JP2004193359A - ラジカル支援ドライエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ラジカル支援ドライエッチング装置はプラズマ発生機構8,9,11,12,26を含むプラズマ発生部100、処理されるべきウェハ23がウェハホルダ4のrf電極15の上には位置されるところのウェハ処理部200、プラズマ発生部100とウェハ処理部200を分離しかつウェハ処理部に到来する望ましくないイオンおよび電子を除去するフィルタ2から構成される。当該装置はさらにプラズマ発生部に材料ガスを導入するためのガス取入れ口装置13,26、ガス処理部にプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口14を備える。
【選択図】 図1
Description
【発明が属する技術分野】
本発明はラジカル支援ドライエッチング装置に関し、特に、ドライエッチング処理を受けるウェハの表面上でデバイスにプラズマ誘導ダメージを与えないラジカル支援ドライエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
Si(シリコン)ウェハの上での集積回路の製造においてプラズマ支援ドライエッチング処理は避けることのできないステップである。今日、このウェハ処理に対して、例えば誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、および磁気強化容量結合型プラズマのように、いくつかの種類のプラズマ源が存在する。例えば、SiO2、金属、あるいはポリシリコンのような薄膜のドライエッチングは、通常、高エネルギイオンの衝突によって行われている。エネルギが与えられたイオンを得るため、ウェハホルダはrf電流を与えることによって負の自己バイアス電位が与えられている。エッチングプロセスの間、ウェハの表面には、エネルギを与えられたイオンがほとんど連続的に衝突する。ウェハ表面でのこれらのイオンは電子の流れ(flux)によって中性化され、この電子の流れはrfサイクルごとに生じる。しかしながら、プラズマ発生機構およびプラズマ源のハードウェアに依存して、ウェハ表面でのイオンおよび電子の流れはデバイスにダメージを与える原因となる。特に、ULSIにおける金属酸化膜半導体(MOS)のゲート酸化物に対する誘導電荷ダメージは増加しつつある問題である。電子陰影効果(electron-shading effect)によるデバイスダメージは、特に、特徴的な大きさが0.2μmよりも小さいときに支配的となる。このことは、図4Aおよび4Bを参照して詳細に説明される。
【0003】
説明を容易にするため、Siウェハの上に作られるMOSキャパシタを考慮する。図4Aは、パターン化されたフォトレジスト51を有しかつプラズマ支援エッチング前のMOSキャパシタ50の断面図を示す。図4Bは、図4Aで示されたMOSキャパシタ50のちょうどエッチングが完了する直前の断面図を示す。このMOSキャパシタ50は、フォトレジスト51と、金属層52と、Si層54上の誘電体層53とによって構成される。金属層52は、通常、金属アンテナと呼ばれている。説明のため、これらのフォトレジストパターンは、ライン状に並んでおり、かつフォトレジストのラインの間のスペースは0.2μmよりも小さいと仮定する。
【0004】
デバイスのダメージが与えらえるメカニズムを説明する。プラズマ支援エッチングの間、ウェハはプラズマ環境内に置かれている。プラズマ処理装置の図は、本発明には関係がないので、示されていない。ウェハ保持rf電極は、その表面上で負の自己バイアス電圧を生じさせるため、rf電流が与えられている。これは、ウェハ上に全面に渡りウェハ上のシース領域を横切ってより高い電位差を生じさせる原因となる。プラズマ中のイオンはシースを横切って加速しウェハに衝突する。イオンは、通常、それらがプラズマの中にあるとき、例えばおよそ3eVの低いエネルギを有する。当該イオンは、ウェハ表面でのシース領域を通して加速された後に、大きなエネルギ、例えば200eVの以上のエネルギを得る。こうして、ウェハの表面に衝突するイオンのエネルギは、大部分、加速電圧に依存している。その結果は、イオンの軌道はほとんど垂直となり、こうしてそれらはライン間の底表面に到達するということになる。
【0005】
