磁石１６、２６で形
成される静磁界Ｍに沿って処理室１４の方向に輸送しな
がら該アフターグローＰa 中の荷電粒子を電荷交換反応
により中性化して、中性粒子ビームを生成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面処理装置、特に、
半導体基板に対するドライエッチング等の表面処理に有
効に適用することができる表面処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面処理装置の１つに中性ビームをエッ
チャントとするドライエッチング装置がある。このドラ
イエッチング装置としては、例えば特開昭６２−２５９
４４３に、図５に示すような、直流や高周波放電によっ
てイオン源５０で発生させたプラズマから引出電極５２
によって希ガスの正イオンビームを真空槽５４に引き出
し、該真空槽５４において引き出された希ガスイオンと
同種の中性希ガスとの間の共鳴電荷交換反応によってイ
オンビームを中性ビームに変換し、該中性ビームを被処
理基板Ｓ上に照射することにより、該基板Ｓのエッチン
グを行うものが開示されている。なお、図中５６はター
ボ分子ポンプ、５８は偏向板である。

【０００３】このエッチング装置では、中性の希ガスが
ほとんど化学反応性を有しないことから、上記イオン源
５０とは別に、化学的に活性なハロゲン原子を生成する
チャンバを備えており、該チャンバで生成したハロゲン
原子を被処理基板Ｓ上に輸送して主に該基板Ｓ上に吸着
させ、その吸着表面に前記中性ビームを照射する方法を
採用している。

【０００４】又、他のエッチング装置の例としては、特
開平１−１２０８２６に、図６に示すような、マイクロ
波発信器６０から導波管６２を介して導入されるマイク
ロ波により放電管６４で発生させたプラズマから、負の
イオンビームを真空槽６６に多孔の引出電極５２で引き
出し、電子付着反応によって該負イオンビームを中性ビ
ームに変換し、該中性ビームをグリッド電極６８を通し
て基板Ｓに照射することにより、該基板Ｓのエッチング
を行うものが開示されている。なお、図中７０は、排気
ポンプである。

【０００５】このエッチング装置では、前記特開昭６２
−２５９４４３に開示されているエッチング装置と比べ
て、負イオンビームとしてハロゲンガスを用いることが
できるため、別に活性なハロゲン原子を生成するチャン
バを必要としない利点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の表面処理装置では、発生させたプラズマから、例え
ば図５や図６に示した引出電極５２のような多孔の電極
を用いてインオビームを引き出し、該イオンビームを電
荷交換反応又は電子付着反応によって中性ビームに変換
しているため、イオンビームを引き出す際に上記多孔の
電極５２自体がスパッタリングされ、その電極材料が被
処理基板Ｓ上に付着したり、堆積する現象が起こる。

【０００７】そのため、絶縁を必要とする被処理基板Ｓ
をエッチングできなかったり、電極の細孔が次第に拡大
していくために安定したイオンビームが継続して得られ
なかったり、更には最終的に電極が破損に至るために長
時間の使用ができなかったりするという問題がある。

【０００８】又、これら問題を避けるために、なるべく
電極のスパッタリングが起こらないようにイオンビーム
を引き出そうとすると、イオンシースを厚くするために
プラズマ密度を低下させることが必要となるため、結果
としてイオンビームフラックスを大きくできないという
他の問題が生じる。

【０００９】更に、多孔の電極を用いてイオンビームを
引き出す場合は、形成されるイオンビームフラックスは
電極の開口率に大きく左右される。現実的に電極１枚当
りの開口率は６０〜８０％が製作上の限界であるため、
イオンビームフラックスを大きくするには限界があると
いう問題がある。

【００１０】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、プラズマからイオンビームを引き出
すための多孔電極を用いることなく、高密度のイオンビ
ームから高密度の中性ビームを生成させ、該中性ビーム
による高速度の表面処理を行うことができる表面処理装
置を提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ室で
ガス放電によりプラズマを発生させ、プラズマ中の荷電
粒子を中性化して中性粒子を生成し、該中性粒子で処理
室に設置されている被処理体を表面処理する表面処理装
置において、プラズマ室と処理室との間に、該プラズマ
室との境界位置に形成された開口部を通してプラズマア
フターグローを引き出し、該プラズマアフターグローを
処理室方向に輸送しながらその中の荷電粒子を中性化す
るアフターグロー輸送室を介設した構成とすることによ
り、前記課題を達成したものである。

