JPS63318058A - 中性ビ−ム形成方法 - Google Patents
中性ビ−ム形成方法Info
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- JPS63318058A JPS63318058A JP15328887A JP15328887A JPS63318058A JP S63318058 A JPS63318058 A JP S63318058A JP 15328887 A JP15328887 A JP 15328887A JP 15328887 A JP15328887 A JP 15328887A JP S63318058 A JPS63318058 A JP S63318058A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は中性ビーム形成方法に係り、特にエツチングや
デポジション等の表面処理技術において荷電粒子の入射
に伴う損傷を回避するのに使用される中性ビームを形成
する中性ビーム形成方法に関する。
デポジション等の表面処理技術において荷電粒子の入射
に伴う損傷を回避するのに使用される中性ビームを形成
する中性ビーム形成方法に関する。
近年、半導体集積回路等の電子装置の製造工程において
、微細なパターンをエツチング加工するために、グロー
放電プラズマを用いたプラズマエツチング法や、プラズ
マから引出したイオンビームを試料に照射するイオンビ
ームエツチング法が用いられている。また、同様な方法
が膜堆積をするためにも用いられており、プラズマＣＶ
Ｄ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）やイオンビームデポジション法として周知であ
る。これらの方法では、イオンが持つ運動エネルギやプ
ラズマ中に生成される反応性の高いラジカルを用いて表
面での化学反応を促進させることを特徴としている。例
えば、ジャーナル オブ バギュアム サイエンス ア
ンド テクノロジー１９ （１９８１年）第１３９０頁
〜１３９３頁（Ｊ、 Ｖａｃ、Ｓｃｉ Ｔｅｃｈｎｏｌ
。
、微細なパターンをエツチング加工するために、グロー
放電プラズマを用いたプラズマエツチング法や、プラズ
マから引出したイオンビームを試料に照射するイオンビ
ームエツチング法が用いられている。また、同様な方法
が膜堆積をするためにも用いられており、プラズマＣＶ
Ｄ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）やイオンビームデポジション法として周知であ
る。これらの方法では、イオンが持つ運動エネルギやプ
ラズマ中に生成される反応性の高いラジカルを用いて表
面での化学反応を促進させることを特徴としている。例
えば、ジャーナル オブ バギュアム サイエンス ア
ンド テクノロジー１９ （１９８１年）第１３９０頁
〜１３９３頁（Ｊ、 Ｖａｃ、Ｓｃｉ Ｔｅｃｈｎｏｌ
。
１９ （１９８１）ＰＰ１３９０〜１３９３）に論じ
られているイオンビームアシストエツチング法では、反
応性ガスとイオンビームを同時に試料表面に供給して、
イオンの持つ運動エネルギにより、固体表面と反応性ガ
スとのエツチング反応を促進させている。イオンビーム
の効果は、このような反応促進のほかに、イオンビーム
の直進性を利用して方向性のあるエツチング加工ができ
る点にある。また、プラズマＣＶＤ法やイオンビームデ
ポジション法ではイオンエネルギは、堆積膜質の緻密化
などの膜質改善に効果がある。そのほか、表面酸化表面
窒化などにおいても適切なエネルギーのイオンビームを
表面に照射することによって、所望の厚さまで酸化や窒
化を行うことができる。
られているイオンビームアシストエツチング法では、反
応性ガスとイオンビームを同時に試料表面に供給して、
イオンの持つ運動エネルギにより、固体表面と反応性ガ
スとのエツチング反応を促進させている。イオンビーム
の効果は、このような反応促進のほかに、イオンビーム
の直進性を利用して方向性のあるエツチング加工ができ
る点にある。また、プラズマＣＶＤ法やイオンビームデ