底表面でのイオンの衝突は、金属アンテナ52が正の電荷を受ける原因となる。次のrfサイクルの間、電子は金属アンテナ52の表面に到達し、当該正電荷を中性化する。シースが壊れて0になるとき、電子はrfサイクル毎に1回ウェハ表面に衝突する。プラズマ中における電子は、通常、あらゆる方向にほとんど均一な速度分布を有している。さらに、プラズマ中の電子のエネルギはマックスウェル分布を有している。すなわち、例えば50eVの高エネルギを持った電子が存在する。さらに平均的な電子のエネルギはほとんどのプラズマ源において例えば3eVより大きなより高い値にある。
【0006】
もしフォトレジストのライン(51)の間の間隔がより大きいのであるならば、例えば0.4μmであるならば、エッチングにおいていかなる問題も生じない。何故ならば、電子の流れは金属アンテナ52に到達し、正電荷を中性化するからである。しかしながら、この状態はフォトレジストのライン(51)の間の間隔がより小さくなると、変化する。この状態は図4Bに示されている。たとえフォトレジストライン(51)の間の間隔がより小さくなったとしても、イオンは、それらの軌道がほとんど垂直になるように底表面に到達する。このことは金属アンテナ52からフォトレジスト51への電界を作るという結果になる。電子はこの電界によって加速されることになり、フォトレジスト51のパターンによって形成された溝の底に到達する。しかしながら、もし電子のエネルギがより高いのであるならば、電子は当該電界による加速のための十分なスペースと時間を持たず、それら自身の軌道から逸脱する。それ故に、電子56のほとんどはフォトレジスト51に衝突し、電子56のより小さな一部のみが溝の底部52Aに到達する。この現象は電子陰影効果と呼ばれている。この効果は、金属アンテナ52上の正電荷の徐々なる増大をもたらす結果となる。金属アンテナ52上の正電荷が、誘電体層53のゲート誘電体53Aのブレイクダウン電圧を超えると、電流がゲート誘電体53Aを通して流れる。これはデバイスにダメージを与える。電子陰影効果および関連するプラズマ誘導ダメージに関する詳細な説明は次の非特許文献1,2に与えられる。
【0007】
【非特許文献】
K.橋本、「電子陰影効果による電荷ダメージ」、日本、応用物理,1994年、33巻、6013〜6018頁
【非特許文献】
K.橋本、「プラズマエッチングにおける電荷ダメージの新現象:密集した線アンテナを通してのみの重いダメージ」、日本、応用物理、1993年、32巻、6109〜6113頁
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記の電子陰影効果を避けるため、プラズマにおける電子のエネルギはできるだけ低くされなければならない。低いエネルギを持った電子、例えば2eVよりも低いエネルギを持った電子は、電子陰影効果を減じるため、2つの異なる方法で作用を生じる。第1の方法は、電子の低いエネルギのため、それらの軌道が金属アンテナ52上の過度のイオンによって生成された電界により変化させられるということである。それ故に、これらの低いエネルギの電子は金属アンテナ52に到達することができ、その表面を中性化することができる。第2の方法は、それらが中性の原子または分子によって高再生断面を有することである。このことは非常に低いエネルギを有する負のイオンを作る。これらの負のイオンは同様に金属アンテナ52の表面を中性化するのに寄与する。
【0009】
しかしながら、従来のプラズマ源においては、大量の高いエネルギを有した電子が存在することは避けられず、こうして前述した電子陰影効果を避けることが困難である。
【0010】
本発明の目的は、電子陰影効果を避けることができ、高いエネルギを有したイオンあるいは電子を作ることなく、ダメージのないドライエッチングとして構成することができるラジカル支援ドライエッチング装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るラジカル支援ドライエッチング装置は、上記の目的を達成するため、次のように構成される。
【0012】
本発明に係るラジカル支援ドライエッチング装置は、プラズマ発生機構を含むプラズマ発生部、処理されるべきウェハがウェハホルダのrf電極の上に配置されるウェハ処理部、プラズマ発生部とウェハ処理部を分離しウェハ処理部に到来する望ましくないイオンおよび電子を除去するフィルタ、プラズマ発生部に材料ガスを導入するためのガス取入れ口装置、およびウェハ処理部にプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口から構成される。