【００１２】本発明は、又、前記表面処理装置におい
て、中性粒子に混在する荷電粒子が被処理体に照射する
ことを防止する、荷電粒子除去手段を設けたものであ
る。

【００１３】本発明は、又、前記表面処理装置におい
て、荷電粒子除去手段が、磁場発生装置及び電場発生装
置の少なくとも一方であるとしたものである。

【００１４】本発明は、又、前記表面処理装置におい
て、アフターグロー輸送室内を輸送されるプラズマアフ
ターグローの広がりと方向を制御する、アフターグロー
制御手段を設けたものである。

【００１５】本発明は、更に、前記表面処理装置におい
て、アフターグロー輸送室にラジカルを供給する、ラジ
カル発生手段を設けたものである。

【００１６】

【作用】本発明においては、プラズマ室（プラズマ源）
からプラズマを、一般にアフターグローと呼ばれる状態
のプラズマとしてアフターグロー輸送室に引き出すと共
に、該アフターグロー輸送室内を輸送することにより、
アフターグロー中に形成されるイオンビームを、電荷交
換反応又は電子付着反応により中性粒子ビームに変換す
ると共に、例えば、被処理体の前方に設置した多孔のイ
オン反発電極及び電子反発電極によって荷電粒子を除去
し、中性粒子ビームのみが被処理体上に到達するように
したので、イオンビームをプラズマ室から引き出すため
の多孔電極を用いることなく、中性粒子ビームで被処理
体を表面処理することが可能となり、引き出し電極を用
いることに起因する前記従来の不都合が解消されること
になる。

【００１７】即ち、イオン引き出し電極が不要となるた
め、従来の様なイオンビームを引き出すための電極がス
パッタリングされるという現象は起こり得ず、それ故、
電極材料が被処理体上に付着したり、堆積したりするこ
とが確実に防止され、且つ長時間に亘る安定した処理が
可能となる。

【００１８】又、プラズマをアフターグローとして輸送
するため、従来はイオン引き出し電極の開口率で制限さ
れていたイオンビームフラックスの大きさが制限される
ことがなくなる。従って、プラズマ密度を濃くすればす
るほどイオンビームのフラックスを大きくすることが可
能となる。

【００１９】このように、本発明によれば、高密度のイ
オンビームから高密度の中性ビームを生成させることが
可能となり、電荷フリーの状態で上記中性粒子ビームに
より高速度で表面処理を行うことが可能となる。実際
に、本発明の表面処理装置をエッチング処理に適用した
ところ、実際のプロセスに用いるに十分なエッチング速
度を得ることができた。又、この場合、エッチャントが
中性であるため、被処理体が絶縁性であってもチャージ
アップすることがなく、パターンに忠実なエッチング形
状を得ることができた。

【００２０】又、本発明において、中性粒子に混在する
荷電粒子が被処理体に照射することを防止する、荷電粒
子除去手段を設ける場合には、更に確実に中性粒子ビー
ムのみで被処理体を処理することが可能となる。

【００２１】この荷電粒子除去手段としては、磁場発生
装置及び電場発生装置の少なくとも一方を用いることが
できる。

【００２２】又、本発明において、アフターグロー輸送
室内を輸送されるプラズマアフターグローの広がりと方
向を制御する、アフターグロー制御手段を設ける場合に
は、イオンビームフラックスの幅を任意に調整できると
共に、方向が正確に揃ったイオンビームを生成させるこ
とが可能となる。

【００２３】更に、本発明において、アフターグロー輸
送室にラジカルを供給するラジカル発生手段を設ける場
合には、プラズマアフターグロー中にラジカルを導入す
ることが可能となるため、イオンビームの中性化効率を
大幅に向上することが可能となる。

【００２４】本発明で用いることができるガスとして
は、希ガス、Ｎ₂、Ｏ₂又はＣl ₂、ＨＣl 、Ｆ₂、Ｃ
Ｆ₄、ＳＦ₆、ＨＢr 、ＢＣl ₃等のエッチング性ガ
ス、及びＳi Ｈ₄、Ｓi ₂Ｈ₆、Ｓi Ｃl ₄、ＷＦ₆等
の堆積性ガスを挙げることができ、これら各種ガスは単
独で使用しても、又、２種類以上を組合せて使用しても
よい。又、ラジカル発生手段からアフターグロー輸送室
に導入するラジカルとしては、Ｃl ・、Ｆ・、Ｓi Ｈ
・、Ｈ・、ＣＨ₂・、Ｏ・等のラジカルを挙げることが
できる。