ポジション法ではイオンエネルギは、堆積膜質の緻密化
などの膜質改善に効果がある。そのほか、表面酸化表面
窒化などにおいても適切なエネルギーのイオンビームを
表面に照射することによって、所望の厚さまで酸化や窒
化を行うことができる。
以上のようなプラズマやイオンを用いる表面処理方法で
は荷電粒子を用いるために、絶縁物表面に電荷が蓄積す
ることが多く、しばしば絶縁膜の耐圧が劣化する等の問
題が生じる。このため、荷電粒子が試料に入射しない表
面処理方法として、例えば、バキュアム３４ （１９８
４年）第２５９頁から２６１頁（Ｖａｃｕｕｍ３４ （
１９８４） ＰＰ２５９−２６１）に論じられているよ
うに、サドルフィールド型イオン源によって発生する中
性粒子ビームを用いる方法がある。このイオン源では、
数Ｋ ｅ Ｖ程度のエネルギーに加速された中性高速粒
子ビームが発生するが、ビーム照射による結晶欠陥の発
生を抑制するためには、より低エネルギー、例えば数１
００ｅＶ以下の中性ビームが望ましい。
は荷電粒子を用いるために、絶縁物表面に電荷が蓄積す
ることが多く、しばしば絶縁膜の耐圧が劣化する等の問
題が生じる。このため、荷電粒子が試料に入射しない表
面処理方法として、例えば、バキュアム３４ （１９８
４年）第２５９頁から２６１頁（Ｖａｃｕｕｍ３４ （
１９８４） ＰＰ２５９−２６１）に論じられているよ
うに、サドルフィールド型イオン源によって発生する中
性粒子ビームを用いる方法がある。このイオン源では、
数Ｋ ｅ Ｖ程度のエネルギーに加速された中性高速粒
子ビームが発生するが、ビーム照射による結晶欠陥の発
生を抑制するためには、より低エネルギー、例えば数１
００ｅＶ以下の中性ビームが望ましい。
このような低エネルギーの中性粒子ビームは、イオン源
から所望のエネルギーでイオンビームを引き出し、これ
をガス中の電荷交換反応で中性化することにより得られ
る。イオンが電荷交換反応で中性化される確率（反応断
面積）はイオンのエネルギー、イオンとガス分子の種類
等に依存するが、例えばイオン源としてカウフマン型イ
オン源を用いる場合、数１００ｅＶのエネルギのＡｒ＋
イオンを５ Ｘ １０”−’Ｔｏｒｒの圧力のＡｒガス
中を通過させると数１０％のＡｒ＋イオンが中性化され
数１００ｅＶのＡｒの中性ビームが形成される。カウフ
マン型イオン源では放電プラズマを生成するため、フィ
ラメントを用いており、例えばエツチング等の目的でハ
ロゲンを含むガスを用いる場合には、フィラメントの寿
命が問題となる。そのため、イオン源として、マイクロ
波による無極放電プラズマを発生させ、このプラズマか
らイオンビームを引出す方式を採用して、イオンビーム
の中性化を検討したところ、Ａｒ＋イオンの中性化が僅
かしか生じないことが判明した。すなわち、上記のカラ
マン型イオン源から引出したＡｒ＋イオンビームに比較
して、マイクロ波プラズマ源から引出したＡｒ＋イオン
ビームは、Ａｒガス中での中性化の確率が小さいのであ
る。このため、得られるＡｒの中性ビームの強度が小さ
く、エツチング等の表面処理を目的としたビームとして
はフラツクスが不足である。
から所望のエネルギーでイオンビームを引き出し、これ
をガス中の電荷交換反応で中性化することにより得られ
る。イオンが電荷交換反応で中性化される確率（反応断
面積）はイオンのエネルギー、イオンとガス分子の種類
等に依存するが、例えばイオン源としてカウフマン型イ
オン源を用いる場合、数１００ｅＶのエネルギのＡｒ＋
イオンを５ Ｘ １０”−’Ｔｏｒｒの圧力のＡｒガス
中を通過させると数１０％のＡｒ＋イオンが中性化され
数１００ｅＶのＡｒの中性ビームが形成される。カウフ
マン型イオン源では放電プラズマを生成するため、フィ
ラメントを用いており、例えばエツチング等の目的でハ
ロゲンを含むガスを用いる場合には、フィラメントの寿
命が問題となる。そのため、イオン源として、マイクロ
波による無極放電プラズマを発生させ、このプラズマか
らイオンビームを引出す方式を採用して、イオンビーム
の中性化を検討したところ、Ａｒ＋イオンの中性化が僅
かしか生じないことが判明した。すなわち、上記のカラ