ラジカル支援ドライエッチング装置において、好ましくは、ウェハは、ウェハ処理部におけるペニングイオン化プロセスのみによってイオン化されたイオンの支援を受けてエッチングされる。上記のフィルタはその孔を通してプラズマ発生部において生成されたラジカルのみをウェハ処理部へ通過させる。ペニングイオン化プロセスにおいて、ウェハ処理部へ到来したラジカルは、それらの相互作用(ペニングイオン化)によってイオン化される。こうして、電子陰影効果はドライエッチングプロセスにおいて消滅させられる。
【0013】
上記のドライエッチング装置において、好ましくは、プラズマはプラズマ発生部内で容量結合型機構によって生成され、容量結合型rf電極、フィルタ、およびウェハを保持するためのrf電極は少なくとも反応容器の一部において互いに平行である。
【0014】
上記のドライエッチング装置において、好ましくは、フィルタはプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口を含んでいる。
上記のドライエッチング装置において、好ましくはプラズマ発生部は誘導結合型機構を備えた円形形状のプラズマ発生領域を有している。
【0015】
上記のドライエッチング装置において、好ましくは、ウェハが配置されたrf電極は100kHzから10MHzの範囲の周波数で動作するrf電流が供給される。
【0016】
本発明に係るラジカル支援ドライエッチング方法は、反応容器をフィルタを用いてプラズマ発生部とウェハが配置されるウェハ処理部とに分離するステップと、フィルタを通してラジカルのみをプラズマ発生部からウェハ処理部へ通過させるステップと、ウェハ処理部においてペニングイオン化プロセスのみでイオン化されたイオンの支援の下でウェハをエッチングするプロセスとから成る。
当該ラジカル支援ドライエッチング方法において、フィルタはプラズマ発生部からウェハ処理部へ到来するイオンと電子を除去する。
【0017】
フィルタを通してプラズマ発生領域からウェハ処理領域へ到来するラジカルを用いるラジカル支援ドライエッチング装置によれば、イオンおよび電子は中性のガス原子あるいは分子と共に、原子、分子、またはラジカルのごときガス種の励起状態での衝突によって生成され、このドライエッチング装置はダメージのないドライエッチングとして発明される。励起された状態のエネルギのより高い部分がイオンおよび電子を作ることに消費されるので、エネルギが高くないイオンあるいは電子が形成される。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、好ましい実施形態が、添付された図面を参照して説明される。実施形態のこの説明を通して本発明の詳細が明らかにされる。
【0019】
本発明のラジカル支援ドライエッチング装置の第1の実施形態が図1を参照して説明される。図1に示されたラジカル支援ドライエッチング装置は基本的にプラズマ発生部100とウェハ処理部200を有している。これらの2つの部分100,200はラジカル支援ドライエッチング装置のチャンバ(反応容器)1を作っている。プラズマ発生部100はチャンバ1における上側にあり、ウェハ処理部200は下側にある。部分100はプラズマ発生領域(またはスペース)を作り、他方、部分200はウェハ処理領域(あるいはスペース)を作る。
【0020】
フィルタ2はチャンバ1において当該2つの部分100,200を分離する。このフィルタ2は複数の貫通孔3を有している。加えて、ラジカル支援プラズマ処理装置のチャンバ1はウェハホルダ4、側壁5、トッププレート6、ボトムプレート7、および真空排気ポート22から構成されている。ウェハホルダ4はボトムプレート7の上に設けられ、側壁5は好ましくは円筒形状を有している。
【0021】
プラズマ発生部100には容量結合型プラズマ(CCP)生成機構が存在する。プラズマ発生部100はrf電極8、下側表面を除いて当該rf電極8を覆う誘電体材料9、プラズマを発生させるためrf電極8、フィルタ2および側壁5によって定められるキャビティ10から構成されている。
【0022】
rf電極8には整合回路12を通してrf発生器11からrf電流が供給される。rf電流の周波数は、この発明の意図する応用に関して重要なことではない。rf電流の周波数は10MHz〜300MHzの領域にある。
【0023】