【００２５】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００２６】図１は、本発明に係る第１実施例の表面処
理装置の概略構成を示す説明図である。

【００２７】本実施例の表面処理装置は、ガスを放電さ
せてプラズマＰを発生させるプラズマ室１０と、該プラ
ズマ室１０で発生させたプラズマＰをアフターグローと
して引き出すと共に、該プラズマアフターグローＰa を
輸送しながら、これに含まれるイオンを中性化して中性
粒子とするアフターグロー輸送室１２と、該アフターグ
ロー輸送室１２で生成した中性粒子を導入して被処理基
板（被処理体）Ｓを表面処理する処理室１４とを備えて
いる。

【００２８】上記プラズマ室１０は、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）を用いたマイクロ波プラズマ発生室で
あり、その周囲にはＥＣＲ用の電磁石１６が配設され、
且つ導波管１８に伝送されてきたマイクロ波が窓２０を
通して内部に導入されるようになっている。又、このプ
ラズマ室１０には、放電用ガスが第１ガス供給管２２か
ら供給されるようになっている。

【００２９】又、上記処理室１４とアフターグロー輸送
室１２との境界位置には開口部２４が形成されており、
該開口部２４を通してプラズマ室１０で発生させたプラ
ズマＰがプラズマアフターグローＰa としてアフターグ
ロー輸送室１２に引き出されるようになっている。

【００３０】上記アフターグロー輸送室１２には、その
外側周囲に磁場整形用電磁石２６が巻回されており、図
２に示すように、プラズマ室１０から処理室１４の方向
に静磁界Ｍが形成されるようになっており、又、該アフ
ターグロー輸送室１２の内側周囲にはリング状のガス吹
出部２８が配設され、第２ガス供給管３０から供給され
る電荷交換用ガスが該ガス吹出部２８からプラズマアフ
ターグローＰa に供給されるようになっている。

【００３１】従って、プラズマアフターグローＰa は幅
が束縛された状態で処理室１４の方向に輸送され、これ
に含まれる正イオンは方向が整えられてイオンビームと
なり、該イオンビームはその途中で電荷交換用ガスとの
電荷交換反応により中性化され、方向が揃った中性粒子
ビームが形成される。

【００３２】上記アフターグロー輸送室１２と処理室１
４の境界位置には、電子反発電極３２とイオン反発電極
３４とが隣接して配設されており、該電子反発電極によ
り中性粒子ビーム中の電子及び負イオンは反発除去さ
れ、該電子反発電極３２を通過した正イオンはイオン反
発電極３４により反発除去され、処理室１４には中性粒
子ビームのみが導入されるようになっている。

【００３３】上記処理室１４は、配管３６を通して、該
配管３６に接続されている真空ポンプ（図示せず）によ
り所望の真空度に調節可能となっており、又、その内部
には基板ホルダ３８が配設されており、該基板ホルダ３
８に前記被処理基板Ｓが取り付けられるようになってい
る。なお、この基板ホルダ３８は所望の温度に調節可能
となっている。

【００３４】又、上記表面処理装置では、処理室１４を
接地してグランド電位に設定し、プラズマ室１０をやや
プラスに設定して、プラズマ室１０と処理室１４との間
に所定の電位がかけられている。

【００３５】次に、本実施例の作用を、シリコン（Ｓi
）基板（被処理基板）Ｓをエッチングする場合を例に
具体的に説明する。

【００３６】まず、プラズマ室１０に、第１ガス供給管
２２からＡr 、Ｈe 、Ｘe 、Ｎe 等の希ガス、又はＨＣ
l 、Ｃl ₂、Ｆ₂、ＣＦ₄等の反応性ガスを導入してプ
ラズマ化すると共に、第２ガス供給管３０から、第１ガ
ス供給管２２から供給されるガスと同種か又は異種の電
荷交換用ガスを導入する。