マン型イオン源から引出したＡｒ＋イオンビームに比較
して、マイクロ波プラズマ源から引出したＡｒ＋イオン
ビームは、Ａｒガス中での中性化の確率が小さいのであ
る。このため、得られるＡｒの中性ビームの強度が小さ
く、エツチング等の表面処理を目的としたビームとして
はフラツクスが不足である。
本発明の目的は、マイクロ波プラズマを用いて十分大き
なフラックスの中性ビームを発生させることにある。
なフラックスの中性ビームを発生させることにある。
上記目的は、Ｎｅガスのマイクロ波プラズマを発生させ
、このプラズマ源から所望のエネルギに加速して引出し
たＮｅ＋イオンをＮｅガス中を通過させて電荷交換反応
により中性化することにより達成される。前述の如く、
マイクロ波プラズマで形成したＡｒ＋イオンは、中性化
の確率が小さいが、Ｎｅ＋イオンの場合には中性化の確
率が大きく、十分なフラックスのＮｅ中性ビームが得ら
れることが、本発明者らの実験の結果見出された。
、このプラズマ源から所望のエネルギに加速して引出し
たＮｅ＋イオンをＮｅガス中を通過させて電荷交換反応
により中性化することにより達成される。前述の如く、
マイクロ波プラズマで形成したＡｒ＋イオンは、中性化
の確率が小さいが、Ｎｅ＋イオンの場合には中性化の確
率が大きく、十分なフラックスのＮｅ中性ビームが得ら
れることが、本発明者らの実験の結果見出された。
第１表に、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｓについて、得られた
中性粒子ビームフラックス密度を記した。
中性粒子ビームフラックス密度を記した。
また、イオン源からイオンビームが引出されたあと、低
圧気体中を通過する際に電荷交換反応でイオンビームの
電流密度がイオンの飛程とともに減衰し、中性粒子ビー
ムのフラックス密度が増大する。従ってイオン電流密度
をイオン飛程に沿って測ることによって、電荷交換の反
応断面積を測定することができる。本発明で用いるマイ
クロ波プラズマを形成したＮ ｅ＋、 Ａ ｒ＋、 Ｋ
ｒ十、Ｘ ｅ＋が各々同種のガス中を通過する際の電
荷交換の反応断面積は第２表に記した結果となった。第
２表から分るように、Ｎｅ＋イオン中性化の断面積はエ
ネルギ３００ｅＶのとき２ Ｘ １０−”ｃｘｌである
が、Ａ ｒ＋、 Ｋ ｒ＋、 Ｘ ｅ＋と重いイオンに
なるに従って、それぞれ４ Ｘ １０−ＩＢｃｄ、 Ｉ
Ｘ １０−１８ｃｘｌ、 ３Ｘ １０−１７ａｌｌと
小さな値になった。従って第１表のように、Ａ ｒ ｇ
Ｋ ｒ ；−Ｘ ｅでは小さなフラックス密度の中性
ビームしか得られず、Ｎｅでは比較的大きなフラックス
密度２Ｘ１０１４個／ｄ−８の中性ビームが得られる。
圧気体中を通過する際に電荷交換反応でイオンビームの
電流密度がイオンの飛程とともに減衰し、中性粒子ビー
ムのフラックス密度が増大する。従ってイオン電流密度
をイオン飛程に沿って測ることによって、電荷交換の反
応断面積を測定することができる。本発明で用いるマイ
クロ波プラズマを形成したＮ ｅ＋、 Ａ ｒ＋、 Ｋ
ｒ十、Ｘ ｅ＋が各々同種のガス中を通過する際の電
荷交換の反応断面積は第２表に記した結果となった。第
２表から分るように、Ｎｅ＋イオン中性化の断面積はエ
ネルギ３００ｅＶのとき２ Ｘ １０−”ｃｘｌである
が、Ａ ｒ＋、 Ｋ ｒ＋、 Ｘ ｅ＋と重いイオンに
なるに従って、それぞれ４ Ｘ １０−ＩＢｃｄ、 Ｉ
Ｘ １０−１８ｃｘｌ、 ３Ｘ １０−１７ａｌｌと
小さな値になった。従って第１表のように、Ａ ｒ ｇ
Ｋ ｒ ；−Ｘ ｅでは小さなフラックス密度の中性
ビームしか得られず、Ｎｅでは比較的大きなフラックス
密度２Ｘ１０１４個／ｄ−８の中性ビームが得られる。
第 １ 表
第 ２ 表
申）イオンエネルギが３００ｅＶのときの値〔作用〕
マイクロ波プラズマで形成したＮｅ＋イオンビームはＮ
ｅを含むガス中を通過する際にＮｅ＋イオン →Ｎ ｅ
＋ Ｎ ｅ ＋なる電荷交換反応が生じて、数１０
０ｅＶに加速されたＮｅ＋イオンが中性のＮｅに転化し
、同じ数１００ｅＶの運動エネルギを持ったまま直進す