rf電極8は金属、通常、Al(アルミニウム)で作られている。rf電極8の内部には薄いガスリザーバ13が存在する。複数のガス取入れ口14が、ガスリザーバ13から上記のプラズマ発生領域としてのキャビティ10に材料ガスを導入するために作られている。材料ガスは、外側から、ガス取入れパイプ26を通してガスリザーバ13の中に供給される。このガス導入方法は、多くの異なるガス導入方法の1つである。それ故に、プラズマ発生領域にガスを導入する異なる方法を用いることが可能である。プラズマ発生領域に導入されたガスは、いかなるガス、あるいはガスの組合せであっても良い。通常、不活性ガス、代表的にArがプラズマ発生ガスとして用いられる。プラズマ発生領域すなわちキャビティ10の内部のガス圧力は重要なことではなく、1ミリトール(mTorr)から大気圧の範囲で変えることができる。ウェハ処理領域内でのウェハ処理のために要求される圧力は、基本的に、プラズマ発生領域の内部圧力を決定する。
【0024】
rf電極8の側壁および上面は反応容器すなわちチャンバ1の残りの部分から電気的に絶縁するために誘電体材料9によって覆われている。rf電極8の直径は重要な事項ではなく、ウェハの直径に依存して変化する。例えば、ウェハの直径がもし300mmであるならば、rf電極8の直径は400mm程度の大きさになり得る。円筒形の側壁5の直径も、同様にまた、ウェハの直径に依存している。図1において、“h”によって示されたプラズマ発生キャビティの高さは、好ましくは1cm〜10cmの範囲にあり得る。
【0025】
プラズマ発生領域のボトムプレートは金属または誘電体材料によって作られた前述のフィルタ2である。代表的にフィルタ2は誘電体材料によって作られている。フィルタ2の厚みは重要なことではなく、1mm〜20mmの範囲において変えることができる。フィルタ2においては複数の貫通孔3が存在する。貫通孔3の直径はおよそ1mmである。フィルタ2の貫通孔3の個数は重要なことではなく、フィルタの直径に依存して変えることができる。フィルタ2の直径はウェハの直径よりも大きく、これは側壁5の直径まで増大させることができる。プラズマ発生領域の詳細な説明は、例えば特開2000−345349号公報に見ることができる。
【0026】
ウェハホルダ4はrf電極15、誘電体部材16、外部リング17、およびホルダ側壁18によって構成される。rf電極15は、金属、代表的にはAlによって作られている。rf電極15の上面の上には静電チャック(ESC)が設けられている。しかしながら、rf電極15上の当該ESCは、この装置の意図された応用にとって本質的な事項ではない。rf電極15にはrf発生器20から整合回路19を通してrf電流が与えられている。rf電流の周波数は重要な事項ではなく、100kHz〜10MHzの範囲に含まれている。通常、およそ2MHzの低いrf周波数が、本発明の期待される効果を得る目的のため、rf電極15に与えられている。
【0027】
ウェハ処理領域21にプロセスガスまたはプロセスガスの混合物を導入するために複数のガス取入れ口23が存在する。加えて、ウェハ処理領域21には真空排気ポート22が存在する。
【0028】
プラズマ発生領域10の円筒形側壁5はプラズマ処理領域21まで延長される。あるいは、これらの2つの領域10,21は異なる直径の円筒形側壁を持つこともできる。
【0029】
次に、上記ラジカル支援ドライエッチング装置の作用・動作を説明する。第1に、プラズマ発生領域すなわちキャビティ10の中でガス取入れ口14を通してリザーバ13から導入される適当な材料ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ発生領域10におけるプラズマの中で、イオン、電子、ガス原子、および励起状態にある中性原子が存在する。プラズマ発生領域10内のこれらのガスの要素はフィルタ2の貫通孔3を通してウェハ処理領域21の中に流れる。何故ならば、装置全体がウェハ処理領域21に配置された真空排気ポート22を通して真空排気されるからである。フィルタ2の貫通孔3を通してイオンおよび電子が移動するとき、それらは貫通孔3の側壁上で再結合する。貫通孔3の高さ、すなわちフィルタ2の厚み、および貫通孔3の直径は貫通孔3内で完全なイオン再結合のため適切に選択される。すなわち、ウェハ処理領域21に到来するイオンまたは電子は全く存在しない。
【0030】
いくつかのガスについては全く安定した励起状態が存在する。例えば、表1はいくつかのガスの励起状態およびライフタイム(寿命)をリストで示している。プラズマ発生領域10内では、多くのこれらの励起された状態のガス原子、すなわちラジカルが存在する。これらの原子の1部は、貫通孔3を通して移動する間、それらのエネルギを失う。しかしながら、当該励起された状態の原子のあるものは生き残ってウェハ処理領域21に到来する。これらの高いエネルギで励起された原子はウェハ処理領域21内で中性の原子または分子に衝突することが可能であり、それらをイオン化する。このイオン化のプロセスは、「ペニングイオン化メカニズム(Penning ionization mechanism)」と呼ばれている。例えば、もしArをプラズマガスとして考慮するならば、イオン化のプロセスは、次の公式1(数1)として与えることができる。