【００３７】上記プラズマ室１０でプラズマＰが生成す
ると、該プラズマＰは開口部２４からアフターグロー輸
送室１２に引き出され、図２に示すように電磁石１６及
び２６で形成されている静磁界（磁力線）Ｍに沿ってア
フターグロー輸送室１２内を輸送されると共に、該静磁
界ＭによりプラズマアフターグローＰa の広がりと方向
が整えられ、正イオンはプラズマ室１０と処理室１４と
の間の電位差によって処理室１４の方向へ加速されなが
ら移動する。なお、その際、正イオンは、電子反発電極
３２によって加速の程度を制御することが可能となって
いる。

【００３８】上記のようにプラズマアフターグローＰa
がアフターグロー輸送室１２を輸送される際、該アフタ
ーグロー輸送室１２には第２ガス供給管３０から電荷交
換用ガスが供給されているので、このガス中をプラズマ
アフターグローＰa が通過することになり、その結果、
プラズマアフターグローＰa の中に存在するイオンがア
フターグロー輸送室１２中に存在する中性粒子（電荷交
換用ガス）と電荷交換反応を起こし、方向が揃った高速
の中性粒子（中性粒子ビーム）に変換される。

【００３９】この中性粒子ビームは、処理室１４に導入
されるが、その際に該ビーム中に混在する負の荷電粒子
は電子反発電極３２により、又、正の荷電粒子はイオン
反発電極３４によりそれぞれ反発除去されるため、処理
室１４には図中Ｎで示す中性粒子ビームのみが導入され
ることになる。

【００４０】従って、電荷を有する粒子は被処理基板Ｓ
に到達せず、基板ホルダ３８の方向に運動方向を有する
高速の中性粒子ビームＮのみが被処理基板Ｓに衝突する
ことになり、該中性粒子ビームによって基板Ｓのエッチ
ングが行われる。

【００４１】又、上記基板Ｓには、イオンから変換され
た中性粒子ビームＮの他に特定の方向性を有しないプラ
ズマアフターグロー中のラジカルや原料ガスも到達し、
特に化学反応性に富んだラジカルは前記中性粒子ビーム
Ｎが被処理基板Ｓに対して行うエッチングをアシストす
る。

【００４２】更に、具体的に説明すると、例えばプラズ
マ室１０とアフターグロー輸送室１２のいずれにもＣl
₂ガスを導入した場合は、該輸送室１２内を輸送される
プラズマアフターグローＰa 中には、Ｃl ⁺イオン、Ｃ
l ₂ ⁺イオン、Ｃl ・ラジカル、Ｃl ₂、Ｃl ^-イオ
ン、Ｃl ₂ ^-イオン、及びこれらの励起状態の粒子や電
子が混在しているが、電子反発電極３２は負の電位が与
えられているので、プラズマアフターグローＰa 中のＣ
l ⁺、Ｃl ₂ ⁺の正イオンが被処理基板Ｓ方向に加速さ
れ、輸送の途中で正イオンの一部がＣl ・ラジカル又は
Ｃl ₂分子と電荷交換反応して中性化され、主にＣl ⁺
イオンが高速のＣl 中性粒子ビームＮに変換され、被処
理基板Ｓに到達する。

【００４３】なお、中性粒子ビームを生成する電荷交換
反応は、同種類のガス間の衝突による共鳴電荷交換反応
が最も効率的であるため、前記のように第１及び第２ガ
ス供給管２２及び３０から同種のガスを導入することが
望ましい。ＬＳＩを製造する際のエッチングの場合は、
エッチングする粒子（エッチャント）のエネルギは数十
e Ｖ以下で、できるだけ低エネルギであることが望まし
いが、第１ガス供給管２２から希ガスを導入しても、希
ガスは化学反応性に乏しいために低エネルギ状態ではエ
ッチング反応は生じない。従って、この場合には、ＨＣ
l 、Ｃl ₂等の化学反応性に富んだガスを供給すること
が最も好ましい。

【００４４】又、プラズマ室１０に希ガスを供給する場
合は、輸送室１２に化学反応性を有するガスを供給す
る。この場合は、主に希ガスのイオンから生成した中性
粒子ビームでエッチングすることになるが、希ガスから
なるプラズマアフターグローＰa によって一部分解され
た化学反応性ガスから生じたラジカルをアシスト粒子と
して用いてエッチング処理を行う。