る。前述したように、このとき上記の反応が生じる確率
はＡｒｃ、Ｘｅ÷等他のイオンに比較して大きく、Ｎｅ
の中性ビームは、十分な強度のものが得られる。先に記
したように、カウフマン型イオン源を使う場合には、Ａ
ｒ＋イオンが十分大きな確率で中性化され、その中性化
の反応断面積は例えば、ジャーナル オブ ケミカル
フィジックス ３７（１９６２年）第２６３１頁から２
６４２頁（Ｊ、 ｅｈｅｍ、Ｐｈｙｓ、３７（１９６２
） ＰＰ ２６３１〜２６４２）に報告されている値と
ほぼ一致した。
ｅを含むガス中を通過する際にＮｅ＋イオン →Ｎ ｅ
＋ Ｎ ｅ ＋なる電荷交換反応が生じて、数１０
０ｅＶに加速されたＮｅ＋イオンが中性のＮｅに転化し
、同じ数１００ｅＶの運動エネルギを持ったまま直進す
る。前述したように、このとき上記の反応が生じる確率
はＡｒｃ、Ｘｅ÷等他のイオンに比較して大きく、Ｎｅ
の中性ビームは、十分な強度のものが得られる。先に記
したように、カウフマン型イオン源を使う場合には、Ａ
ｒ＋イオンが十分大きな確率で中性化され、その中性化
の反応断面積は例えば、ジャーナル オブ ケミカル
フィジックス ３７（１９６２年）第２６３１頁から２
６４２頁（Ｊ、 ｅｈｅｍ、Ｐｈｙｓ、３７（１９６２
） ＰＰ ２６３１〜２６４２）に報告されている値と
ほぼ一致した。
しかし、前述したようにマイクロ波プラズマをイオン源
として用いるとＡ ｒ＋、 Ｋ ｒ＋、 Ｘ ｅ十等重
い原子のイオンは電荷交換による中性化の確率が小さい
ことを本発明者らは見出した。この原因は明らかではな
いが、マイクロ波プラズマで生成したＡｒｃ、Ｋｒ＋な
どのイオンもしくは、これらのイオンが透過する背景ガ
スのＡｒやＫｒが励起状態にあって対称電荷交換の断面
積が小さいためではないかと考えられる。Ｎｅ十の場合
に、電荷交換による中性化が高い確率で起きるのは、Ｎ
ｅ＋イオンおよび、Ｎｅの原子の励起エネルギーはＡｒ
やＫｒ等に比べて大きいため、大部分が基底状態にあっ
て対称電荷交換が生じ易いのではないかと考えられる。
として用いるとＡ ｒ＋、 Ｋ ｒ＋、 Ｘ ｅ十等重
い原子のイオンは電荷交換による中性化の確率が小さい
ことを本発明者らは見出した。この原因は明らかではな
いが、マイクロ波プラズマで生成したＡｒｃ、Ｋｒ＋な
どのイオンもしくは、これらのイオンが透過する背景ガ
スのＡｒやＫｒが励起状態にあって対称電荷交換の断面
積が小さいためではないかと考えられる。Ｎｅ十の場合
に、電荷交換による中性化が高い確率で起きるのは、Ｎ
ｅ＋イオンおよび、Ｎｅの原子の励起エネルギーはＡｒ
やＫｒ等に比べて大きいため、大部分が基底状態にあっ
て対称電荷交換が生じ易いのではないかと考えられる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。イオ
ン源１内にガス供給管６を通じてＮｅガスを導入する。
ン源１内にガス供給管６を通じてＮｅガスを導入する。
導波管２に２．４５ＧＨｚ のマイクロ波を供給して
、イオン源１内にプラズマを生成し、イオンビーム引出
し電極４，５に各々正。
、イオン源１内にプラズマを生成し、イオンビーム引出
し電極４，５に各々正。
負の電圧を印加して、所望のエネルギのイオンビームを
引出す。真空槽７は、ガス供給管６から供給されるＮｅ
ガスが、３〜５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
ている。Ｎｅ＋イオンはこの中を通過するとき、その相
当部分が中性化される。こうして形成されたＮｒ＋イオ
ンと中性高速のＮｅ原子からなるビームは、中性ビーム
通過電極８において、イオンの進入が阻止され、Ｎｅの
中性ビームのみが試料台１０の上に配置された試料１１
に到達する。以上と全く同様の方法でＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
等の中性ビームを生成した場合に比べて得られたＮｅの
中性ビームのフラックスは数倍ないし１０倍であった。
引出す。真空槽７は、ガス供給管６から供給されるＮｅ