【0031】
【表1】
【0032】
【数1】
Ar*+M ------> Ar+M++e …(1)
Ar*+M ------> Ar+M* …(2)
Ar*+M* ------> Ar+M++e …(3)
【0033】
ここでAr*はAr原子の励起状態であり、Mは任意のガスである。このプロセスは、ウェハ処理領域21内で弱いプラズマを発生させるという結果をもたらす。ウェハ処理のために採用される圧力に依存して、1010cm-3程度の高いプラズマ密度が得られる。このイオン化プロセスは低エネルギイオンおよび低エネルギ電子のみを発生する。何故ならば、励起状態の原子の大部分のエネルギはガスをイオン化するにほとんど十分でないからである。例えば、いくつかのガスの最初のイオン化ポテンシャルが表2にリストで示される。
【0034】
【表2】
【0035】
第2に、ウェハ23が配置されるところの下部電極15にrf発生器20からrf電流が与えられる。ウェハ23の表面全体に渡る弱いプラズマのため、負の自己バイアスがウェハ表面上に生成される。もし低いrf周波数、例えば2MHzがrf電極15に与えられるならば、rf電力はウェハ表面全面に渡るプラズマの生成に貢献しない。その代わりに、与えられたrf電力は、イオンを励起しウェハ表面に対して加速するために消費される。元来、イオンは低いエネルギを持っている。それ故に、ウェハ表面に衝突するイオンのエネルギはほとんどrf電極15の当該自己バイアス電圧によって決定される。これがイオンの軌道をより垂直にする。これは垂直な側壁を有する孔および溝をエッチングすることにおいて非常に重要な条件である。当該孔および溝の側壁は曲げられない。
【0036】
以上に述べたように、ウェハ処理領域21内での電子は非常に低いエネルギを有している。それ故に、それらはそれほど早く移動せず、孔または溝の底で電界によって当該孔または溝の底に向かって曲がる。このことは当該底の上でより高い電子の流れをもたらす原因となり、それ故に、正電荷の完全なる中性化という結果をもたらす。すなわち、電子陰影効果が存在せず、その結果、デバイスに対する電荷誘導ダメージは全くない。
【0037】
なお下部電極15に対してより高い周波数のrf電流、例えば60MHzを与えることも可能である。さらに、下部電極15に対して2つの異なる周波数で動作する2つのrf電流、1つは高い周波数、他の1つは低い周波数を与えることも可能である。どちらの場合においても、エッチングは十分に行うことができる。しかしながら、下部電極15により高い周波数のrf電流を与える場合には、プラズマはそのrf電流の容量結合によって生成される。このことは高いエネルギの電子を発生させ、電子陰影効果に起因するデバイスダメージの原因になるということを避けることができない。それ故に、このラジカル(プラズマ)支援ドライエッチング装置の重要な条件は、下部電極に与えられるrf電流はウェハプロセス領域21内のプラズマの発生に寄与させるべきではないということである。
【0038】
次に、本発明の第2の実施形態を図2を参照して説明する。第2実施形態は第1実施形態の拡張である。第2実施形態において、プラズマ発生領域10とウェハ処理領域21とを分離するフィルタ2の構成は、図2に示されるごとく、変化させられる。フィルタ2についての修正を除いて、全ての他のハードウェアの構成は第1実施形態で説明したものと同じである。
【0039】
フィルタ2は金属または誘電体材料、好ましくは、誘電体材料で作られている。フィルタ2には複数の貫通孔が存在する。加えて、ガスリザーバ27がフィルタ2の内部に作られる。このガスリザーバ27はフィルタ2の上に作られた貫通孔3とオーバーラップしていない。プロセスガスがガス取入れ口28を通してガスリザーバ27に供給される。複数のガス取入れ口29がウェハ処理領域21内にプロセスガスを導入するためにガスリザーバ27からウェハ処理領域21に作られている。領域21にプロセスガスを導入する技術を用いることはプロセスガスの乖離のより高い程度を防止する。第2実施形態における動作方法は第1実施形態で説明したものと同じである。
【0040】