【００４５】このように、希ガスから生成した中性粒子
ビームを用いてエッチングする場合は、この中性粒子ビ
ーム自体に化学反応性がないため、反応性ガスを前述の
ような反応性ガスをプラズマ室１０に供給して中性粒子
ビームを生成させる場合に比べて、電子反発電極３２及
びイオン反発電極３４に与えるダメージは小さいので、
更に長時間に亘って安定した処理を行うことができる。

【００４６】以上詳述した本実施例によれば、プラズマ
室１０から、従来用いていた多孔のイオン引出し電極を
用いることなくプラズマアフターグローＰa を引き出
し、輸送途中でアフターグローＰa 中に存在するイオン
ビームを中性化するので、多孔の引出し電極を用いてイ
オンビームを引き出す場合より多大なイオンビームフラ
ックスが得られ、結果的に多大な中性粒子ビーム生成す
ることができる。

【００４７】又、アフターグロー輸送室１２を、正イオ
ン、電子及び負イオンからなるプラズマアフターグロー
Ｐa を輸送するため、その輸送途中で同種電荷の荷電粒
子の間のクーロン反発によるイオンビームの発散が少な
く、特に数十e Ｖ以下の低エネルギのイオンビームを生
成することができ、結果的に低エネルギの中性粒子ビー
ムを生成することが可能となる。

【００４８】図３は、本発明に係る第２実施例の表面処
理装置の概略構成を示す前記図１に相当する説明図であ
る。

【００４９】本実施例の表面処理装置は、図１に示した
電子反発電極３２、イオン反発電極３４に代えて、直流
可変電源４０、４０′にそれぞれ接続された電場発生用
電極（荷電粒子除去手段）４２、４２′が対応配置され
ている以外は、実質的に前記第１実施例の表面処理装置
と同一である。

【００５０】本実施例では、上記電極４２、４２′によ
って形成される電場により荷電粒子の軌道が曲げられ、
被処理基板Ｓにイオンや電子が到達しないようになって
いる。

【００５１】図中Ｄで示す矢印は正イオンの運動方向
を、又、Ｄ′で示す矢印は負イオン又は電子の運動方向
を、それぞれ示している。

【００５２】本実施例によれば、被処理基板Ｓを均一に
処理する点に関しては、被処理基板Ｓに到達する中性粒
子ビームのフラックスを均一にし、エネルギーを正確に
コントロールすることができる、前記第１実施例の装置
に比べて劣るものの、逆に、多孔電極からなる電子反発
電極３２及びイオン反発電極３４を使用していないた
め、ガスの種類の制約を受けることなく如何なるガスを
も用いることができる利点がある。

【００５３】図４は、本発明に係る第３実施例の表面処
理装置の概略構成を示す前記図１に相当する説明図であ
る。

【００５４】本実施例の表面処理装置は、図１に示した
ガス吹出部２８の代わりにラジカル供給装置４４を設
け、該ラジカル供給装置４４からアフターグロー輸送室
１２に独立にラジカルを供給できるようにした以外は、
前記第２実施例と実質的に同一である。

【００５５】本実施例によれば、アフターグロー輸送室
１２内を輸送されるアフターグローＰa に直接的にラジ
カルを供給できるので、電荷交換効率を向上させ、中性
粒子ビームのフラックスを増大させることが可能であ
る。

【００５６】即ち、例えば、プラズマ室１０にＣl ₂ガ
スを導入し、最終的にＣl ・ラジカルからなる中性粒子
ビームを生成する場合には、前記のようにＣl ⁺イオン
ビームとＣl ・ラジカルの電荷交換反応を利用するが、
前記第１実施例又は第２実施例では、プラズマ室で生成
したＣl ・ラジカルや輸送室１２に導入されたＣl ₂ガ
スをプラズマアフターグローにより分解して生成するＣ
l ・ラジカルを用いるのに対して、本実施例の表面処理
装置では、更に独立にＣl ・ラジカルを供給できるの
で、第１及び第２実施例に比べてＣl ・ラジカルの密度
を向上させることが可能となり、結果としてイオンビー
ムの中性化効率を向上させることが可能となる。