ガスが、３〜５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
ている。Ｎｅ＋イオンはこの中を通過するとき、その相
当部分が中性化される。こうして形成されたＮｒ＋イオ
ンと中性高速のＮｅ原子からなるビームは、中性ビーム
通過電極８において、イオンの進入が阻止され、Ｎｅの
中性ビームのみが試料台１０の上に配置された試料１１
に到達する。以上と全く同様の方法でＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
等の中性ビームを生成した場合に比べて得られたＮｅの
中性ビームのフラックスは数倍ないし１０倍であった。
以上のように、本発明はＮｅガスのマイクロ波プラズマ
を用いて、Ｎｅの中性高速ビームを形成することに特徴
があり、Ａｒ、Ｋｒ。
を用いて、Ｎｅの中性高速ビームを形成することに特徴
があり、Ａｒ、Ｋｒ。
Ｘｓ等他の原子の場合に比べて、高フラツクスの中性ビ
ームが得られるので、より効率的に表面処理を行うこと
ができる。第１図において、反応性ガス供給口９は、試
料表面に塩素、フッ素などハロゲンを含む反応性ガスを
供給するものであり、上記の中性ビームと反応性ガスを
同時に供給することにより、エツチング、クリーニング
などの表面処理を高速に行うことができる。反応性ガス
供給口９から供給するガスは、グロー放電、光照射など
の励起方法によって、解離あるいは励起されたものであ
ってもよい。本実施例で得られる、Ｎｅの高速原子を例
えばスパッタリングに用いる場合、Ａｒ、Ｋｒ等のより
重い原子に比べ、スパッタ率はやや小さいが、その比率
は０．７〜０．８であり、十分大きな値である。
ームが得られるので、より効率的に表面処理を行うこと
ができる。第１図において、反応性ガス供給口９は、試
料表面に塩素、フッ素などハロゲンを含む反応性ガスを
供給するものであり、上記の中性ビームと反応性ガスを
同時に供給することにより、エツチング、クリーニング
などの表面処理を高速に行うことができる。反応性ガス
供給口９から供給するガスは、グロー放電、光照射など
の励起方法によって、解離あるいは励起されたものであ
ってもよい。本実施例で得られる、Ｎｅの高速原子を例
えばスパッタリングに用いる場合、Ａｒ、Ｋｒ等のより
重い原子に比べ、スパッタ率はやや小さいが、その比率
は０．７〜０．８であり、十分大きな値である。
本発明によれば、高フラツクスの中性ビームが得られる
ので、高速の表面処理が可能である。
ので、高速の表面処理が可能である。
Ａｒその他の中性ビームを生成する場合に比べて、Ｎｅ
の中性ビームは数倍〜１０倍のフラックスが得られる。
の中性ビームは数倍〜１０倍のフラックスが得られる。
本発明の方法では、マイクロ波放電を用いるので、１０
−’Ｔｏｒｒ程度の低いガス圧力のもとでも、プラズマ
を発生させることができるので、低いガス圧力でも中性
ビームを得ることができる利点もある。
−’Ｔｏｒｒ程度の低いガス圧力のもとでも、プラズマ
を発生させることができるので、低いガス圧力でも中性
ビームを得ることができる利点もある。
以上、本発明の説明では、Ｎｅの中性ビームを表面処理
に利用することについて述べたが、本発明の中性ビーム
は表面処理以外にも、中性粒子散乱分光、イオン散乱分
光などの表面分析にも応用することができる。このよう
な表面分析の場合には、本発明の方法を用いて、Ｈｅの
中性粒子を生成することもできる。
に利用することについて述べたが、本発明の中性ビーム
は表面処理以外にも、中性粒子散乱分光、イオン散乱分
光などの表面分析にも応用することができる。このよう
な表面分析の場合には、本発明の方法を用いて、Ｈｅの
中性粒子を生成することもできる。
第１図は本発明を実施するための装置構成例である。
１・・・イオン源、２・・・マイクロ波導波管、３・・
・放電管、４，５・・・イオンビーム引出し電極、６・
・・ガス供給口、７・・・真空槽、８・・・中性ビーム
透過電極、９・・・反応性ガス供給口、１０・・・試料
台、１１・・・試料。
・放電管、４，５・・・イオンビーム引出し電極、６・
・・ガス供給口、７・・・真空槽、８・・・中性ビーム