さらに、図3を参照して第2実施形態が説明される。ここで、円形形状のプラズマ発生領域30内で誘導結合型機構によってプラズマが生成される。rfコイル31は、ウェハの配置の高さの少し上方でかつプラズマ発生領域30内に配置されている。当該rfコイル31は、整合回路33を通してrf発生器32によってrf電流が供給される。このrf電流の動作周波数は重要なことではなく、500kHz〜100MHzの範囲で変わり得る。当該第3実施形態において、前述したフィルタ2に対応するフィルタ34は円形の形状を有している。フィルタ34の上には複数の貫通孔が存在する。シャワーヘッド型ガス取入れ口24がプロセスガスまたはガス混合物を導入するためにチャンバ1のトッププレート6の近傍に配置されている。当該ガスシャワーヘッド25およびトッププレート6は電気的に接地されている。
【0041】
前述した修正を除いて、全ての他のハードウェアの構成は第1実施形態において説明されたそれと同じである。動作方法は同様にまたプラズマ発生機構を除いて当該実施形態のそれと同じである。この装置は同様にまた前述の実施形態で説明された同じ結果をもたらす。
【0042】
【発明の効果】
本発明のラジカル支援ドライエッチング装置は電子陰影効果を避けることができ、高いエネルギのイオンまたは電子を作ることなくダメージのないドライエッチングを行うことができる。このドライエッチングの装置は、高いエネルギの電子の数を確実に減少させ、それによって前述した電子陰影効果を容易に避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この図は、本発明の第1実施形態のプラズマ支援ドライエッチング装置を示す断面図である。
【図2】この図は、本発明の第2実施形態のプラズマ支援ドライエッチング装置を示す断面図である。
【図3】この図は、本発明の第3実施形態のプラズマ支援ドライエッチング装置を示す断面図である。
【図4A】この図は、エッチングを行う前のMOSキャパシタの断面図である。
【図4B】この図は、エッチングがちょうど完了したMOSキャパシタの断面図である。
【図面での参照符号の説明】
1 チャンバ(反応容器)
2 フィルタ
3 貫通孔
4 ウェハホルダ
5 側壁
8 rf電極
10 プラズマ発生領域
11 rf発生器
13 ガスリザーバ
14 ガス取入れ口
15 下側rf電極
20 rf発生器
21 ウェハ処理領域
22 真空排気ポート
23 ウェハ
100 プラズマ発生部
200 ウェハ処理部
Claims (8)
- プラズマ発生機構を含むプラズマ発生部と、
処理されるべきウェハがウェハホルダのrf電極上に配置されるウェハ処理部と、
前記プラズマ発生部と前記ウェハ処理部を分離し、前記ウェハ処理部に到来する望ましくないイオンおよび電子を取り除くフィルタと、
前記プラズマ発生部に材料ガスを導入するガス取入れ装置と、
前記ウェハ処理部へプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口と、
から構成されるラジカル支援ドライエッチング装置。 - 前記ウェハは前記ウェハ処理部でペニングイオン化プロセスのみによってイオン化されたイオンの支援の下でエッチングされる請求項1記載のラジカル支援ドライエッチング装置。
- プラズマは前記プラズマ発生部内で容量結合型機構によって発生し、容量結合型rf電極、前記フィルタ、および前記ウェハを保持するための前記rf電極は、少なくとも反応容器の一部で互いに平行である請求項1または2記載のラジカル支援ドライエッチング装置。
- 前記フィルタは前記プロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載のラジカル支援ドライエッチング装置。
- 前記プラズマ発生部は、誘導結合型機構を備えた円形形状のプラズマ発生領域を有する請求項1または2記載のラジカル支援ドライエッチング装置。
- 前記ウェハが配置された前記rf電極は100kHzから10MHzの範囲の周波数で動作するrf電流を供給される請求項1〜5のいずれか1項に記載のラジカル支援ドライエッチング装置。
- フィルタを用いて、反応容器を、プラズマ発生部と、ウェハが配置されるウェハ処理部とに分離するステップと、
前記フィルタを通してラジカルのみを前記プラズマ発生部から前記プラズマ処理部へ通過させるステップと、
前記ウェハ処理部でペニングイオン化プロセスのみによってイオン化されたイオンの支援の下で前記ウェハをエッチングするステップラジカル支援ドライエッチング方法。 - 前記フィルタは前記ウェハ処理部に到来するイオンおよび電子を取り除く請求項7記載のラジカル支援ドライエッチング方法。
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