【００５７】本実施例の表面処理装置を用い、Ｃl ₂ガ
スを第１ガス供給管２２から、Ｃl・ラジカルをラジカ
ル供給装置４４からそれぞれ導入してＳi 基板Ｓを実際
にエッチングしたところ、約２０００Å／min の、実用
上十分なエッチング速度が得られた。又、この場合、エ
ッチャントが中性であるため、被処理基板Ｓのチャージ
アップがなく、電荷によるダメージ及び加工寸法精度が
悪化するという問題は皆無で、良好な加工形状が得られ
た。

【００５８】以上、本発明について具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に示したものに限られるもの
でなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
る。

【００５９】例えば、前記実施例では、ドライエッチン
グ装置について説明したが、本発明は、スパッタリング
装置やＣＶＤ（化学的気相蒸着）装置等にも適用可能で
ある。

【００６０】本発明をスパッタリング装置に適用する場
合は、スパッタリングするためのビームを電気的に中性
にできるため、特に絶縁物をスパッタリングする場合に
は有効である。

【００６１】又、本発明をＣＶＤ装置に適用する場合
は、前記実施例のエッチング処理の場合と同様に、低エ
ネルギの粒子を被処理基板に到達させることが必要であ
る。従って、例えばＳi Ｈ₄ガスを用いてＳi 膜を堆積
させる場合には、反応性の中性粒子ビームが必要になる
ため、第１ガス供給管２２からＳi Ｈ₄ガスをプラズマ
室１０に導入する方法が考えられる。このように、本発
明をＣＶＤ装置に適用する場合は、前記第１実施例のよ
うに電子反発電極３２及びイオン反発電極３４が存在す
ると、その表面上にＳi 膜が堆積することになるため、
前記第２又は第３実施例の表面処理装置が好適である。

【００６２】又、前記実施例では、荷電粒子除去手段と
して電場発生電極を単独で用いた場合を示したが、磁場
発生装置（例えば電磁石）を用いても、又、この両者を
併用してもよい。

【００６３】又、イオンを中性化する反応として電荷交
換反応のみを示したが、電子付着反応を利用してもよ
い。

【００６４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマからイオンビームを引き出すための多孔電極を用
いることなく、高密度のイオンビームから高密度の中性
粒子ビームを生成させ、該中性粒子ビームによる高速度
の表面処理を行うことが可能となる。

【００６５】又、アフターグロー輸送室にラジカルを独
立に供給することにより、電荷交換効率を更に向上し、
多大な中性粒子ビームフラックスを生成させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施例の表面処理装置の概略
構成を示す説明図

【図２】上記表面処理装置に形成される静磁界を示す図
１に相当する説明図

【図３】本発明に係る第２実施例の表面処理装置の概略
構成を示す説明図

【図４】本発明に係る第３実施例の表面処理装置の概略
構成を示す説明図

【図５】従来の表面処理装置の一例を示す説明図

【図６】従来の表面処理装置の他の一例を示す説明図

【符号の説明】

１０…プラズマ室１２…アフターグロー輸送室１４…処理室１６…ＥＣＲ用電磁石２４…開口部２６…磁場整形用電磁石２８…ガス吹出部３２…電子反発電極３４…イオン反発電極３８…基板ホルダ４２、４２′…電場発生電極４４…ラジカル供給装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ室でガス放電によりプラズマを発
生させ、プラズマ中の荷電粒子を中性化して中性粒子を
生成し、該中性粒子で処理室に設置されている被処理体
を表面処理する表面処理装置において、プラズマ室と処理室との間に、該プラズマ室との境界位
置に形成された開口部を通してプラズマアフターグロー
を引き出し、該プラズマアフターグローを処理室方向に
輸送しながらその中の荷電粒子を中性化するアフターグ
ロー輸送室を介設したことを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】請求項１において、中性粒子に混在する荷電粒子が被処理体に照射すること
を防止する、荷電粒子除去手段を設けたことを特徴とす
る表面処理装置。
【請求項３】請求項２において、荷電粒子除去手段が、磁場発生装置及び電場発生装置の
少なくとも一方であることを特徴とする表面処理装置。
【請求項４】請求項１において、アフターグロー輸送室内を輸送されるプラズマアフター
グローの広がりと方向を制御するアフターグロー制御手
段を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項５】請求項１において、アフターグロー輸送室にラジカルを供給する、ラジカル
発生手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。