透過電極、９・・・反応性ガス供給口、１０・・・試料
台、１１・・・試料。
Claims (1)
- １、マイクロ波により励起したＮｅを含むガスのプラズ
マからＮｅ＾＋イオンビームを引き出し、該Ｎｅ＾＋イ
オンビームをガス中を通過させることによりＮｅの中性
ビームを形成することを特徴とする中性ビーム形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15328887A JPS63318058A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 中性ビ−ム形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15328887A JPS63318058A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 中性ビ−ム形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318058A true JPS63318058A (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=15559201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15328887A Pending JPS63318058A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 中性ビ−ム形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63318058A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518572A (en) * | 1991-06-10 | 1996-05-21 | Kawasaki Steel Corporation | Plasma processing system and method |
| JP2008096239A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Osaka Prefecture Univ | 中性粒子ビーム発生装置 |
| JP2009290026A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Tohoku Univ | 中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15328887A patent/JPS63318058A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518572A (en) * | 1991-06-10 | 1996-05-21 | Kawasaki Steel Corporation | Plasma processing system and method |
| JP2008096239A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Osaka Prefecture Univ | 中性粒子ビーム発生装置 |
| JP2009290026A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Tohoku Univ | 中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法 |
| JP4743229B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2011-08-10 | 国立大学法人東北大学 | 中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法 |
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